DE60125071T2 - Hochspannungsimpulsgenerator und mit solchem Generator ausgerüstete elektrische Versorgungseinrichtung - Google Patents

Hochspannungsimpulsgenerator und mit solchem Generator ausgerüstete elektrische Versorgungseinrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE60125071T2
DE60125071T2 DE60125071T DE60125071T DE60125071T2 DE 60125071 T2 DE60125071 T2 DE 60125071T2 DE 60125071 T DE60125071 T DE 60125071T DE 60125071 T DE60125071 T DE 60125071T DE 60125071 T2 DE60125071 T2 DE 60125071T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
high voltage
generator
source
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60125071T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60125071D1 (de
Inventor
Daniel Chatroux
Yvan Lausenaz
Jean-François Villard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Application granted granted Critical
Publication of DE60125071D1 publication Critical patent/DE60125071D1/de
Publication of DE60125071T2 publication Critical patent/DE60125071T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/80Generating trains of sinusoidal oscillations
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1203Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors

Landscapes

  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Hochspannungs- und Hochfrequenz-Impulsgenerator. Sie betrifft auch eine mit einem solchen Generator ausgerüstete elektrische Versorgung.
  • Unter Impulsgenerator versteht man einen Generator, der fähig ist, Spannungsimpulse zu liefern, insbesondere Schwingungsimpulse. Diese Impulse sind im Rahmen der Erfindung Impulse in Form eines Hochfrequenzsignals, geliefert unter Hochspannung während kurzen Dauern und mit einer hohen Folgefrequenz. Noch genauer ist die Erfindung bestrebt, zum Beispiel Impulse mit mehreren hundert Megahertz unter mehreren hundert Volt zu liefern, deren Dauer ungefähr hundert Nanosekunden und deren Folgefrequenz mehrere zehn Kilohertz beträgt.
  • Die Erfindung findet ihre Anwendung insbesondere bei der elektrischen Versorgung und der Steuerung elektrooptischer Kristalle in Vorrichtungen wie Modulatoren oder optischen Schaltern.
  • Stand der Technik
  • Die bekannten Impulsgeneratoren, die fähig sind Schwingungssignale mit Frequenzen über 100 MHz und einer Amplitude über 100 Volt zu liefern, vereinigen generell einen Niederspannungsoszillator und einen Hochspannungsresonanzverstärker.
  • Die Niederspannungsoszillatoren werden zum Beispiel um einen Schwingkreis herum, der eine Kapazität und eine Induktivität umfasst, oder eventuell um einen Quarzkreis herum gebaut. Sie liefern ein Schwingungssignal mit hoher Frequenz aber kleiner Amplitude. Man geht hier davon aus, dass eine kleine Signalamplitude eine Spannungsamplitude unter 100 Volt ist.
  • Der Schwingkreis der Niederspannungsoszillatoren kann einem Transistorenverstärker zugeordnet werden, der auch bei niedriger Spannung funktioniert. Der Verstärker ist zum Beispiel vom Typ Bipolartransistor oder vom Typ Feldeffekttransistor.
  • Um Signale mit einer großen Amplitude zu erhalten, wird das von dem Niederspannungsoszillator stammende Signal an einen Hochspannungsresonanzverstärker geliefert. Ein solcher Verstärker, fähig Signale mit einer Amplitude von mehreren hundert Volt zu liefern, umfasst generell einen Verstärkungsresonator.
  • Eine erste Antenne, angeordnet in dem Resonator, ist mit dem Niederspannungsverstärker verbunden und sendet in dem Resonator ein elektromagnetisches Impulsfeld mit hoher Frequenz aus. Dieses Feld wird von einer Last empfangen, die ebenfalls in dem Resonator angeordnet ist und die gewissermaßen eine Empfangsantenne bildet. Die Last ist zum Beispiel ein elektrooptischer Kristall.
  • Wenn die Frequenz des in die erste Antenne eingespeisten Signals ungefähr der Resonanzfrequenz des Resonators entspricht, wird das elektromagnetische Feld in dem Resonator verstärkt. Auf diese Weise wird an den Anschlüssen der Last eine gepulste Hochfrequenzschwingungsspannung erzeugt, deren Amplitude größer als diejenige des in die erste Antenne eingespeisten Signals ist. Bei einem solchen Generator wird die Betriebsfrequenz folglich von der Form und den Abmessungen des Resonators diktiert, die seine Resonanzfrequenz festlegen.
  • Der beschriebene Resonator weist eine bestimmte Anzahl von Schwierigkeiten und Beschränkungen auf, die in der Folge dargestellt werden.
  • Eine erste Schwierigkeit betrifft die Langsamkeit des Generators. Das in dem Resonator erzeugte elektrische Feld hat anfänglich eine kleine Amplitude und benötigt eine gewisse Anzahl von Schwingungen, ehe das an die Anschlüsse der Last gelieferte Ausgangsignal die gewünschte Amplitude aufweist. Die Anlauflangsamkeit verursacht folglich Wärmeabstrahlungs- bzw. -abführungsprobleme, da nämlich die während des Anlaufens übertragene Energie bei jedem neuen Impuls in der Last in Wärme umgesetzt wird, ohne dass das Ausgangsnutzsignal verfügbar ist.
  • Eine zweite Schwierigkeit besteht darin, die Phase des durch die Last empfangenen Signals zu kontrollieren. Dieses Signal hängt nicht nur vom Jitter des Niederspannungsoszillators ab, sondern auch von dem des Resonators. Der Jitter des Hochspannungsausgangssignals wird durch die oben erwähnte Anlauflangsamkeit noch verstärkt. Nun ist aber erwiesen, dass bei Anwendungen, die Hochfrequenz-Schwingungssignale erfordern, insbesondere mit Frequenzen von mehreren hundert Megahertz, ein Jitter von weniger als einer Nanosekunde oft unerlässlich ist.
  • Eine dritte Schwierigkeit ist mit der Tatsache verbunden, dass die Frequenz des gelieferten Signals nicht leicht modifiziert werden kann. Wie oben angegeben, wird die Frequenz des Ausgangssignals durch die Resonanzfrequenz des Resonators festgelegt, das heißt durch seine Form und seine Abmessungen. Es ist folglich unmöglich, bei einer einzigen in dem Resonator vorgesehenen Last ein elektrisches Signal zu erhalten, das die Zusammensetzung mehrerer Schwingungsfrequenzen ist. Gegenwärtig kann eine Multipelfrequenzsteuerung eines optischen Systems mit einem elektrooptischen Kristall nur mittels einer optischen Kopplung stattfinden: eine Vielzahl von Kristallen werden optisch in Serie geschaltet und jeder wird durch einen anderen Resonator versorgt, der jeweils im Monofrequenzbetrieb arbeitet. Dabei gibt es große Zwänge bezüglich des Transports der Lichtstrahlen, der Ausrichtung der Kristalle oder der Regelung der Phasenverschiebungen zwischen den verschiedenen Schwingungsfrequenzen der verschiedenen Resonatoren.
  • Weitere Schwierigkeiten sind mit der Größe und dem Gewicht der Generatoren verbunden. Diese beruhen hauptsächlich auf der Größe und dem Gewicht der Resonatoren. Schließlich erfordert der Einsatz der oben beschriebenen Vorrichtungen delikate mechanische Einstellungen vor ihrer Inbetriebnahme.
  • Zusätzliche Informationen bezüglich des Stands der Technik zeigen dem Fachmann weitere Beispiele von Hochspannungs- und Hochfrequenzimpulsgeneratoren sowie Installationsbeispiele von Schwingkreisen. Diese Informationen sind in den Dokumenten DE 4119738 A1 und US 4429694 enthalten.
  • Darstellung der Erfindung
  • Die Erfindung hat die Aufgabe, einen Impulsgenerator vorzuschlagen, der die oben beschriebenen Beschränkungen und Schwierigkeiten nicht aufweist.
  • Insbesondere besteht die Aufgabe darin, einen Generator vorzuschlagen, der fähig ist, gepulste Hochfrequenzschwingungssignale mit hoher Spannung und hoher Folgefrequenz zu liefern, wobei die Folgefrequenz hier als die Erneuerungsfrequenz der Schwingungsimpulse verstanden wird.
  • Eine weitere Aufgabe besteht darin, einen Generator mit niedrigem Gewicht und kleinen Abmessungen vorzuschlagen.
  • Eine zusätzliche Aufgabe ist es, einen Generator mit einem schwachen Jitter vorzuschlagen, um die Phase des gepulsten Signals mit größerer Genauigkeit kontrollieren zu können.
  • Noch eine Aufgabe besteht dann, einen Impulsgenerator vorzuschlagen, der beim Anlaufen eine im Vergleich mit den bekannten Generatoren extrem kleine Verzögerung aufweist.
  • Schließlich hat die Erfindung noch die Aufgabe, eine elektrische Versorgung vorzuschlagen, die mit einem solchen Generator ausgerüstet ist.
  • Um diese Aufgabe zu erfüllen, hat die Erfindung einen Impulsgenerator zum Gegenstand, der umfasst:
    • – wenigstens einen Schalttransistor zum Liefern der Ausgangsimpulse einer Hochspannungsversorgungsquelle,
    • – einen ersten und einen zweiten Schwingkreis, verbunden mit einem Ansteuerungsanschluss des Transistors, um einen Schwingungsschaltbetrieb des Transistors zu steuern, und
    • – Schwingungsauslösungseinrichtungen, einen Auslösungsimpulsgenerator umfassend, der verbunden ist mit dem Ansteuerungsanschluss des Transistors und mit induktiven Anregungseinrichtungen, die den Transistor mit einem Hochspannungsanschluss der Hochspannungsquelle verbinden.
  • Der Impulsgenerator kann einen einzigen oder mehrere miteinander verbundene Transistoren umfassen, die fähig sind, hohe Spannungen zu schalten. Es handelt sich zum Beispiel um einen MOSFET-Transistor, der fähig ist, Spannungen der Größenordnung 500V zu schalten. Obwohl mehrere Transistoren benutzt werden können, bezieht sich die nachfolgende Beschreibung aus Gründen der Vereinfachung auf einen einzigen Transistor. Dieser kann gegebenenfalls als ein Transistor verstanden werden, der aus der Vereinigung mehrerer Transistoren resultiert.
  • Der Auslösungsimpulsgenerator ermöglicht eine sehr schnelle erste Schaltung des Transistors und folglich eine maximale Reduzierung eventueller thermischer Abstrahlungen bzw. Umsetzungen bzw. Übergänge in einer mit dem Generator verbundenen Last.
  • Nach der Erfindung umfassen die Schwingungsauslösungseinrichtungen, die in der Folge detaillierter beschrieben werden, zusätzlich zu dem Impulsgenerator einen Energieakkumulator, zum Beispiel in Form einer Induktivität.
  • Der Auslösungsimpulsgenerator ermöglicht, den Transistor abrupt aus einem Leitzustand in einen Sperrzustand zu versetzen. Die mit dem Transistor verbundene Induktivität ermöglicht dann, als Reaktion auf die Sperrung des Transistors eine Übergangs-Überspannung zu liefern, die ausreicht, um die Schwingung auszulösen. Die Schwingung wird in dem ersten und dem zweiten Schwingkreis ausgelöst, die ihrerseits den Transistor steuern.
  • Dank der Schwingungsauslöseinrichtungen kann man den Auslösungszeitpunkt der Schwingungen sehr genau beherrschen, so dass der Jitter des Ausgangssignals sehr klein ist. Mit einem erfindungsgemäßen Generator kann man leicht einen Jitter unter einer Nanosekunde erzielen. Zudem kann man sofort eine Schwingung mit einer Nennamplitude erhalten.
  • Nach der Erfindung sind die beiden Schwingkreise mit einem Ansteuerungsanschluss des Transistors verbunden, im vorliegenden Fall mit seinem Gate, um den Schaltzustand dieses letzteren zu steuern. Ein erster Schwingkreis kann zum Beispiel zwischen Source und Gate des Transistors und der zweite zwischen Drain und Gate des Transistors geschaltet sein. Bei einer solchen Schaltung dient einer der Schwingkreise im Wesentlichen dazu, die Frequenz der Schwingungen festzulegen, während der zweite Schwingkreise im Wesentlichen dazu dient, die Energie der Hochspannungsquelle zum Gate zu übertragen. Diese spezielle Realisation wird auch in der Folge des Textes beschrieben.
  • Ein optimales Funktionieren des Generators erhält man, wenn der erste und der zweite Schwingkreis auf eine selbe Resonanzfrequenz abgestimmt sind. Diese Frequenz, die auch die Frequenz der Ausgangsimpulse des Generators bestimmt, kann sehr leicht angepasst werden durch die Wahl oder die Einstellung der Bauteile der Schwingkreise. Insbesondere dann, wenn die Schwingkreise eine Kapazität oder eine Induktivität umfassen, ermöglicht der einfache Austausch eines Kondensators oder einer Wicklung, die Frequenz einzustellen. Die verwendeten Kondensatoren oder Wicklungen können auch Bauteile mit einstellbaren bzw. anpassbaren Werten sein.
  • Nach einem anderen Aspekt der Erfindung kann der Generator eine Ausgangskapazität umfassen, die den Transistor mit einem Ausgangsanschluss verbindet, um die Impulse auf diesen Anschluss zu leiten. Eine solche Kapazität, zum Beispiel durch einen Kondensator realisiert, ermöglicht, die Gleichstromkomponenten des Signal zu filtern, und ermöglicht, dem Generator eine hohe Ausgangsimpedanz zu verleihen.
  • Die Charakteristik einer hohen Impedanz ist in dem Maße besonders vorteilhaft, wie sie die Verbindung einer Vielzahl von unabhängig voneinander arbeitenden Generatoren mit einer selben Last zulässt. So ist es möglich, in die Last ein elektrisches Multifrequenzsignal einzuspeisen, das eine Zusammensetzung von mehreren Signalen mit unterschiedlichen Frequenzen ist.
  • Die Möglichkeit, einen einzigen bzw. einzelnen Kristall mit einem Multifrequenzsignal zu versorgen, löst die Probleme, die mit der Installierung einer Vielzahl von Kristallen in einer selben Lichtbahn verbunden sind.
  • Die Phasenverschiebung zwischen den verschiedenen in einen selben Kristall eingespeisten Signalen kann außerdem sehr einfach angepasst werden, indem man die Schwingungsauslösimpulse der verschiedenen Generatoren entsprechend verschiebt.
  • Die Erfindung betrifft auch eine elektrische Versorgung, wie beschrieben.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung hervor, die sich auf die einzige Figur der beigefügten Zeichnung bezieht. Diese Beschreibung dient nur der Erläuterung und ist nicht einschränkend.
  • Detaillierte Beschreibung von besonderen Anwendungsarten der Erfindung.
  • Die einzige Figur ist ein vereinfachter Schaltplan einer mit einem erfindungsgemäßen Impulsgenerator ausgerüsteten elektrischen Versorgungsschaltung einer Last.
  • Der Herzstück des Generators der 1 ist ein MOSFET-Leistungstransistor 10 mit einer Source 12, einem Drain 14 und einem Gate 16. Die Source 12 ist mit einem Masseanschluss 20 und der Drain 14 ist mit einem Hochspannungsanschluss 22 einer Hochspannungsquelle 24 verbunden. Der Drain ist genaugenommen mit dem Hochspannungsanschluss 22 durch eine induktive Verbindung verbunden, das heißt in dem Beispiel der Figur durch eine Wicklung 26. Diese Wicklung wird in der Folge der Beschreibung auch als Erregerwicklung bezeichnet.
  • Ein Koaxialkabel 30, das hier den Ausgang der Versorgung bildet, hat Belegungen, die jeweils mit der Source und dem Drain des Transistors verbunden sind. Es ermöglicht, die durch die Versorgung gelieferten elektrischen Impulse zu einer Last 32 zu übertragen. Das Koaxialkabel, das eine angepasste Impedanz aufweist (zum Beispiel 50 Ω), ermöglicht insbesondere, die Versorgung mit einer elektrischen Last 32 mit einem gewissen Abstand zu verbinden.
  • Die Verbindung zwischen der Versorgung und der elektrischen Last 32 kann eine kurze direkte Verbindung sein, durch einen einfachen Draht oder eventuell durch einen Schwingkreis zum Beispiel des LC-Typs (Induktivität-Kapazität), abgestimmt auf die Frequenz der Schwingungen des durch die Versorgung gelieferten Signals. Das Schwingungssignal kann dann wieder verstärkt werden, bevor es an die Last angelegt wird.
  • Man kann außerdem beobachten bzw. feststellen, dass zwischen dem Drain 14 des Transistors 10 und dem Koaxialkabel 30 ein Verbindungskondensator 34 vorgesehen ist. Der Kondensator 34 hat im Wesentlichen eine Filteraufgabe, um die Niederfrequenzkomponenten und eine Gleichstromkomponente des durch die Versorgung gelieferten Signals zu eliminieren. Ebenfalls verleiht er dem Ausgang eine hohe Impedanz. Der Wert des Kondensators wird zum Beispiel so gewählt, dass er nur Frequenzen über 10 MHz durchlässt.
  • Der Impulsgenerator umfasst zwei Schwingkreise 40 und 50. Der erste Schwingkreis 40, mit Hauptschwingkreis bezeichnet, wird durch eine Wicklung 42 und einen Kondensator 44 gebildet, die in Serie geschaltet sind, in dieser Reihenfolge, zwischen dem Gate 16 des Transistors 10 und seiner Source 12. Er legt im Wesentlichen die Schwingfrequenz des Generators fest.
  • Außerdem ist eine Spitzenbeschneidungseinrichtung 49 parallelgeschaltet zwischen dem Gate und der Source des Transistors, um die Gate-Source-Spannung auf einen Maximalwert zu begrenzen, der durch die Kennwerte des Transistors bestimmt wird. Die Spitzenbeschneidungseinrichtung ist zum Beispiel eine bidirektionale Transildiode.
  • Ein zweiter Schwingkreis 50, als Energietransferkreis bezeichnet, hat eine Resonanzfrequenz, die auf die des Hauptschwingkreises 40 abgestimmt ist. Der zweite Schwingkreis 50 umfasst eine Wicklung 52 und einen Kondensator 54, die in dieser Reihenfolge zwischen dem Gate 16 des Transistors und dem Drain 14 geschaltet sind.
  • Um die Beschreibung des Schaltplans abzuschließen, kann man einen Energiespeicherkondensator 27 erwähnen, der zwischen der Source 12 und dem Drain 14 des Transistors 10 und einem Auslösungsimpulsgenerator 60 geschaltet ist, der zwischen der Source 12 und dem Gate 16 des Transistors mit einem Gatepotential-Stabilisierungswiderstand 70 in Serie geschaltet ist.
  • Nun soll die Funktionsweise einer dem beschriebenen Schaltplan entsprechenden Versorgung beschrieben werden.
  • Der Auslösungsimpulsgenerator 60 ist fähig, periodisch Spannungsimpulse von kurzer Dauer zu liefern, typisch in der Größenordnung von 100 ns, die Auslösungs- und Synchronisationsimpulse bilden. Die Frequenz der Auslösungsimpulse entspricht der Schwingungsimpulsfolgefrequenz der Schwingungsimpulse, die der Impulsgenerator liefern soll.
  • Zu einem Anfangszeitpunkt, der einem ersten Auslösungsimpuls vorausgeht, ist die durch den Impulsgenerator 60 gelieferte Spannung null. Der Transistor 10 befindet sich dann einem Sperrzustand (off und die Ausgangsspannung der Versorgung ist null.
  • Während eines ersten Auslösungsimpulses geht die durch den Auslösungsimpulsgenerator 60 gelieferte Spannung auf einen Hochpegel und wird über den Widerstand 70 an den Transistor 10 gelegt, um ihn in einen Leitzustand (on) zu versetzen. In diesem Zustand fließt ein Strom durch den Transistor und durch die mit dem Transistor in Serie geschaltete Erregerwicklung 26, zwischen den Anschlüssen der Hochspannungsquelle 24.
  • Am Ende des ersten Impulses des Auslösungsimpulsgenerators fällt die Spannung dieses Generators auf Null zurück. Die Spannung des Transistorgates folgt jedoch nicht unmittelbar der Entwicklung dieser Spannung. Eine Gatekapazität des Transistors (intern) entlädt sich nämlich langsam durch den Stabilisierungswiderstand 70.
  • Während dieser Entladung, sobald die Gate-Source-Spannung des Transistors unter eine Auslösungsschwellenspannung des Transistors fällt, geht der Transistor wieder in den gesperrten Zustand über.
  • Der durch die Erregerwicklung 26 fließende Strom wird also abrupt unterbrochen. Dies führt zu einer schnellen und starken Spannungsänderung an den Anschlüssen der Wicklung. Diese Spannungsänderung erregt dann die Schwingkreise 40 und 50, die vorzugsweise auf eine selbe Resonanzfrequenz abgestimmt sind.
  • Zu diesem Zeitpunkt liegt die Gatespannung des Transistors wegen der langsamen Entladung durch den Stabilisierungswiderstand 70 hindurch noch nahe bei der Leitzustandschwelle. Die Schwingungen der Schwingkreise 40, 50 liegen am Gate des Transistors und werden folglich durch diesen verstärkt. Daraus resultiert, dass die Drain-Source-Spannung mit einer Resonanzfrequenz schwingt, die durch die Schwingkreise bestimmt wird.
  • Die durch die Hochspannungsquelle 24 gelieferte Energie und die in dem zwischen Source und Drain geschalteten Kondensator 27 gespeicherte Energie sowie diejenige der Wicklung 26 ermöglichen, Schwingungen der Drain-Source-Spannung mit großer Amplitude zu erzielen. Diese Hochspannungs- und Hochfrequenzschwingungen werden direkt zum Ausgang übertragen.
  • Die Schwingung der Drain-Source-Spannung des Transistors 10 wird direkt an die Resonanz- bzw. Schwingkreise 40 und 50 gelegt, die jeweils mit der Source 12 und dem Drain 14 verbunden sind. Derart werden die Schwingungen aufrechterhalten, wenigstens solange sich die Gate-Source-Spannung nahe der Leitschwelle des Transistors bewegt. Der Wert des Stabilisierungswiderstands 70, durch den sich die transistor-interne Gate-Source-Kapazität des Transistors entlädt, ermöglicht also, die Dauer der Periode der Schwingungen festzulegen, das heißt der Dauer der Impulse.
  • Die Frequenz der Schwingungen wird durch die Werte der Kapazitäten und Induktivitäten der Schwingkreise bestimmt, während ihre Amplitude durch den Wert der Spannung der Hochspannungsquelle 24 und durch die Kapazität des zwischen Drain und Source des Transistors geschalteten Kondensators 27 bestimmt wird.
  • Entsprechend eines nur der Erläuterung dienenden Realisierungsbeispiels ist es möglich, mit folgenden Bauteilen und Werten Impulse mit einer Dauer von 70 ns und einer Frequenz von 250 MHz zu erzeugen:
    C(54) = 100 pF
    L(52) = 10 nH
    C(27) = 47 pF
    C(44) = einstellbar von 2 bis 18 pF
    L(42) = 70 nH
    C(34) = einstellbar von 2 bis 18 pF
    R(70) = 100 Ω
  • Die Impulsfolgefrequenz ist die des Generators 60, also 20 kHz in diesem speziellen Realisierungsbeispiel.
  • Wenn die Gate-Source-Spannung wesentlich niedriger wird als Leitzustand-Schwellenspannung, geht der Transistor vollständig in den Sperrzustand über und das Schwingungsphänomen pausiert bis zu einem nächsten durch den Generator 60 gelieferten Auslösungsimpuls. Dabei geht das Ausgangssignal auf null Volt zurück.
  • In der Figur ist nur eine einzige Versorgung für die Last 32 dargestellt, jedoch ist es ohne weiteres möglich, mehrere verschiedene Versorgungen anzuschließen, da dieser Anschluss keine mechanische Einstellung erfordert.
  • Der Anschluss mehrerer Versorgungen wird erleichtert, wenn diese dank dem Verbindungskondensator 34 eine hohe Ausgangsimpedanz aufweisen.

Claims (10)

  1. Impulsgenerator, wenigstens einen Schalttransistor (10) umfassend, um mit Hilfe einer Hochspannungsversorgungsquelle (24) Ausgangsimpulse zu liefern: dadurch gekennzeichnet, dass er umfasst: – einen ersten und zweiten Schwingkreis (40, 50), verbunden mit einem Steuerungsanschluss (16) des Transistors (10), um den Transistor entsprechend einem schwingenden Schaltbetrieb zu steuern, und – Schwingungsauslösungseinrichtungen, einen Auslösungsimpulsgenerator (60) umfassend, verbunden mit dem Steuerungsanschluss (16) des Transistors (10) und mit induktiven Anregungseinrichtungen (26), die den Transistor mit einem Hochspannungsanschluss (22) der Hochspannungsquelle (24) verbinden.
  2. Generator nach Anschluss 1, wenigstens einen Feldeffekttransistor (10) mit einer Source (12), einem Drain (14) und einem den Steuerungsanschluss bildenden Gate (16) umfassend, bei dem der erste Schwingkreis (40) zwischen der Source und dem Gate geschaltet ist, und der zweite Schwingkreis (50) zwischen dem Drain und dem Gate geschaltet ist.
  3. Generator nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der erste und der zweite Schaltkreis auf eine selbe Resonanzfrequenz abgestimmt sind.
  4. Generator nach Anspruch 2, einen zwischen der Source und dem Drain des Transistors geschalteten Energiespeicherungskondensator (27) umfassend.
  5. Generator nach Anspruch 2, bei dem die Source (12) mit einem Masse-Anschluss verbunden ist, und bei dem der Drain (14) durch induktive Anregungseinrichtungen hindurch mit dem Hochspannungsanschluss (22) verbunden ist.
  6. Generator nach Anspruch 2, mit dem Gate des Transistors verbundene Spitzenbeschneidungseinrichtungen (49) umfassend.
  7. Generator nach Anspruch 2, einen mit dem Gate des Transistors verbundenen Potentialaufrechterhaltungs-Widerstand (70) umfassend.
  8. Elektrische Hochspannung- und Hochfrequenzversorgungsvorrichtung einer Last, eine Hochspannungsquelle und wenigstens einen Impulsgenerator nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfassend.
  9. Versorgungsvorrichtung nach Anspruch 8, angeschlossen an eine Last, und eine Verbindung (30) des koaxialen Typs zwischen dem Impulsgenerator und der Last umfassend.
  10. Versorgungsvorrichtung nach Anspruch 8, angeschlossen an eine Last, und einen Verbindungskondensator (34) zwischen dem Impulsgenerator und der Last umfassend.
DE60125071T 2000-08-24 2001-08-22 Hochspannungsimpulsgenerator und mit solchem Generator ausgerüstete elektrische Versorgungseinrichtung Expired - Lifetime DE60125071T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0010897A FR2813459B1 (fr) 2000-08-24 2000-08-24 Generateur pulse a haute frequence et a haute tension, et alimentation electrique equipee d'un tel generateur
FR0010897 2000-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60125071D1 DE60125071D1 (de) 2007-01-18
DE60125071T2 true DE60125071T2 (de) 2007-03-15

Family

ID=8853707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60125071T Expired - Lifetime DE60125071T2 (de) 2000-08-24 2001-08-22 Hochspannungsimpulsgenerator und mit solchem Generator ausgerüstete elektrische Versorgungseinrichtung

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP1184966B1 (de)
DE (1) DE60125071T2 (de)
FR (1) FR2813459B1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105406840A (zh) * 2015-12-17 2016-03-16 上海电机学院 基于mosfet的雷达脉冲发生器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9178500B2 (en) 2012-01-18 2015-11-03 Lockheed Martin Corporation System and method for a high speed, high voltage pulse power generator
CN104333350B (zh) * 2014-11-14 2017-02-22 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种电缆储能的多路高压脉冲发生装置
EP3154191B1 (de) 2015-10-09 2020-12-30 The Swatch Group Research and Development Ltd. Treiberschaltung für einen oszillator

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3849741A (en) * 1970-09-25 1974-11-19 Texas Instruments Inc Fast rise time oscillator
DE2602794A1 (de) * 1976-01-26 1977-07-28 Siemens Ag Schwingungserzeuger
DE4119738C2 (de) * 1991-06-15 1995-05-11 Dressler Hochfrequenztechnik G Hochfrequenz-Generator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105406840A (zh) * 2015-12-17 2016-03-16 上海电机学院 基于mosfet的雷达脉冲发生器
CN105406840B (zh) * 2015-12-17 2018-06-26 上海电机学院 基于mosfet的雷达脉冲发生器

Also Published As

Publication number Publication date
FR2813459A1 (fr) 2002-03-01
EP1184966A1 (de) 2002-03-06
EP1184966B1 (de) 2006-04-05
DE60125071D1 (de) 2007-01-18
FR2813459B1 (fr) 2002-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0954902B1 (de) Mikrowellen-pulsgenerator
DE1762629B2 (de) Hochspannungs generatorschaltung fuer einen fernsehempfaenger
DE1297214B (de) Anordnung zur Drehzahlsteuerung eines Wechselstrommotors
DE60125071T2 (de) Hochspannungsimpulsgenerator und mit solchem Generator ausgerüstete elektrische Versorgungseinrichtung
DE10233569A1 (de) Mikrowellen-Pulsgenerator
DE2604873C2 (de) Anordnung zum selbststartenden Erzeugen von Taktimpulsen
EP2251979A1 (de) Verfahren und Treiberschaltung zum Treiben eines Halbleiterleistungsschalters
DE102013205420B4 (de) Hochfrequenzleistungsverstärker
DE2310314B2 (de) Regelschaltung zur Erzeugung eines Signals konstanter Frequenz für einen elektronischen Zettgeber
DE10064123A1 (de) Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements
DE2929646C2 (de) Ultraschallgenerator
DE1213479B (de) Schaltungsanordnung zur Umwandlung einer sinusfoermigen Spannung in eine Folge von Impulsen gleicher Frequenz
DE4401350C1 (de) Mikrowellen-Impulsgenerator mit Ladungsspeicherdiode
DE2459841A1 (de) Elektrische antriebs- und steuereinrichtung fuer mit ultraschall arbeitende zahnbehandlungsgeraete
EP2390634A1 (de) Vorrichtung zum Betreiben einer schwingfähigen Einheit eines Vibrationsresonators
EP0744820B1 (de) Schaltungsanordnung zum Speisen einer Last
DE2105045A1 (de) Elektronische Vorrichtung fur die Ab gäbe eines Steuersignales und diese verwen dende elektrische Anordnung
DE909582C (de) Schaltung zur Frequenztastung
DE2714151C2 (de) Quarzoszillator niedriger Verlustleistung
DE1058108B (de) Modulierende Generatorschaltung mit Transistoren
DE1140969B (de) Frequenzregelschaltung zur Synchronisierung eines Oszillators
DE2904045C2 (de) Quarzoszillator mit gemischt induktiver und kapazitiver Schwingfrequenzsteuerung
DE4446430C2 (de) Treiberschaltung für einen piezoelektrischen Ultraschallwandler
DE3040530C2 (de) Piezo-Zündeinrichtung für eine elektronisch anzusteuernde Schalteinrichtung
DE2559199A1 (de) Antriebs- und steuereinrichtung fuer mit ultraschall arbeitende zahnbehandlungsgeraete

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition