DE602004004554T2 - Unabhängig adressierbare widerstandsmatrizen und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung betrifft Matrizen aus zeilen- und spaltenförmig miteinander verbundenen passiven Komponenten, insbesondere Widerständen, und die Herstellung solcher Matrizen. Diese Widerstandsmatrizen können auf verschiedenen Gebieten benutzt werden, insbesondere um Komponenten durch Joule-Effekt zu aktivieren.
  • STAND DER TECHNIK
  • Für platzsparende und dichtere Steuerungen sind Widerstandsmatrizen entwickelt worden, bei denen eine große Anzahl resistiver Elemente, die einzeln aktivierbar sind, auf einer kleinen Fläche verdichtet werden.
  • Das Dokument EP-A-0 813 088 beschreibt ein optisches Relais, das durch eine thermische Stimulation aktiviert wird. Das Relais wird durch eine Widerstandsmatrix gebildet. In dem Dokument EP-A-1 188 840 wird eine Matrix aus Heizelementen beschrieben, die selektiv betätigt werden können.
  • Die 1 zeigt eine Widerstandsmatrix mit N Steuerungszeilen (Ni-indiziert, mit i als strikt positiver Ganzzahl) und M Steuerungsspalten (Nj-indiziert, mit j als strikt positiver Ganzzahl) und NM Widerständen (Rij-indiziert, wobei jeder Widerstand Rij durch die Zeile Ni und die Spalte Mj gesteuert wird). Um einen Widerstand zu steuern, "schließt" man die Schalter seiner Zeile und Spalte: man kann zum Beispiel die Spannung "+V" an die Zeile Ni und "0" an die Spalte Mj legen; dadurch "adressiert" man den Widerstand Rij, das heißt dass er von einem Strom durchflossen wird, im Gegensatz zu den anderen Widerständen.
  • Unabhängig von der Verwendung dieser Matrizen geht es u.a. immer darum, die Steuerungsleistung genau auf einen bestimmten Widerstands zu lokalisieren, um die von der Steuerung erwartete Wirkung zu erzielen, und dabei die Verluste in Form von induzierten oder abgeleiteten Strömen in den anderen Elementen der Matrix, insbesondere den Widerständen, zu begrenzen, so dass sich die Leistung in dem adressierten bzw. angesteuerten Widerstand erhöht und die Steuerung spezifisch bleibt.
  • Tatsächlich wird das Maximum bzw. der größte Teil der Leistung in dem angesteuerten Widerstand verbraucht bzw. freigesetzt, jedoch fließen in den Zeilen und Spalten sowie den anderen Widerständen Nichtnullströme, die Leistungsverluste in und durch diese Elemente induzieren. Dies hat zur Folge, dass die Steuerungsleistung nicht total von dem angesteuerten Widerstand in Wärme umgesetzt wird (Effizienzverlust), sondern dass in erwünschter Weise auch die nicht-angesteuerten Widerstände einen Teil der Leistung in Wärme umsetzen (Sensitivitätsverlust). So haben Simulationen gezeigt, dass bei einer Matrix mit 150 Punkten zum Beispiel ungefähr 15 % der Leistung in dem angesteuerten Punkt in Wärme umgesetzt wird, während die anderen Punkte, bei denen die freigesetzte Leistung am stärksten ist, ungefähr 5 % der Leistung in Wärme umsetzen.
  • Eines der bekannten Mittel zur Beseitigung dieser Effekte besteht darin, jeden Widerstand mit einer Diode oder einem Schalter zu verbinden, um den Strom in den nicht-angesteuerten Widerständen zu blockieren. Jedoch ist diese sehr aufwendig, da sich die Anzahl der Bauelemente verdoppelt, was die Herstellungskosten erhöht und die Kompaktheit verringert.
  • Eine andere Technik besteht darin, die Matrix in Untereinheiten aufzuteilen, so dass der Leistungsverlust reduziert wird, was ermöglicht, die Anzahl der Dioden zu reduzieren. Diese Lösung beseitigt aber weder die den Dioden eigenen Komplexitätsprobleme noch die parasitäre Resterwärmung in jeder der Matrizen.
  • Eine weitere Alternative besteht darin, jede Zeile und Spalte mit Spannungen zu steuern, die durch ein Kontrollsystem angepasst und geregelt werden. Durch diese Zwischeneinrichtung ist es möglich, die restliche Leistung in den nicht-angesteuerten Widerständen genau zu kontrollieren und die Parameter zu modifizieren. Diese Lösung ist zwar effizient, erfordert jedoch ein teures und komplexes Steuerungskontrollsystem.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Der Gegenstand der Erfindung besteht darin, eine einfache Lösung zur Herstellung einer Widerstandsmatrix vorzuschlagen, bei der die Nachteile der existierenden Lösungen vermieden werden, wobei diese Matrix ermöglicht, Leistung in einem ihrer Widerstände zu lokalisieren, indem man die in dem Rest der Matrix zerstreute Leistung begrenzt. Thermisch aktiviert dieser Widerstand eine zugeordnete Komponente.
  • Insbesondere betrifft einer der Aspekte der Erfindung die Wahl der thermischen Eigenschaften wenigstens eines Widerstand, um seinen Ansteuerungswirkungsgrad zu erhöhen, das heißt die durch diesen Widerstand im Verhältnis zu der Gesamtleistung verbrauchte bzw. freigesetzte Leistung, wobei diese Leistung ermöglicht, eine zugeordnete Komponente thermisch zu aktivieren. Dieser Widerstand (oder diese Widerstände) wird (werden) also mit negativem Temperaturkoeffizient gewählt, das heißt, dass der Wert des Widerstands mit seiner Temperatur abnimmt. Die Temperatur des Widerstandselements nimmt im Laufe seiner Benutzung durch die Leistungsfreisetzung zu; erfindungsgemäß nimmt dann bei konstanter Spannung der Wert seines Widerstands im Laufe der Erwärmung ab. Die Genauigkeit der Aktivierung von zugeordneten Komponenten wird also erhöht.
  • Die Erfindung betrifft also eine Widerstandsmatrix, bei der einer der Widerstände einen negativen Temperaturkoeffizient aufweist und einer thermisch aktivierbaren Komponente zugeordnet ist. Vorteilhafterweise werden diese Widerstände mit negativem Temperaturkoeffizient durch ein einziges bzw. einheitliches Material gebildet, das diese Eigenschaften besitzt, was das Herstellungsverfahren um so mehr vereinfacht.
  • Ein bevorzugtes Realisierungsbeispiele betrifft eine Matrix, bei der alle Widerstände einen negativen und vorzugsweise identischen Temperaturkoeffizient haben. Unabhängig von der Matrix ist die in den nicht-angesteuerten Widerständen freigesetzte bzw. verbrauchte Leistung niedriger als die in dem angesteuerten Punkt freigesetzte Leistung. Die Temperatur des angesteuerten Widerstands erhöht sich also schneller als die Temperatur der restlichen Schaltung: selbst wenn alle Widerstände einen negativen, ja sogar identischen Temperaturkoeffizient aufweisen, nimmt der Wert der nicht-angesteuerten Widerstände in Abhängigkeit von der Zeit weniger schnell ab als derjenige der angesteuerten Widerstände. Es ereignet sich ein Phänomen der Erhöhung der durch die nicht-angesteuerten Widerstände freigesetzten Leistung, wobei diese Erhöhung niedriger ist als die der durch die angesteuerten Widerstände in Wärme umgesetzten Leistung. Folglich beobachtet man in diesem Fall auch eine Wirkungsgradverbesserung in Bezug auf eine klassische Matrix.
  • Vorteilhafterweise besitzt das für bestimmte, ja sogar alle Zeilen und Spalten verwendete Material einen positiven Temperaturkoeffizient, was eine Zunahme des Widerstands dieser Elemente und folglich eine Abnahme von verlorener Leistung zur Folge hat.
  • Mehrere, ja sogar alle Widerstände der erfindungsgemäßen Matrix können mit Komponenten verbunden sein, um sie zu aktivieren. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung mit dieser Matrix, etwa einen Biochip oder eine Reaktionskarte.
  • Vorteilhafterweise ist es zur Optimierung ihres Wirkungsgrads möglich, zum Beispiel durch einen programmierbaren Impulsgenerator die Zeit anzupassen, während der die Steuerspannung an einen Widerstand gelegt wird.
  • Die Erfindung betrifft auch das Herstellungsverfahren einer Widerstandsmatrix, bei der ein einer thermisch aktivierbaren Komponente zugeordneter Widerstand durch ein auf einem Substrat abgeschiedenes Material gebildet wird, wobei das Material einen elektrischen Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizient besitzt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die Erfindung wird besser verständlich durch die folgenden beigefügten Figuren, die nur der Erläuterung dienen und keinesfalls einschränkend sind:
  • 1: Schaltplan einer Widerstandsmatrix mit Anzeige eines induzierten Stroms.
  • 2: Zeitabhängige Entwicklung der verschiedenen Parameter im Laufe der Benutzung einer Widerstandsmatrix mit positivem Temperaturkoeffizient (2a) und einer Widerstandsmatrix mit negativem Temperaturkoeffizient (2b).
  • 3: Synopsis eines Herstellungsbeispiels einer bevorzugten erfindungsgemäßen Matrix.
  • DETAILLIERTE DARSTELLUNG SPEZIELLER REALISIERUNGSARTEN
  • Die 1, wie oben beschrieben, stellt eine klassische Matrix mit separat ansteuerbaren Widerständen dar, die N Zeilen, M Spalten und NM Widerstände umfasst. Diese Widerstände können entweder simultan oder sukzessiv oder entsprechend einer Kombination aus diesen beiden Betriebsarten gesteuert werden.
  • Der Widerstand Rij wird angesteuert und setzt mit einer Spannung U an den Anschlüssen eine Leistung Pij = U2/Rij in Wärme um. Die Leistung Pij kann insbesondere benutzt werden, um eine dem Widerstand Rij zugeordnete Komponente thermisch zu aktivieren.
  • Die Leistung Qij des angesteuerten Widerstands Rij ist gleich dem Beitrag Pij zur freigesetzten Gesamtleistung. Denn auch die anderen Elemente der Matrix reagieren auf die Ansteuerungsspannung: ein gestrichelt dargestelltes Beispiel eines induzierten Stroms erzeugt in dieser Konfiguration eine Wärmeleistung in insbesondere den Widerständen Ri+1 j, Ri+1 j+1, Ri j+1, Ri j+2 sowie in den Zeilen- und Spaltensegmenten, die sie trennen. Diese Parameter müssen bei der Bewertung des Wirkungsgrads berücksichtigt werden.
  • Jede Leistungsfreisetzung wird von einer Erwärmung des betreffenden Widerstands und einer Erhöhung seiner Temperatur begleitet. Die Temperatur des angesteuerten Widerstand erhöht sich schneller und mehr als die der anderen Elemente.
  • Der elektrische Widerstand der klassischen Materialien zur Herstellung von Widerständen erhöht sich, wenn sich die Temperatur erhöht (s. Kennlinie Rij der 2a). Die durch den Widerstand Rij freigesetzte Leistung (Kennlinie Pij) nimmt folglich mit der Zeit ab, und dies schneller als die Leistung, die durch die anderen Widerstände freigesetzt wird, deren Temperatur und elektrischer Widerstand (Kennlinie Rna) sich weniger schnell erhöht. Die Ausbeute des angesteuerten Widerstands Rij nimmt folglich im Maße seiner Aktivierung ab (Kennlinie Qij), und die Temperaturerhöhung, die im Rahmen der Steuerungsmatrizen zur Erwärmung durch Joule-Effekt das erwünschte Ziel ist, verlangsamt sich.
  • Im Rahmen der Erfindung verwendet man zur Herstellung des Widerstands Rij ein Material, dessen elektrischer Widerstand mit seiner Temperatur abnimmt, das heißt mit einem Negativtemperaturkoeffizientenwiderstand oder NTCR ("Negative Thermal Coefficient Resistance"). Dieses Material kann eine der Komponenten des Widerstands sein oder der Widerstand kann ganz aus einem solchen Material hergestellt werden. Beispiele sind Tantalnitrid, Nickel-Chrom-Legierungen oder Nitride von refraktären Materialien. Der Temperaturkoeffizient (TCR) kann angepasst werden, entweder durch die Kombination von Materialen oder durch die bei der Herstellung des Widerstands gewählten Parameter. Entsprechend den Erfordernissen kann der NTCR zwischen –100 und –3000 ppm/°C variieren.
  • In diesem Fall einer NTCR-Matrix, dargestellt in der 2b, erhöht sich die Energiefreisetzung durch den angesteuerten Widerstand Rij mit der Temperatur, wobei sein Widerstand abnimmt (Kennlinie Rij) und infolgedessen seine freigesetzte Leistung um so mehr zunimmt.
  • Man sieht in der 2b auch, dass ihn dem Fall, wo alle Widerstände NTCRs sind, auch bei den anderen Negativtemperaturkoeffizientenwiderständen, die nicht angesteuert werden, der Widerstand abnimmt (s. Kennlinie Rna), aber weniger stark, da ihre Temperatur sich weniger schnell entwickelt, wobei die durch sie freigesetzte Leistung kleiner ist als die freigesetzte Leistung Pij. Der Wirkungsgrad des angesteuerten Widerstands nimmt also zu (Kennlinie Qij).
  • Eine Kombination der beiden Beispiele ist vorstellbar, bei der der angesteuerte Widerstand Rij einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist und die anderen vom Typ Rna einen positiven Temperaturkoeffizienten: man stellt dann fest, dass der Wirkungsgrad Qij des angesteuerten Punkts um so mehr zunimmt (nicht dargestellt) und insbesondere in noch größeren Proportionen als im Falle einer totalen NTCR-Matrix. Weitere Kombinationen sind vorstellbar, mit zum Beispiel nur einer NTCR-Zeile und/oder -Spalte.
  • Der Widerstand Rij wird mit einer Steuerungsleistung angesteuert, die die Spannung U an den Anschlüssen der durch diesen Widerstand freigesetzten Leistung Pij bestimmt.
  • Ein Modulationsfaktor von Pij, anders als der Wert jedes Widerstands, ist dann die "wirklich" an Rij adressierte Leistung. Diese Leistung ist kleiner als die ursprüngliche Steuerungsleistung, mit partiellen Verlusten in den anderen Widerständen, wie weiter oben beschrieben, aber auch Verlusten, die verbunden sind mit intrinsischen Widerstand der Zeilen und Spalten.
  • Es kann also vorteilhaft sein, für die Zeilen und Spalten ein positives TCR-Material zu verwenden, etwa Aluminium oder Kupfer: durch Wärmeleitung, ausgehend von dem erwärmten Widerstand, kann sich das Material der Zeilen und Spalten erwärmen. Dank der Verwendung eines positiven TCR-Materials für diese Zeilen und Spalten nimmt dann der Widerstand der Zeilen und Spalten zu und die in diesen verlorene Leistung ab, was die adressierte Leistung und infolgedessen den Wirkungsgrad des angesteuerten Widerstands um so mehr erhöht.
  • Die adressierte Leistung und folglich die Spannung an den Anschlüssen des angesteuerten Widerstands können auch während der Benutzung moduliert werden, indem man die Dauer des Anlegens dieser Spannung anpasst. Dieser letzte Zeitparameter ermöglicht, den für jeden angesteuerten Widerstand Rij erwünschten Wirkungsgrad und die zur Aktivierung der betreffenden Komponente durch diesen Widerstand erwünschte Temperatur zu optimieren. Das Verfahren, das die Erwärmung durch Joule-Effekt ermöglicht, ist nämlich ein dynamisches Phänomen. So ermöglicht das Anlegen einer Spannung während einer kurzen Dauer, zum Beispiel 0,2 s, moderate Temperaturerhöhungen der Größenordnung 100 °C zu erzielen, und das Anwenden des Befehls während einer längeren Dauer, zum Beispiel 10 s, hat höhere Temperaturen zur Folge, etwa in der Größenordnung von 500 °C (s. 2b). In der 1 ist zum Beispiel ein mit den Zeilen und Spalten verbundener Impulsgenerator (1) dargestellt, der ermöglicht, bestimmte Spannungen mit entsprechender Amplitude und Dauer an die Anschlüsse der genannten Zeilen (N) und Spalten zu legen.
  • Beispiel 1
  • Gegeben ein Gitter aus 144 Widerständen, angeordnet gemäß 12 Zeilen und 12 Spalten, mit ansteuerbaren 1000-Ohm-Heizwiderständen und Zeilen- und Spalten-Zwischenwiderständen mit 1 Ohm, das heißt, einem intrinsischen Widerstand mit 1 Ohm von jeder Zusammenschaltungszeile und/oder -spalte.
  • Durch Simulation hat man herausgefunden, dass bei Widerständen mit einem Null-TCR die im angesteuerten Punkt freigesetzte Leistung 15 % der in dem Gitter freigesetzten Gesamtleistung beträgt und dass die maximale durch die anderen Widerstände freigesetzten Leistung 4,5 % beträgt.
  • Wenn bei Widerständen mit einem TCR von –2500 ppm/°C die Temperatur des angesteuerten Widerstands 300 °C erreicht hat, haben die anderen Widerstände maximal 100 °C erreicht und die durch den angesteuerten Widerstand freigesetzte Leistung erreicht 40 % der Gesamtleistung anstatt 15 %, das heißt, dass sie sich mehr als verdoppelt hat.
  • Die erfindungsgemäße Matrix ermöglicht also, in sehr lokalisierten Punkten sehr hohe Temperaturen von 500 °C und mehr zu erreichen, und dies bei Matrizen, die ermöglichen, zahlreiche Punkte (50 bis 1000 und mehr) schnell anzusteuern. Eine Anpassung der notwendigen maximalen Leistung ist möglich, indem man den Wert des TCR der Widerstände kontrolliert. Diese Effekte sind zudem möglich ohne Dioden- oder Schalteranordnung, die das System schwerer bzw. schwerfälliger machen, und die Matrix kann auf verschiedenen Arten von Substraten realisiert werden, mittels Herstellungsmethoden, bei denen schwerfällige Techniken vermieden werden.
  • Um eine erfindungsgemäße Matrix zu realisieren, werden bevorzugt Standardtechniken der Mikroelektronik benutzt, bei denen vor allem Abscheidung und Photolithographie angewendet werden. Jedoch sind alle anderen Techniken zur Herstellung von Mikrosystemen vorstellbar, etwa Siebdruck von Klebstoffen, Haftstoffen, Polymeren, leitfähig oder nicht, Siebdruckpasten, Tintenstrahltechnik usw.
  • Die 3 stellt ein Herstellungsverfahren dar. Gewählt wird ein Substrat 10, etwa aus Silicium. Durch Sputtern wird eine Aluminiumschicht 12 abgeschieden (3a). Mittels Photolithographie und Ätzung erhält man Zeilenmuster 14 (3b). Durch Sputtern wird eine Schicht 16 aus NTCR-Material abgeschieden (3c). Die resistiven Muster 18 erhält man durch Photolithographie und Ätzung (3d). Anschließend wird eine dielektrische Schicht 20 abgeschieden, um Zeilen 14 und Spalten voneinander zu trennen (3e), wobei man durch Photolithographie Spaltenkontaktstellen herstellt (3f). Schließlich wird durch Sputtern eine Aluminiumschicht 12 abgeschieden (3g), wobei man durch Photolithographie und Ätzung die Spaltenmuster 24 realisiert (3h). Die thermisch aktivierbaren Komponenten werden nach den bekannten Techniken zugeordnet.
  • Die Aluminiumschicht 12 hat typisch eine Dicke von 500 bis 50000 Å (50 bis 5000 nm) und beträgt vorzugsweise 500 nm; die Dicke der NTCR-Schicht 16 ist typisch enthalten zwischen 500 bis 5000 Å (50 bis 500 nm) und beträgt vorzugsweise 100 nm. Der NTCR kann vorzugsweise zwischen –100 und –3000 ppm/°C justiert werden, entsprechend den Abscheidungsbedingungen und den angestrebten Benutzungsparametern.
  • Als dielektrischen Isolator 20 kann man ein Polymer oder ein Mineral wie SiO2 oder Si3N4 verwenden. Das Substrat 10 ist isolierend und umfasst zum Beispiel Silicium, ein Polymer, ein Glas, eine Keramik, usw., oder auch eine Kombination dieser Materialien.
  • Anwendung
  • Die erfindungsgemäßen Matrizen finden Anwendung auf zahlreichen Gebieten wie etwa dem der Biologie, der Bildherstellung oder der Flachbildschirme, wo die Steuerungssysteme miniaturisiert werden müssen. Insbesondere können die erfindungsgemäßen Matrizen zur Herstellung von Vorrichtungen des Typs Biochip oder "Lab On Chip", auch Reaktionskarte genannt, benutzt. Eine solche Reaktionskarte ist zum Beispiel aus dem Dokument WO 02/18823 bekannt. Generell wird in der Folge jede für biologische Anwendungen geeignete Struktur, wie etwa die Reaktionskarten oder die Biochips, Biologieanwendungsvorrichtung genannt.
  • Zur Herstellung solcher Biologieanwendungsvorrichtungen wird in die Trägerkarte der Vorrichtung ein Mikro-Flüssigkeitsnetz integriert: die zu analysierende Flüssigkeit muss zum Beispiel zwischen den verschiedenen Reagenzien zirkulieren. Um eine Flüssigkeit in einem Mikrokanalnetz zirkulieren zu lassen, betätigt man Mikroventile.
  • Es sind Mikroventile für Anwendungen in Mikrosystemen, Biochips und Reaktionskarten entwickelt worden. In dem Dokument FR-A-2 828 244, das Mikroventile betrifft, die durch pyrotechnischen Effekt betätigt werden, wird ein Beispiel beschrieben. Die Aktivierung der Mikroventile erfordert eine lokalisierte Erwärmung unter dem Mikrosystem, zum Beispiel durch die Erwärmung eines Widerstands unter jedem Mikroventil, das dann durch Joule-Effekt betätigt wird.
  • Bei dieser bevorzugten Anwendung muss das Mikroventilnetz konsequent bzw. entsprechend sein, mit einer großen Dichte dieser zu aktivierenden Komponenten: zum Beispiel müssen 50 bis 1000 Mikroventile auf einer Fläche von typisch der Größe einer Kreditkarte getrennt angesteuert werden. Es empfiehlt sich also sehr die Verwendung von Widerstandsmatrizen.
  • Die Matrizen nach der Erfindung haben den Vorteil der Optimierung des Wirkungsgrads jeder Ansteuerung und infolgedessen eine bessere Effizienz und Spezifität der durchgeführten Analysen.

Claims (22)

  1. Widerstandsmatrix, N Ansteuerungszeilen Ni, mit i strikt positiv ganzzahlig, M Ansteuerungsspalten Mj, mit j strikt positiv ganzzahlig, und NM Widerstände Ri,j umfassend, wobei jeder Widerstand Rij durch die Zeile Ni und die Spalte Mj angesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der Widerstände einen negativen Temperaturkoeffizienten hat und einer thermisch aktivierbaren Komponente zugeordnet ist.
  2. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Widerstand Rij einer thermisch aktivierbaren Komponente zugeordnet ist.
  3. Matrix nach einem der Widerstände 1 oder 2, bei der wenigstens eine der aktivierbaren Komponenten ein Mikroventil ist.
  4. Matrix nach einem der Widerstände 1 bis 3, bei der alle Widerstände Rij einen negativen Temperaturkoeffizienten haben.
  5. Matrix nach einem der Widerstände 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der Widerstände mit negativem Temperaturkoeffizienten durch ein einziges Material gebildet wird.
  6. Matrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass alle Widerstände mit negativem Temperaturkoeffizienten durch ein einziges Material gebildet werden.
  7. Matrix nach einem der Widerstände 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass alle Widerstände identisch sind.
  8. Matrix nach einem der vorangehenden Ansprüche, deren Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten Tantalnitrid, eine Nickel-Chrom-Legierung oder ein Nitrid eines refraktären Materials umfasst.
  9. Matrix nach einem der vorangehenden Ansprüche, deren Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten einen zwischen –100 und –3000 ppm/°C enthaltenen Temperaturkoeffizienten aufweist.
  10. Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das für wenigstens eine Zeile und/oder wenigstens eine Spalte verwendete Material einen positiven Temperaturkoeffizienten hat.
  11. Matrix nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass alle Zeilen und/oder alle Spalten aus einem Material mit positivem Temperaturkoeffizienten sind.
  12. Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass alle Zeilen und alle Spalten aus demselben Material sind.
  13. Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 12, ausgebildet auf einem isolierenden Substrat.
  14. Matrix nach einem der vorangehenden Ansprüche, außerdem Einrichtungen zur Anpassung der Steuerstromanwendungsdauer bei wenigstens einem der Widerstände Rij umfassend, um den gewünschten Nutzeffekt bzw. Wirkungsgrad zu erzielen, insbesondere bei jedem Widerstand Rij.
  15. Verfahren zur Herstellung einer Widerstandsmatrix, bei der wenigstens einer der Widerstände durch das Abscheiden eines resistiven Materials (16) mit einem Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten auf einem Substrat (10) realisiert wird, und dieser Widerstand mit einer thermisch aktivierbaren Komponente verbunden wird.
  16. Herstellungsverfahren nach Anspruch 15 mit Abscheidung des resistiven Materials durch Sputtern.
  17. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 15 oder 16, bei dem auf dem Substrat (10) ein leitfähiges Material (12) abgeschieden wird, um vor dem Abscheiden des resistiven Materials die Zeilen (14) auszubilden.
  18. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, bei dem ein leitfähiges Material (12) abgeschieden wird, um nach dem Abscheiden des resistiven Materials die Spalten (24) auszubilden.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, mit einem Schritt zur Abscheidung eines die Leitungen der Spalten isolierenden Materials (20) auf dem genannten Substrat.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, das die Auswahl eines Materials für die Zeilen und/oder Spalten umfasst, dessen Widerstand einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, das die Verbindung der Matrix mit einem Mikroventilgitter umfasst.
  22. Vorrichtung zur biologischen Anwendung, mit einer Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 14, verbunden mit einem mikrofluidischen Gitter.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101507807B1 (ko) * 2008-08-14 2015-04-03 삼성전자주식회사 열구동 방식 잉크젯 프린트헤드 및 그 구동방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2031805A (en) * 1978-10-13 1980-04-30 Leeds & Northrup Ltd Thermal printing device
US4463359A (en) * 1979-04-02 1984-07-31 Canon Kabushiki Kaisha Droplet generating method and apparatus thereof
US4803457A (en) * 1987-02-27 1989-02-07 Chapel Jr Roy W Compound resistor and manufacturing method therefore
US5846708A (en) * 1991-11-19 1998-12-08 Massachusetts Institiute Of Technology Optical and electrical methods and apparatus for molecule detection
DE4333065A1 (de) * 1993-09-29 1995-03-30 Bosch Gmbh Robert Elektronische Schaltung
US5699462A (en) * 1996-06-14 1997-12-16 Hewlett-Packard Company Total internal reflection optical switches employing thermal activation
US5781211A (en) * 1996-07-23 1998-07-14 Bobry; Howard H. Ink jet recording head apparatus
CN1137999C (zh) * 2000-07-04 2004-02-11 清华大学 集成式微阵列装置
US6309053B1 (en) * 2000-07-24 2001-10-30 Hewlett-Packard Company Ink jet printhead having a ground bus that overlaps transistor active regions
EP1188840A3 (de) * 2000-07-26 2003-04-23 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Chemisches Reaktionsverfahren und Vorrichtung
FR2813207B1 (fr) 2000-08-28 2002-10-11 Bio Merieux Carte reactionnelle et utilisation d'une telle carte
FR2828244A1 (fr) 2001-04-27 2003-02-07 Poudres & Explosifs Ste Nale Microactionneurs pyrotechniques pour microsystemes
US6538508B2 (en) * 2001-04-27 2003-03-25 Broadcom Corporation Programmable gain amplifier with glitch minimization
FR2828245B1 (fr) * 2001-04-27 2005-11-11 Poudres & Explosifs Ste Nale Microactionneurs pyrotechniques pour microsystemes
US20030059807A1 (en) * 2001-06-07 2003-03-27 Proligo Llc Microcalorimetric detection of analytes and binding events
JP2003030224A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Fujitsu Ltd 文書クラスタ作成装置、文書検索システムおよびfaq作成システム

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