DE570036C - Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydulgleichrichter - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydulgleichrichter

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DE570036C
DE570036C DES83011D DES0083011D DE570036C DE 570036 C DE570036 C DE 570036C DE S83011 D DES83011 D DE S83011D DE S0083011 D DES0083011 D DE S0083011D DE 570036 C DE570036 C DE 570036C
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rectifiers
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Dr Emil Duhme
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydulgleichrichter Ls ist bekannt, Platten für Kupferoxydulgleichrichter dadurch herzustellen, daß man sie bis auf Temperaturen erhitzt, die etwas unterhalb von ioi5° liegen. Beim überschreiten dieser Temperatur treten Erscheinungen auf. die man vermeiden will. Man erhält nach diesem bekannten Verfahren eine Kupferoxydulschicht, über der sich noch eine (iünne Haut von Kupferoxyd befindet. Dieses Kupferoxyd muß beseitigt «-erden.
  • Erfindungsgemäß wird nun die Erhitzung so weit getrieben, daß die Temperatur etwas oberhalb der Dissoziationstemperatur des Kupferoxyds liegt. Man erhält dann einen Körper, der keine Oxydschicht mehr besitzt, sondern nur eine Kupferoxydulschicht. Man erspart also die schwierige und immer mit Unsicherheit verknüpfte Nachbehandlung. Man hat ferner den Vorteil, daß man die Temperatur leichter bei der Massenherstellung kontrollieren kann, weil das Eintreten der Dissoziation mit dein Auge leicht erkennbar ist.
  • Die Dissoziationstemperatur liegt bei 76o mm Quecksilberdruck für eine Atmosphäre von Luft bei ioi5'. Man wird also -zweckmäßig auf Temperaturen lieraufgeben, die oberhalb dieses Wertes liegen, beispielsweise auf 1o25'. Verwendet man eine andere Atmosphäre oder einen anderen Druck, dann wird die Temperatur dementsprechend zu wählen sein.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydulgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Oxydation der Kupferplatten durch Erhitzen in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre die Erhitzungstemperatur über die Dissoziationstemperatur des Kupferoxyds bei dem gegebenen Sauerstoffdruck gesteigert wird.
DES83011D 1927-12-03 1927-12-03 Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydulgleichrichter Expired DE570036C (de)

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