DE559707C - Elektrischer Ventilwiderstand - Google Patents

Elektrischer Ventilwiderstand

Info

Publication number
DE559707C
DE559707C DEP57184D DEP0057184D DE559707C DE 559707 C DE559707 C DE 559707C DE P57184 D DEP57184 D DE P57184D DE P0057184 D DEP0057184 D DE P0057184D DE 559707 C DE559707 C DE 559707C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
resistance
rectifier
electrical valve
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEP57184D
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
Original Assignee
Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH filed Critical Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
Priority to DEP57184D priority Critical patent/DE559707C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE559707C publication Critical patent/DE559707C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

  • Elektrischer Ventilwiderstand Es sind Wechselstromgleichrichter bzw. elektrische Ventile bekannt, bei welchen eine dünne Gleichrichterschicht zwischen zwei festen Elektroden angeordnet ist. Die Gleichrichterschicht kann z. B. aus Kupferoxydul, Schwefelkupfer usw. bestehen. Dieser Gleichrichterschicht kann gegebenenfalls noch ein mikroskopisch dünner Film zugeordnet sein, der an der Gleichrichterwirkung beteiligt ist und ebenfalls als Gleichrichterschicht bezeichnet «-erden kann.
  • Da die Gleichrichterschichten nur sehr geringe Dicke haben, besteht bei solchen Vorrichtungen die Gefahr, daß diese Schichten an einzelnen Stellen mechanisch verletzt oder elektrisch durchschlagen werden, wodurch mangelhafte Wirkung oder unter Umständen vollkommener Kurzschluß der Vorrichtung herbeigeführt wird.
  • Um diesen iJ`belstand zu vermeiden, wird erfindungsgemäß außer der Gleichrichterschicht oder, falls mehrere vorhanden sind, außer diesen noch eine lediglich als Vorschaltwiderstand dienende Widerstandsschicht zwischen den Elektroden angeordnet, so daß die Gleichrichterschicht und die Widerstandsschicht aufeinanderliegen, wobei sie fest miteinander verbunden sein können. Der Strom fließt demgemäß von einer Elektrode erst durch die Gleichrichterschicht oder Gleichrichterschichten und dann durch die Widerstandsschicht zur anderen Elektrode oder in umgekehrter Weise. Es ist zwar schon bekannt, zwischen den Elektroden von Trockengleichrichtern mehrere Schichten verschiedenen Materials anzuordnen. Diese Schichten sind jedoch, soweit sie nicht nur als Elektroden zur Zu- und Ableitung des Stromes dienen, an dem Zustandekommen der Gleichrichterwirkung beteiligt. Ihr Ohmscher Widerstandswert ist auch bei gleichbleibender Temperatur in hohem Maße abhängig von der Größe der angelegten Spannung, so daß diese Schichten als Widerstandsschicht, bzw. Schutzverband, im Sinne der Erfindung nicht wirksam werden. Auch ist es bereits bekannt, Zwischenschichten z. B. aus Graphit anzuordnen, welche jedoch ebenfalls nicht als Widerstandsschicht dienen und wirksam sind, sondern lediglich den Zweck haben, den Übergangswiderstand zwischen zwei vorhandenen Schichten zu vermindern.
  • Um die Wirkungsweise einer erfindungsgemäß in einem Trockengleichrichter angeordneten, lediglich als Vorschaltwiderstand dienenden Schicht zu erläutern, sei folgendes Beispiel angeführt.
  • Es seien zwei plattenförmige Metallelektroden vorgesehen, deren wirksame von der Zwischenschicht berührte Oberfläche rooo qmm betrage. Der Widerstand der dünnen Gleichrichterschicht betrage in einer Richtung io Ohm und in der anderen Richtung -ooo Ohm. Der Widerstand der Widerstandsschicht betrage in beiden Richtungen io Ohm. Bei einer Klemmspannung von 2o Volt fügßt ;@ daher. . in- der einen Richtung ein Strtam von- und in. der anderen Richtung Das Verhältnis der beiden Ströme ist also trotz 1-iinzufügung des Widerstandes von io Ohm sehr günstig.
  • Es sei nun angenommen, daß die Gleichrichterschicht auf einer Fläche von i qmm vollkommen zerstört wird. Wäre die Widerstandsschicht nicht vorhanden, so würde in diesem Falle Kurzschluß entstehen; durch die Widerstandsschicht wird dieser verhindert. Nimmt man an, da3 die Dicke der Widerstandsschicht sehr gering ist, so können sich die Stromlinien innerhalb der Widerstandsschicht nur wenig seitlich ausbreiten, so- daß also der Strom zum größten Teile in dem Teil der Widerstandsschicht verläuft, der durch die von der Gleichrichterschicht befreite Fläche und durch von der Umrandung dieser Fläche ausgehende, senkrecht auf der Grenzfläche der Schichten stehende Gerade begrenzt ist. Dieses Stück der Widerstandsschicht besitzt bei den oben angenommenen Werten für die Widerstandsschicht einen Widerstand von zooo # zo - io ooo Ohm. 'Durch die Beschädigung der Gleichrichterschicht wird also dem elektrischen Ventil nur ein hoher Widerstand parallelgeschaltet,. der fast io ooo Ohm beträgt, die Wirkung des elektrischen Ventils wird dadurch nur sehr wenig beeinträchtigt.
  • Bei der Widerstandsschicht ist die Gefahr der Beschädigung viel geringer. Außerdem kann diese Gefahr leicht stark vermindert -,verden,t Denn während'man bei der Gleichrichterschicht an wenige ganz bestimmte Substanzen gebunden ist, die auch nur in gewissen Schichtstärken herstellbar oder brauchbar sind, ist man hinsichtlich der Wahl des Materials, der Herstellung und der Schichtstärke bei der Widerstandsschicht an keine engen Grenzen gebunden. Man verwendet daher vorzugsweise ein hartes, gegen mechanische Verletzung möglichst widerstandsfähiges Material. Die Schichtstärke wird so gewählt, daß die Schicht von keiner der. praktisch in Frage kommenden Spannungen durchschlagen werden kann.
  • Die Widerstandsschicht kann z. B. aus Siliciumverbindungen, wenig leitfähigen Metalloxyden, Glasuren, Selen usw. bestehen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Elektrischer Ventilwiderstand" mit zwischen zwei Elektroden angeordneter Gleichrichterschicht, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Elektroden außer der Gleichrichterschicht mit dem dazugehörigen Absperrfilm noch eine lediglich als Vorschaltwiderstand dienende Schicht in Reihenschaltung mit der ersteren angeordnet ist.
DEP57184D 1928-02-18 1928-02-18 Elektrischer Ventilwiderstand Expired DE559707C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP57184D DE559707C (de) 1928-02-18 1928-02-18 Elektrischer Ventilwiderstand

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP57184D DE559707C (de) 1928-02-18 1928-02-18 Elektrischer Ventilwiderstand

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE559707C true DE559707C (de) 1932-09-23

Family

ID=7388676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEP57184D Expired DE559707C (de) 1928-02-18 1928-02-18 Elektrischer Ventilwiderstand

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE559707C (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2903442A1 (de) Elektrische vorrichtung, z.b. heizkoerper oder temperaturmessfuehler, mit zumindest zwei elektroden und einem ptc- element, insbesondere zur beseitigung von einschaltstromstosstoerungen
DE1639255C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Isolierschicht-Feldeffekttransistor
DE1639019A1 (de) Halbleiter-Gleichrichter
DE683169C (de) Verfahren zur elektrischen Oxydation von Aluminiumdraehten und -baendern
DE559707C (de) Elektrischer Ventilwiderstand
DE829191C (de) Halbleiter zu Gleichrichter- oder Verstaerkerzwecken
DE2253831B2 (de) Solarzellenbatterie
DE1614250C3 (de) Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen
DE2158270A1 (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement
DE1936603U (de) Halbleiterschalter.
DE2011303A1 (de) Schutzschaltung für einen Eingangskreis eines Feldeffekt-Transistors
DE2543907A1 (de) Elektrisch beheizte heizmatte
DE10031906B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Elektroden sowie damit hergestellte Elektroden
DE715946C (de) Zuendeinrichtung fuer Vakuumentladungsgefaesse mit fluessiger Kathode
DE927278C (de) Elektrischer Schichtwiderstand kleinen Widerstandswertes
DE566465C (de) Elektrisches Ventil
DE2042099B2 (de) Verfahren zum Speichern eines elektrischen Signals
DE2263091C2 (de) Feldeffekttransistor
DE440392C (de) Thermostat zur Abschaltung bei UEbertemperatur oder UEberstrom
DE606624C (de) Sperrschichtphotozelle mit flaechenhaft durchsichtiger oder gitterfoermiger Sperrelektrode
DE961364C (de) Gleichrichtergeraet, insbesondere mit Germaniumgleichrichter vom Grossflaechentyp
AT229423B (de) Verfahren und Gerät zum Regeln oder Steuern eines Wechselstromes, der zwischen zwei in einen Elektrolyten getauchten Elektroden fließt
DE517347C (de) Elektrisches Ventil
DE102016013178A1 (de) Widerstandsbehaftete RAM-Zelle mit konzentriertem elektrischen Feld
DE241473C (de)