DE60010998D1 - Ausgangstransistorschaltung mit einer einzigen Gateoxidschicht und einem Transistor in kaskadierter Schaltung - Google Patents

Ausgangstransistorschaltung mit einer einzigen Gateoxidschicht und einem Transistor in kaskadierter Schaltung

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7114086B2 (en) * 2002-01-04 2006-09-26 Ati Technologies, Inc. System for reduced power consumption by monitoring instruction buffer and method thereof
US6870407B2 (en) 2002-06-18 2005-03-22 Ip.First, Llc Thin gate oxide output drive
US6741115B2 (en) 2002-06-18 2004-05-25 Ip-First, Llc Digital level shifter for maintaining gate oxide integrity of scaled driver devices
DE10245654B3 (de) 2002-09-30 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Treiberschaltung
US6624682B1 (en) * 2002-10-09 2003-09-23 Analog Devices, Inc. Method and an apparatus to actively sink current in an integrated circuit with a floating I/O supply voltage
TWI254508B (en) * 2002-12-11 2006-05-01 Ip First Llc Thin gate oxide output driver
US7345510B1 (en) * 2006-08-31 2008-03-18 Ati Technologies Inc. Method and apparatus for generating a reference signal and generating a scaled output signal based on an input signal
US8344760B2 (en) * 2008-07-17 2013-01-01 Ati Technologies Ulc Input/output buffer circuit
CN101515183B (zh) * 2009-03-30 2012-11-21 艾默生网络能源有限公司 一种输出过压调节电路
KR101989571B1 (ko) 2012-06-27 2019-06-14 삼성전자주식회사 고전압 및 와이드 랜지 전압 동작을 위한 출력 드라이버 및 그것을 사용한 데이터 출력 드라이빙 회로
CN105790753B (zh) * 2014-12-25 2018-12-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 输出缓冲器
US10191526B2 (en) 2016-11-08 2019-01-29 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for transmitting data signal based on different supply voltages
US11531363B2 (en) * 2020-01-06 2022-12-20 Arm Limited Voltage tracking circuitry for output pad voltage
US11296684B2 (en) * 2020-03-31 2022-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gated tri-state inverter, and low power reduced area phase interpolator system including same, and method of operating same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300832A (en) * 1992-11-10 1994-04-05 Sun Microsystems, Inc. Voltage interfacing buffer with isolation transistors used for overvoltage protection
US5467031A (en) 1994-09-22 1995-11-14 Lsi Logic Corporation 3.3 volt CMOS tri-state driver circuit capable of driving common 5 volt line
US5736869A (en) * 1996-05-16 1998-04-07 Lsi Logic Corporation Output driver with level shifting and voltage protection
US6118302A (en) 1996-05-28 2000-09-12 Altera Corporation Interface for low-voltage semiconductor devices
US8604828B1 (en) * 1996-05-31 2013-12-10 International Business Machines Corporation Variable voltage CMOS off-chip driver and receiver circuits
US5723987A (en) * 1996-06-06 1998-03-03 Intel Corporation Level shifting output buffer with p channel pulldown transistors which are bypassed
JP3266527B2 (ja) 1996-12-10 2002-03-18 富士通株式会社 出力ドライバ回路及び半導体装置
US5933025A (en) * 1997-01-15 1999-08-03 Xilinx, Inc. Low voltage interface circuit with a high voltage tolerance
US5969541A (en) * 1997-05-19 1999-10-19 Stmicroelectronics, Inc. Current inhibiting I/O buffer having a 5 volt tolerant input and method of inhibiting current
US5966030A (en) * 1997-08-05 1999-10-12 Lsi Logic Corporation Output buffer with regulated voltage biasing for driving voltages greater than transistor tolerance
US6118301A (en) 1998-05-26 2000-09-12 Analog Devices, Inc. High voltage tolerant and compliant driver circuit

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EP1081860B1 (de) 2004-05-26

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