DE19945023C2 - Flächenhafter Bilddetektor für elektromagnetische Strahlen, insbesondere Röntgenstrahlen - Google Patents
Flächenhafter Bilddetektor für elektromagnetische Strahlen, insbesondere RöntgenstrahlenInfo
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- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000000306 component Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft einen flächenhaften Bilddetektor für
elektromagnetische Strahlen mit matrixförmig angeordneten
strahlenempfindlichen Pixelelementen, der eine Fläche mit ak
tiven Pixeln zur Bildgebung und eine Fläche mit nicht den
Strahlen ausgesetzten Korrekturpixeln zur Erzeugung von Kor
rektursignalen aufweist und bei dem neben den Flächen mit den
Pixeln Kontaktflächen vorgesehen sind. Derartige Bilddetekto
ren werden beispielsweise in Röntgendiagnostikeinrichtungen
eingesetzt wie sie in Fig. 1 dargestellt sind.
In der Fig. 1 ist eine aus der DE 195 27 148 C1 bekannte
Röntgendiagnostikeinrichtung mit einer von einem Röntgengene
rator 1 mit Hoch- und Heizspannung versorgten Röntgenröhre 2
dargestellt, die eine kegelförmige Röntgenstrahlung 3 er
zeugt, die einen Patienten 4 durchdringt und auf einem für
Röntgenstrahlung 3 empfindlichen Festkörper-Detektor 5 Strah
lenbilder erzeugt. Das Ausgangssignal des Festkörper-Detek
tors, die Bilddaten 6, wird einem Bildsystem 7 zugeführt. Das
Bildsystem 7 kann Wandler, Bildspeicher und Verarbeitungs
schaltungen aufweisen. Es ist zur Wiedergabe der erfaßten
Röntgenbilder mit einem Monitor 8 verbunden. Bedienelemente 9
sind über eine Systemsteuerung und -kommunikation 10 mit den
übrigen Komponenten der Röntgendiagnostikeinrichtung verbun
den.
In der Fig. 2 ist der Festkörper-Detektor 5 im perspektivi
schem Querschnitt dargestellt. Die Kernkomponente des Fest
körper-Detektors 5 besteht aus einer Festkörper-Pixelmatrix,
Zeilentreibern und Verstärkern. Die Festkörper-Pixelmatrix
wiederum besteht aus einer Schicht mit einem Szintillator 11,
beispielsweise bestehend aus Caesiumjodid (CsI), welche bei
Bestrahlung durch die Röntgenstrahlung 3 sichtbare Photonen
in eine Pixelmatrix 12 aus amorphem Silizium einspeist, die
ein sichtbares Röntgenbild ergeben. Jedes der Pixel oder
Bildpunkte dieser Pixelmatrix 12 besteht, wie in Fig. 2 ver
größert dargestellt ist, aus einer Photodiode 13 und einem
Schalter 14, der mit Zeilen- 15 und Spaltenleitungen 16 ver
bunden ist. Die Pixelmatrix 12 ist auf einem Glassubstrat 20
aufgetragen.
Es werden jeweils alle Pixel einer Zeile gleichzeitig von den
Zeilentreibern 17 adressiert und ausgelesen. Die Signale wer
den in einer Vielzahl von Verstärkern 18 parallel verarbei
tet. Ein Bild wird im einfachsten Fall Zeile für Zeile pro
gressiv ausgelesen.
Zu den gewünschten Signalen addieren sich zwei unerwünschte
Komponenten ("Offset-Signale"). Die erste Komponente variiert
von Pixel zu Pixel. Die zweite Komponente ist gleich für alle
Pixel einer Zeile, variiert aber von Zeile zu Zeile und von
Bild zu Bild. Dieses sogenannte Zeilenrauschen ist sehr stö
rend, da das Auge ausgedehnte Grauwertunterschiede sehr stark
wahrnimmt.
Aus der DE 195 27 148 C1 ist weiterhin die Korrektur des Zei
lensignals ("Line noise Correction") bei einem a-Si-Panel be
kannt, bei dem am linken Bildrand, dem Zeilenanfang beim Ra
diographie-Festkörper-Detektor, beispielsweise einem aSi-
Detektor, eine nicht bestrahlte Randzone liegt. Diese in
Fig. 3 dargestellte Dunkel-Referenz-Zone 22 oder Dark Refence
Zone (DRZ) ist durch eine Bleiabschirmung 21 licht- und
strahlungsdicht abgedeckt, so daß auch im Hellbild kein zu
sätzliches Signal entsteht. Die Signalwerte der unbelichteten
Pixel werden zur Korrektur des Zeilensignals herangezogen.
Sie dienen dazu, das Zeilenrauschen zu vermindern und kleine
Transienten im Offset zu korrigieren.
In der Fig. 4 ist das Ausgangssignal einer Zeile über der
Spaltennummer ns dargestellt. Im Bereich der Dunkel-Referenz-
Zone DRZ 22 besteht das Signal S nur aus dem Zeilenoffset 23.
Dieser wird durch Mitteln der Werte der einzelnen abgeschat
teten Pixel einer Zeile bestimmt. Diese Zeilenoffsets 23 wer
den dann von den Signalwerten aller Pixel derselben Zeile ab
gezogen.
Bei dem in Fig. 5 schematisch dargestellten Festkörper-
Detektor 5 soll die aktive Fläche 24 möglichst weit bis an
die Außenkante des Gehäuses 25 heranreichen, so daß der zur
Bildgebung nicht nutzbare Randbereich 26 möglichst klein
wird. Die in Fig. 6 dargestellte Fläche der Pixel 28 für die
DRZ 22 kann eine Breite von beispielsweise 5-15 mm besitzen
und vergrößert somit den Abstand von aktiver Fläche 24 zur
Außenkante des Gehäuses 25 und damit den Randbereich 26 be
trächtlich.
Damit Pixel als DRZ-Pixel 28 genutzt werden können, müssen
sie von denselben Kanälen der Zeilentreiber 17 wie die je
weils zu korrigierenden Pixel angesteuert werden. Des weite
ren müssen sie möglichst dieselben Eigenschaften wie die zu
korrigierenden, aktiven Pixel 29 aufweisen. Dies wird dann
gewährleistet, wenn die DRZ-Pixel 28 auf demselben Glassub
strat 20 mit denselben Produktionsschritten wie a-Si : H Depo
sition, Photolithographie, Ätzvorgänge usw. hergestellt wer
den.
Anhand der Fig. 6 wird eine typische Herstellung einer a-Si
Pixelmatrix erläutert. Auf dem Glassubstrat 20 werden Kon
taktflächen 30, sowie eine Fläche (28 und 29) bestehend aus
Pixeln mit Photodiode 13 und Schalter 14 hergestellt. Die
Flächen der aktiven Pixel 29 und die der Pixel 28 für die DRZ
22 unterscheiden sich nicht in ihrem Aufbau. Erst durch Abde
cken mit der Bleiabschirmung 21 und/oder durch Nichtbeschich
ten mit Szintillatormaterial gemäß Fig. 3 entsteht der Un
terschied zwischen den aktiven Pixeln 29 und den Pixeln 28
für die DRZ 22. Die Sägelinien 31 deuten an, wie die Pixel
matrix 12 aus dem Glassubstrat 20 herausgesägt wird.
In der US 4,678,938 ist ein Festkörperbildwandler mit einer
Regelschleife für die Spannung des Zeilenauswahlsignals in
Abhängigkeit von dem Ausgangssignal von den der entsprechen
den Zeile zugeordneten Pixeln einer Dunkel-Referenz-Zone be
schrieben, damit das Ausgangssignal der aktiven Pixel frei
von Offset und Dunkelstrom ist.
Aus der EP 0 838 859 A2 ist eine photoelektrische Umwand
lungseinheit mit einer Signalkorrektur zur Erzeugung insbe
sondere bewegter Bilder bekannt, bei der einige Pixel durch
eine Abschirmung gegen Röntgenstrahlen und Licht abgedeckt
sind.
Die Erfindung geht von der Aufgabe aus, einen flächenhaften
Bilddetektor der eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem
die bildwirksame Fläche im Verhältnis zur Gesamtfläche mög
lichst groß ist, so daß die bildunwirksamen Randbereiche mög
lichst schmal sind.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Flä
che mit den Korrekturpixeln in einer anderen Ebene als die
Fläche mit den aktiven Pixeln und auf einer der Seiten des
Bilddetektors mit den Kontaktflächen der aktiven Pixel ange
ordnet ist. Dabei kann sie getrennt von dem bildgebenden Teil
des Bilddetektors oder auf dessen Rückseite angeordnet sein.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, wenn der Bilddetektor
zweiteilig ausgeführt ist und der erste Detektorteil mit den
Korrekturpixeln in Strahlenrichtung vor oder hinter einer
Kontaktfläche der aktiven Pixel des zweiten Detektorteils an
geordnet ist.
Die bildunwirksamen Ränder werden besonders klein, wenn der
erste Detektorteil mit den Korrekturpixeln senkrecht zu dem
zweiten Detektorteil mit den aktiven Pixeln angeordnet ist.
Einen gleichen Aufbau beider Detektorteile erhält man, wenn
sie aus einem gemeinsam hergestellten Substrat herausgesägt
worden sind.
Als weitere Alternative kann erfindungsgemäß der Bilddetektor
auf einem Substrat und die Fläche mit den Korrekturpixeln auf
der den aktiven Pixeln gegenüberliegenden Seite des Substra
tes in Strahlenrichtung hinter einer der Kontaktflächen der
aktiven Pixel angeordnet sein.
Erfindungsgemäß kann die Fläche mit den Korrekturpixeln durch
eine Bleiabschirmung gegen die Strahlen und/oder nur die Flä
che mit den aktiven Pixeln mit einem Szintillator zur Umwand
lung von Röntgenstrahlen in sichtbares Licht abgedeckt sein.
In vorteilhafter Weise kann die Schicht mit den Pixeln aus
amorphem Silicium (aSi, aSi:H) bestehen.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand eines in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zei
gen:
Fig. 1 eine bekannte Röntgendiagnostikeinrichtung mit ei
nem Röntgendetektor,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines bekannten Rönt
gendetektors,
Fig. 3 einen Querschnitt durch einen bekannten Röntgende
tektor mit einer DRZ,
Fig. 4 einen typischen Signalverlauf des Röntgendetektors
gemäß Fig. 3 über seinen Querschnitt,
Fig. 5 einen bekannten Röntgendetektor in Aufsicht,
Fig. 6 einen bekannten Röntgendetektor mit Kontaktflächen
und DRZ in Aufsicht,
Fig. 7 einen erfindungsgemäßen Röntgendetektor mit Kon
taktflächen und DRZ während seiner Herstellung in
Aufsicht und
Fig. 8 einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäßen
Röntgendetektor.
Fig. 7 zeigt ein erfindungsgemäß beschichtetes Glassubstrat
20. Die Pixel 28 und 29 unterscheiden sich weiterhin nicht.
Der Unterschied gegenüber der Ausführung in Fig. 6 liegt
darin, daß durch Sägen entlang der Sägelinien 31 zwei Detek
torteile entstehen. Der kleine Detektorteil 27 mit den Pixeln
28 kann weiterhin als Dunkel-Referenz-Zone DRZ genutzt wer
den, kann aber an einer beliebigen vorteilhafteren Stelle an
gebracht werden.
In der Fig. 8 ist nun ein Beispiel eines Aufbaus eines er
findungsgemäßen Festkörper-Detektors 5 im Querschnitt darge
stellt. Auf dem Glassubstrat 20 befinden sich die Kontakte 19
für die darüberliegenden aktiven Pixel 29 der Pixelmatrix 12.
Diese sind von dem Szintillator 11 abgedeckt. Der Seitenbe
reich ist frei von aktiven Pixeln 29 und Szintillator 11, da
mit die Kontakte 19 über elektrische Anschlüsse 33 mit dem
Zeilentreiber 32 verbunden werden können. Dieser Bereich ist
auch von der Bleiabschirmung 21 gegen die Röntgenstrahlung 3
abgedeckt. Dieser Detektorteil 34 bildet den aktiven Teil des
Festkörper-Detektors 5.
Unterhalb des Glassubstrates 20 befindet sich der Detektor
teil 27 mit den Pixeln 28 für die DRZ. Dieser besteht aus dem
gleichen Glassubstrat 20, von dem er abgeschnitten wurde. Auf
diesem Glassubstrat 20 befinden sich wiederum die Kontakte 19
und auf einem Teil der Substratfläche die Pixel 28 für die
DRZ. Der andere Teil dient zur Kontaktierung mit den elektri
schen Anschlüssen 33. Der Detektorteil 27 für die DRZ steht
senkrecht auf dem Glassubstrat 20 der aktiven Pixel 29 und
wird von der Bleiabschirmung 21 gegen Röntgenstrahlung 3 ab
gedeckt.
Erfindungsgemäß kann aber der Detektorteil 27 mit den Pixeln
28 für die DRZ auch zwischen dem aktiven Detektorteil 34 und
der Bleiabschirmung 21 angeordnet sein. Er kann aber auch auf
der Unterseite des Glassubstrates 20 im Bereich der durch die
Bleiabschirmung 21 abgedeckten Kontakte 19 aufgetragen sein.
Wie der Gegenstand gemäß Fig. 8 im Vergleich zum Gegenstand
der Fig. 3 zeigt, liegt die Dunkel-Referenz-Zone DRZ 22
nicht mehr zwischen aktiver, bildwirksamer Sensorfläche mit
den aktiven Pixeln 29 und der Außenkante des Gehäuses, son
dern unterhalb derselben, so daß die aktive Fläche näher an
der Außenkante liegt und sich der Randbereich drastisch ver
ringert.
Im Beispiel nach Fig. 8 befindet sich auf der Dunkel-
Referenz-Zone DRZ kein Szintillator 11. Es kann aber durchaus
vorteilhaft sein, den Szintillator 11 auch auf der Dunkel-
Referenz-Zone DRZ aufzubringen.
Das Grundprinzip kann auch bei Festkörper-Detektoren 5 einge
setzt werden, die andere Materialien oder Prinzipien verwen
den. Beispielsweise kann die absorbierende Schicht aus einem
Material wie amorphes Selen, Bleijodid oder Bleioxid beste
hen, in welchem bei Einfall von Röntgenstrahlen und Vorhan
densein eines geeigneten elektrischen Feldes direkt Ladungs
träger erzeugt werden. Diese Ladungsträger werden in einer
darunter befindlichen Pixelmatrix detektiert. Diese Pixelmat
rix kann aus amorphem Silizium (a-Si:H) bestehen, wobei jedes
Pixel im Wesentlichen aus einer Elektrode, einem Sammlungs
kondensator und einem Schalter besteht.
Claims (9)
1. Flächenhafter Bilddetektor (5) für elektromagnetische
Strahlen (3) mit matrixförmig angeordneten strahlenempfindli
chen Pixelelementen (28, 29), der eine Fläche mit aktiven Pi
xeln (29) zur Bildgebung und eine Fläche mit nicht den Strah
len ausgesetzten Korrekturpixeln (28) zur Erzeugung von Kor
rektursignalen aufweist und bei dem neben den Flächen mit den
Pixeln (28, 29) Kontaktflächen (30) vorgesehen sind,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Fläche mit den Korrekturpixeln (28) in einer anderen Ebene
als die Fläche mit den aktiven Pixeln (29) und auf einer der
Seiten des Bilddetektors (5) mit den Kontaktflächen (30) der
aktiven Pixel (29) angeordnet ist.
2. Flächenhafter Bilddetektor (5) nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß der Bild
detektor (5) zweiteilig ausgeführt ist und der erste Detek
torteil (27) mit den Korrekturpixeln (28) in Strahlenrichtung
vor einer Kontaktfläche (30) der aktiven Pixel (29) des zwei
ten Detektorteils (34)angeordnet ist.
3. Flächenhafter Bilddetektor (5) nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß der Bild
detektor (5) zweiteilig ausgeführt ist und der erste Detek
torteil (27) mit den Korrekturpixeln (28) in Strahlenrichtung
hinter einer Kontaktfläche (30) der aktiven Pixel (29) des
zweiten Detektorteils (34)angeordnet ist.
4. Flächenhafter Bilddetektor (5) nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß der
erste Detektorteil (27) mit den Korrekturpixeln (28) senk
recht zu dem zweiten Detektorteil (34) mit den aktiven Pixeln
(29) angeordnet ist.
5. Flächenhafter Bilddetektor (5) nach einem der Ansprüche 2
bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß beide Detektorteile (27, 34) aus einem gemeinsam herge
stellten Substrat (20) herausgesägt worden sind.
6. Flächenhafter Bilddetektor (5) nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß der Bild
detektor (5) auf einem Substrat (20) und die Fläche mit den
Korrekturpixeln (28) auf der den aktiven Pixeln (29) gegenü
berliegenden Seite des Substrates (20) in Strahlenrichtung
hinter einer der Kontaktflächen (30) der aktiven Pixel (29)
angeordnet ist.
7. Flächenhafter Bilddetektor (5) nach einem der Ansprüche 1
bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Fläche mit den Korrekturpixeln (28) durch eine Ab
schirmung (21) gegen die Strahlen (3) abgedeckt ist.
8. Flächenhafter Bilddetektor (5) nach einem der Ansprüche 1
bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß nur die Fläche mit den aktiven Pixeln (29) mit einem
Szintillator (11) zur Umwandlung von Röntgenstrahlen in
sichtbares Licht abgedeckt ist.
9. Flächenhafter Bilddetektor (5) nach einem der Ansprüche 1
bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schicht mit den Pixeln (28, 29) aus amorphen Silicium
(aSi, aSi:H) besteht.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19945023A DE19945023C2 (de) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | Flächenhafter Bilddetektor für elektromagnetische Strahlen, insbesondere Röntgenstrahlen |
US09/665,812 US6437340B1 (en) | 1999-09-20 | 2000-09-20 | Planar image detector for electromagnetic radiation, particularly X-rays |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19945023A DE19945023C2 (de) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | Flächenhafter Bilddetektor für elektromagnetische Strahlen, insbesondere Röntgenstrahlen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19945023A1 DE19945023A1 (de) | 2001-04-12 |
DE19945023C2 true DE19945023C2 (de) | 2003-04-24 |
Family
ID=7922646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19945023A Expired - Fee Related DE19945023C2 (de) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | Flächenhafter Bilddetektor für elektromagnetische Strahlen, insbesondere Röntgenstrahlen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6437340B1 (de) |
DE (1) | DE19945023C2 (de) |
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