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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Speichereinrichtung, die derart
betreibbar ist, daß sie
darin gespeicherte Informationen als Reaktion auf eine Abfrage ausgibt,
gemäß dem Oberbegriff
von Anspruch 1; insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, betrifft
sie eine Speichereinrichtung, die derart betreibbar ist, daß darin
gespeicherte Daten als Reaktion auf eine Fernabfrage unter Verwendung
von elektromagnetischer Strahlung ausgeben werden.
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Herkömmliche
Transpondereinrichtungen bzw. Antwortsende-Einrichtungen, die für Fernabfragen
empfänglich
sind, wie beispielsweise Transponderkennzeichnungen, können passiv
arbeiten, um die darauf einfallende Strahlung zu reflektieren oder können alternativ
aktiv arbeiten, um Strahlung zu empfangen und die entsprechende
Antwortstrahlung auszusenden. Für
aktive Transpondereinrichtungen ist es bekannt, die von diesen emittierte
Antwortstrahlung mit in den Einrichtungen gespeicherten Informationen
zu codieren, zum Beispiel das Codieren der Antwortstrahlung mit
einem oder mehreren Erkennungscodes, welche jede Einrichtung einzigartig identifizieren.
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Herkömmliche
aktive Transpondereinrichtungen leiden jedoch unter einer Reihe
von Nachteilen, nämlich:
- (a) sie erfordern eine interne Energiequelle,
um funktionieren zu können,
zum Beispiel eine Miniaturzelle und
- (b) sie erfordern relativ komplexe Schaltkreise, wenn sie derart
konfiguriert sind, um mit Informationen zu antworten, wie beispielsweise
einem für diese
einzigartigen Erkennungskode, zum Beispiel durch Verwendung dedizierter
Mikrocontroller und zugehöriger
Speicher, die derart funktionsfähig
sind, um Erkennungsinformationen zu speichern.
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WO98/26370
A1 offenbart zum Beispiel ein kontaktloses Kommunikationssystem
zum Austausch von Daten. Dieses System umfaßt einen Anschluß, der mit
einer gewöhnlichen
Speichereinrichtung in Form eines tragbaren Objekts verbunden werden
kann, wie zum Beispiel einen Datensender/-empfänger, der benachbart zu dem
Anschluß angeordnet
ist. Der Sender bzw. Transmitter enthält einen fernbetriebenen Schaltkreis,
einschließend eine
Spule zum Empfang des modulierten Magnetfelds von dem Anschluß und zur
Beantwortung durch Erzeugen von modulierten Störungen des Magnetfelds in Form
einer Lastmodulation. Diese Lastmodulation wird durch eine digitale
Verarbeitungsstufe gesteuert, die einen Mikroprozessor, RAM, ROM
und EPROM Speicher umfaßt.
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Weiterhin
ist vom Stand der Technik die Verwendung einer Serie von Schaltkreisstufen
bekannt, die ein sequenzielles Auslösen der entsprechenden Stufen
zu verschiedenen Zwecken ermöglicht.
Zum Beispiel offenbart
EP
0 803 791 A1 Takterzeugungsschaltkreise, die eine Vielzahl
von sequenziell verbundenen Verzögerungseinrichtungen
umfassen, wobei eine erste Verzögerungseinrichtung
derart gekoppelt ist, um ein erstes Taktsignal zu empfangen. Jede
der Verzögerungseinrichtungen
erzeugt ein Auslösesignal
nach einer gemeinsamen, vorher festgelegten Zeit, wodurch das Erzeugen
eines zweiten Taktsignals mit einer höheren Frequenz als das erste Taktsignal
ermöglicht
wird. Weiterhin offenbart
EP
0 318 648 A2 einen Ladungsimpulsempfänger für die Telekommunikation, um
die Frequenz und Länge
eines Echtzeit-Ladungspulses zur identifizieren und den Bedarf an
Resonanzschaltkreisen, die Spulen und Kondensatoren umfassen, zu
vermeiden. Der Ladungsimpulsempfänger
besteht aus einer Vielzahl von neu auslösbaren, monostabilen, in Reihe
geschalteten Flip-Flops, deren Zeitkonstanten eingestellt und dermaßen aufeinander
abgestimmt sind, daß nur
ein Ladungspuls ausreichender Länge
mit der korrekten Frequenz ein positives Ausgangssignal erzeugen
kann.
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Der
Erfinder hat erkannt, daß es
wünschenswert
ist und auch das Ziel dieser Anmeldung ist, eine Speichereinrichtung
herzustellen, die aktiv mit darin gespeicherten Informationen, wie
zum Beispiel einem gespeicherten Erkennungscode, antwortet, ohne
komplexe Komponente, wie beispielsweise Mikrocontroller, zu benötigen. Die
Transpondereinrichtung kann dadurch relativ kostengünstig hergestellt werden.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der Erfindung wird eine Speichereinrichtung, wie durch
Anspruch 1 definiert, bereitgestellt. Die Speichereinrichtung umfaßt eine
Serie von Schaltkreisstufen, die derart betreibbar sind, daß sie durch
das Eingangssignal in einer ersten Stufe der Serie ausgelöst wird,
wodurch ein sequenzielles Auslösen
der Stufen entlang der Serie zu einer letzten Stufe der Serie verursacht
wird, um das Ausgangssignal zu erzeugen, wobei die Daten in Zeitdauern
dargestellt werden, die für
jede Stufe in der Serie genommen werden, um eine nachfolgende Stufe
in der Serie auszulösen.
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Die
Erfindung führt
zu dem Vorteil, daß die Serie
der Stufen in der Lage ist, Informationen zu tragen und die Informationen
in einer sequenziellen Weise auszulesen, wenn sie ausgelöst wird.
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Vorteilhafterweise
sind die Stufen derart eingerichtet, daß jede Stufe einen Eingang
umfaßt,
der mit einer vorangehenden Stufe der Serie verbunden ist und einen
Ausgang, der mit einer darauffolgenden Stufe der Serie verbunden
ist, wobei jede Stufe derart betreibbar ist, daß eine zugehörige Signallaufzeitverzögerung durch
dieselbe von ihrem Eingang zu ihrem Ausgang aufweist, wobei die
Laufzeitverzögerungen der
Stufen die Daten darstellen. Die Darstellung der Informationen in
Laufzeitverzögerungen
der Stufen führt
zu dem Vorteil, daß sich
die Laufzeitverzögerungen
als Zeitdauern zwischen einer Serie von derzeitigen Pulsen manifestieren,
wenn die Informationen von den Stufen abgelesen werden.
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In
geeigneter Weise enthält
jede Stufe einen Widerstand und einen Kondensator zur Festlegung ihrer
Laufzeitverzögerung.
Die Verwendung des Widerstands und Kondensators zum Feststellen
bzw. Festlegen der Laufzeitverzögerung
führt zu
dem Vorteil, daß ein
Laserbeschnitt angewendet werden kann, um ihre Widerstände und
Kapazitäten
zum Programmieren der Daten in die Stufen hinein einzustellen.
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Bevorzugt
umfaßt
jeder Kondensator Flüssigkristallmaterial
als ein Dielektrikum für
den Kondensator, wobei das Material zum Einstellen der Laufzeitverzögerung seiner
zugehörigen
Stufe optisch modifizierbar ist. Die Verwendung von Flüssigkristallmaterial
ermöglicht
den Kapazitäten
des Kondensators durch Laserbestrahlung eingestellt zu werden. Falls
das Material bistatisch ist, wird es möglich, die Stufen durch weitere
Laserbestrahlung derselben neu zu programmieren.
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Bei
einigen Anwendungen der Einrichtung ist es wünschenswert, daß die Einrichtung
darin gespeicherte Informationen wiederholt, um es einer Vorrichtung
zu ermöglichen,
sie bei mehr als einer Gelegenheit abzufragen, um die in der Einrichtung
programmierten Informationen zu empfangen. Daher umfaßt die Serie
von Stufen vorteilhafterweise einen darum befindlichen Rückführungsweg,
der die erste Stufe mit der letzten Stufe verknüpft, wobei der Rückführungsweg
derart betreibbar ist, daß er
verursacht, daß die
Serie ihre Daten während
einem Zeitraum, während
dem das Eingangssignal an die Einrichtung angelegt wird, wiederholt
ausgibt.
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Ein
Konkurrenzsituationsproblem kann dann auftreten, wenn mehrere Einrichtungen
gemäß dem ersten
Aspekt der Erfindung innerhalb des Bereichs einer Abfragevorrichtung
betrieben werden. Es ist daher wünschenswert,
die Ausgabe der Daten von jeder Einrichtung zu unterbrechen, um
der Vorrichtung die Möglichkeit
zu geben, die Informationen von den einzelnen Einrichtungen ohne
Störung
durch die anderen zu empfangen. Deshalb enthält die Einrichtung vorteilhafterweise
Steuermittel zum Unterbrechen der Wiederholung der Daten als Reaktion
auf das empfangene Eingangssignal.
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Bevorzugt
ist jede Stufe derart betreibbar, daß ihre entsprechende Ausgabe
bzw. Ausgang zwischen binären
Zuständen
umgeschaltet wird. Weiterhin ist jede Stufe in geeigneter Weise
derart betreibbar, daß eine
Schmitt-Trigger-Charakteristik von ihrem Eingang zu ihrem Ausgang
aufweist. Die Verwendung von binären
Zuständen
und Schmitt-Trigger-Charakteristiken ermöglicht es der Einrichtung, eine
genauer festgelegte Eingabe aus derselben bereitzustellen.
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Um
eine Fernabfrage zu unterstützen,
enthält
die Einrichtung vorteilhafterweise weiterhin Kopplungsmittel:
- (a) zum Empfang von Eingangsstrahlung und zum Erzeugen
des Eingangssignals als Reaktion darauf und
- (b) zum Empfang des Ausgangssignals und zum Emittieren der Ausgangsstrahlung
von dem Mittel als Reaktion darauf.
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Das
Kopplungsmittel ermöglicht
es der Einrichtung, fernabgefragt zu werden. Durch die Fernabfrage
ist die Einrichtung zur Befestigung an Produkten oder Einheiten
bzw. Gebinden geeignet, beispielsweise um es zu ermöglichen,
daß Informationen über die
Produkte oder Gebinde durch die Abfragen der Einrichtung ermittelt
werden.
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Das
Kopplungsmittel umfaßt
in geeigneter Weise eine magnetisch gekoppelte Schleifenantenne zum
Empfang der Eingangsstrahlung und zum Emittieren der Ausgangsstrahlung.
Die Verwendung einer Schleifenantenne ist dann geeignet, wenn die
Einrichtung die Form einer ebenen Karte hat, wobei die Antenne als
eine gewundene Leitfolienspur implementiert ist, die auf die Karte
gedruckt oder geätzt
ist.
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Um
den Bedarf einer örtlichen
Stromversorgung in der Einrichtung, beispielsweise einer Quecksilber-Knopfzelle,
zu umgehen, enthält
die Einrichtung vorteilhafterweise Umwandlungsmittel zum Umwandeln
eines Teils des Eingangssignals in ein elektrisches Signal zur Energieversorgung
und Auslösen der
Stufen, wobei die Stufen derart betreibbar sind, daß eine variable
Last zu dem elektrischen Signal bereitgestellt wird, wodurch ein
Teil der von dem Kupplungsmittel reflektierten Eingangsstrahlung
moduliert wird, wobei der Teil der Eingangsstrahlung der Ausgangsstrahlung
entspricht. Das Umwandlungsmittel ermöglicht es der Einrichtung,
durch die von derselben empfangenen Strahlung mit Energie versorgt
zu werden. In geeigneter Weise umfaßt das Umwandlungsmittel ein
Gleichrichtermittel zum Gleichrichten eines Teils der Eingangsstrahlung,
um ein einpoliges Signal zu erzeugen sowie ein Ladungspeichermittel zum
Filtern des einpoligen Signals, um das elektrische Signal zu erzeugen.
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Um
es der Einrichtung zu ermöglichen,
in geeigneter Weise unter Anwendung herkömmlicher Mikroherstellungsverfahren
hergestellt zu werden, enthalten die Stufen der Einrichtung bevorzugt
FETs, wobei die Stufen durch die gemeinsame Nutzung eines einzigen
FET-Drain-Source-Kanals,
der sich entlang der Serie erstreckt, miteinander verbunden sind.
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Alternativ
kann die Einrichtung, wenn sie in Umgebungen verwendet wird, bei
denen Halbleiter ungeeignet wären,
zum Beispiel bei hohen Temperaturen über 200 °C, oder wo intensive ionisierende Strahlung
erfahren wird, die dazu führen
würde,
daß die
Halbleitereinrichtungen abstürzen
oder sich aufhängen
könnten,
umfaßt
jede Stufe vorteilhafter Weise eine piezoelektrische bimorphe Schaltstruktur,
die derart betreibbar ist, daß sie
als Reaktion auf ein Signal an dem Eingang der Stufe ausgelenkt
und somit ein Signal an dem Ausgang der Stufe zum Auslösen einer
darauffolgenden Stufe der Serie erzeugt wird.
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Die
Einrichtung nach dem ersten Aspekt der Erfindung kann in tragbare
Transponderkennzeichnungen, zum Beispiel in persönliche Identifizierungskennzeichnungen,
die von Personal getragen werden, eingearbeitet werden.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein System bereitgestellt,
das eine Speichereinrichtung oder eine Kennzeichnung nach der Erfindung
und eine Vorrichtung umfaßt,
die der derart betreibbar ist, daß sie eine Einrichtung gemäß der Erfindung
abfragt und derart betreibbar ist, daß sie darin gespeicherte Ausgabeinformationen sequenziell
empfängt.
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Gemäß einem
dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur
Ausgabe von Informationen, die in einer Einrichtung nach der Erfindung
gespeichert sind, bereitgestellt, wobei das Verfahren die nachfolgenden
Schritte enthält:
- (a) Empfangen eines Eingangssignals an der
Einrichtung;
- (b) Anlegen eines Eingangssignals zum Auslösen der ersten Stufe in der
Serie, wodurch ein sequenzielles Auslösen der Stufen entlang der
Serie von der ersten Stufe zur letzten Stufe in der Serie verursacht
wird, wobei das sequentielle Auslösen ein entsprechendes Ausgangssignal
erzeugt, wobei das Ausgangssignal Daten übermittelt, die in Zeitdauern
dargestellt sind, die für
jede Stufe in der Serie benötigt
werden, um eine nachfolgende Stufe in der Serie auszulösen und
- (c) die Ausgabe des Ausgabe- bzw. Ausgangssignals.
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Ausführungsformen
der Erfindung werden nachfolgend lediglich anhand von Beispielen
unter Bezugnahme auf die nachfolgenden Zeichnungen beschrieben,
wobei:
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1 eine
schematische Illustration einer ersten Ausführungsform einer Speichereinrichtung gemäß der Erfindung
ist, wobei die Ausführungsform eine
Antenne, eine Gleichrichtereinheit und eine Speichereinheit enthält;
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2 eine
schematische Illustration eines ersten Speicherschaltkreises zur
Anwendung in der Speichereinrichtung in 1 ist;
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3 eine
Grafik einer durch den Schaltkreis von 2 präsentierten
Stromlast, wenn diese in der Einrichtung von 1 ausgelöst ist,
ist;
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4 eine
schematische Illustration eines zweiten Speicherschaltkreises zur
Anwendung in der Speichereinrichtung in 1 ist;
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5 eine
Illustration eines dritten Speicherschaltkreises zur Anwendung in
der Speichereinrichtung in 1 ist, wobei
der dritte Schaltkreis einzelne FET-Kanal-übergreifende Stufen des Schaltkreises umfaßt;
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6 eine
Illustration eines vierten Speicherschaltkreises zur Anwendung in
der Einrichtung in 1 ist, wobei der vierte Schaltkreis
eine Schmitt-Schaltung bzw. ein Schmitt-Gatter in jeder Stufe des
Schaltkreises umfaßt;
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7 eine
Illustration eines fünften
Speicherschaltkreises zur Anwendung in der Einrichtung in 1 ist,
wobei der fünfte
Schaltkreis eine Schmitt-Schaltung in jeder Stufe des Schaltkreises sowie
einen Rückführungsweg
umfaßt,
um das wiederholte Auslösen
der Stufen zu verursachen;
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8 eine
schematische Illustration einer zweiten Ausführungsform einer Speichereinrichtung gemäß der Erfindung
ist, wobei die Ausführungsform eine
Antenne, eine Gleichrichtereinheit und eine Speichereinheit umfaßt;
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9 eine
Illustration eines sechsten Speicherschaltkreises zur Anwendung
in der Einrichtung in 8 ist, wobei der sechste Schaltkreis
eine Schmitt-Schaltung in jeder Stufe des Schaltkreises, einen Rückführungsweg
zum Verursachen einer wiederholten Auslösung der Stufen und weiterhin
zusätzliche
Komponenten zur Störung
des wiederholten Auslösens
der Stufen zum Entgegenwirken der Konkurrenzsituation umfaßt;
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10 eine
Illustration eines siebten Speicherschaltkreises zur Anwendung in
der Einrichtung in 1 ist, wobei der siebte Schaltkreis
bimorphe Schaltelemente umfaßt;
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11 eine
schematische Illustration einer räumlichen Implementierung der
bimorphen Elemente in 10 ist;
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12 eine
schematische Illustration einer dritten Ausführungsform einer Speichereinrichtung gemäß der Erfindung
ist, wobei die Ausführungsform eine
Flächenantenne
zum Betrieb bei einer Frequenz in der Größenordnung von 1 GHz enthält;
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13 eine
schematische Illustration einer Abfrageausrüstung zum Abfragen der Einrichtung
in 12 ist; und
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14 ein
Schaltbild einer Speichereinheit der Speichereinrichtung in 12 ist,
wobei die Speichereinheit zur Bewältigung von mehrfachen Gerätekonkurrenzsituationen
adaptiert ist.
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In 1 wird,
bezeichnet durch 10, eine erste Ausführungsform einer Speichereinrichtung
gemäß der Erfindung
zusammen mit einer Abfragevorrichtung 20 dargestellt, der
zum Abfragen der Einrichtung 10 funktionsfähig ist.
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Die
Einrichtung 10 umfaßt
ein Substrat 30, zum Beispiel eine Plastikkarte, mit physikalischen Abmessungen ähnlich einer
ISO-Norm Kreditkarte mit einer Länge
von 85 mm, einer Breite von 54 mm und einer Dicke von 0,8 mm. Die
Einrichtung 10 umfaßt
weiterhin eine Schleifenantenne, bezeichnet durch 40, die
in Form einer leitfähigen
Folienspur implementiert ist, die auf einer Hauptfläche des
Substrats 30 ausgebildet ist. Die Antenne 40 ist
mit einer Gleichrichtereinheit, bezeichnet durch 50, verbunden,
wobei die Einheit 50 einen Abstimmungskondensator 52,
eine Hochfrequenz-Gleichrichterdiode 54 und einen Speicherkondensator 56 enthält, wobei die
Einheit 50 in einer in der Hauptfläche geformten, ersten Aussparung
untergebracht ist. Der Kondensator 52 ist derart angeordnet,
um mit einer durch die Antenne 40 bereitgestellten Resonanz
bei einer Betriebsfrequenz der Einrichtung 10, namentlich
bei einer Frequenz f0, mitzuschwingen. Die
Einrichtung 10 umfaßt
weiterhin eine Speichereinheit, bezeichnet durch 60, die
in einer zweiten in der Hauptfläche
geformten Aussparung untergebracht ist. Aufgrund dessen, daß die Einheiten 50, 60 in
Aussparungen untergebracht sind, die in das Hauptsubstrat 30 geformt sind,
ist die Hauptfläche
des Substrats 30 planar, ohne daß Komponente aus ihr heraus
ragen.
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Die
Vorrichtung 20 umfaßt
eine Schleifenantenne, bezeichnet durch 100, die sowohl
mit einem Abstimmungskondensator CT, bezeichnet
durch 110, als auch mit einem elektronischen Modul 120 verbunden
ist, das so betreibbar ist, daß die
Antenne 100 betrieben wird. Der Kondensator CT ist
derart betreibbar, daß er
mit einer durch die Antenne 100 bei der Frequenz f0 bereitgestellten Induktanz mitschwingt.
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Der
interaktive Betrieb der Vorrichtung 20 und der Einrichtung 10 wird
nun anhand von 1 beschrieben. Die Vorrichtung 20 und
die Einrichtung 10 sind entlang einer Achse A-B derart
miteinander ausgerichtet, daß die
Antennen 100, 40 elektromagnetisch miteinander
verbunden sind. Das Modul 120 erzeugt ein Signal bei der
Frequenz f0, welches es in die Antenne 100 injiziert,
die eine entsprechende elektromagnetische Strahlung emittiert. Die
Strahlung wird an der Antenne 40 empfangen, um ein dort empfangenes
Signal zu erzeugen. Das empfangene Signal wird an der Einheit 50 gleichgerichtet,
um eine Gleichstrom-(DC)-Potentialdifferenz über den Speicherkondensator 56 bereitzustellen,
wobei die zwischen einer positiven Leitung V+ und einer negativen Leitung
V- existierende Potentialdifferenz an die Speichereinheit 60 bereitgestellt
wird. Die Speichereinheit 60 wird durch die Potentialdifferenz
in Betrieb gesetzt und stellt eine in der Zeit variierende Stromlast
an die Einheit 50 bereit. Diese variierende Stromlast beeinflußt die Menge
an Energie, die von der Vorrichtung 20 an die Einrichtung 10 übermittelt
wird. Das Modul 120 ist derart betreibbar, daß es den Stromfluß von demselben
zu der Einrichtung 10 sensiert und dadurch die in der Zeit
variierende Stromlast sensiert.
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Die
Speichereinheit 60 ist derart betreibbar, daß sie die
in der Zeit variierende Last gemäß den in der
Einheit 60 gespeicherten Daten an die Einheit 50 bereitstellt.
Daher ist das Modul 120 durch die in der Zeit variierende
Last in der Lage, die in der Einheit 60 gespeicherten Daten
zu sensieren.
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Die
Vorrichtung 20 und die Einrichtung 10 können in
einer Reihe von Anwendungen eingesetzt werden. Zum Beispiel kann
die Einrichtung 10 an einem Gebinde befestigt sein und
durch die Vorrichtung 20 abgefragt werden, wodurch eine
automatische Identifizierung des Gebindes bereitgestellt wird. Alternativ
kann die Einrichtung 10 als Identifikationskennzeichnung
getragen werden und die Vorrichtung 20 kann verwendet werden,
um eine Zugangstür
zu steuern, wodurch die Einrichtung 10 einsetzbar ist, um
autorisierten Zugang nur zu den Bereichen zu ermöglichen, die durch die Tür zugänglich sind.
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Die
Speichereinheit 60 wird nun im Einzelnen unter Bezugnahme
auf 2 beschrieben. Die Speichereinheit 60 umfaßt einen
ersten Schaltkreis, bezeichnet durch 200. Der Schaltkreis 200 ist
mit der positiven Leitung V+ und der negativen Leitung V- verbunden,
die von der Gleichrichtereinheit 50 bereitgestellt werden.
Weiterhin enthält
der Schaltkreis 200 eine kaskadierte Serie von Stufen mit
einer gemeinsamen, identischen Konfiguration; wobei nur die Stufen
1 bis 4 in dem Diagramm dargestellt sind, obwohl der Schaltkreis 200 weitere
Stufen nach der Stufe 4 enthält.
Jede Stufe umfaßt
einen Schalter 210, einen Taktwiderstand 220 und
einen Taktkondensator 230. Jeder Schalter umfaßt drei
Anschlußklemmen
A, B, C und ist derart betreibbar, daß seine Anschlußklemmen
A und B gemeinsam in einem nicht-leitfähigen Zustand isoliert sind,
es sei denn, ein Potential an seiner Anschlußklemme C ist geringer als
ein Grenzwert VT negativ in Bezug auf seine
Anschlußklemme A,
in welchem Fall die Anschlußklemmen
A und B miteinander verbunden sind, um den Schalter in einen leitfähigen Zustand
zu bringen.
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Jede
Stufe enthält
einen Eingang, der mit ihrer Anschlußklemme A des Schalters 210 und
mit einem ersten Ende ihres Widerstands 220 verbunden ist.
Jede Stufe weist einen Ausgang auf, der mit der Anschlußklemme
B ihres Schalters 210 verbunden ist. Ein zweites Ende des
Widerstands ist mit der Anschlußklemme
C des Schalters 210 und mit einer ersten Elektrode des
Kondensators 230 verbunden. Eine zweite Elektrode des Kondensators 230 ist
mit der Leitung V- verbunden.
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Der
Eingang der Stufe 1 ist mit der Leitung V+ verbunden. Bei Stufe
2 und den darauf folgenden Stufen ist der Eingang mit dem Ausgang
ihrer vorangehenden Stufen in der stufenförmigen Serie verbunden, und
ihr Ausgang ist mit ihrer darauffolgenden Stufe in der Serie verbunden.
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Der
Betrieb des Schaltkreises 200 wird nun unter Bezugnahme
auf 2 beschrieben. Zunächst besteht keine Potentialdifferenz
zwischen den Leitungen V+ und V-. Die aus der Vorrichtung 20 emittierte
Strahlung wird von der Einrichtung 10 empfangen, was dazu
führt,
daß eine
Potentialdifferenz von einer Zeit T1 an über die
Leitungen V+ und V- erzeugt wird; die Potentialdifferenz ist größer als
der Grenzwertbetrag VT. Zunächst befinden
sich die Kondensatoren 230 zur Zeit T1 und
unmittelbar davor in einem entladenen Zustand, wodurch die Anschlußklemmen C
der Schalter 210 auf ein Potential der Leitungen V- zur
Zeit T1 gezwungen werden.
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Zur
Zeit T1 befindet sich Stufe 1 nicht in einem
leitfähigen
Zustand, weil sich die Anschlußklemme
A ihres Schalters 210a auf einem Potential der Leitung
V+ befindet, wobei sich ihre Anschlußklemme C auf einem Potential
der Leitung V- befindet. Der Kondensator 230a lädt sich
durch den Widerstand 220a ab der Zeit T1 auf
und erreicht schließlich
ein Potential mit dem Betrag VT negativ
in Bezug auf die Leitung V+, woraufhin sich der Schalter 210a in
einen leitfähigen
Zustand umschaltet, wodurch Stufe 2 mit der Leitung V+ über Stufe
1 verbunden wird.
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Wenn
die Leitung V+ mit der Stufe 2 des Schaltkreises 200 über Stufe
1 verbunden ist, befindet sich die Anschlußklemme C der Stufe 2 des Schalters 210b auf
einem Potential der Leitung V-, wohingegen sich die Anschlußklemme
A des Schalters 210b auf einem Potential der Leitung V+
befindet, wodurch der Schalter 210b in einen nicht leitfähigen Zustand
versetzt wird. Der Kondensator 230b lädt sich durch den Widerstand 220b auf,
bis ein Potential an der Anschlußklemme C des Schalters 210b innerhalb
des Betrags VT liegt, das geringer ist als das
der Anschlußklemme
A des Schalters 210b, woraufhin sich der Schalter 210b in
einen leitfähigen
Zustand umschaltet, wodurch Stufe 3 über Stufen 2 und 1 mit der
Leitung V+ verbunden wird. Darauffolgende Stufen in der Sequenz
werden sequenziell durch ihre vorangehenden Stufen mit der Leitung
V+ verbunden, bis alle Stufen in der Serie mit der Leitung V+ verbunden
sind. Während
jede Stufe der Serie über ihre
vorangehenden Stufen mit der Leitung V+ verbunden werden, fluktuiert
ein Strom IL, der von dem Schaltkreis 200 aus
der Leitung V+ entnommen wird, in einer exponentiell abklingenden
gepulsten Weise, während
sich die Kondensatoren 230 der Stufen durch ihre entsprechenden
Widerstände 220 von
der Leitung V+ aufladen.
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Der
Schaltkreis 200 kann derart modifiziert werden, um je nach
Komplexität
der im Schaltkreis 200 zu speichernden Informationen in
einem Bereich von zwei oder mehr Stufen eingebaut zu werden. Die Widerstände 220 und
Kondensatoren 230 können ihre
Werte derart ausgewählt
haben, daß jede
Stufe eine gegenseitig verschiedene Laufzeitverzögerung zum Umschalten von einem
nicht leitfähigen
Zustand zu einem leitfähigen
Zustand aufweist; wobei die Laufzeitverzögerungen dadurch in der Lage
sind, Informationen in die Vorrichtung 20 zu befördern, die indirekt
Pulse im Strom IL abtastet.
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Bezug
nehmend auf 3 ist dort eine Graphik, bezeichnet
durch 300, einer Stromlast, die von dem Schaltkreis 200 präsentiert
wird, wenn die Vorrichtung 20 ausgelöst wird, dargestellt. Die Graphik 300 enthält eine
horizontale Achse 310, die den Durchgang der Zeit von links
nach rechts andeutet sowie zwei vertikale Achsen 320, 330,
die jeweils der an der Antenne 40 empfangenen Eingangsstrahlung sowie
dem durch den Schaltkreis 200 absorbierten Strom IL entsprechen. Die Kurven 340, 350 sind
jeweils den Achsen 330, 320 zugehörig.
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Vor
der Zeit T1 gibt es eine Null-Eingangsstrahlung,
die an der Einrichtung 10 von der Vorrichtung 20 empfangen
wird; infolge dessen benötigt
der Schaltkreis 200 keinen Strom vor der Zeit T1. Zur Zeit T1 beginnt
die Vorrichtung 20 damit, Strahlung zu emittieren, die
an der Antenne 40 bei einem Leistungspegel R1,
wie durch die Kurve 350 dargestellt, empfangen wird. Die
Strahlung hält
auch nach der Zeit T1 an.
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Zur
Zeit T1 und kurz danach lädt sich
der Kondensator 56 auf und hat eine nicht abrupte Vorderflanke
bis zu einer Stromspitze 400 zur Folge, die dem durch den
Widerstand 220a, der den Kondensator 230a auflädt, fließenden Strom
entspricht. Die Stromspitze 400 fällt exponentiell während einer Laufzeitverzögerung D1 durch die Stufe 1 ab, bis sich ein Potential über dem
Kondensator 230a innerhalb einer Differenz des Betrags
VT von dem Potential der Leitung V+ zur
Zeit T2 befindet.
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Zur
Zeit T2 schaltet der Schalter 210a auf
einen leitfähigen
Zustand um, was zu einer zweiten Stromspitze 410 führt, die
dem Kondensator 230b, der durch den Widerstand 220b aufgeladen
wird, entspricht. Die Stromspitze 410 klingt exponentiell
während
einer Laufzeitverzögerung
D2 durch die Stufe 2 ab, bis sich ein Potential über dem
Kondensator 230b innerhalb einer Differenz des Betrags
VT von dem Potential der Leitung V+ zur
Zeit T3 befindet.
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Zur
Zeit T3 schaltet der Schalter 210b auf
einen leitfähigen
Zustand um, was zu einer dritten Stromspitze 420 führt, die
dem Kondensator 230c, der durch den Widerstand 220c aufgeladen
wird, entspricht. Die Stromspitze 420 klingt exponentiell
während
einer Laufzeitverzögerung
D3 durch die Stufe 3 ab, bis sich ein Potential über dem
Kondensator 230d innerhalb einer Differenz des Betrags
VT von dem Potential der Leitung V+ zur
Zeit T4 befindet.
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Zur
Zeit T4 schaltet der Schalter 210c auf
einen leitfähigen
Zustand um, was zu einer vierten Stromspitze 430 führt, die
dem Kondensator 230d, der durch den Widerstand 220d aufgeladen
wird, entspricht. Die Stromspitze 430 klingt exponentiell
während
einer Laufzeitverzögerung
D4 durch die Stufe 4 ab, bis sich ein Potential über dem
Kondensator 230d der Stufe 5 (nicht dargestellt) innerhalb
einer Differenz des Betrags VT von dem Potential
der Leitung V+ zur Zeit T5 befindet.
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Ein
sequentielles Auslösungsverfahren
fährt damit
fort, die Stufen des Schaltkreises 200 in ähnlicher
Weise, wie für
Stufen 2 bis 4 beschrieben, weiterzuführen. Durch das Regeln der
Laufzeitverzögerungen
D1 bis D4 und denen
der weiteren Stufen werden Informationen zum Strombedarf des Schaltkreises 200 befördert, welche
an der Vorrichtung 20 als Informationen sensiert werden.
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Die
Zeitdauern der Verzögerungen
D1 bis D4 werden
durch die Intensität
der an der Antenne 40 nach der Zeit T1 empfangenen
Eingangsstrahlung beeinflußt.
Wird die Intensität
der Eingangsstrahlung erhöht,
erhöhen
sich die Zeitdauern D1 bis D4 ebenfalls,
weil die Potentialdifferenz zwischen den Leitungen V+, V- relativ
zum Grenzwertbetrag VT erhöht werden.
Umgekehrt, falls die Potentialdifferenz zwischen den Leitungen V+,
V- geringer ist als der Betrag VT, funktioniert
der Schaltkreis 200 nicht korrekt, um die Daten daraus
lesen zu können.
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Bezug
nehmend nun auf 4 ist dort ein zweiter Schaltkreis,
bezeichnet durch 500 , zum Einbau in die Einheit 60 als
Ersatz für
den Schaltkreis 200 dargestellt. Der Schaltkreis 500 umfaßt mehr
als drei Stufen, obwohl nur die Stufen 1 bis 3 dargestellt sind.
Jede Stufe enthält
einen P-Kanal-Metalloxid-Feldeffekttransistor (MOSFET) TR zusammen mit
einem Kondensator C und einem Widerstand R, wobei Stufe 1 beispielsweise
einen MOSFET TR1, einen Widerstand R1 und
einen Kondensator C1 enthält.
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Jede
Stufe weist einen Eingang auf, der mit einer Quellenelektrode (S)
ihres MOSFET TRs und einer ersten Elektrode ihres Kondensators C
verbunden ist. Eine zweite Elektrode des Kondensators C ist mit
einer Gate-Elektrode (G) des MOSFET TRs und mit einer ersten Elektrode
des Widerstands R verbunden. Eine zweite Elektrode des Widerstands
R ist mit der Leitung V- verbunden. Weiterhin weist jede Stufe einen
Ausgang auf, der mit einer Ableitungselektrode (D) ihres MOSFET
TRs verbunden ist.
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Die
Leitung V+ ist mit dem Eingang der Stufe 1 verbunden. Der Ausgang
der Stufe 1 ist mit dem Eingang der Stufe 2 verbunden. Der Ausgang
der Stufe 2 ist mit dem Eingang der Stufe 3 verbunden, usw.
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Die
Stufen im Schaltkreis 500 sind identisch, außer daß der Widerstand
R und der Kondensator C jeder Stufe derart gewählt sind, um den Stufen gegenseitig
verschiedene Laufzeitverzögerungen
zu verleihen, wodurch die Informationen in den Laufzeitverzögerungen
der Stufen erfaßt
werden.
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Der
Betrieb des Schaltkreises 500 wird nun anhand von 4 beschrieben.
Die Strahlung wird von der Vorrichtung 20 emittiert, die
an der Einrichtung 10 empfangen und dann dort gleichgerichtet wird,
um eine Potentialdifferenz zwischen den Leitungen V+, V- zur Zeit
TA zu erzeugen. Die MOSFETS TRs befinden
sich zu der Zeit TA und unmittelbar davor
in einem nicht leitfähigen
Zustand, weil ihre zugehörigen
Kondensatoren C alle entladen sind.
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Nach
der Zeit TA lädt sich der Kondensator C1 durch seinen zugehörigen Widerstand R1 auf,
bis die Gate-Elektrode G von TR1 in Bezug auf die Quellenelektrode
S von TR1 um einen Betrag negativer ist, der einer Grenzwertspannung
von TR1 entspricht, wobei bei einer Zeit TB der
MOSFET TR1 damit beginnt, zwischen seinen Quellen-(S)- und Ableitungs-(D)-Elektroden
zu leiten, um Stufe 2 über
Stufe 1 mit der Leitung V+ zu verbinden.
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Der
Kondensator C2 der Stufe 2 beginnt dann damit,
sich durch seinen zugehörigen
Widerstand R2 aufzuladen bis ein Potential über dem
Kondensator C2 einen Betrag überschreitet,
der einer Grenzwertspannung von TR2 entspricht, wobei bei einer
Zeit TC der MOSFET TR2 damit beginnt, zwischen
seinen Quellen-(S)- und Ableitungs-(D)-Elektroden zu leiten, um
Stufe 3 über
Stufen 1 und 2 mit der Leitung V+ zu verbinden.
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Der
Kondensator C3 der Stufe 3 beginnt dann damit,
sich durch seinen zugehörigen
Widerstand R3 aufzuladen, bis ein Potential über dem
Kondensator C3 einen Betrag überschreitet,
der einer Grenzwertspannung von TR3 entspricht, wobei bei einer
Zeit TD der MOSFET TR3 damit beginnt, zwischen
seinen Quellen-(S)- und Ableitungs-(D)-Elektroden zu leiten, um
Stufe 4 (nicht dargestellt) über
Stufen 1 bis 3 mit der Leitung V+ zu verbinden, usw.
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Ein
exponentiell abklingender Stromimpuls wird jedes Mal dann aus der
Leitung V+ entnommen, wenn eine aufeinander folgende Stufe des Schaltkreises 500 durch
ihre vorangehende Stufe ausgelöst
wird.
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Der
Schaltkreis 500 hat den Vorteil, daß er per Mikroherstellung produziert
werden kann und die Widerstände
R und Kondensatoren C durch Laserstrahlen abgeglichen werden können, um
Daten in dem als die Laufzeitverzögerungen der Stufen des Schaltkreises 500 repräsentierten
Schaltkreis 500 zu codieren, die sich in Zeitdauern zwischen
den aus der Leitung V+ extrahierten Stromimpulsen manifestieren.
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Bei
der Mikroherstellung des Schaltkreises 500 ist es zweckdienlich,
denselben in Form eines in 5 und durch 600 angedeuteten
dritten Schaltkreises zu implementieren. Die MOSFETs des Schaltkreises 500 werden
mit ihren Kanälen
implementiert, die als eine kontinuierliche Kanalregion 610 in 5 produziert
sind. Die Quellenelektroden (S) im Schaltkreis 500 werden
im dritten Schaltkreis 600 als Verbindungsregionen implementiert,
zum Beispiel eine Region 620. Die Gate-Elektroden (G) im
Schaltkreis 500 werden als isolierte Gate-Elektroden implementiert,
zum Beispiel als eine Gate-Elektrode 630, entlang der kontinuierlichen
Kanalregion 610. Wie bei Schaltkreis 500 umfaßt jede
Stufe des Schaltkreises 600 einen zugehörigen Widerstand und Kondensator
zum Feststellen der durch diese stattfindenden Laufzeitverzögerung,
zum Beispiel enthält
Stufe 1 im Schaltkreis 600 einen zugehörigen Widerstand 640 und
einen zugehörigen
Kondensator 650 zum Feststellen der durch diese stattfindenden
Laufzeitverzögerung.
Die Widerstände
können
als leicht dotierte Polysilikonspur implementiert werden und die
Kondensatoren können
als Anschlußkapazitäten eines Substrats
des dritten Schaltkreises 600 eingebaut werden, der am
Potential der Leitung V- aufrecht erhalten wird; wodurch die Polysilikonspuren
freigelegt und zugängig
für das
Abgleichen per Laserstrahl zum Programmieren von Daten in den dritten
Schaltkreis 600 sind.
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Die
Schaltkreise 200, 500, 600 haben alle den
Nachteil, daß die
Stufen, die sich weit entlang der Serie dieser Schaltkreise, entfernt
von Stufe 1 befinden, durch zahlreiche vorangehende Stufen geführt werden.
Dadurch entsteht eine maximale Beschränkung der Anzahl von Stufen,
die in die Schaltkreise 200, 500, 600 eingebaut
werden können,
weil jede Stufe über
diese einen Spannungsabfall erfährt, wenn
sich diese in einem leitfähigen
Zustand befindet und daher die Stufen, die sich weit entlang der
Serie befinden, weniger als dem Potential der Leitung V+ im Betrieb
ausgesetzt sind. Um dieser maximalen Beschränkung zu begegnen, wird in 6 und
durch 700 angedeutet ein alternativer vierter Schaltkreis dargestellt,
wobei der Schaltkreis 700 geeignet ist, in die Einheit 60 der
Einrichtung 10 eingebaut zu werden.
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In 6 umfaßt der Schaltkreis 700 acht Stufen
1 bis 8, die in Serie konfiguriert sind, zum Beispiel eine Stufe
1 und eine Stufe 5, jeweils mit 710 und 720 bezeichnet.
Die Stufen 1 bis 8 sind identisch, mit der Ausnahme, daß sie derart
programmiert sind, um gegenseitig verschiedene durch diese auftretende
Singallaufzeitverzögerungen
aufweisen. Stufe 1 710 umfaßt eine Schmitt-Schaltung bzw. ein Schmitt-Gatter 750,
einen Widerstand 760 und einen Kondensator 770.
Stufe 1 enthält
einen Eingang, der mit dem Eingang der Schaltung 750 verbunden
ist. Weiterhin enthält
Stufe 1 einen Ausgang, der mit einer ersten Elektrode des Kondensators 770 und
mit einem ersten Ende des Widerstands 760 verbunden ist.
Ein zweites Ende des Widerstands 760 ist mit dem Ausgang
der Schaltung 750 verbunden und eine zweite Elektrode des
Kondensators 770 ist mit der Leitung V- verbunden. Die
Schaltung 750 umfaßt ebenfalls
einen positiven Anschlußpunkt
und einen negativen Anschlußpunkt,
die jeweils mit den Leitungen V+ und V- verbunden sind.
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Der
Eingang der Stufe 1 750 ist mit einem ersten Ende eines
Widerstands 780 und mit einer ersten Elektrode eines Kondensators 790 verbunden.
Eine zweite Elektrode des Kondensators 790 und ein zweites
Ende des Widerstands 780 sind jeweils mit den Leitungen
V- und V+ verbunden. Der Ausgang der Stufe 1 ist mit einem Eingang
der Stufe 2 verbunden. Ein Ausgang der Stufe 2 ist mit einem Eingang
der Stufe 3 verbunden, usw. bis zur Stufe 8, deren Ausgang mit keiner
weiteren Stufe verbunden ist.
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Die
Schaltungen der Stufen 1 bis 8 sind derart betreibbar, daß sie eine
binäre
Ausgabe im wesentlichen an den Potentialen der Leitungen V-, V+ bereitstellen
und ebenfalls, daß sie
an deren Eingängen
eine Hysteresecharakteristik bereitstellen, wobei die Charakteristik
dem Fachmann auf dem Gebiet des Aufbaus logischer Schaltungen bekannt
ist.
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Der
Betrieb des in der Einrichtung 10 eingebauten und durch
die Vorrichtung 20 abgefragten Schaltkreises 700 wird
nun beschrieben. Zunächst emittiert
die Vorrichtung 20 keine Strahlung; der Kondensator 790 und
die Kondensatoren in den Stufen 1 bis 8 sind alle entladen. Zur
Zeit Ta beginnt die Vorrichtung 20 damit,
Strahlung zu emittieren, die von der Einrichtung 10 empfangen
wird und erzeugt ein davon empfangenes Signal, das die Einheit 50 gleichrichtet,
um eine Potentialdifferenz über
den Leitungen V-, V+ bereitzustellen.
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Nach
der Zeit Ta beginnt der Kondensator 790 damit,
sich durch den Widerstand 780 von der Leitung V+ aufzuladen.
Wenn das Potential über
den Elektroden des Kondensators 790 einen Hysteresegrenzwert
der Schaltung 750 überschritten
hat, schaltet der Ausgang der Schaltung 750 von seinen anfänglich binären Zustand
des im wesentlichen Leitung V- Potentials auf seinen anderen binären Zustand
des im wesentlichen Leitung V+ Potentials um. Die Veränderung
des Ausgabe- bzw. Ausgangszustands der Schaltung 750 veranlaßt den Kondensator 770,
sich durch den Widerstand 760 von dem Ausgang der Schaltung 750 aufzuladen.
Wenn das Potential über
dem Kondensator 770 ausreichend ist, um einen Hysteresegrenzwert
einer Schaltung in Stufe 2 zu überschreiten,
schaltet die Schaltung in Stufe 2 ihren Ausgang von ihrem anfänglichen
binären
Zustand des im wesentlichen Leitung V- Potentials auf ihren anderen
binären
Zustand des im wesentlichen Leitung V+ Potentials um. Dadurch lädt Stufe
2 ihren zugehörigen
Widerstand und Kondensator auf, die wiederum Stufe 3 usw. bis Stufe
8 auslösen.
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Jedes
Mal, wenn eine Stufe ausgelöst
wird und ihren Schaltungsausgang bzw. Gatterausgang von ihrem anfänglichen
binären
Zustand auf ihren anderen binären
Zustand umschaltet, wird ein exponentiell abklingender Stromimpuls
von Schaltkreis 700 von der Leitung V+ extrahiert; die durch
die Stufen erzeugten Stromimpulse werden von der Vorrichtung 20 sensiert,
die dadurch Informationen von der Einrichtung 10, die den
Schaltkreis 700 umfaßt,
empfängt.
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Weil
jede Stufe ihren Strom direkt von der Leitung V+ ableitet, werden
die nachfolgenden Stufen nicht durch eine Vielzahl von vorangehenden
Stufen mit Energie versorgt und ermöglichen es dem Schaltkreis 700,
falls erforderlich, eine große
Anzahl von Stufen zu enthalten, zum Beispiel mehr als acht Stufen.
Die Stufen können
per Mikroherstellung auf einem Silikon-integrierten Schaltkreis
produziert sein, der Taktwiderstände
jeder Stufe implementiert, zum Beispiel der Widerstand 760,
als leicht dotierte Polysilikonspuren, die per Laserstrahl abgeglichen werden
können,
um Daten in den Schaltkreis 700 zu programmieren, zum Beispiel
einen Identifizierungs-Erkennungscode.
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In
vielen praktischen Anwendungen, zum Beispiel wo Quellen von Störungen durch
plötzliche Amplitudenhäufung existieren
sowie Störungen
des Betriebs der Vorrichtung 20, ist es wünschenswert, daß der Schaltkreis 700 in
der Lage ist, darin programmierte Informationen zu wiederholen,
während Strahlung
von der Vorrichtung 20 emittiert und von der Einrichtung 10,
die den Schaltkreis 700 beinhaltet, empfangen wird. Um
die Wiederholung der Informationen zu erreichen, kann der Schaltkreis 700 in einen
durch 800 in 7 angedeuteten fünften Speicherschaltkreis
modifiziert werden.
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In 7 umfaßt der Schaltkreis 800 den Schaltkreis 700,
der innerhalb einer punktierten Linie 810 zusammen mit
einer invertierenden Schmitt-Schaltung bzw. einem Schmitt-Gatter 820 dargestellt
ist, dessen Eingang mit dem Ausgang der Stufe 8 verbunden ist und
dessen Ausgang an einem Ende des Widerstands 780 verbunden
ist, der zuvor mit der Leitung V+ verbunden war.
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Wird
eine Potentialdifferenz an die Leitungen V-, V+ angelegt, erhält die Schaltung 820 das
Auslösen
innerhalb des Schaltkreises 800 aufrecht, sodaß exponentiell
abklingende Stromimpulse kontinuierlich aus der Leitung V+ extrahiert
werden und dadurch kontinuierlich an der Vorrichtung 20 abtastbar sind.
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In
einer Situation, in welcher die Vorrichtung 20 und verschiedene
Einrichtungen vorhanden sind, die der Einrichtung 10 jeweils ähnlich sind,
ergibt sich ein potentielles Problem einer Konkurrenzsituation, bei
der mehrere der Einrichtungen gleichzeitig von der Vorrichtung 20 ausgelöst werden.
Um eine solche Konkurrenzsituation anzusprechen, können die
Einrichtungen derart modifiziert werden, um eine wie in 8 und 9 dargestellte
Form anzunehmen.
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In 8 wird
eine zweite Ausführungsform einer
Speichereinrichtung gemäß der Erfindung
bezeichnet durch 900, dargestellt. Die Einrichtung 900 umfaßt das Substrat 30 und
die Antenne 40, wie in der Einrichtung 10 enthalten.
Die Einrichtung 900 umfaßt weiterhin eine modifizierte
Gleichrichtereinheit und eine Speichereinheit, jeweils mit 910 und 940 bezeichnet.
Die Gleichrichtereinheit 910 umfaßt die Kondensatoren 52, 56 und
die Diode 54 zusammen mit einer zweiten Diode 920 und
einem Lastwiderstand 930. Die Kondensatoren 52, 56 und
die Diode 54 sind in ähnlicher
Weise wie in der Einheit 50 verbunden, um die zwei Leitungen
V-, V+ von der Antenne 40 bereitzustellen. Die Diode 920 ist
mit ihrer Anode mit einer Anode der Diode 54 verbunden.
Weiterhin ist eine Kathode der Diode 920 mit einer Leitung
D+ und ebenfalls mit einem ersten Ende des Widerstands 930 verbunden,
wobei ein zweites Ende des Widerstands 930 mit der Leitung
V- verbunden ist.
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In
der Einrichtung 900 sind die Leitungen V-, V+, D+ mit einer
Speichereinheit 940 verbunden, die in einer Aussparung
im Substrat 30 am Ende des Substrats 30 entfernt
von der Antenne 40 untergebracht ist.
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Im
Betrieb stellt die Einheit 910 eine Gleichstrom-Potentialdifferenz über den
Leitungen V-, V+ bereit, wenn die Einrichtung 900 von der
Vorrichtung 20 abgefragt wird. Weiterhin wird ebenfalls
ein pulsierendes einpoliges Signal an der D+ Leitung in Bezug auf
die Leitung V- bereitgestellt.
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Die
Speichereinheit 940 umfaßt einen durch 950 bezeichneten
und in 9 dargestellten sechsten Speicherschaltkreis.
Der Schaltkreis 950 umfaßt den Schaltkreis 700,
der innerhalb einer gepunkteten Linie 960 zusammen mit
einer invertierenden Schmitt-Schaltung bzw. Schmitt-Gatter 980,
einem ersten und einem zweiten MOSFET (FET1, FET2), einem Widerstand
R1 und einem Kondensator D1 sowie
schließlich
einem Impulsgeber 970 enthalten ist. Jeder der MOSFETs
umfaßt
Quellen- und Ableitungselektroden (S1, S2) und eine Gate-Elektrode (G).
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Im
Schaltkreis 950 sind die mit der Leitung V- in 7 verbundenen
Anschlußklemmen
des Schaltkreises 700 (E1, E2) zusammengefaßt und mit einer ersten Anschlußklemme
J1 des Impulsgebers 970 verbunden.
Der Impulsgeber 970 ist weiterhin an seiner dritten Anschlußklemme
J3 mit der Leitung V+ und ebenfalls an seiner
vierten Anschlußklemme
J4 mit der Leitung V- verbunden. Weiterhin
ist der Impulsgeber 970 an seiner zweiten Anschlußklemme mit
der Gate-Elektrode des MOSFETs FET2 verbunden. Der FET2 ist an seiner
Quellenelektrode S1 mit der Leitung D+ verbunden.
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Der
FET2 ist an seiner Ableitungselektrode (S2)
mit einem Eingang der Schaltung 980, mit einer ersten Elektrode
des Kondensators C1 und über den Widerstand R1 mit der Ableitungselektrode des FET1 verbunden.
Eine zweite Elektrode des Kondensators C1 ist
mit der Leitung V- verbunden. Weiterhin ist die Quellenelektrode
des FET1 mit der Leitung V+ verbunden. Ein Ausgang von der Schaltung 980 ist
mit dem Widerstand 780 an einem daran befindlichen Ende
entfernt vom Kondensator 790 verbunden. Die Gate-Elektrode
(G) des FET1 ist mit dem Ausgang von Stufe 8 des Schaltkreises 700 verbunden.
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Der
Betrieb des Schaltkreises 950, der in die Einrichtung 900 integriert
ist und von der Vorrichtung 20 abgefragt wird, wird nun
beschrieben. Wenn Strahlung von der Vorrichtung 20 ausgegeben
wird, wird diese an der Antenne 40 der Einrichtung 900 empfangen.
Die Strahlung führt
dazu, daß ein
empfangenes Signal an der Antenne 40 erzeugt wird, das von
der Gleichrichtereinheit 910 verarbeitet wird, um eine
Potentialdifferenz über
den Leitungen V-, V+ und ein pulsierendes einpoliges Signal an der
Leitung D+ an der Frequenz der an der Antenne 40 empfangenen
Strahlung zu erzeugen. Sobald die Potentialdifferenz über den
Leitungen V-, V+ erzeugt worden ist, wird der Schaltkreis 950 operativ
und der darin befindliche Schaltkreis 700 wird ausgelöst; die
Stufen 1 bis 8 werden in Reihenfolge ausgelöst, bis Stufe 8 ausgelöst ist und
dazu führ,
daß eine
Gate-Elektrode (G) des FET1 im wesentlichen auf ein Potential der Leitung
V+ gezogen wird. Der FET1 wendet daraufhin das Potential auf die
Leitung V+ auf den Widerstand R1 an, der
den Kondensator C1 auflädt.
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Das
Aufladen des Kondensators C1 wird jedoch
ebenfalls durch die Ladung beeinflußt, die von diesem durch den
FET2 durch den regelmäßigen Anschluß des Kondensators
C1 durch den FET 2 zur Leitung
D+ injiziert oder entfernt wird. Der FET2 wird von dem Impulsgeber 970 regelmäßig ausgelöst, der wiederum
jedes Mal ausgelöst
wird, wenn der Schaltkreis 700 einen exponentiell abklingenden
Stromimpuls von der Leitung V+ extrahiert. Das Signal an der Leitung
D+ wird daher effektiv geprüft,
was einen Einfluß auf
die Verzögerung
der Neuauslösung
des Schaltkreises 700 hat, nachdem Stufe 8 ausgelöst worden
ist. Dadurch werden die vom Schaltkreis 950 von der Leitung
V+ extrahierten Stromimpulse in plötzlichen Amplitudenhäufungen
aufgrund von Inaktivitätszeiten
punktiert. Die Inaktivitätszeiten
treten auch dann auf, wenn die Vorrichtung 20 kontinuierlich Strahlung
emittiert; die Inaktivitätszeiten
sind asynchron in Bezug auf andere Einrichtungen, die auf die Vorrichtung 20 reagieren,
wodurch der Vorrichtung 20 Zeitintervalle bereitgestellt
werden, wenn nur eine Einrichtung auf ihre emittierte Strahlung
reagiert. Die Intervalle stellen der Vorrichtung 20 ein
Verfahren zum Überwinden
der Konkurrenzsituation zwischen einer Reihe von der Einrichtung 900 ähnlichen
Einrichtungen bereit, die innerhalb des Abfragebereichs der Vorrichtung 20 arbeiten.
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Unter
Rückbezugnahme
auf 1 und 2 kann die Einrichtung 10 mit
ihrem Schaltkreis 200 alternativ unter Anwendung von mechanischen Schaltkomponenten
implementiert werden. Die Vorteile der Anwendung von mechanischen
Schaltkomponenten sind folgende:
- (a) kein Festhaken,
was die MOSFET-basierenden Schaltkreise beeinflussen könnte, die
gepulsten, hochintensiven elektrischen Feldern oder ionisierender
Strahlung ausgesetzt sind, zum Beispiel Röntgenstrahlen oder Gammastrahlen
und
- (b) die Fähigkeit,
bei Temperaturen von über
200 °C zu
arbeiten, bei welchen bipolare und
-
MOSFET
Halbleiterkomponenten aus Silikon thermischen Durchbruch erleiden
würden.
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Nun
bezugnehmend auf 10 wird dort ein siebter, mit 1100 bezeichneter,
Speicherschaltkreis gemäß der Erfindung
dargestellt. Der Schaltkreis 1100 kann in der Einrichtung 10 durch
Einbau in die Speichereinheit 50 als Ersatz für den Schaltkreis 200 enthalten
sein.
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Der
Schaltkreis 1100 enthält
eine Serie von Stufen, obwohl nur die ersten drei Stufen (Stufe
1, Stufe 2, Stufe 3) der Serie in dem Diagramm dargestellt sind.
Jede Stufe enthält
ein verlängertes
piezoelektrisches bimorphes Element, einen Widerstand und einen
Kondensator, zum Beispiel enthält
Stufe 1 ein piezoelektrisches bimorphes Element 1110, einen Widerstand
R1 und einen Kondensator C1.
Weiterhin enthält
der Schaltkreis 1100 einen Widerstand R0 und einen Kondensator
Co, die mit dem Eingang der Stufe 1 verbunden sind. Jedes bimorphe
Element ist an seinem ersten Ende mit einem Substrat verankert und
ist an seinem zweiten, von dem ersten Ende entfernten, Ende als
Reaktion auf ein schräg
durch eine Dicke des Elements zwischen seiner unteren und oberen
Fläche
generiertes elektrisches Feld biegbar. Weiterhin umfaßt jedes
bimorphe Element eine erste obere metallisierte leitfähige Spur,
die entlang der Länge
des bimorphen Elements auf seiner oberen Fläche verläuft, zum Beispiel eine Spur 1140 des
Elements 1110 in Stufe 1, die mit der Leitung V+ verbunden
ist. Weiterhin umfaßt
jedes bimorphe Element eine zweite obere metallisierte leitfähige Spur,
die entlang der Länge
des Elements auf seiner oberen Fläche verläuft, zum Beispiel eine Spur 1130 des
Elements 1110 in Stufe 1, die mit einem Eingang der dem
bimorphen Element zugehörigen
Stufe verbunden ist. Jedes Element enthält weiterhin eine dritte metallisierte
leitfähige
Spur, die entlang der Länge seiner
unteren Fläche
verläuft,
wobei die dritte Spur mit der Leitung V- verbunden ist; zum Beispiel
enthält das
bimorphe Element 1110 der Stufe 1 eine metallisierte Spur 1120,
die entlang der Länge
seiner unteren Fläche
verläuft.
-
Jede
Stufe umfaßt
weiterhin einen Kontaktpunkt P, der derart betreibbar ist, daß er einen
elektrischen Kontakt zu der ersten Spur des bimorphen Elements der
Stufe herstellt, wenn sich das Element an seinem zweiten Ende ausreichend
in nach oben gerichteter Richtung zum Punkt P hin biegt. Eine solche Biegung
nach oben tritt auf, wenn die zweite Spur zu einem positiven Potential
relativ zur dritten Spur getrieben wird, die sich auf einem Potential
der Leitung V- befindet. In jeder Stufe ist der Punkt P über den Widerstand
der Stufe, zum Beispiel den Widerstand R1 in
Stufe 1, mit einer ersten Elektrode des Kondensators der Stufe,
zum Beispiel des Kondensators C1 der Stufe
1, und mit dem Ausgang der Stufe verbunden; eine zweite Elektrode
des Kondensators ist mit der Leitung V- verbunden.
-
Ein
erstes Ende des Widerstands R0 ist mit der
Leitung V+ verbunden. Ebenso ist eine erste Elektrode des Kondensators
Co mit der Leitung V- verbunden. Ein zweites Ende des Widerstands
R0 ist mit der zweiten Elektrode des Kondensators
C0 verbunden und auch mit dem Eingang der
Stufe 1 verbunden. Der Ausgang der Stufe 1 ist mit dem Eingang der
Stufe 2 verbunden; der Ausgang der Stufe 2 ist mit dem Eingang der
Stufe 3 verbunden, usw.
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Der
Betrieb des Schaltkreises 1100, der in die Einrichtung 10 integriert
ist, wenn er durch die Vorrichtung 20 abgefragt wird, wird
nun beschrieben. Zunächst
emittiert die Vorrichtung 20 keine Strahlung, sämtliche
Kondensatoren im Schaltkreis 1100 befinden sich in einem
entladenen Zustand und die bimorphen Elemente der Stufen befinden
sich in einem unverformten Zustand, in welchem sie keinen Kontakt
zu ihren entsprechenden Kontaktpunkten P herstellen. Zur Zeit Q1 beginnt die Vorrichtung 20 damit,
Strahlung zu emittieren, die an der Antenne 40 der Einrichtung 10 empfangen
wird und dazu führt, daß ein empfangenes
Signal darin erzeugt wird. Die Einheit 50 wandelt das empfangene
Signal in eine Potentialdifferenz zwischen den Leitungen V-, V+ um.
Der Schaltkreis 1100 wird durch die Potentialdifferenz
aktiviert, was zur Folge hat, daß sich der Kondensator Co auflädt, das
bimorphe Element 1110 nach oben zu seinem Kontaktpunkt
P biegt, um schließlich
Kontakt mit demselben herzustellen, wodurch der Widerstand R1 mit der Leitung V+ verbunden wird. Der
Kondensator C1 beginnt dann damit, sich
durch den Widerstand R1 auf ein Potential
der Leitung V+ aufzuladen, was zur Folge hat, daß das Element der Stufe 2 sich
nach oben biegt und schließlich
Kontakt zu seinem zugehörigen
Kontaktpunkt P herstellt. Stufe 2 löst dann Stufe 3 aus, die wiederum
Stufe 4 (nicht dargestellt) auslöst,
usw. Jedes Mal, wenn ein bimorphes Element Kontakt zu seinem zugehörigen Kontaktpunkt
P herstellt, wird ein exponentiell abklingender Stromimpuls von
der Leitung V+ extrahiert. Solche Impulse werden von der Vorrichtung 20 sensiert,
wobei die Vorrichtung 20 dadurch Informationen von der
Einrichtung 10 empfängt,
die in den Schaltkreis 1100 entsprechend der Laufzeitverzögerungen
durch die Stufen programmiert sind.
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Jede
Stufe kann derart angeordnet sein, um durch diese hindurch eine
gegenseitig verschiedene Laufzeitverzögerung zum Erfassen von Daten
im Schaltkreis 1100 aufzuweisen; die Laufzeitverzögerungen
können
durch Abgleichen der Widerstände
in den Stufen oder durch Modifizieren der Kondensatoren in den Stufen,
oder beides, variiert werden.
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11 stellt
eine durch 1200 bezeichnete räumliche Implementierung der
bimorphen Elemente der Stufen 1 und 2 im Schaltkreis 1100,
wie in 10 illustriert, dar. Die bimorphen
Elemente, zum Beispiel das Element 1110, sind jeweils an
einem ihrer Enden mit einem Substrat 1220 verankert. Weiterhin
ist jeder Kontaktpunkt P als ein überhängender Bereich implementiert,
zum Beispiel ein Bereich 1210, einschließlich einer
zugehörigen
Kontaktspur, zum Beispiel eine Spur 1215, das derart betreibbar
ist, daß es einen
Kontakt zu der ersten Spur seines zugehörigen bimorphen Elements herstellt,
wenn dieses sich ausreichend biegt. Die Widerstände R0,
R1, R2 und die Kondensatoren
C0, C1 befinden
sich in einem Bereich, der benachbart zu der Stelle liegt, an der
die bimorphen Elemente am Substrat 1220 verankert sind.
-
Unter
Rückbezugsnahme
auf 1 enthält die
Einrichtung 10 eine Schleifenantenne 40, die geeignet
zum Empfang von eingehender Strahlung durch einen H-Feldanschluß bei Frequenzen,
die niedriger liegen als etwa 20 MHz, ist. Während sich die Strahlungsfrequenzen über 20 MHz
erhöhen,
reagiert die Antenne 40 progressiv auf die elektrischen Feldkomponenten
der eingehenden Strahlung. Wenn die eingehende Strahlung bei einer
viel höheren
Frequenz als 20 MHz liegt, zum Beispiel in einem Frequenzbereich
von 868 MHz bis 2,45 GHz, werden U2-Flächenantennen
und klappbare Dipolantennen technisch eher geeignet. 12 ist
eine Illustration einer modifizierten Version der Einrichtung 10,
wobei die modifizierte Einrichtung im allgemeinen durch 1400 bezeichnet
ist. Die modifizierte Einrichtung umfaßt ein isolierendes Substrat 1410,
eine metallische Filmflächenantenne 1420,
die auf dem Substrat 1410 ausgebildet ist sowie Gleichrichter-
und Speichereinheiten 1430, 1440, die jeweils
innerhalb der im Substrat 1410 gebildeten Aussparungen
untergebracht sind. Das Substrat 1410 hat eine ähnliche
Größe wie die
zuvor erwähnten
ISO-Norm Kreditkarten, obwohl es auch, falls erforderlich, andere
Größen annehmen kann.
Die modifizierte Einrichtung 1400, wenn betriebsbereit
um eingehende Strahlung bei einer Frequenz von im wesentlichen 1
GHz zu empfangen, erfordert, daß die
Flächenantenne 1420 eine
Größenordnung
von 2 cm mal 3 cm hat, obwohl die präzisen Abmessungen von der dielektrischen
Leitfähigkeit des
Materials des Substrats 1410 abhängen.
-
Bei
relativ höheren
Frequenzen in der Größenordnung
von 1 GHz machen sich die Lasteffekte durch die modifizierte Einrichtung 1400 weniger
bemerkbar im Vergleich zu der Einrichtung 10, die funktionsfähig ist,
um eine Abfragestrahlung mit einer Trägerfrequenz von f0 =
15 MHz zu empfangen und darauf zu reagieren. Dies hat zur Folge,
daß die
Abfrageausrüstung,
die die modifizierte Einrichtung 1400 abfragt, entsprechend
sensibler sein muß.
Bei der modifizierten Einrichtung 1400 weist die Antenne 1420 eine
Ausgabe- bzw. Ausgangsimpedanz zur Gleichrichtereinheit 1430 auf,
die dieser entsprechend angepaßt
ist. Dies hat zur Folge, daß fast
der gesamte in der Abfragestrahlung übertragene Strom, der an der
modifizierten Einrichtung 1400 empfangen wird, in der Gleichrichtereinheit 1430 gleichgerichtet und
als Strom für
die Speichereinheit 1440, die Einheiten 1430, 1440 der
modifizierten Einrichtung 1400, die jeweils eine ähnliche
Konstruktion wie die Einheiten 50, 60 der Einrichtung 10 aufweisen,
gespeist werden. Die Gleichrichtereinheit 1430 legt jedoch
der Antenne 1420 eine Funkfrequenzlast vor, die eine Funktion
der Gleichstromlast ist, die von der Speichereinheit 1440 an
die Gleichrichtereinheit 1430 präsentiert wird. Da die elektrische
Last, die der Speichereinheit 1440 beim Auslösen präsentiert wird, eine Zeitfunktion
ist, reagiert daher die Gleichrichtereinheit 1430 auf diese,
indem sie entsprechend ihre Eingangsimpedanz ändert. Solche Veränderungen
der Impedanz verursachen einen meßbaren Anteil an Abfragestrahlung,
die an der zu reflektierenden modifizierten Einrichtung 1400 empfangen wird.
Reflektierte Strahlung von der modifizierten Einrichtung 1400 wird
von der Abfrageausrichtung empfangen, die die zeitlichen Fluktuationen
in der reflektierten Strahlung durch Messen der Phase und Amplitude
der reflektierten Strahlung in Bezug auf die Abfragestrahlung abtastet,
wodurch die Anwesenheit der modifizierten Einrichtung 1400 erfaßt wird.
-
Die
zuvor erwähnte
Abfrageausrüstung
wird nun anhand von 13 im einzelnen beschrieben. Die
Abfrageausrüstung,
die die Einrichtung 1400 abfragt, wird im allgemeinen mit 1500 angedeutet.
Die Ausrüstung 1500 umfaßt einen
Referenzsignalgeber 1510 zum Erzeugen eines Referenzsignals
an einem Ausgang U0 des Referenzsignalgebers 1510.
Der Ausgang U0 ist über einen Leistungstrennverstärker 1520 an
eine Transmitterflächenantenne 1530 und auch
an einen Signaleingang eines ersten Signalsplitters 1540 angeschlossen.
Der Splitter 1540 enthält
zwei Ausgänge
U1, U2; der Signaleingang
zum Splitter 1540 ist im Betrieb gleichermaßen an die Ausgänge U1, U2 gekoppelt,
wobei die gekoppelten Signale an den Ausgänge gegenseitig in Phase sind. Die
Ausgänge
U1, U2 sind jeweils
an erste Eingänge des
Mixers 1550, 1560 gekoppelt.
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Die
Ausrüstung 1500 enthält ebenfalls
eine Empfängerflächenantenne 1570,
deren Ausgang über
einen Funkfrequenzverstärker 1580 an
einen Eingang eines zweiten Splitters 1590 angeschlossen ist.
Der zweite Splitter 1590 ist als direktionale Verbindung
oder alternativ als eine Zweigverbindung implementiert; beim Betrieb
empfängt
sie ein Eingangssignal vom Verstärker 1580 und
koppelt die empfangenen Signale im wesentlichen gleichmäßig an ihre beiden
Ausgänge
U4, U5. Ein Teil
des empfangen Signals, das an den Ausgang US gekoppelt
ist, wird um 90° phasenverschoben,
nämlich
um π/2 Radianten, relativ
zu einem Teil des empfangen Signals, das an den Ausgang U4 gekoppelt ist. Die Ausgänge U4,
U5 sind jeweils mit zweiten Eingängen der
Mixer 1550, 1560 verbunden. Die Mixer-Ausgänge U6, U7 der Mixer 1550, 1560 sind
jeweils an die Eingänge
I, Q einer Verarbeitungseinheit 1600 gekoppelt. Die Verarbeitungseinheit 1600 enthält einen
digitalen Signalprozessor (DSP) 1610 zum Empfang von Signalen, die
an den Eingänge
I, Q eingegeben werden und sind so betreibbar, daß sie Zeitveränderungen
in deren relativen Phase und relativen Amplitude, die dem zeitlich
codierten Reflexionsvermögen
entspricht, das durch die modifizierte Einrichtung 1440 dargelegt wird
messen und daß sie
ein solches Reflexionsvermögen
mit den in der Verarbeitungseinheit 1600 erfaßten Codevorlagen
zurückkorrelieren.
Die Verarbeitungseinheit 1600 umfaßt weiterhin ein Ausgabe-DET,
das darauf hinweist, ob die modifizierte Einrichtung 1400 von
der Ausrüstung 1500 erkannt
wird oder nicht.
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Der
Betrieb der Ausrüstung 1500 in
Kombination mit der modifizierten Einrichtung 1400 wird nun
anhand der 12 und 13 beschrieben.
Der Signalgeber 1510 erzeugt ein Referenzsignal, das zum
Trennverstärker 1520 übergeht
und wird darin verstärkt,
um ein verstärktes
Referenzsignal an einem Ausgang des Verstärkers 1520 bereitzustellen. Das
verstärkte
Signal propagiert zur Übertragungsflächenantenne 1530,
von welcher aus es als eine entsprechende Strahlung 1700 emittiert
wird. Die Strahlung 1700 propagiert zur modifizierten Einrichtung 1400 und
wird an ihrer Flächenantenne 1420 empfangen,
was zu einem empfangenen Signal führt. Das empfangene Signal
wandert zur Gleichrichtereinheit 1430, die das empfangene
Signal gleichrichtet, um ein entsprechendes Gleichstrompotential
zum Erregen der Speichereinheit 1440 erzeugt. In der oben
genannten Speichereinrichtung 10 ähnlicher Weise übt die Speichereinheit 1440 eine zeitlich
codierte, fluktuierende elektrische Last auf die Gleichrichtereinheit 1430 aus,
die wiederum eine mit der Gleichrichtereinheit 1430 übereinstimmende Impedanz
zur Antenne 1420 zeitlich moduliert. Dies hat zur Folge,
daß ein
Teil 1710 der Strahlung 1700 von der Antenne 1420 in
modulierter codierter Form zur Empfängerantenne 1570 reflektiert
wird. Die Antenne 1570 empfängt den Teil 1710 der
Strahlung 1700 und erzeugt ein entsprechendes empfangenes Signal
an der Anschlußklemme
U3, das zum Verstärker 1580 propagiert,
der dieses verstärkt,
um ein verstärktes
Signal bereitzustellen, das zum Eingang des Splitters 1590 übergeht.
Der Splitter 1590 gibt im wesentlichen die Hälfte des
verstärkten
Signals an den Ausgang U4 aus, ohne dieses
zu phasenverschieben und gibt ebenfalls im wesentlichen die Hälfte des
verstärkten
Signals an den Ausgang U5, um 90° phasenverschoben
aus, nämlich
in Quadratur relativ zur Signalausgabe an dem Ausgang U4.
Die U4, U5 Ausgabe-
bzw. Ausgangssignale gehen zu den jeweiligen Mixern 1550, 1560 über, wo
die Signale auf ein Basisband überlagert
werden, das den I, Q Signalen entspricht, die zu den Eingaben I,
Q der Verarbeitungseinheit 1600 übergehen.
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Der
DSP 1610 empfängt
die I, Q Signaleingaben an den Eingängen I, Q und mißt die zeitlichen Veränderungen
in ihrer relativen Phase und die relative Amplitude, die dem zeitlich
codierten Reflexionsvermögen
entspricht, das die modifizierte Einrichtung 1440 aufweist.
Der DSP 1610 kreuz-korreliert dann die Zeitveränderungen
mit den in der Verarbeitungseinheit 1600 erfaßten Codevorlagen.
Falls eine Korrelation von dem DSP 1610 identifizier wird,
gibt der DSP 1610 einen Code an seinen DET-Ausgang, der auf
eine modifizierte Einrichtung 1440 und ihren Identifikationscode
hinweist. Falls ansonsten keine Korrelation identifiziert wird,
gibt der DSP 1610 einen auf eine Nichterkennung hinweisenden
Code aus.
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Bei
der modifizierten Einrichtung 1400 ist es wünschenswert,
daß der
von der Speichereinheit 1440 angewandte Identifikationscode
eine Taktrate aufweist, die wenigstens eine Größenordnung von mehr als den
Doppler-Frequenzverschiebungen hat, die durch die modifizierte Kennzeichnung 1400 auftreten,
das sich relativ zur Ausrüstung 1500 bewegt, ansonsten
kann eine akkurate Erkennung der Codes nur schwierig zuverlässig in
der Ausrüstung 1500 ausgeführt werden.
Bevorzugt arbeitet die Speichereinheit 1440 derart, um
ihre zugehörigen
Codes bei einer Taktrate von wenigstens einigen Kiloherz auszugeben,
zum Beispiel 50 kHz; eine solche relativ hohe Taktrate ist vorteilhaft,
weil sequentiell ausgelöste
Schalter in der Speichereinheit 1440 dann nur noch relativ
kurze zugehörige
Zeitkonstanten von ein paar Mikrosekunden aufweisen müssen.
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In
einer Situation, in welcher die Ausrüstung 1500 und verschiedene
Einrichtungen vorhanden sind, die der modifizierten Einrichtung 1400 jeweils ähnlich sind,
ergibt sich ein potentielles Problem einer Konkurrenzsituation,
bei der mehrere der Einrichtungen gleichzeitig von der Ausrüstung 1500 ausgelöst werden
und die Einrichtungen gleichzeitig Strahlung zur Ausrüstung 1500 zurück reflektieren.
Um einer solchen Konkurrenzsituation zu begegnen, können die
Einrichtungen weiterhin derart in Bezug auf deren jeweiligen zugehörigen Gleichrichtung
und Speichereinheiten 1430, 1440 modifiziert werden. Die
Gleichrichtereinheit 1430 in der modifizierten Einrichtung 1440 nimmt
dann eine Form an, die der Gleichrichtereinheit 910 ähnlich ist
und stellt V-, V+ und D+ Ausgänge,
wie in 8 dargestellt bereit. Weiterhin wird die Speichereinheit 1440 ebenfalls
in Form einer durch 1800 angedeuteten und in 14 dargestellten
Form modifiziert.
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Die
Speichereinheit 1800 umfaßt eine kaskadierte Serie an
Schaltern, die durch 1810 angedeutet und innerhalb der
gestrichelten Linie 1820 enthalten sind. Obwohl drei Schalter 1830, 1840, 1850 dargestellt
sind, kann die Serie 1810 je nach der Komplexität des erwünschten
Erkennungscodes zwei oder mehr Schalter enthalten. Die Einheit 1800 umfaßt weiterhin
eine invertierende Schmitt-Schaltung bzw. Schmitt-Gatter 1860,
eine Exklusiv-OR-Schaltung 1870, Widerstände R20, R21, R22, Kondensatoren C20, C21, C22 sowie zwei
Taktschalter 1880, 1890. Jeder der Schalter 1830, 1840, 1850 ist
jedem der Schalter 210 in 2 oder jeder
der in 4 bis 7, 9 bis 11 dargestellten
Schaltern ähnlich;
jeder Schalter weist eine zugehörige
Schalterzeitverzögerung
wie oben beschrieben auf, die dazu beiträgt, einen Erkennungscode für die Einrichtung 1400 zu
definieren.
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Die
gegenseitige Verbindung der Teile innerhalb der Speichereinheit 1800 wird
nun anhand von 14 beschrieben. Der Schalter 1830 ist
der erste Schalter in der Serie 1810, der Schalter 1830 enthält einen
Eingang F1, der mit einem ersten Ende des
Widerstands R20 und auch mit einem ersten
Ende des Kondensators C20 verbunden ist.
Ein zweites Ende des Kondensators C20 ist
mit einer Signalerdung gekoppelt und ein zweites Ende des Widerstands
R20 ist mit einem Ausgang der Schmitt-Schaltung 1860 verbunden;
die Signalerdung ist mit dem Ausgang V- der modifizierten Gleichrichtereinheit 1430 verbunden. Der
Schalter 1830 enthält
weiterhin einen Ausgang G1, der mit einem
Eingang F2 des Schalters 1840 und zusätzlich mit
einem ersten Eingang der Exklusiv-OR-Schaltung 1870 und
mit einem ersten Ende des Widerstands R21 verbunden
ist. Ein zweites Ende des Widerstands R21 ist
mit einem zweiten Eingang der Exklusiv-OR-Schaltung 1870 und
mit einem ersten Ende des Kondensators C21 verbunden,
wobei der Kondensator C21 ein zweites Ende
aufweist, das mit der Signalerdung verbunden ist. Ein Ausgang G2 des Schalters 1840 ist an eine
Eingabe F3 des Schalters 1850 gekoppelt.
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Ein
Ausgang G3 des Schalters 1850 ist
mit einer Eingangssteuerung K1 des Schalters 1880 verbunden.
Der Eingang K1 ist derart betreibbar, daß er den
Anschluß zwischen
den Anschlußklemmen
K2 und K3 des Schalters 1880 steuert;
die Anschlußklemmen
K2, K3 sind gegenseitig
durch den Schalter 1880 isoliert, wenn sich der Eingang
K1 in einem Logik-0- Zustand befindet und umgekehrt sind
die Anschlußklemmen
K2, K3 gegenseitig
durch den Schalter 1880 verbunden, wenn sich der Eingang
K1 in einem Logik-1-Zustand befindet. Die
Anschlußklemme K2 ist durch den Widerstand R22 mit
dem V+ Ausgang der modifizierten Gleichrichtereinheit 1430 verbunden.
Die Anschlußklemme
K3 ist an eine Anschlußklemme K6 des
Schalters 1890, an ein erstes Ende des Kondensators C22 und an einen Eingang der invertierenden
Schaltung 1860 gekoppelt; ein zweites Ende des Kondensators
C22 ist mit der Signalerdung verbunden.
Weiterhin ist ein Ausgang der Exklusiv-OR-Schaltung 1870 mit
einer Eingangssteuerung K4 des Schalters 1890 verbunden.
Der Eingang K4 ist derart betreibbar, daß er den
Anschluß zwischen
den Anschlußklemmen
K5 und K6 des Schalters 1880 steuert;
die Anschlußklemmen
K2, K3 sind durch
den Schalter 1880 gegenseitig isoliert, wenn sich der Eingang
K4 in einem Logik-0-Zustand befindet und
umgekehrt sind die Anschlußklemmen
K5, K6 gegenseitig
durch den Schalter 1880 verbunden, wenn sich der Eingang
K4 in einem Logik-1-Zustand befindet.
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Der
Ausgang der Exklusiv-OR-Schaltung 1870 befindet sich in
einem Logik-1-Zustand, wenn eine ihrer Eingänge auf Logik 1 eingestellt
sind, und befindet sich in einem Logik-0-Zustand, wenn ihre Eingänge beide
auf einen Logik-0-Zustand oder wenn beide alternativ auf einen Logik-1-Zustand eingestellt
sind.
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Der
Betrieb der Speichereinheit 1800 in Kombination mit der
modifizierten Version der Gleichrichtereinheit 1430 und
der Antenne 1420 wird nun beschrieben. Die Ausrüstung 1500 emittiert
die Abfragestrahlung 1700, die an der Antenne 1420 empfangen
wird und erzeugt dort ein entsprechend empfangenes Signal. Das empfangene
Signal geht zur modifizierten Version der Gleichrichtereinheit 1430 über und
verursacht eine Potentialdifferenz, um sich zwischen den D+, V+
Ausgängen
relativ zu dem V- Ausgang zu entwickeln. Die Potentialdifferenz
aktiviert dann die Speichereinheit 1800. Die Kondensatoren
C20, C21, C22 befinden sich zunächst in einem entladenen Zustand,
der dazu führt,
daß sich
der Ausgang der Schaltung 1860 in einem Logik-1-Zustand befindet;
die Schaltung 1860 löst
daher durch den Widerstand R20 und den Kondensator
C20 die Serie an Schalter 1810 aus,
um deren Code auszugeben, der eine Ladung an dem Ausgang V+ moduliert und
dadurch Strahlungsreflexionsmerkmale der Antenne 1420.
Das Auslösen
des Schalters 1830 führt dazu,
daß die
Exklusiv-OR-Schaltung 1870 den D+ Ausgang mit dem Kondensator
C22 verbindet, wodurch diese sich zu einem
Logik-1-Zustand auflädt. Wenn
die Serie 1810 durch den letzten Schalter 1850 ausgelöst worden
ist, schaltet der Ausgang G3 auf einen Logik-1-Zustand
um, der den V+ Ausgang über den
Widerstand R22 mit dem Kondensator C22 verbindet, was dazu führt, daß der Kondensator C22 sich weiter zu einem Logik-1-Zustand auflädt. Der
Kondensator C22 lädt sich auf den Logik-1-Zustand
auf, wodurch der Ausgang der Schaltung 1860 einen Logik-0-Zustand
einnimmt und dadurch ein wiederholtes Auslösen der Serie 1810 verhindert.
Wenn eine Potentialdifferenz wieder auf einen Wert abfällt, der dazu
führt,
daß der
Ausgang der Schaltung 1860 auf einen Logik-1-Zustand schaltet,
dann wird die Serie 1810 neu ausgelöst. Die Einbeziehung des Schalters 1890 ermöglicht es,
daß ein
Potential unverzögert
an dem D+ Ausgang erzeugt wird, um den Kondensator C22 aufzuladen
und dadurch das wiederholte Auslösen
der Serie 1810 zu verhindern; das Potential an dem D+ Ausgang
wird erzeugt, falls andere Einrichtungen bereits auf die Abfragestrahlung 1700 reagieren.
Daher stellt der Schaltkreis 1800 einen einfachen Ansatz
zur Lösung
von Konkurrenzsituation zwischen einer Reihe von Einrichtungen gemäß der Erfindung,
die gleichzeitig abgefragt werden, dar.
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Es
versteht sich, daß Modifikationen
an den Einrichtungen 10, 900, 1400 und
den Schaltkreisen 200, 500, 600, 700, 800, 940, 1100 vorgenommen werden
können,
ohne von der Idee der Erfindung abzuweichen.
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Die
Kondensatoren in den Schaltkreisen 200, 500, 600, 700, 800, 940, 110 können zum
Beispiel Flüssigkristallmaterial
als ein darin untergebrachtes Dielektrikum enthalten. Das Flüssigkristallmaterial
kann für
Laserbestrahlung zum Verändern seines
Zustands, zum Beispiel von einem isotropischen Zustand in einen
monotropischen Zustand, wodurch die dielektrische Konstante des
Materials je nach seinem Zustand verändert wird, zugänglich gemacht
werden. Daher ermöglicht
die Anwendung des Flüssigkristallmaterials
den Schaltkreisen, durch selektive Laserbestrahlung darin programmierte
Daten zu haben. Falls das Flüssigkristallmaterial
bistatisch ist, können
die Schaltkreise neu beschreibbar gestaltet werden, sodaß die in
den Einrichtungen gespeicherten Daten regelmäßig aktualisiert werden können. Weiterhin
kann jede Stufe der Schaltkreise 200, 500, 600, 700, 800, 940 derart
gestaltet sein, um als Überlagerungsoszillator
zu funktionieren, zum Beispiel durch die Einbeziehung lokal regenerierender Feedbacks
um denselben, sodaß jede
Stufe beim Auslösen
kurz oszilliert, bis ihre nachfolgende Stufe ausgelöst wird.
Eine solche Modifikation hat den Vorteil, daß die Vorrichtung 20 von
den Einrichtungen 10, 900 eine Sequenz an Oszillationsstößen bei
einer Reihe von unterschiedlichen Frequenzen sensiert, wenn die
Stufen der Einrichtungen 10, 900 nacheinander
ausgelöst
werden. Die Vorrichtung 20 kann dadurch die von den Einrichtungen übertragenen
Informationen unter Anwendung von Frequenzdemodulierungstechniken
demodulieren.
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Weiterhin
können
die Schaltkreise 200, 500, 600, 700, 800, 940 mit
Stromquellen an jeder Stufe zum linearen Aufladen zugehöriger Laufzeitverzögerungs-Feststellkondensatoren
in den Stufen bereitgestellt werden. Dies hat zur Folge, daß die von
der Leitung V+ im Betrieb extrahierten Stromimpulse mit der Zeit
im wesentlichen linear abklingend sind, im Gegensatz zu exponentiell
abklingenden Stromimpulsen, wie bei den zuvor erwähnten Schaltkreisen. Die
Anwendung von Stromquellen führt
zu dem weiteren Vorteil, daß Zeitdauern
der Impulse weniger durch das Ausmaß der Potentialdifferenz zwischen den
Leitungen V-, V+ beeinflußt
werden, wenn die Einrichtungen 10, 900 in Betrieb
sind.