DE602006020796D1 - Aberrationsmessvorrichtung zum Messen von Aberrationen eines für Ladungspartikelstrahlenbündel vorgesehenen optischen Systems, lithographischer Apparat mit einer solchen Vorrichtung, und Verfahren zur Herstellung von Erzeugnissen mit einem solchen Apparat - Google Patents

Aberrationsmessvorrichtung zum Messen von Aberrationen eines für Ladungspartikelstrahlenbündel vorgesehenen optischen Systems, lithographischer Apparat mit einer solchen Vorrichtung, und Verfahren zur Herstellung von Erzeugnissen mit einem solchen Apparat

Info

Publication number
DE602006020796D1
DE602006020796D1 DE602006020796T DE602006020796T DE602006020796D1 DE 602006020796 D1 DE602006020796 D1 DE 602006020796D1 DE 602006020796 T DE602006020796 T DE 602006020796T DE 602006020796 T DE602006020796 T DE 602006020796T DE 602006020796 D1 DE602006020796 D1 DE 602006020796D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
methods
optical system
charged particle
system provided
particle beams
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE602006020796T
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Masato Muraki
Hiroya Ohta
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Canon Inc
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Canon Inc, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Publication of DE602006020796D1 publication Critical patent/DE602006020796D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30433—System calibration

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
DE602006020796T 2005-01-26 2006-01-26 Aberrationsmessvorrichtung zum Messen von Aberrationen eines für Ladungspartikelstrahlenbündel vorgesehenen optischen Systems, lithographischer Apparat mit einer solchen Vorrichtung, und Verfahren zur Herstellung von Erzeugnissen mit einem solchen Apparat Expired - Lifetime DE602006020796D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005017698A JP4657740B2 (ja) 2005-01-26 2005-01-26 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE602006020796D1 true DE602006020796D1 (de) 2011-05-05

Family

ID=36587153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602006020796T Expired - Lifetime DE602006020796D1 (de) 2005-01-26 2006-01-26 Aberrationsmessvorrichtung zum Messen von Aberrationen eines für Ladungspartikelstrahlenbündel vorgesehenen optischen Systems, lithographischer Apparat mit einer solchen Vorrichtung, und Verfahren zur Herstellung von Erzeugnissen mit einem solchen Apparat

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7378671B2 (https=)
EP (1) EP1686609B1 (https=)
JP (1) JP4657740B2 (https=)
DE (1) DE602006020796D1 (https=)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4657740B2 (ja) 2005-01-26 2011-03-23 キヤノン株式会社 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
US8610082B2 (en) * 2011-03-25 2013-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Drawing apparatus and method of manufacturing article
JP6219320B2 (ja) 2012-03-08 2017-10-25 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法
US9081287B2 (en) 2012-12-20 2015-07-14 Kla-Tencor Corporation Methods of measuring overlay errors in area-imaging e-beam lithography
JP6080540B2 (ja) * 2012-12-26 2017-02-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置
JP6930431B2 (ja) * 2018-01-10 2021-09-01 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
DE102018115012A1 (de) * 2018-06-21 2019-12-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
US11145485B2 (en) * 2018-12-26 2021-10-12 Nuflare Technology, Inc. Multiple electron beams irradiation apparatus
KR102756503B1 (ko) * 2018-12-31 2025-01-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 다중 빔 검사 장치
KR102817129B1 (ko) * 2020-02-21 2025-06-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 검사 툴, 검사 방법

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5463681A (en) * 1977-10-29 1979-05-22 Nippon Aviotronics Kk Electron beam exposure device
US4985634A (en) * 1988-06-02 1991-01-15 Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications Ion beam lithography
EP1369897A3 (en) * 1996-03-04 2005-01-19 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method
JP3647128B2 (ja) 1996-03-04 2005-05-11 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置とその露光方法
JP3927620B2 (ja) * 1996-06-12 2007-06-13 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
JP3728015B2 (ja) * 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
JP3796317B2 (ja) * 1996-06-12 2006-07-12 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
US5929454A (en) * 1996-06-12 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them
US5747814A (en) * 1996-12-06 1998-05-05 International Business Machines Corporation Method for centering a lens in a charged-particle system
US5981954A (en) * 1997-01-16 1999-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
JP3689516B2 (ja) * 1997-01-29 2005-08-31 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置
JPH10214779A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Canon Inc 電子ビーム露光方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
US6107636A (en) * 1997-02-07 2000-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and its control method
JPH10294255A (ja) 1997-04-17 1998-11-04 Canon Inc 電子ビーム照明装置、および該電子ビーム照明装置を備えた露光装置
US6104035A (en) * 1997-06-02 2000-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Electron-beam exposure apparatus and method
JP3787417B2 (ja) * 1997-06-11 2006-06-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
US6552353B1 (en) * 1998-01-05 2003-04-22 Canon Kabushiki Kaisha Multi-electron beam exposure method and apparatus and device manufacturing method
US6455211B1 (en) 1998-02-09 2002-09-24 Canon Kabushiki Kaisha Pattern transfer method and apparatus, and device manufacturing method
JP4077933B2 (ja) * 1998-06-24 2008-04-23 キヤノン株式会社 マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
JP4454706B2 (ja) * 1998-07-28 2010-04-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
JP2000049071A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Canon Inc 電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法
US6559456B1 (en) * 1998-10-23 2003-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Charged particle beam exposure method and apparatus
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JP2001267221A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Canon Inc 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
US6566664B2 (en) * 2000-03-17 2003-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method
JP2001332473A (ja) * 2000-05-23 2001-11-30 Canon Inc 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP4585661B2 (ja) * 2000-03-31 2010-11-24 キヤノン株式会社 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP2002195913A (ja) * 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 収差測定装置及び方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
TW591694B (en) * 2001-02-13 2004-06-11 Nikon Corp Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system
JP4436029B2 (ja) * 2001-02-13 2010-03-24 株式会社ニコン 投影光学系の製造方法及び調整方法、露光装置及びその製造方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータシステム
JP4647820B2 (ja) * 2001-04-23 2011-03-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法
JP4756776B2 (ja) * 2001-05-25 2011-08-24 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法
JP3968334B2 (ja) * 2002-09-11 2007-08-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法
US6953938B2 (en) * 2002-10-03 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus
JP2004153245A (ja) 2002-10-07 2004-05-27 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置における非点収差ボケの補正感度又は発生感度の決定方法、及び露光方法
JP3870153B2 (ja) * 2002-10-22 2007-01-17 キヤノン株式会社 光学特性の測定方法
JP4421836B2 (ja) * 2003-03-28 2010-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4275441B2 (ja) 2003-03-31 2009-06-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 収差補正器付電子線装置
JP4113032B2 (ja) * 2003-04-21 2008-07-02 キヤノン株式会社 電子銃及び電子ビーム露光装置
JP4738723B2 (ja) * 2003-08-06 2011-08-03 キヤノン株式会社 マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法
GB2408383B (en) * 2003-10-28 2006-05-10 Ims Nanofabrication Gmbh Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus
US7261985B2 (en) * 2004-03-12 2007-08-28 Litel Instruments Process for determination of optimized exposure conditions for transverse distortion mapping
JP4477436B2 (ja) * 2004-06-30 2010-06-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP4652830B2 (ja) * 2005-01-26 2011-03-16 キヤノン株式会社 収差調整方法、デバイス製造方法及び荷電粒子線露光装置
JP4657740B2 (ja) 2005-01-26 2011-03-23 キヤノン株式会社 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060169898A1 (en) 2006-08-03
EP1686609A3 (en) 2009-01-14
JP4657740B2 (ja) 2011-03-23
US7378671B2 (en) 2008-05-27
EP1686609A2 (en) 2006-08-02
JP2006210458A (ja) 2006-08-10
EP1686609B1 (en) 2011-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602005012670D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Messung einer optischen Wellenform
DE60104236D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum objektiven Messen von optischen Systemen mittels Wellenfrontanalyse
DE60308161D1 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE602004029970D1 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE602006020796D1 (de) Aberrationsmessvorrichtung zum Messen von Aberrationen eines für Ladungspartikelstrahlenbündel vorgesehenen optischen Systems, lithographischer Apparat mit einer solchen Vorrichtung, und Verfahren zur Herstellung von Erzeugnissen mit einem solchen Apparat
DE602008004302D1 (de) Blockstück zum Halten eines optischen Werkstücks, insbesondere eines Brillenglases, zu dessen Bearbeitung und Verfahren zur Herstellung von Brillengläsern entsprechend einem Rezept
DE60130160D1 (de) Verfahren zur Aberrationsmessung in einem optischen Abbildungssystem
DE60319462D1 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE602007010886D1 (de) Vorrichtung zur Schätzung eines Indexes für Menschen und entsprechendes Verfahren
EP4030403A4 (en) METHOD AND DEVICE FOR PREDICTING THE EXIT OF A VEHICLE
WO2012030825A3 (en) Wafer plane detection of lithographically significant contamination photomask defects
DE10239435B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur optischen Distanzmessung
DE602006002666D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Benachrichtigung der Beendigung eines Wiedereintrittsverfahrens in einem Kommunikationssystem
EP4518344A4 (en) METHOD FOR ESTABLISHING AN OPTICAL PATH, AND ASSOCIATED DEVICE
EP4289172A4 (en) METHOD AND APPARATUS FOR CARRYING OUT A CELL MEASURING PROCESS
DE602006020797D1 (de) Verfahren zur Einstellung der Aberrationen eines Apparats für die Teilchenstrahllithographie, Apparat für die Teilchenstrahllithographie, sowie Verfahren zur Herstellung von Produkten mit diesem Apparat
DE602005021160D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines optischen kabels und so hergestelltes kabel
EP2343839A4 (en) METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR MANAGING OPTICAL NODE INFORMATION IN AN OPTICAL DISTRIBUTION NETWORK
EP4048827C0 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines synthesegases umfassend kohlenmonoxid und wasserstoff
DE602005012916D1 (de) Lithografische Vorrichtung, Baugruppe und Verfahren zur Messung eines Parameters eines Projektionssystems
DE102009038965A8 (de) Vorrichtung und Verfahren zum optischen Inspizieren einer Oberfläche an einem Gegenstand
DE602005020111D1 (de) Verfahren, Vorrichtung und System für das Auswerten eines fehlerhaften Punktes in einer mehrstufigen, optischen, einen Verstärker aufweisenden Übertragungsleitung
EP4104788A4 (en) METHOD FOR VERIFYING THE MATCHING OF A SURGICAL TARGET, ASSOCIATED APPARATUS, AND SYSTEM COMPRISING SAME
DE602006014533D1 (de) Verfahren zur porositätsmessung mittels ellipsometrie und vorrichtung zur implementierung eines solchen verfahrens
EP3738753C0 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines hybridfaserbündels