DE60011322T2

DE60011322T2 - Laservorrichtung

Info

Publication number: DE60011322T2
Application number: DE60011322T
Authority: DE
Inventors: Tadahiro Sendai-shi Ohmi; Nobumasa Suzuki; Toshikuni Shinohara; Hiroshi Ohsawa; Masaki Hirayama; Nobuyoshi Tanaka
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-02-26
Filing date: 2000-02-25
Publication date: 2005-06-23
Anticipated expiration: 2020-02-26
Also published as: US6650678B1; EP1032098A2; JP4256520B2; JP2000252565A; EP1032098B1; DE60011322D1; EP1032098A3

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Laservorrichtung zum Erzeugen eines Laserstrahls durch Einführen einer elektromagnetischen Welle aus einem Wellenleiter in eine Laserröhre durch eine Vielzahl feiner Schlitze, die in der Wellenleiterwand gebildet sind, beispielsweise zu einer Laservorrichtung unter Verwendung einer Mikrowelle als elektromagnetische Welle zum Anregen eines Lasergases, ein Belichtungsgerät, das den Laser verwendet, und ein Einrichtungsherstellverfahren, das dieses Gerät verwendet.
ZUM STAND DER TECHNIK
Kürzlich hat ein sogenannter Excimerlaser die Aufmerksamkeit auf sich gezogen als der einzige Hochleistungslaser, der im ultravioletten Bereich schwingt. Von diesem Excimerlaser wird erwartet, daß er in der Elektronik, Chemie und Energiewirtschaft, bei speziellen Verarbeitungen und chemischen Reaktionen von Metallen, Harzen, Glas, Keramiken und Halbleitern Anwendung findet.
Das Prinzip der Arbeitweise eines Excimerlaseroszillators ist nachstehend beschrieben. Lasergase, wie Ar, Kr, Ne, F₂, He, Xe, Cl₂ und dergleichen in einer Laserröhre enthalten, werden anregt durch Elektronenbestrahlung oder durch Entladung. Anregte F-Atome, die inerten mit Kr- und Ar-Atomen gebunden sind im Grundzustand, um KrF und ArF als Moleküle zu erzeugen, bestehen nur im anregten Zustand. Diese Moleküle werden Excimere genannt. Da Excimere instabil sind, emittieren sie unmittelbar ultraviolette Strahlung und fallen in den Grundzustand zurück. Dieses Phänomen wird spontane Emission genannt. Ein Excimerlaseroszillator verwendet dieses Licht um es in mitphasigem Strahl eines optischen Resonators zu verstärken, der aus einem Paar Reflexionsspiegeln aufgebaut ist und als Laserstrahl ausgelesen wird.
Im Falle der Excimerlaseremission werden Mikrowellen als Lasergasanregerquelle verwendet. Mikrowellen sind elektromagnetische Wellen, die eine Schwingungsfrequenz von einigen hundert MHz bis zu mehreren zehn GHz haben. In diesem Falle, der beispielweise im Dokument US-A-4 802 183 beschrieben ist, wird eine Mikrowelle aus einem Wellenleiter in eine Laserröhre durch einen Schlitz eingeführt, der im Wellenleiter gebildet ist, wodurch ein Lasergas in der Laserröhre anregt und in ein Plasma überführt wird.
Es ist jedoch schwierig, die Strahlungseigenschaften der elektrischen Welle aus einem Schlitz zu vereinheitlichen, der in einer Wellenleiterwand in einer gesamten Zone über dem Schlitz gebildet ist. Üblicherweise ist die Verteilung eine sinusförmige Verteilung in der Längsachse des Schlitzes oder eine ähnliche Verteilung. Das heißt, wie in 13A gezeigt, ist die elektrische Feldstärkenverteilung in der Mitte entlang der Längsachse eines jeden Schlitzes am größten, und die Feldstärkenverteilung an den Enden der Längsachse eines jeden Schlitzes am geringsten.
Ein anregtes Plasma hat darüber hinaus eine Eigenschaft des sich Konzentrieren auf die Mitte in der Längsachse eines jeden Schlitzes in Hinsicht auf die Mikrowellenfeldstärkenverteilung. Dies befördert die ungleichförmige Verteilung der Feldstärke in einem Schlitz mit Längsachse. Dies ist weitestgehend der Grund zum Verhindern einer einheitlichen Verteilung vom anregten Plasma in Längsrichtung eines jeden Schlitzes.
Dieses Phänomen wird verursacht durch die Eigenschaft, daß ein Plasma leicht im Mittenabschnitt in Längsrichtung eines jeden Schlitzes anregt wird, weil die Stärke der elektrischen Welle als Anregungsquelle ein Maximum in der Mittenposition hat, und durch die Eigenschaft, daß das anregte Plasma leicht konzentriert wird, um die geringste Oberfläche in der Form einer Sphäre zu haben. Dieses anregte Plasma in der Mittenstelle bildet einen Bereich mit einer geringen Raumimpedanz in der Mitte des Schlitzes. Dieser Abschnitt verbraucht vorzugsweise Energie. Die Plasmafunktion als Schild zum Verringern der Schlitzlänge, und ein Schlitz, der so ausgelegt ist, daß er eine Länge entsprechend dem Mikrowellenemissionsabschnitt hat, arbeitet üblicherweise auch als Schlitz mit einer Länge, die die Hälfte der entworfenen Länge ist. Als Konsequenz wird keine Mikrowelle aus dem Schlitz nach außen emittiert. Durch diese beiden Faktoren wird ein Plasma leicht nur in der Mitte eines Schlitzes gebildet, und es ist sehr schwierig, ein einheitliches Plasma über dem Schlitz zu anregen, wie in 13B gezeigt.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung entstand zur Lösung der obigen Probleme und hat zur Aufgabe, die Anregungszustandsverteilung eines Lasergases in Längsrichtung eines jeden Schlitzes in einer Schlitzgliederungsstruktur zu steuern, um so das Lasergas über die Länge eines jeden Schlitzes mit minimaler Verlustenergie zu anregen.
Nach der vorliegenden Erfindung, wie sie im Patentanspruch 1 angegeben ist, ist eine Laservorrichtung vorgesehen, die einen Laserstrahl durch Einführen einer elektrischen Welle in eine Laserröhre erzeugt, die mit einem Lasergas gefüllt ist, durch einen Schlitz, der in der Wellenleiterwand gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Energielieferabschnitt für Energie für das Lasergas zum Steuern einer Verteilung des Anregungszustands vom Lasergas unabhängig vom Einführen der elektromagnetischen Welle in die Laserröhre durch einen Schlitz vorgesehen ist, wobei der Energielieferabschnitt Energie für das Lasergas liefert, um so das Lasergas entlang des Schlitzes im wesentlichen gleichförmig zu anregen.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung enthält der Energielieferabschnitt vorzugsweise nahe des Schlitzes eine Elektrode zum Liefern von Energie für das Lasergas.
Bei der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ionisiert der Energielieferabschnitt vorzugsweise das Lasergas durch Liefern von Energie an das Lasergas unter Verwendung der Elektrode.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, daß der Energielieferabschnitt vorläufig das Lasergas ionisiert, bevor eine elektromagnetische Welle durch den Wellenleiter geliefert wird.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung liefert die Elektrode vorzugsweise Energie für das Lasergas, um eine Ionisationsdichte nahe einem Endabschnitt des Schlitzes höher zu machen als eine Ionisationsdichte nahe eines Mittenabschnittes vom Schlitz.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung enthält der Energielieferabschnitt vorzugsweise nahe des Schlitzes wenigstens ein Paar Elektroden zum Liefern von Energie für das Gas, und wenigstens ein Paar Elektroden sind vorgesehen, um die Ionisationsdichte nahe einem Endabschnitt des Schlitzes höher als die Ionisationsdichte nahe des Mittenabschnitts vom Schlitz zu machen.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, daß der Energielieferabschnitt wenigstens ein Paar Elektroden enthält, um Energie für das Lasergas zu liefern, und wenigstens ein Paar Elektroden ist geformt, um die Ionisationsdichte nahe einem Endabschnitt des Schlitzes höher zu machen als die Ionisationsdichte nahe einem Mittelabschnitt vom Schlitz.
Die Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung enthält vorzugsweise den Energielieferabschnitt nahe dem Schlitz, eine Vielzahl von Elektrodenpaaren zum Liefern von Energie an das Lasergas mit einer Stromdichte, die höher ist als die Stromdichte eines Stromes, der zwischen dem Elektrodenpaar nahe dem Mittenabschnitt des Schlitzes fließt und zwischen das Elektrodenpaar nahe an einem Endabschnitt des Schlitzes zu liefern ist.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, daß der Energielieferabschnitt nahe des Schlitzes eine Vielzahl von Elektrodenpaaren enthält, um Energie an das Lasergas zu liefern und die Vielzahl nahe einem Endabschnitt des Schlitzes konzentriert sind.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, daß ein Energielieferabschnitt längs des Schlitzes ein Paar Elektroden enthält, um Energie an das Lasergas zu liefern, und jedes Elektrodenpaar ist weiter nahe an einem Abschnitt des Schlitzes als nahe eines Mittenabschnitts vom Schlitz.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, daß der Energielieferabschnitt nahe des Schlitzes eine Vielzahl von Elektrodenpaaren enthält, um Energie an das Lasergas zu liefern, und das Elektrodenpaar nahe einem Endabschnitt des Schlitzes befindet sich näher am Schlitz als das Elektrodenpaar nahe eines Mittenabschnitts vom Schlitz.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung liefert der Energielieferabschnitt vorzugsweise Energie an das Lasergas, um die Ionisationsdichte nahe eines Endabschnitts vom Schlitz höher zu machen als die Ionisationsdichte nahe eines Mittenabschnitts vom Schlitz.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung enthält der Energielieferabschnitt vorzugsweise eine Lichtquelle zum Bestrahlen eines Abschnitts nahe des Schlitzes mit Licht.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, daß der Wellenleiter sich zwischen der Lichtquelle und der Laserröhre befindet, und eine Oberfläche des Wellenleiters hat ein Fenster, das Licht aus der Lichtquelle sendet.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung befindet sich die Oberfläche vom Wellenleiter, in der das Fenster vorzugsweise einer Oberfläche des Wellenleiters gebildet ist, gegenüber dem Schlitz.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung hat das Fenster vorzugsweise eine Größe, die den Durchgang für elektrische Wellen sperrt.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung enthält der Energielieferabschnitt vorzugsweise weiterhin einen Reflexionsspiegel, der Licht aus der Lichtquelle hin zum Abschnitt nahe des Schlitzes reflektiert.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung erzeugt die Lichtquelle vorzugsweise ultraviolettes Licht.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung sind eine Vielzahl von Schlitzen vorzugsweise im Wellenleiter gebildet.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung sind die Vielzahl von Schlitzen vorzugsweise in der Längsrichtung des Wellenleiters angeordnet.
In der Laservorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist der Energielieferabschnitt vorzugsweise für jeden Schlitz vorgesehen.
Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung vorgesehen ist weiterhin ein Belichtungsgerät, das die Laservorrichtung enthält, und ein Einrichtungsherstellverfahren, wie es in den Patentansprüchen angegeben ist.
Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnung deutlich.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
1 ist eine Querschnittsansicht, die Hauptteile einer ExcimerLaservorrichtung nach dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
2A und 2B sind schematische Ansichten, die die detaillierte Anordnung eines Wellenleiters von der ExcimerLaservorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen;
3A bis 3C sind Aufsichten, die praktische Beispiele von Elektroden zeigen, die nahe eines Schlitzes im Wellenleiter nachgebildet sind, nach einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
4A bis 4C sind Aufsichten, die praktische Beispiele von Elektroden zeigen, die nahe eines Schlitzes im Wellenleiter gebildet sind, nach dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
5A bis 5C sind schematische Ansichten, die zeigen, wie die Anregung von Plasma gleichförmig gestaltet wird durch Vorionisationskompensation, im ersten Ausführungsbeispiel nach der vorliegenden Erfindung;
6 ist eine schematische Ansicht, die zeigt, wie die Vorionisationskompensation unter Verwendung von Reflektionsspiegeln erfolgt, im ersten Ausführungsbeispiel nach der vorliegenden Erfindung;
7A und 7B sind Querschnittsansichten, die jeweils einen Ultraviolettbestrahlungsmechanismus im zweiten Ausführungsbeispiel nach der vorliegenden Erfindung zeigen;
8A bis 8C sind schematische Ansichten, die die Abschnitte ultravioletter Bestrahlung der Positionen von Sendefenstern für ultraviolette Bestrahlung zeigen;
9A bis 9C sind schematische Ansichten, die zeigen, wie die Anregung von Plasma gleichförmig gemacht wird durch ultraviolette Bestrahlung, im zweiten Ausführungsbeispiel nach der vorliegenden Erfindung;
10 ist eine schematische Ansicht, die einen Stepper zeigt, nach dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
11 ist ein Ablaufdiagramm, die die Herstellschritte einer Halbleitereinrichtung unter Verwendung des Steppers zeigen, nach dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
12 ist ein Ablaufdiagramm, das die Einzelheiten eines Waferprozesses in 11 zeigt; und
13A und 13B sind schematische Ansichten, die eine elektrische Feldstärkeverteilung und Plasmadichte nahe einem Schlitz in einer herkömmlichen ExcimerLaservorrichtung zeigen.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
Nachstehend anhand der beiliegenden Zeichnung beschrieben sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung.
(Erstes Ausführungsbeispiel)
Nachstehend beschreiben ist das erste Ausführungsbeispiel. In diesem Ausführungsbeispiel ist ein Excimerlaseroszillator erläutert, der einen sogenannten Excimerlaserstrahl emittiert. 1 ist eine schematische Ansicht, die die Hauptteile des Excimerlaseroszillators dieses Ausführungsbeispiels zeigt.
Wie in 1 gezeigt, enthält dieser Excimerlaseroszillator eine Laserröhre 2, einen Wellenleiter 1 und ein Kühlgefäß 7. Die Laserröhre 2 emittiert einen Laserstrahl durch Licht, das in Resonanz tritt, das durch die Anregung eines Excimerlasergases erzeugt wird. Der Wellenleiter 1 anregt das Excimerlasergas in der Laserröhre 2, um Plasma zu erzeugen. Das Kühlgefäß 7 besitzt Kühlwassereingangs/-ausgangssteilen 9 zum Kühlen des Wellenleiters 1.
Das Excimerlasergas als Material zum Erzeugen eines Excimerlaserstrahls ist wenigstens ein inertes Gas, das aus Kr, Ar, Ne und He ausgewählt ist, oder aus einer Gasmischung wenigstens eines inerten Gases, das zuvor beschrieben wurde, und F₂-Gas. Diese Gase können in geeigneter Weise ausgewählt werden und gemäß der Gegenstandswellenlänge verwendet werden. Beispielsweise wird KrF verwendet, wenn ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 248 nm zu erzeugen ist; ArF wird verwendet, wenn ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 193 nm zu erzeugen ist; F₂ wird verwendet, wenn ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 157 nm zu erzeugen ist; Kr₂ wird verwendet, wenn ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 147 nm zu erzeugen ist; ArKr wird verwendet, wenn ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 134 nm zu erzeugen; und Ar₂ wird verwendet, wenn ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 126 nm zu erzeugen ist.
Die Laserröhre hat Lasergaseinlaß/-auslaßstellen 8, durch die das Excimerlasergas in die Röhre eingeführt wird, und hat Reflexionsstrukturen 5 und 6 an den beiden Endabschnitten. Diese Reflexionsstrukturen 5 und 6 entzerren die Phasen vom Licht durch Plasmaentladung und erzeugen einen Laserstrahl.
Der Wellenleiter 1 ist ein Mittel zum Liefern einer Mikrowelle an das Lasergas in einer Gaslieferdurchgangsstruktur 11. Eine Vielzahl langer und enger Schlitze 10 sind in der oberen Oberfläche des Wellenleiters 1 gebildet. Wird eine Mikrowelle mit einer Frequenz von mehreren 100 MHz bis zu mehreren GHz vom unteren Abschnitt des Wellenleiters 1 eingeführt, wie in 1 gezeigt, breitet sich die Mikrowelle im Wellenleiter 1 aus und wird von den Schlitzen 10 zum Äußeren des Wellenleiters 1 durch die Schlitze 10 emittiert. Die emittierte Wellenlänge wird in die Laserröhre 1 eingeführt, und zwar durch ein Fenster 15, das in der Laserröhre 2 gebildet ist. Die solchermaßen eingeführte Mikrowelle anregt das Excimerlasergas in der Laserröhre 2, wodurch durch Resonanzbildung ein Excimerlaserstrahl erzeugt wird.
2A und 2B zeigen die praktische Struktur des Wellenleiters 1. 2A ist eine perspektivische Ansicht des Wellenleiters 1. 2B ist eine Aufsicht vom Wellenleiter 1.
Wie in 2B gezeigt, sind die Schlitze 10 in einer Linie angeordnet, so daß deren Längsrichtung konsistent ist hinsichtlich der Längsrichtung des Wellenleiters 1. Elektroden 13 sind zur Umgebung dieses Schlitzes 10 gebildet. In diesem Falle kann entweder eine Gleichspannung oder eine Wechselspannung (einschließlich Hochfrequenzspannung) den Elektroden 13 zugeführt werden.
3A bis 3C zeigen Beispiele der Anordnung von Elektroden 13, die um einen beliebigen Schlitz 10 gebildet sind. Die Elektroden 13 werden verwendet zum Ionisieren eines Lasergases, bevor Mikrowellen beaufschlagen. 2B, 3A zeigen ein Beispiel der Anordnung von 6 Elektroden um den Schlitz 10.
3B zeigt die Stromdichten, die die sechs Elektroden 13 beaufschlagen. J_c sei die Stromdichte bei den Elektroden 13, die sich nahe am Schlitz 10 in Längsrichtung befinden, und J_e sei die Stromdichte an der Elektrode 13, die sich am Endabschnitt des Schlitzes in Längsrichtung befindet. Die Stromdichten sind justiert, um der Beziehung J_c < J_e zu genügen.
Wenn die Stromdichte an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10 höher eingestellt ist als im Mittenabschnitt des Schlitzes 10, haben die Dichten von Elektronen, die auf diese Weise durch Vorionisation erzeugt sind, eine vorbestimmte Verteilung. Dies ermöglicht einen Plasma, leicht an allen Abschnitten des Schlitzes anregt zu werden. Das heißt, die Elektronendichteverteilung, die die Elektrode 13 erzeugt, kann die Bildung eines elektrisch leitenden Zustands kompensieren in der Breitenrichtung des Schlitzes 10 nach Anregen vom Plasma. Im in 3B gezeigten Falle wird die Stromdichte an jedem Ende des Schlitzes 10 höher eingestellt als im Mittenabschnitt des Schlitzes 10. Die Bildung einer Elektronendichteverteilung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Eine geeignete Elektronendichte kann unter Verwendung der Elektrode 13 gemäß dem Betriebszustand gebildet werden.
Wie zuvor beschrieben, wird ein Plasma nahe der Mitte des Schlitzes 10 in Längsrichtung leicht anregt. Durch Befördern der Anregung eines Plasmas an jedem Abschnitt des Schlitzes 10 kann folglich ein einheitliches Plasma über die gesamte Zone über den Schlitz 10 gebildet werden.
5A bis 5C sind Graphen, die schematisch die Wirkungen der Vereinheitlichungsplasmaerzeugung durch Vorionisation unter Verwendung der Elektrode 13 zeigen. 5A zeigt als Vergleich den Zustand der Plasmaanregung in Längsrichtung vom Schlitz 10, ohne irgendeine Elektrode 13. 5B ist ein Graph, der schematisch eine Elektronendichteverteilung (Vorionisationskompensation) in Längsrichtung des Schlitzes 10 zeigt, der aus einer Stromdichte beginnt, die einer jeden Elektrode 13 vorgegeben ist.
5C zeigt die Dichte eines Plasmas, das erzeugt wird durch Mikrowellen, die der Schlitz 10 in einem Falle emittiert, bei dem die Vorionisationskompensation in 5B von der Elektrode 13 zur Ausführung kommt. Durch Anlegen des elektrischen Feldes, kann auf diese Weise, wie in 5B gezeigt, ein Plasma an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10 in Längsrichtung befördert werden, und von daher kann der Zustand der Plasmaanregung über den gesamten Bereich des Schlitzes 10 gleichförmig gestaltet werden, wie in 5C gezeigt.
3C und 4A bis 4C zeigen weitere Anordnungen der Elektrode 13. 3C zeigt einen Fall, bei dem die Anzahl von Elektroden 13 an jeden Abschnitt des Schlitzes 10 erhöht ist, um die Anregung von Lasergas an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10 weiter zu erleichtern. Die Anordnung gestattet eine effizientere Plasmaanregung an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10.
4A zeigt einen Fall, bei dem die Elektroden 13 nur an Endabschnitten des Schlitzes 10 gebildet sind, während sich keine Elektroden 13 am Mittenabschnitt des Schlitzes 10 befindet, bei dem das Lasergas leicht zu anregen ist. Die Bildung von Elektroden 13 nur an Endabschnitten des Schlitzes 10, bei dem Lasergas nicht leicht anregt wird, stellt eine Plasmadichte sicher, die derjenigen am Mittenabschnitt des Schlitzes 10 gleicht, wodurch die Plasmadichte im gesamten Bereich über dem Schlitz 10 gleichförmig gestaltet wird.
4B zeigt einen Fall, bei dem die Elektroden 13 integral in Längsrichtung des Schlitzes 10 gebildet sind. In diesem Falle kann die Elektronendichteverteilung an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10 erhöht werden, indem die Fläche des Mittenabschnitts einer jeden Elektrode 13 in Längsrichtung des Schlitzes 10 verringert wird.
4C zeigt einen Fall, bei dem die Elektroden 13 sich nahe dem Schlitz 10 an jedem Abschnitt des Schlitzes 10 befinden, bei dem das Lasergas nicht leicht anregbar ist. Durch Erhöhen der Elektronendichte an jedem Abschnitt des Schlitzes 10 kann das Anregen von Lasergas an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10 befördert werden. Dies ermöglicht es, die Lasergasanregung (Plasmadichte) auf dem Schlitz 10 zu vereinheitlichen.
6 zeigt eine Anordnung, bei der die Elektroden 13 vom Schlitz 10 beabstandet sind. Wenn die Elektroden 13 vom Schlitz 10 in dieser Weise beabstandet sind, kann eine effiziente Vorionisierung realisiert werden durch Erhöhen der Stromdichte auf der Seite des Schlitzes 10 unter Verwendung von Reflexionsspiegeln 14. Da in diesem Falle das Lasergas über den Wellenleiter 1 fließt, werden Reflexionsspiegel 14 vorzugsweise über dem Flußweg des Lasergases angeordnet.
Wie zuvor beschrieben, sind gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die Elektroden 13 nahe eines jeden Schlitzes 10 angeordnet, um die Elektronendichte an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10 in Längsrichtung zu erhöhen, verglichen mit der Elektronendichte am Mittenabschnitt des Schlitzes 10 in Längsrichtung, wodurch das Anregen von Lasergas an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10 in Längsrichtung insbesondere befördert wird. Dies ermöglicht es, den Lasergasanregungszustand (Plasmadichte) im gesamten Bereich des Schlitzes 10 gleichförmig zu gestalten.
(Zweites Ausführungsbeispiel)
Das zweite Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist nachstehend erläutert. 7A und 7B sind schematische Querschnittsansichten, die jeweils einen Wellenleiter einer ExcimerLaservorrichtung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen. Der Wellenleiter im zweiten Ausführungsbeispiel ist eingerichtet, den Wellenleiter des ersten Ausführungsbeispiels zu ersetzen, und die Gesamtanordnung der ExcimerLaservorrichtung ist dieselbe wie beim ersten Ausführungsbeispiel. Dieselben Bezugszeichen wie im ersten Ausführungsbeispiel bedeuten aus diesem Grund im wesentlichen dieselben Teile im zweiten Ausführungsbeispiel, und eine detaillierte Beschreibung dieser ist hier fortgelassen.
Ein Ausführungsbeispiel des Ausführens einer W-Bestrahlungskompensation unter Verwendung einer Ultraviolettlichtquelle im zweiten Ausführungsbeispiel ist nachstehend beschrieben.
7A ist eine Querschnittsansicht entlang einer Richtung senkrecht zur Längsrichtung des Wellenleiters 21. Wie in 7A gezeigt, hat der Wellenleiter 21 von der ExcimerLaservorrichtung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel eine im wesentlichen L-förmige Gestalt.
Schlitze 10 sind an der unteren Oberfläche des Wellenleiters 21 gebildet. Eine Mikrowelle wird in den Wellenleiter 21 in der Richtung eingeleitet, die durch einen Pfeil A in 7A gezeigt ist, und in eine Laserröhre 2 durch einen Schlitz 10 emittiert, wodurch Plasma über dem Schlitz 10 angeregt wird.
Im Wellenleiter 21 wird ein W-Sendefenster 21A an einer Stelle gegenüber dem Schlitz 10 gebildet. Eine W-Lichtquelle 22 und ein Reflexionsspiegel 23 sind außerhalb des W-Sendefensters 21a angeordnet.
Die im wesentlichen L-förmige Abschnittsgestalt des Wellenleiters 21 in diesem Ausführungsbeispiel ermöglicht es, direkt eine UV-Bestrahlung aus der Stelle durchzuführen, die sich gegenüber dem Schlitz 10 befindet. Darüber hinaus kann die Bildung des W-Sendefensters 21a mit vorbestimmter Größe Mikrowellen daran hindern, durch das W-Sendefenster 21a zu lecken.
7B ist eine Querschnittsansicht in senkrechter Richtung zur Längsrichtung eines gekrümmten Wellenleiters 21'. Bei Verwendung des gekrümmten Wellenleiters 21' wird ein W-Sendefenster 21'a auf einer geneigten Oberfläche 21'b gebildet, um die direkte W-Bestrahlung aus einer Stelle zu ermöglichen, die dem Schlitz 10 gegenüber liegt, wie im Falle des Wellenleiters 21 in 7A.
8A ist eine Querschnittsansicht entlang der Längsrichtung des Wellenleiters 21. Die W-Sendefenster 21a sind entlang der Längsrichtung des Wellenleiters 21 gebildet. Die W-Lichtquellen 22 und die Reflexionsspiegel 23 sind entsgrechend den Positionen der W-Sendefenster 21a angeordnet. Die W-Lichtquellen 22 und die Reflexionsspiegel 23 befinden sich so, daß sie W-Bestrahlung an den Endabschnitten der Schlitze 10 in Längsrichtung konzentrieren.
Durch konzentrierte W-Bestrahlung auf den Endabschnitten eines jeden Schlitzes 10 auf diese Weise kann das Anregen von Lasergas an den Endabschnitten des Schlitzes 10 befördert werden. Dies ermöglicht es, ein Plasma auf jedem Schlitz 10 gleichförmig zu erzeugen.
Als Reflexionsspiegel 23 kann ein Reflexionsspiegel mit sphärischer Oberfläche oder einer beliebigen asphärischen Oberfläche (das heißt, mit elliptischer oder hyperbolischer Gestalt) verwendet werden. Darüber hinaus kann eine Vielzahl von Linsen anstelle der Reflexionsspiegel 23 gemeinsam mit einer einzigen Lichtquelle vorgesehen sein.
3B und 3C zeigen die Anordnung von W-Sendefenstern 21a als Mikrowellenmodus, geeignet für einen Fall, bei dem E- und H-Ebenen genutzt werden. Im allgemeinen ist eine Wand eines rechteckigen Wellenleiters parallel zu einem elektrischen Feld vorgesehen und wird als E-Ebene bezeichnet, eine Wand des Wellenleiters, die parallel zum Magnetfeld verläuft, wird als H-Ebene bezeichnet. Gemäß einem Wellenleiter, der beispielsweise ausgelegt ist zum Ausbreiten lediglich des allgemeinen TE10-Modus, ist eine E-Ebene ein Längsende und steht dem Wellenleiter gegenüber, und eine H-Ebene ist ein kurzes Ende, das dem Wellenleiter gegenübersteht. Wenn, wie in 8B gezeigt, die E-Ebene verwendet wird, werden vorzugsweise UV-Sendefenster 21a in Längsrichtung des Schlitzes 10 gebildet. Diese Anordnung ermöglicht es, die W-Strahlung auf die Endabschnitte eines jeden Schlitzes 10 zu konzentrieren.
Wenn, wie in 8C gezeigt, die H-Ebene benutzt wird und die Schlitze 10 in zwei Zeilen angeordnet sind, werden die UV-Sendefenster 21a vorzugsweise in Längsrichtung der Schlitze 10 angeordnet, um sich zwischen den zwei Zeilen von Schlitzen 10 zu befinden. Wenn die H-Ebene verwendet wird, und die Schlitze 10 sind in zwei Zeilen angeordnet, um zwei Emissionsleitungen zu bilden, werden Sendefenster vorzugsweise für die jeweiligen beiden Zeilen von Schlitzen 10 wie im Falle angeordnet, bei dem die E-Ebene benutzt wird.
9A bis 9C sind Graphen, die jeweils zeigen, wie die Plasmaanregung gleichförmig durch W-Bestrahlung erfolgt.
9A zeigt einen Lasergasanregungszustand (Plasmadichte) ohne irgendeine UV-Bestrahlung zum Vergleich. 9B ist ein Graph, der schematisch die W-Bestrahlungsstärke der UV-Lichtquelle 22 nahe dem Schlitz 10 zeigt.
9C zeigt das Lasergas (Plasmadichte), das anregt ist durch Mikrowelle aus dem Schlitz 10, wenn die in 9B gezeigte W-Bestrahlung ausgeführt wird. Durch Ausführen der W-Bestrahlung, wie in 9B gezeigt, kann die Anregung des Lasergases an jedem Endabschnitt des Schlitzes 10 in Längsrichtung besonders befördert werden. Wie in 9C gezeigt, kann ein Lasergasanregungszustand (Plasmadichte) im gesamten Bereich des Schlitzes 10 gleichförmig gestaltet werden.
Da, wie zuvor beschrieben, im zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die UV-Lichtquellen vorgesehen sind, die UV-Bestrahlung auf die Endabschnitte der Schlitze 10 in Längsrichtung zu konzentrieren, kann das Anregen des Lasergases an den Endabschnitten der Schlitze 10 durch W-Bestrahlung befördert werden, wobei die Anregung des Lasergases an den Endabschnitten der Schlitze 10 erfolgt, bei denen das Lasergas noch nicht angeregt ist. Dies ermöglicht es, die Anregung des Lasergases im Mittenabschnitt und an den Endabschnitt eines jeden Schlitzes 10 in Längsrichtung gleichförmig zu gestalten, wodurch eine gleichförmige Anregung des Lasergases im gesamten Bereich eines jeden Schlitzes 10 möglich wird. Bei der vorliegenden Erfindung kann dieselbe Wirkung erzielt werden, wie zuvor unter Verwendung von Röntgenstrahlen oder Hochfrequenzbestrahlung erfolgen, der Vorionisierung anstatt der W-Bestrahlung.
(Drittes Ausführungsbeispiel)
67 Nachstehend beschrieben ist das dritte Ausführungsbeispiel. Im dritten Ausführungsbeispiel erläutert ist eine Belichtungsvorrichtung (das heißt, ein Stepper) mit dem Excimerlaseroszillator, der in einem beliebigen zweiten Ausführungsbeispiel als Laserquelle beschrieben ist. 10 ist eine schematische Ansicht, die die Hauptbestandteile dieses Steppers zeigt. Dieser Stepper umfaßt ein optisches Beleuchtungssystem 111, ein optisches Projektionssystem 112, eine Waferansaugvorrichtung 113 und eine Waferbühne 114. Das optische Beleuchtungssystem 111 bestrahlt ein Reticle 101, auf dem ein gewünschtes Muster durch Beleuchtungslicht gezeichnet ist. Das optische Projektionssystem 112 projiziert das Beleuchtungslicht (das Muster des Reticles 101), das das Reticle 101 durchdringt, auf die Oberfläche eines Wafers 102 in verkleinertem Maßstab. Das Waferansaugsystem 113 setzt und fixiert den Wafer 102. Die Waferbühne 114 befestigt die Waferansaugvorrichtung. Die Waferbühne 114 legt die Wafervakuumansaugvorrichtung fest. Angemerkt sei, daß nicht nur ein Reticle (Reticle 101) des Sendetyps, gezeigt in 10, sondern auch ein Reticle des Reflexionstyps als Reticle verwendbar ist.
69 Das optische Beleuchtungssystem 111 enthält einen Excimerlaseroszillator 121 vom ersten Ausführungsbeispiel, einen Strahlformumsetzer 122, einen optischen Integrator 123, ein Stoppglied 124, eine Kondensorlinse 125, eine Blende 127, eine Bilderzeugungslinse 128 und einen Reflexionsspiegel 129. Der Excimerlaseroszillator 121 ist eine Lichtquelle zum Emittieren eines hell leuchtenden Excimerlaserstrahls als Beleuchtungslicht. Der Strahlgestaltumsetzer 122 setzt das Beleuchtungslicht aus der Lichtquelle 121 um in einen Strahl mit einer gewünschten Abschnittsgestalt. Der optische Integrator 123 ist gebildet aus einer zweidimensionalen Anordnung einer Vielzahl zylindrischer Linsen oder Mikrolinsen. Das Stoppglied 123 befindet sich nahe dem Abschnitt der zweiten Quellen, die gebildet sind aus dem optischen Integrator 123, und können umgeschaltet werden auf einen beliebigen Öffnungswert durch Umschalten eines nicht dargestellten Mechanismus. Die Kondensorlinse 125 sammelt das Beleuchtungslicht, das das Stoppglied 124 durchläuft. Die Blende 127 ist aufgebaut beispielsweise aus vier variablen Lamellen und plaziert auf der einander zugeordneten Ebene des Reticles 101, um einen beliebigen Beleuchtungsbereich auf der Oberfläche des Reticles 101 zu bestimmen. Die Bilderzeugungslinse 128 projiziert das Beleuchtungslicht, gebildet in einer vorbestimmten Gestalt, durch die Blende 127 auf die Oberfläche des Reticles 101. Der Reflexionsspiegel 127 reflektiert das Beleuchtungslicht aus der Bilderzeugungslinse 128 hin zum Reticle 101.
70 Nachstehend beschrieben ist die Arbeitsweise des Projizierens vom Muster auf dem Reticle 101 auf die Oberfläche des Wafers 102 in verkleinertem Maßstab durch Anwenden eines Steppers, der in der zuvor beschriebenen Weise aufgebaut ist.
71 Zuerst wird aus der Lichtquelle 121 emittiertes Beleuchtungslicht durch den Strahlgestaltumsetzer 122 in eine vorbestimmte Gestalt konvergiert und auf den optischen Integrator 123 gerichtet. Eine Vielzahl von Sekundärquellen wird somit nahe der Ausgangsoberfläche des optischen Integrators 123 gebildet. Beleuchtungslicht aus diesen Sekundärquellen wird von der Kondensorlinse 125 über das Stoppglied 124 gebündelt und von der Blende 127 in eine vorbestimmte Gestalt gebracht. Danach wird Beleuchtungsglied vom Reflexionsspiegel 229 über die Bilderzeugungslinse 128 reflektiert und gelangt auf das Reticle 101. Danach gelangt das Beleuchtungslicht durch das Muster des Reticles 101 und vom optischen System 122 auf die Oberfläche des Wafers 102. Als Folge wird das Muster des Reticles 101 auf den Wafer 102 im verkleinerten Maßstab projiziert, und der Wafer 102 wird belichtet.
72 Die Belichtungsvorrichtung in diesem Ausführungsbeispiel verwendet den Excimerlaseroszillator vom ersten oder zweiten Ausführungsbeispiel als Laserquelle. Diese Vorrichtung kann folglich einen energiereichen und gleichförmigen Excimerlaserstrahl verwenden, der für eine relativ lange Zeitdauer ununterbrochen arbeitet. Dies ermöglicht eine schnelle Belichtung des Wafer 102 mit genauer Belichtungsmenge.
73 Als nächstes beschrieben ist ein Halbleitereinrichtungsherstellverfahren, das die Projektionsbelichtungsvorrichtung verwendet anhand 10.
74 11 zeigt den Ablauf der Herstellungsschritte der Halbleitereinrichtungen (das heißt, Halbleiterchips, wie IC und LSI, Flüssigkristallfelder oder CCD). Zuerst wird in Schritt 1 (Schaltbild) die Schaltung der Halbleitereinrichtungen festgelegt. In Schritt 2 (Maskenbildung) wird eine Maske mit dem vorgesehenen Schaltungsmuster erzeugt. In Schritt 3 (Waferherstellung) werden Wafer unter Verwendung von Materialien, wie Silizium, hergestellt. Schritt 4 (Waferprozeß) wird als Vorprozeß bezeichnet, bei dem die aktuellen Schaltungen auf den Wafern durch fotolithographische Technik unter Verwendung der Maske und der Wafer wie oben aufbereitet. Schritt 5 (Zusammenbau) wird Nachverarbeitung genannt, bei der Halbleiterchips aus den in Schritt 4 gebildeten Wafern erzeugt. Der Prozeß umfaßt die Verfahrensschritt, wie den Zusammenbauschritt (Würfeln und Bonden) und einen Verkapselungsschritt (Chipverkapselung). Schritt 6 (Testen) testet so, daß ein Betriebstest und ein Haltbarkeitstest bezüglich der Halbleitereinrichtungen durchgeführt werden, die in Schritt 5 hergestellt wurden. Die Halbleitereinrichtungen werden vervollständigt durch diese Schritte und dann ausgeliefert (Schritt 7).
75 12 zeigt einen detaillierten Ablauf des zuvor beschriebenen Waferprozesses. In Schritt 11 (Oxidation) werden die Oberflächen der Wafer oxidiert. In Schritt 12 (CVD) werden elektrisch leitende Filme und Isolationsfilme auf der Waferoberfläche unter Verwendung einer Gasphasenreaktion gebildet. In Schritt 13 (PVD) werden elektrisch leitende Fichten und Isolationsschichten auf den Wafern durch Sprühen oder Dampfauftragung erzeugt. In Schritt 14 (Innenimplantation) werden Ionen in die Wafer implantiert. In Schritt 15 (Fotolackverarbeitung) werden die Wafer mit einem lichtempfindlichen Wirkstoff beschichtet. In Schritt 16 (Belichtung) wird die Projektionsbelichtungsvorrichtung, die zuvor erläutert wurde, zur Belichtung der Wafer für die Schaltungsmuster der Maske verwendet. In Schritt 17 (Entwicklung) werden belichtete Wafer ausgebildet. In Schritt 18 (Ätzen) werden Abschnitte mit Ausnahme des entwickelten Fotolackbildes weggeätzt. In Schritt 19 (Fotolackbeseitigung) wird der überflüssige Fotolack nach dem Ätzen beseitigt. Mehrfachschaltungsmuster werden auf den Wafern durch Wiederholen dieser Schritte gebildet.
76 Dieses Herstellverfahren läßt sich leicht und zuverlässig mit einer hohen Ausbeute hervorragenden integrierten Halbleitereinrichtungen durchführen, die herkömmlicherweise schwer herzustellen sind.
77 Nach der vorliegenden Erfindung kann ein Plasma hergestellt werden, das als Ganzes über die Länge eines jeden Schlitzes gleichförmig ist. Dies ermöglicht es, eine Laservorrichtung mit gleichförmiger Laseremission bei minimaler Verlustenergie bereitzustellen, ein Hochleistungsbelichtungsgerät mit der Laservorrichtung und ein Verfahren des Herstellens einer hochqualitativen Einrichtung unter Verwendung der Belichtungsvorrichtung. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obigen Ausführungsbeispiele beschränkt, und verschiedene Änderungen und Abwandlungen sind innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung möglich. Um die Öffentlichkeit über den Umfang der vorliegenden Erfindung zu informieren, werden folgende Patentansprüche aufgestellt.

Claims

Laservorrichtung zum Erzeugen eines Laserstrahls durch Senden einer elektromagnetischen Welle, die sich in einem Wellenleiter (1, 21) in einer mit Lasergas gefüllten Laserröhre (2) ausbreitet, durch einen in einer Wand des Wellenleiters gebildeten Schlitz (10), um das Lasergas anzuregen, mit: einem Energielieferabschnitt (13, 21a) zum Beaufschlagen des Lasergases in der Laserröhre (2) mit Energie zum Steuern einer Anregungszustandsverteilung des Lasergases unabhängig vom Einführen der elektromagnetischen Welle durch den Schlitz (10), wobei das Senden der elektromagnetischen Welle durch den Schlitz (10) in die Laserröhre (2) die Anregungszustandsverteilung erzeugt; und wobei der Energielieferabschnitt (13, 21a) eingerichtet ist zum Beaufschlagen des Lasergases mit Energie, um so das Lasergas entlang des Schlitzes (10) im wesentlichen gleichförmig anzuregen.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt nahe am Schlitz eine Elektrode (13) enthält, die dem Lasergas Energie zuführt.
Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt betriebsbereit ist, das Lasergas durch Liefern von Energie zum Lasergas unter Verwendung der Elektrode (13) zu ionisieren.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt betriebsbereit ist zur vorläufigen Ionisierung des Lasergases, bevor eine elektromagnetische Welle durch den Wellenleiter (1) eintrifft.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode betriebsbereit ist zum Liefern von Energie an das Lasergas, um eine Ionisierungsdichte nahe einem Endabschnitt des Schlitzes (10) höher als die Ionisierungsdichte nahe einer Position vom Schlitz (10) zu machen.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt nahe am Schlitz wenigstens ein Paar Elektroden (13) enthält, um dem Lasergas Energie zuzuführen, wobei das wenigstens einfach vorgesehene Paar der Elektroden (13) so eingerichtet ist, daß eine höhere Ionisationsdichte nahe am Endabschnitt des Schlitzes (10) als nahe am Mittenabschnitt des Schlitzes (10) aufkommt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt wenigstens ein Paar Elektroden (13) enthält, um Energie an das Lasergas zu liefern, wobei das wenigstens einfach vorgesehene Paar an Elektroden (13) so gestaltet ist, daß nahe einem Endabschnitt des Schlitzes (10) eine höhere Ionisationsdichte als nahe am Mittenabschnitt des Schlitzes (10) aufkommt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt nahe am Schlitz (10) eine Vielzahl von Elektrodenpaaren (13) enthält, um dem Lasergas Energie zuzuführen, und daß ein Strom mit einer Stromdichte geliefert wird, die höher als die Stromdichte eines an das Paar Elektroden (13) nahe am Mittenabschnitt des Schlichtes gelieferten Stromes zwischen das Paar Elektroden (13) nahe am Endabschnitt des Schlitzes (10) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt nahe am Schlitz (10) eine Vielzahl von Paaren an Elektroden (13) enthält, um dem Lasergas Energie zuzuführen, wobei sich die Vielzahl der Elektrodenpaare nahe am Endabschnitt des Schlitzes (10) konzentriert.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt entlang dem Schlitz (10) ein Paar Elektroden (13) enthält, um dem Lasergas Energie zuzuführen, und jedes Paar der Elektroden ist nahe am Endabschnitt vom Schlitz (10) breiter als nahe am Mittenabschnitt vom Schlitz (10).
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt nahe am Schlitz (10) eine Vielzahl von Elektrodenpaaren (13) enthält, um dem Lasergas Energie zuzuführen, und die Elektroden des Elektrodenpaares (13) nahe am Endabschnitt vom Schlitz (10) befinden sich näher am Schlitz (10) als die Elektroden des Elektrodenpaares (13) nahe am Mittenabschnitt vom Schlitz (10).
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt eingerichtet ist, dem Lasergas Energie zuzuführen, um eine Ionisationsdichte nahe am Endabschnitt des Schlitzes (10) gegenüber der Ionisationsdichte nahe eines Mittenabschnitts vom Schlitz zu erhöhen.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt eine Lichtquelle (22) enthält, um einen Abschnitt nahe am Schlitz (10) mit Licht zu bestrahlen.
Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Wellenleiter (21) zwischen der Lichtquelle (22) und der Laserröhre (2) befindet, und daß eine Oberfläche des Wellenleiters (21) ein Fenster (21a) besitzt, das Licht aus der Lichtquelle (22) sendet.
Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Wellenleiters (21), in der sich das Fenster (21a) befindet, gegenüber der Oberfläche des Wellenleiters (21) befindet, in dem der Schlitz (10) gebildet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 14 oder 15 , dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster (21a) eine Größe hat, die den Durchgang der elektromagnetischen Welle verhindert.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt des weiteren über einen Reflexionsspiegel (23) verfügt, der Licht aus der Lichtquelle (22) zu einem Abschnitt nahe des Schlitzes (10) reflektiert.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle (22) ultraviolettes Licht erzeugt.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Schlitzen (10) in der Wand vom Wellenleiter (1) gebildet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl an Schlitzen (10) in Längsrichtung des Wellenleiters gebildet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Energielieferabschnitt (13) für jeden Schlitz (10) vorgesehen ist.
Belichtungsvorrichtung mit einer Lasereinheit, einem optischen Beleuchtungssystem zum Beleuchten einer Maske unter Verwendung von Licht, das die Lasereinheit liefert, und einem optischen Projektionssystem zum Projizieren eines Musters der Maske auf ein Substrat; dadurch gekennzeichnet, daß die Lasereinheit in der Laservorrichtung in einem der Patentansprüche 1 bis 21 festgelegt ist.
Einrichtungsherstellverfahren, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte: Beschichten eines Substrats mit einem lichtempfindlichen Material; Belichten eines Musters auf dem mit dem lichtempfindlichen Material beschichteten Substrat unter Verwendung der Belichtungsvorrichtung nach Patenanspruch 22; Entwickeln des Musters auf dem belichteten Substrat; und Herstellen einer Einrichtung aus dem belichteten und entwickelten Substrat.