DE4439995A1 - Photodiodenarray - Google Patents
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- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
In der Röntgencomputertomographie wandelt der Röntgendetektor
das auftreffende Röntgensignal in ein elektrisches Signal.
Die gebräuchlichsten Detektorprinzipien sind ein Array von
Xenon-Ionisationskammern oder von Szintillatoren und nachge
ordneten Photodioden.
Bei einem Szintillator-Photodiodenarray wandelt der Szintil
lator die auftreffenden Röntgenquanten in Photonen. Die in
Strahlenrichtung nach dem Szintillator liegende Photodiode
absorbiert die auftreffenden Photonen und man erhält einen
Photostrom, der zur einfallenden Röntgenlichtintensität pro
portional ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Photodioden
array so auszubilden, daß die Photodioden monolithisch auf
einem Substrat aufgebaut sind, wobei Röntgenquanten, die zu
einem geringen Anteil direkt in die Photodioden eindringen,
kein unerwünschtes Störsignal erzeugen, und wobei das
Signalübersprechen von einem Detektorkanal zum nächsten weit
gehend reduziert ist.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Photo
diodenarray gemäß dem Patentanspruch, das insbesondere in der
Röntgencomputertomographie angewendet werden kann.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand eines in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zei
gen:
Fig. 1 einen Schnitt durch ein Photodiodenarray zur Erläute
rung des Erfindungsgedankens, und
Fig. 2 eine Schaltung für das Photodiodenarray nach Fig. 1
nach der Erfindung.
In der Fig. 1 ist ein Photodiodenarray mit einer Reihe von
Photodioden 3 dargestellt, die auf einem Substrat 1 aufge
bracht sind, das mit einem Rückseitenkontakt 2 versehen ist.
Zwischen jeweils zwei Photodioden 3 liegt eine Absaugdiode 4,
die ebenfalls auf dem Substrat 1 aufgebracht ist. Die Photo
dioden 3 wandeln das von einem nicht dargestellten, vorge
schalteten Szintillator aus der Röntgenstrahlung erzeugte
Licht in ein entsprechendes elektrisches Signal. Die Photo
dioden 3 und die Absaugdioden 4 sind in der Fig. 1 auch noch
als Schaltzeichen dargestellt.
Durch die Absaugdioden 4 ergibt sich eine deutliche Verringe
rung der Auswirkungen der Direktkonversion auf die erzeugten
Signale und des optischen Übersprechens.
Eine weitere deutliche Signalverbesserung läßt sich errei
chen, wenn sich der Raumladungszonenbereich der Absaugdiode 4
von dem Anodenbereich (p-Gebiet) bis in die Nähe des Katho
denbereiches (n-Gebiet) erstreckt. Dazu beschaltet man die
Diodenpaare (Photodiode 3 und die sie umgebende Absaugdiode
4) folgendermaßen:
Alle Absaugdioden 4 werden bei der Herstellung auf der
Anodenseite kontaktiert. Der gemeinsame Anodenkontakt 5 wird
an eine Spannungsquelle 6 (Spannung U = 0-100 V) gelegt, so
daß die Absaugdioden 4 in Sperrichtung betrieben werden
(Fig. 2).
Durch geeignete Wahl der Absaugspannung Uab und der Vorspan
nung (Spannungsquelle 7) an der Photodiode 3 kann die Raum
ladungszone in der Absaugdiode 4 so eingestellt werden, daß
- 1. die Direktkonversion im Randbereich beider Dioden 3, 4 minimal ist,
- 2. das optische Übersprechen im Siliziumchip unterdrückt wird und zusätzlich
- 3. die einzelnen Photodioden elektrisch getrennt sind,
- 4. der Dunkelstrom in der Photodiode 3 minimal wird,
- 5. dadurch der Dunkelstromtemperaturkoeffizient der Photo diode 3 sehr klein wird.
All diese oben aufgeführten Punkte führen zu einer Verbesse
rung der Eigenschaften eines CT-Detektors und können zu bes
seren computertomographischen Bildern führen.
Claims (1)
- Photodiodenarray mit einem Substrat (1), auf dem eine Reihe von Photodioden (3) aufgebaut ist, wobei zwischen jeweils zwei Photodioden (3) eine Absaugdiode (4) eingebaut ist und die Anoden (5) der Absaugdioden (4) miteinander verbunden sind, wobei der gemeinsame Anodenkontakt (5) an eine Span nungsquelle (6) gelegt ist, so daß die Absaugdioden (4) in Sperrichtung betrieben werden.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4439995A DE4439995A1 (de) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | Photodiodenarray |
CN95118782.1A CN1053295C (zh) | 1994-11-09 | 1995-11-07 | 光电二极管阵列 |
JP7288449A JPH08213585A (ja) | 1994-11-09 | 1995-11-07 | ホトダイオードアレー |
US08/951,456 US5929499A (en) | 1994-11-09 | 1997-10-16 | Photodiode array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4439995A DE4439995A1 (de) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | Photodiodenarray |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4439995A1 true DE4439995A1 (de) | 1996-05-15 |
Family
ID=6532863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4439995A Ceased DE4439995A1 (de) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | Photodiodenarray |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5929499A (de) |
JP (1) | JPH08213585A (de) |
CN (1) | CN1053295C (de) |
DE (1) | DE4439995A1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW396707B (en) * | 1998-02-20 | 2000-07-01 | Canon Kk | Semiconductor device |
US6504158B2 (en) | 2000-12-04 | 2003-01-07 | General Electric Company | Imaging array minimizing leakage currents |
US7170143B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-01-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation apparatus |
EP1997144A2 (de) * | 2006-03-15 | 2008-12-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Halbleiterbauelement zur strahlungserkennung |
JP5085122B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2012-11-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子及び放射線検出装置 |
CN103474502B (zh) * | 2013-08-29 | 2016-03-30 | 电子科技大学 | 一种补偿型热释电红外单元探测器 |
US9526468B2 (en) | 2014-09-09 | 2016-12-27 | General Electric Company | Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3813079A1 (de) * | 1987-04-21 | 1988-11-03 | Toshiba Kawasaki Kk | Roentgenstrahlen-detektoreinrichtung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0644618B2 (ja) * | 1986-04-03 | 1994-06-08 | 日産自動車株式会社 | 半導体受光装置 |
JPH01117375A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-11-09 DE DE4439995A patent/DE4439995A1/de not_active Ceased
-
1995
- 1995-11-07 CN CN95118782.1A patent/CN1053295C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-07 JP JP7288449A patent/JPH08213585A/ja not_active Abandoned
-
1997
- 1997-10-16 US US08/951,456 patent/US5929499A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3813079A1 (de) * | 1987-04-21 | 1988-11-03 | Toshiba Kawasaki Kk | Roentgenstrahlen-detektoreinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1053295C (zh) | 2000-06-07 |
CN1131822A (zh) | 1996-09-25 |
US5929499A (en) | 1999-07-27 |
JPH08213585A (ja) | 1996-08-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
8131 | Rejection |