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I. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft die Verbesserung des Lichtansprechverhaltens
von Bildsensoren.
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II. Stand der Technik
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Aufgrund
ihrer zahlreichen Vorteile sind CMOS-Bildsensoren (CMOS als englische
Abkürzung
von Complementary Metal Oxide Semiconductor) in bilddarstellenden
Anwendungen interessant als Ersatz für ladungsgekoppelte Bausteine
(CCDs). Ein CMOS-Bildsensor
verwendet allgemein eine einzelne niedrige Stromversorgung und eine
einfachere Bauweise auf Systemebene mit hoher funktionaler Integration
im Vergleich zu einem CCD-Bildsensor. Diese
Faktoren tragen zur Senkung der Systemkosten bei, während sie
gleichzeitig eine potenzielle Kamera auf einem Chip bereitstellen.
Diese Merkmale bzw. Eigenschaften sind zum Beispiel in Camcordern und
Digitalkameras in hohem Maße
wünschenswert, wobei
die Vorrichtungen auf die Größe einer
Fernbedienung für
einen Fernseher reduziert werden können und in hohem Maße portabel
sind. Darüber
hinaus können
Farbbilder in hoher Auflösung über mehrere
Stunden mithilfe eines Akkus aufgezeichnet werden, da der CMOS-Bildsensor
einen geringen Stromverbrauch aufweist.
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Der
CMOS-Sensor kann allgemein im weiteren Sinne in zwei Kategorien
abhängig
von dem Typ der eingesetzten Pixelmatrix bzw. Pixel Array aufgeteilt
werden: bei der ersten Kategorie handelt es sich um die passive
Pixelmatrix und bei der zweiten Kategorie um die aktive Pixelmatrix.
In der passiven Pixelmatrix sammelt jedes Pixel die durch die Fotodiode erzeugte
Ladung und überträgt die gesammelte
Ladung an die bilddarstellende Schaltkreisanordnung zur Bildverarbeitung.
Die aktive Pixelmatrix andererseits weist eine Verstärkungsschaltkreisanordnung
in jedem Pixel auf, um das durch die Ladung dargestellte Signal
zu verstärken,
erzeugt durch die Fotodiode vor der Übertragung zur Verarbeitung
zu der Bildschaltkreisanordnung. Der Vorteil der passiven Pixelmatrix
gegenüber
der aktiven Pixelmatrix ist es, dass jedes Pixel minimale Komponenten
aufweist, die einen höheren
Füllfaktor
ermöglichen,
der wiederum eine hohe Quantenausbeute erzeugt. Der Füllfaktor betrifft
das Verhältnis
der fotoempfindlichen bzw. lichtempfindlichen Fläche zu der Gesamtgröße des Pixels.
Die Quantenausbeute ist ein Maß der
Lichtempfindlichkeit und betrifft das Verhältnis der Photonen erzeugten
Elektronen, die ein Pixel erfasst, zu den über die Pixelfläche einfallenden
Photonen. Einer der Nachteile der passiven Pixelanordnung ist es jedoch,
dass die erzeugten Ladungswerte niedrig sein können und somit nicht ausreichen,
um die Bildschaltkreisanordnung so zu steuern, dass hochwertige
Bilder erzeugt werden. In der aktiven Pixelmatrix verstärkt das
Pixel das durch die Ladung dargestellte Signal und ist ausreichend
in der Lage, die Bildschaltkreisanordnung anzusteuern. Da jedoch
verschiedene Komponenten für
die Verstärkung
eingesetzt werden, ist der Füllfaktor
allgemein niedrig, was wiederum die Quantenausbeute beeinflusst.
Die aktive Pixelmatrix kompensiert allgemein die niedrige Quantenausbeute
durch den Einsatz von Mikrolinsen zur Fokussierung der Photonen
in den empfindlichen Bereich der Pixel, die im anderen Fall auf
die unempfindliche Fläche
der Pixel auftreffen. Mikrolinsen sind jedoch teuer und treiben
allgemein die Herstellkosten für
den aktiven Pixelmatrixsensor nach oben.
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Die
CMOS-Bildsensortechnologie ist keineswegs eine neue Technologie,
und sowohl der CMOS-Bildsensor als auch der CCD-Bildsensor wurden
ungefähr
im gleichen Zeitraum entwickelt. Der Einsatz eines CMOS-Bildsensors
weist gegenüber einem
CCD-Bildsensor zwar zahlreiche Vorzüge auf (wie dies vorstehend
im Text beschrieben worden ist), jedoch hat sich bislang der CCD-Bildsensor
bei bilddarstellenden Anwendungen gegenüber dem CMOS-Bildsensor durchgesetzt.
Ein Hauptgrund ist es, dass der CMOS-Bildsensor nicht in der Lage
ist, die Qualität
des durch CCD erzeugten Bilds zu erreichen, d.h. die Lichtempfindlichkeit
ist ein Faktor, bei dem der CCD-Bildsensor dem CMOS-Bildsensor bislang überlegen
ist. Der CMOS-Bildsensor erlangt jedoch aktuell weit verbreitete
Akzeptanz aufgrund der höheren
Lichtempfindlichkeit, die durch den Einsatz verschiedener komplizierter
und teurer Verbesserungstechnologien erreicht werden kann. Es wird
gewünscht,
die Lichtempfindlichkeit eines CMOS-Sensors zu verstärken, so
dass Bilder in besserer Qualität
erzeugt werden können,
und soweit möglich,
der Kostenvorteil gegenüber
dem CMOS-Sensor erhalten werden kann.
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WO/97/28558 offenbart einen
aktiven CMOS-Bildsensor mit einer Phosphorschicht, die Photonen
mit einer ersten Wellenlänge
in Photonen mit einer zweiten WEllenlänge umwandelt.
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EP-A-0843363 offenbart
einen Bildsensor mit einer Photodiode mit einem fluoreszierenden Filmüberzug,
wobei der fluoreszierende Film als ein Wellenlängenumsetzer fungiert.
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Die
japanischen Patentzusammenfassungen, Band 17, Nr. 160 (E-1342),
29. März
1993 und
JP 04322467 offenbaren
einen Festkörper-Bildsensorbaustein
mit Photodioden, die in einer Matrix auf der Oberfläche eines
Halbleitersubstrats angeordnet sind, wobei ein Film Mikrolinsen über den
Photodioden bildet. Die Photodioden weisen eine fluoreszierende
Substanz auf, die kurzwelliges Licht in Licht mit langer Wellenlänge umwandelt.
Ein Fluoreszenz reflektierender Film ist auf den Mikrolinsen ausgebildet.
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Die
japanischen Patentzusammenfassungen, Band 17, Nr. 169 (E-1344),
31. März
1993 und
JP 04326763A offenbaren
einen Festkörper-Bildsensor
mit einer zur Wellenlängenumsetzung
fluoreszierendes Licht emittierenden Folie bzw. einem entsprechenden
Film.
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Der
vorstehend beschriebene Stand der Technik leidet unter dem Problem,
dass die Infrarotwellenlänge
das durch die Pixelmatrix erzeugte RGB-Muster stört, und die vorliegende Erfindung stellt
eine Lösung
für dieses
Problem bereit.
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Das
U.S. Patent US-A-5.412.705 offenbart eine
Röntgenstrahluntersuchungsvorrichtung,
die eine Phosphorschicht umfasst, die Röntgenstrahlung in sichtbare
Strahlung umwandelt, wobei die Vorrichtung zwischen einem Bildsensor
und einer Reflektorschicht positioniert ist, welche sichtbare Strahlung
reflektiert und Röntgenstrahlung übermittelt.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Vorgesehen
ist gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung gemäß dem gegenständlichen
Anspruch 1.
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Vorgesehen
ist gemäß einem
zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren gemäß dem gegenständlichen
Anspruch 8.
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Vorgesehen
ist gemäß einem
dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ein System gemäß dem gegenständlichen
Anspruch 12.
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Bevorzugte
Merkmale der vorliegenden Erfindung sind durch die Unteransprüche definiert.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die
vorliegende Erfindung wird durch Beispiele und ohne einzuschränken in
den Abbildungen der beigefügten
Zeichnungen veranschaulicht. In den Zeichnungen zeigen:
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1 eine
Prinzipskizze eines Pixels in einer Pixelmatrix eines beispielhaften
CMOS-Bildsensors;
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2 ein
Taktdiagramm des Pixels aus 1;
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3 eine
Querschnittsansicht eines Pixels, mit einem Farbfilter und einer
Mikrolinse;
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4 ein
Diagramm eines Ansprechspektrums eines aus Silizium hergestellten
beispielhaften CMOS-Bildsensors;
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5 einen
CMOS-Bildsensor, der eine Farbfilteranordnung, eine Phosphorschicht
und eine Pixelmatrix umfasst, die in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung
eingesetzt werden kann;
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6 ein
Erregungsspektrum eines Leuchtstoffs, der in einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung eingesetzt wird;
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7 ein
Emissionsspektrum des vorstehend genannten Leuchtstoffs, der in
dem oben genannten Ausführungsbeispiel
der Erfindung eingesetzt wird;
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8 einen
CMOS-Bildsensor, der eine Phosphorschicht und eine Pixelmatrix umfasst,
die in einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung eingesetzt werden kann;
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9 einen
CMOS-Bildsensor, der einen isotropen Emissionsreflektor, eine Phosphorschicht und
eine Pixelmatrix gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung umfasst; und
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10 ein
bilddarstellendes System gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
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GENAUE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Beschrieben
werden ein Verfahren und eine Vorrichtung, welche ein Bildansprechverhalten
eines Bildsensors verbessern. In einem Ausführungsbeispiel ist in einem
Bildsensor mit einer Pixelmatrix, in der jedes Pixel so konfiguriert
ist, dass es einfallendes Licht in elektrische Ladungen umwandelt,
eine Phosphorschicht zwischen der Pixelmatrix und dem einfallenden
Licht platziert. Die Phosphorschicht absorbiert das einfallende
Licht und strahlt das Licht wieder mit einer Wellenlänge ab,
die der optimalen Quantenausbeute des Bildsensors entspricht. Zum besseren
Verständnis
der Erfindung wird nachstehend die Funktionsweise eines Pixels in
einem CMOS-Bildsensor kurz beschrieben, wobei dies nicht als Einschränkung auszulegen
ist.
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Die
Abbildung aus 1 veranschaulicht eine Prinzipskizze
eines Pixels eines beispielhaften CMOS-Bildsensors mit einer aktiven
Pixelmatrix. Die Funktionsweise des Pixels wird nachstehend beschrieben.
Der Transistor M4 wird eingesetzt, um die Photodiode D1 vorab zu
laden, um die Leistung (hier VCCT) zurückzusetzen. Photonen, die auf
der Photodiode D1 auftreffen, erzeugen Elektronen-Lochpaare, und
die Elektronen werden durch eine N-Senke gesammelt, wobei die Diode
D1 auf eine niedrigere Spannung gesteuert wird. Diese Spannung ist
eine Funktion der Lichtintensität
und der Zeit seit dem Vorladen, die für gewöhnlich als die Integrationszeit
bezeichnet wird. Der Abtasttransistor M3 und der Speicherkondensator
C1 stellen die "elektronische
Blende" bereit,
das heißt,
wenn die Deaktivierung bzw. Aufhebung des Abtastsignals (SAMPLE)
dem Transistor M3 zugeführt
wird, wird der Speicherkondensator C1 von der Photodiode D1 isoliert,
wobei die momentane analoge Spannung an der Photodiode D1 erfasst
wird. Der Transistor M2 ist die Zugangsvorrichtung, und der Transistor
M1 umfasst die Oberseite eines Source-Followers. Den Lastbaustein
ML haben alle Bitleitungen gemeinsam.
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Die
Abbildung aus 2 veranschaulicht ein Taktdiagramm,
das die Erläuterung
der Funktionsweise des Pixels aus 1 weiter
unterstützt.
Zuerst wird RESET an dem Transistor M4 aktiviert, wobei die Photodiode
D1 ungefähr
auf VCCT vorgeladen wird. SAMPLE wird gleichzeitig zu RESET aktiviert, so
dass der Speicherkondensator C1 auf die gleiche Spannung wie die
Photodiode D1 vorgeladen werden kann. Die Integration beginnt mit
der Deaktivierung von RESET, wobei der Transistor M4 ausgeschaltet wird,
und wobei die Photonen auf die Photodiode D1 fallen können, um
den Spannungsabfall an der Photodiode D1 vorzugeben. Da SAMPLE weiterhin
aktiviert ist, entspricht der Spannungsabfall des Speicherkondensators
C1 dem Spannungsabfall an der Photodiode D1. Mit der Deaktivierung
von SAMPLE, wodurch der Transistor M3 ausgeschaltet wird, wird der
Speicherkondensator C1 von der Photodiode D1 isoliert, wobei der
momentane Spannungsabfall an der Photodiode D1 erfasst wird. Das
Auslesen erfolgt Zeile für
Zeile durch Aktivierung der Wordline WL, wodurch der Transistor
M2 eingeschaltet wird, so dass der Spannungsabfall an dem Speicherkondensator
C1 an dem Verbraucher- bzw. Lastbaustein ML aktiviert werden kann
und die Bitline BL an jedem Pixel in der Zeile angesteuert werden
kann.
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Wie
dies vorstehend im Text beschrieben worden ist, erfasst der CMOS-Bildsensor
Bilder auf der Basis fotoelektrischer Grundsätze. Photonen, die auf die
lichtempfindliche Fläche
des Siliziums auftreffen, bewirken die Freigabe von Elektronen proportional
zu der Lichtintensität.
Anders ausgedrückt
kann die Lichtempfindlichkeit des CMOS-Sensors in einem Ausführungsbeispiel
durch die Lichtintensität
bestimmt werden, welche die lichtempfindliche Fläche der Pixel erreichen kann.
Zur Farbunterscheidung werden allerdings gemäß einem Verfahren verschiedene
Farbfilter an der Oberfläche
der Pixelmatrix angewandt, wobei dies die Lichtempfindlichkeit des CMOS-Sensors
beeinflusst, wie dies nachstehend im Text näher beschrieben wird. Bei einem
Verfahren trennt die Farbfilteranordnung die Farben des einfallenden
Lichts, so dass eine Primärfarbe
(d.h. rot, grün
oder blau) auf jedes Pixel in der Pixelmatrix fällt. Somit bestimmt die Position
jedes Filters in der Farbfilteranordnung das durch die Pixel in
der Pixelmatrix zu erfassende Muster. Jedes Pixel erfasst das gefilterte
einfallende Licht als elektrische Ladungen, die in ein Spannungssignal
umgewandelt werden, das durch die bilddarstellende Schaltkreisanordnung
verarbeitet werden soll. Farbfilter werden allgemein auf die Oberfläche der
Pixelmatrix angewandt unter Verwendung bestehender handelsüblicher
CFA-Stoffe (Farbfiltermatrixstoffe). Bei dieser Konfiguration jedoch
blockiert die Filteranordnung bzw. Filtermatrix allgemein grob zwei
Drittel der Lichtintensität,
die durch den Sensor detektiert werden kann und reduziert somit
die Lichtempfindlichkeit des Sensors. Um die Lichtempfindlichkeit
der Pixelmatrix zu erhöhen, werden
gemäß einem
Verfahren Mikrolinsen auf der Oberfläche des Sensors abgeschieden.
Die Mikrolinsen ermöglichen
die Fokussierung von Photonen in den lichtempfindlichen Bereich
des Pixels, die ansonsten auf den unempfindlichen Bereich des Pixels fallen
würden.
Auf diese Weise kann der effektive Füllfaktor des Sensors abhängig von
der Effizienz der Mikrolinsen verdoppelt oder verdreifacht werden.
Die Abbildung aus 3 veranschaulicht eine derartige Konfiguration
gemäß der vorstehenden
Beschreibung.
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Die
Abbildung aus 4 zeigt ein spektrales Ansprechverhalten
eines beispielhaften CMOS-Bildsensors aus Silizium. Der CMOS-Bildsensor
weist allgemein ein optimales Quantenansprechverhalten im Bereich
von 900 bis 1.000 Nanometern (nm) auf. Anders ausgedrückt arbeitet
der CMOS-Bildsensor mit optimaler Quantenausbeute in den Infrarotwellenlängen. Wenn
der CMOS-Sensor Licht in dem sichtbaren Spektrum in elektrische
Ladungen umwandelt, wird die Umwandlung nicht effizient ausgeführt, und
somit arbeitet der CMOS-Sensor nicht mit optimaler Quantenausbeute.
Somit ist ein Betrieb des CMOS-Sensors in dem Spektrum der optimalen
Quantenausbeute wünschenswert.
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Die
Abbildung aus 5 veranschaulicht einen CMOS-Bildsensor 50.
Der CMOS-Bildsensor 50 umfasst
eine Farbfiltermatrix 51 und eine Pixelmatrix 55.
Zwischen der Farbfiltermatrix 51 und der Pixelmatrix 55 befindet
sich eine Phosphorschicht 53, welche sichtbares Licht absorbiert,
das durch die Farbfiltermatrix 51 tritt, und verschiebt
die Energie auf eine Wellenlänge,
die der optimalen Quantenausbeute der CMOS-Pixelmatrix 55 entspricht.
Das Prinzip ist dem einer Leuchtstoffröhre ähnlich, bei der an der inneren
Oberfläche
der Röhre
aufgetragener Leuchtstoff das durch die Leuchtstoffröhre erzeugte
ultraviolette Licht absorbiert und als sichtbares Licht erneut abstrahlt.
In dem Bildsensor 50 wird in ähnlicher Weise Licht, das durch
die Farbfiltermatrix 51 geleitet wird, durch die Phosphorschicht 53 absorbiert
und in dem Infrarotspektrum erneut abgestrahlt, wobei die Pixelmatrix 55 dort
mit optimaler Quantenausbeute arbeitet. Im Allgemeinen ist das Silizium
der Photodiode in der Pixelmatrix in dem Infrarotspektrum empfindlicher
als in dem sichtbaren Lichtspektrum. Dieses Phänomen entspricht den Prinzipien
der Festkörperphysik.
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Die
Abbildungen der 6 und 7 veranschaulichen
eine Kurve bzw. ein Merkmal eines Erregungsspektrums und eines Emissionsspektrums
eines Leuchtstoffs. Im Idealfall ist es wünschenswert, dass der Leuchtstoff
ein Erregungsspektrum im Bereich von 400 bis 700 Nanometern aufweist.
In Bezug auf das Emissionsspektrum ist es wünschenswert, im Wellenlängenbereich
von 900 bis 1.000 Nanometern zu emittieren. Das Erregungs- und Emissionsspektrum
aus den Abbildungen der 6 und 7 entsprechen
einem Leuchtstoff bzw. Phosphor UMPKC60#5296, erhältlich von
Phosphor Technology, Essex, England.
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Die
Abbildung aus 8 veranschaulicht einen weiteren
CMOS-Bildsensor. Der CMOS-Sensor 80 umfasst
eine Pixelmatrix 83 und eine Phosphorschicht 81.
Photonen, die auf die Pixelmatrix 83 auftreffen, werden
zuerst durch die Phosphorschicht 81 absorbiert und im Infrarotwellenlängenbereich
erneut abgestrahlt, wobei der Bildsensor 80 dabei mit optimaler
Quantenausbeute arbeiten kann. Bei dieser Konfiguration wird keine
Farbfilteranordnung bzw. Farbfiltermatrix verwendet. Die Phosphorschicht 81 umfasst
eine Mehrzahl von Leuchtstoffpunkten 82, wobei jeder Punkt 82 einem
Pixel 85 in der Pixelmatrix 83 entspricht. Jeder
Leuchtstoffpunkt 82 absorbiert Photonen mit einer bestimmten
Wellenlänge
in dem sichtbaren Spektrum und strahlt Photonen mit einer Wellenlänge im Infrarotspektrum
erneut ab. Auf diese Weise führt
die Phosphorschicht 81 die Farbtrennung aus. Anders ausgedrückt bestimmt
die Position jedes Leuchtstoffs, der eine bestimmte Wellenlänge (d.h.
rot, grün
oder blau) in der Phosphorschicht absorbiert, das RGB-Muster, das
von den Pixeln in der Pixelmatrix zu erfassen ist. Da jeder Leuchtstoffpunkt
nur eine Wellenlänge
absorbiert und in der Infrarotwellenlänge emittiert, ist eine Farbfiltermatrix
nicht mehr erforderlich.
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Ein
Vorteil des Einsatzes einer Phosphorschicht ist es, dass der Zeitbereich
so angepasst werden kann, dass der Leuchtstoff Photonen absorbiert und
mit einem längeren
Zeitraum erneut abstrahlt. Dies ermöglicht es, dass die Pixel der
Pixelmatrix einem bestimmten Bild über einen längeren Zeitraum ausgesetzt
werden können.
Die Abtastzeit eines CMOS-Sensors kann so angepasst werden, dass
die längere
Zeit berücksichtigt
wird, was eine umfassendere Penetration der einfallenden Photonen
in die Oberfläche
der Pixelmatrix ermöglicht.
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Die
Abbildung aus 9 veranschaulicht einen CMOS-Bildsensor 90 gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst der
Bildsensor 90 einen isotropen Emissionsreflektor 91,
eine Phosphorschicht 93 und eine Pixelmatrix 95.
Die Rolle des isotropen Emissionsreflektors ist wie folgt gegeben:
Im Allgemeinen weist einfallendes Licht, das in den CMOS-Bildsensor
eintritt, eine Infrarotwellenlängenkomponente
auf. Die Infrarotwellenlängenkomponente
stört das
durch die Pixelmatrix 95 erzeugte RGB-Muster dahingehend,
dass die durch die Phosphorschicht 93 umgewandelten Infrarotwellenlängenphotonen
sich nicht von der Infrarotwellenlängenkomponente des einfallenden
Lichts unterscheiden lassen. Der isotrope Emissionsreflektor filtert
die Infrarotwellenlängenkomponente
des einfallenden Lichts, indem er es von der Phosphorschicht 93 weggehend
reflektiert. Eine weitere Aufgabe des isotropen Emissionsreflektors 91 ist
es, dass die Phosphorschicht allgemein die umgewandelten Infrarotwellenlängenphotonen
in beide Richtungen emittiert, das heißt, in Richtung der Pixelmatrix 95 und
auch in Richtung des isotropen Emissionsreflektors 91.
Der isotrope Emissionsreflektor 91 reflektiert die Photonen
in Infrarotwellenlänge
zurück
in die Phosphorschicht 93. Isotrope Emissionsreflektoren
sind im Handel erhältlich,
wie zum Beispiel von OCLI in Santa Rosa, Kalifornien, USA.
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Die
Abbildung aus 10 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel
eines bilddarstellenden Systems 100 gemäß der vorliegenden Erfindung.
Bei dem bilddarstellenden System 100 kann es sich zum Beispiel
um einen Camcorder oder eine Digitalkamera oder jedes andere System
handeln, das mit der digitalen Verarbeitung im Verhältnis steht.
Gemäß der Abbildung
weist ein Bildsensor 101 eine Phosphorschicht auf, die
mit einer bilddarstellenden Schaltkreisanordnung 103 gekoppelt
ist, die ferner mit einer Speichervorrichtung 105 gekoppelt
ist. Bei der Speichervorrichtung 105 kann es sich um Halbleiterspeicher,
Magnetplatten oder optische Platten handeln, die Bilder speichern
können.
Die Funktionsweise des bilddarstellenden Systems 100 ist
wie folgt gegeben: einfallendes Licht, das ein Bild aufweist, trifft
auf den Bildsensor 101, der gemäß der vorliegenden Erfindung
gestaltet ist. Der Bildsensor 101 erfasst das Bild auf
die in Bezug auf die Abbildungen der 1 und 2 beschriebene
Art und Weise. Die durch die Pixel erzeugten Ladungen werden zur
Verarbeitung an die bilddarstellende Schaltkreisanordnung 103 gesendet.
Das durch die elektrischen Signale dargestellte Bild wird durch
die bilddarstellende Schaltkreisanordnung 103 dargestellt
und kann in der Speichervorrichtung 105 gespeichert oder
aus dem bilddarstellenden System übertragen werden.
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In
der vorstehenden Beschreibung wurde die Erfindung in Bezug auf ein
bestimmtes Ausführungsbeispiel
der Erfindung beschrieben. Es ist jedoch ersichtlich, dass verschiedene
Modifikationen und Abänderungen
diesbezüglich
möglich
sind, ohne dabei vom weiteren Umfang der vorliegenden Erfindung gemäß den Ausführungen
in den beigefügten
Ansprüchen
abzuweichen. Die Beschreibung und die Zeichnungen dienen somit Zwecken
der Veranschaulichung und haben keine einschränkende Funktion.