DE602006013935D1 - Verfahren zum Programmieren einer Speicheranordnung dafür geeignet die Kopplungen der schwebeneden Gatter zu minimieren und eine Speicheranordnung - Google Patents

Verfahren zum Programmieren einer Speicheranordnung dafür geeignet die Kopplungen der schwebeneden Gatter zu minimieren und eine Speicheranordnung

Info

Publication number
DE602006013935D1
DE602006013935D1 DE602006013935T DE602006013935T DE602006013935D1 DE 602006013935 D1 DE602006013935 D1 DE 602006013935D1 DE 602006013935 T DE602006013935 T DE 602006013935T DE 602006013935 T DE602006013935 T DE 602006013935T DE 602006013935 D1 DE602006013935 D1 DE 602006013935D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory device
programming
minimize
coupling
floating gates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602006013935T
Other languages
English (en)
Inventor
Andrea Martinelli
Stefan Schippers
Marco Onorato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Publication of DE602006013935D1 publication Critical patent/DE602006013935D1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
    • G11C11/5628—Programming or writing circuits; Data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
    • G11C2211/562—Multilevel memory programming aspects
    • G11C2211/5621—Multilevel programming verification

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
DE602006013935T 2006-03-31 2006-03-31 Verfahren zum Programmieren einer Speicheranordnung dafür geeignet die Kopplungen der schwebeneden Gatter zu minimieren und eine Speicheranordnung Active DE602006013935D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06425223A EP1840901B1 (de) 2006-03-31 2006-03-31 Verfahren zum Programmieren einer Speicheranordnung dafür geeignet die Kopplungen der schwebeneden Gatter zu minimieren und eine Speicheranordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE602006013935D1 true DE602006013935D1 (de) 2010-06-10

Family

ID=36999849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602006013935T Active DE602006013935D1 (de) 2006-03-31 2006-03-31 Verfahren zum Programmieren einer Speicheranordnung dafür geeignet die Kopplungen der schwebeneden Gatter zu minimieren und eine Speicheranordnung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7688633B2 (de)
EP (1) EP1840901B1 (de)
DE (1) DE602006013935D1 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7567455B2 (en) 2007-06-19 2009-07-28 Micron Technology, Inc. Method and system for programming non-volatile memory cells based on programming of proximate memory cells
US7898863B2 (en) 2007-08-01 2011-03-01 Micron Technology, Inc. Method, apparatus, and system for improved read operation in memory
US7782668B2 (en) * 2007-11-01 2010-08-24 Jonker Llc Integrated circuit embedded with non-volatile one-time-programmable and multiple-time programmable memory
US8580622B2 (en) * 2007-11-14 2013-11-12 Invensas Corporation Method of making integrated circuit embedded with non-volatile programmable memory having variable coupling
US7787295B2 (en) * 2007-11-14 2010-08-31 Jonker Llc Integrated circuit embedded with non-volatile multiple-time programmable memory having variable coupling
US7876615B2 (en) 2007-11-14 2011-01-25 Jonker Llc Method of operating integrated circuit embedded with non-volatile programmable memory having variable coupling related application data
JP5151439B2 (ja) * 2007-12-12 2013-02-27 ソニー株式会社 記憶装置および情報再記録方法
US7746691B2 (en) * 2008-06-10 2010-06-29 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus utilizing predicted coupling effect in the programming of non-volatile memory
US8305805B2 (en) * 2008-11-03 2012-11-06 Invensas Corporation Common drain non-volatile multiple-time programmable memory
US8203861B2 (en) * 2008-12-30 2012-06-19 Invensas Corporation Non-volatile one-time—programmable and multiple-time programmable memory configuration circuit
KR102106866B1 (ko) 2013-01-29 2020-05-06 삼성전자주식회사 멀티레벨 불휘발성 메모리 장치 및 프로그램 방법
US9589659B1 (en) 2016-05-25 2017-03-07 Micron Technology, Inc. Pre-compensation of memory threshold voltage

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5555204A (en) * 1993-06-29 1996-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device
US5903495A (en) * 1996-03-18 1999-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and memory system
US6320785B1 (en) * 1996-07-10 2001-11-20 Hitachi, Ltd. Nonvolatile semiconductor memory device and data writing method therefor
JP3410036B2 (ja) * 1999-02-03 2003-05-26 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置への情報の書き込み方法
US6219276B1 (en) * 2000-02-25 2001-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. Multilevel cell programming
KR100385229B1 (ko) * 2000-12-14 2003-05-27 삼성전자주식회사 스트링 선택 라인에 유도되는 노이즈 전압으로 인한프로그램 디스터브를 방지할 수 있는 불휘발성 반도체메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
US6522580B2 (en) * 2001-06-27 2003-02-18 Sandisk Corporation Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states
US6781877B2 (en) * 2002-09-06 2004-08-24 Sandisk Corporation Techniques for reducing effects of coupling between storage elements of adjacent rows of memory cells
KR100721013B1 (ko) * 2005-07-26 2007-05-22 삼성전자주식회사 낸드 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7688633B2 (en) 2010-03-30
EP1840901A1 (de) 2007-10-03
US20070247917A1 (en) 2007-10-25
EP1840901B1 (de) 2010-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602006013935D1 (de) Verfahren zum Programmieren einer Speicheranordnung dafür geeignet die Kopplungen der schwebeneden Gatter zu minimieren und eine Speicheranordnung
DE602007002041D1 (de) Nichtflüchtige Speichervorrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben
DE102011055714B8 (de) Verfahren zum Programmieren einer nicht-flüchtigen Speichervorrichtung
ATE482152T1 (de) Verpackung und verfahren zum schliessen und öffnen einer verpackung
DE602005014378D1 (de) Verfahren und einrichtung zum erzeugen einer terahertzwelle
DE112006004278A5 (de) Glaszusammensetzung und Verfahren zum Herstellen einer Glaszusammensetzung
DE602006013863D1 (de) Verfahren und vorrichtung für einen gelenkbohrer
DE502006008684D1 (de) Verfahren und spritzgiesswerkzeug zum herstellen einer faserverbundstruktur
DE102008033511A8 (de) Verfahren zum Programmieren eines Flashspeichers, Flashspeicher und Flashspeichersystem
DE502006003971D1 (de) Clipmaschine und Verfahren zum Einrichten einer Clipmaschine
DE502007005763D1 (de) Induktives bauelement und verfahren zum herstellen eines induktiven bauelements
DE602005009464D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Programmieren eines nichtflüchtigen Speichers
DE502005005634D1 (de) Beschichtungsanlage und Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsanlage
DE112007002288A5 (de) Halbleiterkörper und Verfahren zum Entwurf eines Halbleiterkörpers mit einer Anschlussleitung
ATE474122T1 (de) System und verfahren zum festhalten eines untergrunderkundungs- und -produktionssystems
DE502007005280D1 (de) SENSORSYSTEM UND SENSORELEMENT SOWIE VERFAHREN ZUM ÜBERWACHEN EINES SCHLIEßMECHANISMUS
DE112008002879A5 (de) Detektor und Verfahren zum Erkennen einer Fahrspurbegrenzung
DE602005023542D1 (de) Einrichtung und verfahren zum ausführen einer dma-task
DE602005004553D1 (de) Flash-speichereinheit und verfahren zur programmierung einer flash-speichereinheit
DE112006003929A5 (de) Anlage und Verfahren zum Herstellen von Betonwaren
DE112007002936B8 (de) Plattierelement und Verfahren zum Herstellen desselben
DE502006007474D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Kunststoff-Wirkwerkzeugbarre und Kunststoff-Wirkwerkzeugbarre
DE602008003511D1 (de) Verfahren zum Formen einer vorgebauten Lochversiegelungskomponente
DE602006013977D1 (de) Verfahren zum Festlegen der Leseauswertungszeit in einer nicht-flüchtigen NAND-Speichervorrichtung
AT503499A3 (de) Anlage zum herstellen von leimbindern sowie leimbinderpresse

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition