DE4432740A1 - Chip-Induktivität - Google Patents
Chip-InduktivitätInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Chip-Induktivität, insbesondere
Luftspule, Drossel oder Übertrager, mit einem massiven Kern
teil aus ferromagnetischem oder elektrisch nicht leitendem
Werkstoff, insbesondere Ferrit, Keramik oder Kunststoff, mit
einem ein- oder mehrlagig bewickelbaren und gegenüber paral
lelen Stirnenden des Kernteils abgesetzten Wickelraum, bei
der die Wicklungsenden mit stirnseitig angeordneten Kontakt
elementen verschweißt sind.
Eine derartige Chip-Induktivität ist aus der EP-0177759-B1
bekannt. Dort besitzt das Kernteil im Bereich der Stirnenden
angeordnete Aussparungen, die zur Aufnahme von plättchenför
migen Kontaktelementen bestimmt sind, an die die Wicklungs
drähte angeschweißt werden.
Das Anschweißen bei den bekannten Chip-Induktivitäten ge
schieht nach der EP-0200014-A1 mittels Ultraschallschweißung
bei der lackisolierte Wicklungsdrähte mit den Kontaktelemen
ten verbunden werden. Die mechanische Festigkeit der elektri
schen Verbindung wird anschließend durch Abdecken der
Schweißstelle mit einem Klebertropfen erhöht. Bei diesem
Ultraschall-Schweißverfahren besteht die Schwierigkeit, daß
bisher nur Kontaktelemente verwendet werden konnten, die
einen Oberflächenüberzug aus Silber besitzen. Dies kann aber
beim Verlöten in einer Platine wegen der Bildung von Silber
sulfid zu Problemen führen und außerdem kann sich im Lötbad
Silber anreichern, was nicht erwünscht ist. Wenn die Kontakt
elemente dagegen einen Überzug aus einem Lötmetall besitzen,
kommt keine ausreichende elektrische Verbindung beim Ultra
schallschweißen zustande, da die Schmierwirkung von Zinn bzw.
Zinn/Blei die Ausbildung von brauchbaren Schweißverbindungen
verhindert.
Kontaktelemente, die in den Schweißbereichen eine Silberober
fläche und in den Lötbereichen zum Auflöten auf die Platine
einen Überzug aus Lötmetall besitzen, können wegen der für
Chip-Induktivitäten benötigten engen Toleranzen nur mit
wirtschaftlich nicht vertretbarem Aufwand hergestellt werden.
Ferner führt die beim Ultraschallschweißen erforderliche
minimale Schweißzeit von ca. 0,5 s auch bei automatischer
Zuführung von Bauteil und Schweißsonotroden zu Zykluszeiten
von ca. 1 s.
Eine Verkürzung der Zykluszeiten wäre an und für sich mit dem
aus der DE-40 39 527-C1 bekannten direkten Laserschweißen
möglich, das ohne Abschirmung des zu kontaktierenden Wickel
drahts gegen die Laserbestrahlung und ohne Systemträger
arbeitet, jedoch setzt das dort vorgeschlagene Verfahren
umfangreiche Entwicklungsarbeiten für neue Klebe-, Schweiß-
und Wickeltechnologie voraus.
Weiter ist aus der DE-33 07 773-A1 ein Verfahren zum indirekten
Laserschweißen von Kontaktfedern bekannt, bei dem dünne
isolierte Wickeldrähte durch ein Plättchen gegen die direkte
Laserbestrahlung abgeschirmt werden (Sandwich-Technologie),
wobei Plättchen und Anwickelstelle auf dem Bauelement ver
schiedene Teile sind. Das Material der Anwickelstelle ist
also weder Abschirm- noch Schweißmaterial. Schwierigkeiten
bereitet bei diesem Verfahren der große maschinelle Aufwand,
der erforderlich ist, um beim Laserschweißen den Systemträger
mit Kontaktelementen und Kern, An- und Abwickelelemente und
zusätzlich die beiden Abschirmplättchen zu positionieren.
In der DE-29 46 626-A1 ist ein anderes Verfahren zum indirekten
Laserschweißen beschrieben. Dabei werden Leitungsdrähte, die
z. B. die Wickelenden einer Spule sind, an die Anschlußstifte
einer Träger- oder Leiterplatte kontaktiert, wobei die An
schlußstifte Teile einer in der Trägerplatte enthaltenen
gestanzten Schaltung oder in die Schaltung einer Leiterplatte
eingeschweißt sind. Dieses Verfahren ist jedoch in der SMT-
Technologie nicht anwendbar, da das Kontaktieren von Wicklun
gen an Anschlüsse auf einer Platine mit den bekannten
Hochleistungsbestückautomaten nicht möglich ist. Um die
Montageleistung der Bestückautomaten nicht zu reduzieren, muß
bei SMT-(Chip-)Induktivitäten die Wicklung an die elektri
schen Anschlüsse des Bauelements kontaktiert sein. Die in der
DE-29 46 626-A1 nicht enthaltenen, zu umwickelnden Anschluß
stifte auf den Bauelementeanschlüssen sind wegen der gefor
derten kleinen Abmessungen bei Chip-Induktivitäten wegen der
technischen Anforderungen beim Wickeln und wegen der Kosten
der zugehörigen Wickelautomaten nicht realisierbar.
Schließlich ist aus der EP-0410211-A1 eine Schweißlötung be
kannt, bei der Kupferdrähte mit warm- oder hochwarmfester
Lackisolation bei Einsatz von phosphorhaltigem Hartlot in
indirektem Laserschweißverfahren mit den Anschlußelementen
von elektrischen Bauelementen verbunden werden. Dieses Ver
fahren ist für SMT-Induktivitäten ebenfalls nicht geeignet,
da bei den Löttemperaturen, die bei Chip-Induktivitäten
angewandt werden können mit dem erforderlichen Hartlot keine
ausreichende Benetzung stattfindet. Erforderlich wären des
halb elektrische Anschlüsse mit Hartlot in den Schweißberei
chen und mit Weichlotoberflächen in den Lötbereichen. Derar
tige Anschlüsse für Chip-Induktivitäten sind ebensowenig
verfügbar wie solche mit einer Oberflächenkombination Silber
und Lötmetall.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Chip-Indukti
vität der eingangs genannten Art anzugeben, deren Wicklungs
enden an die Kontaktelemente angeschweißt sind, und die mit
Zykluszeiten unter 1 s in automatisierter Fertigung herstell
bar sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
Wicklungsenden mittels einer indirekten Laserschweißung an
den Kontaktelementen befestigt sind, daß die Kontaktelemente
einen Überzug aus einem Lotmetall besitzen, und daß die
Kontaktelemente eine Aussparung aufweisen, die als An- und
Abwickelstelle ausgelegt ist und gleichzeitig als Abschirm-
und Schweißmaterial bei der indirekten Laserschweißung dient.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des Gegenstandes der Erfindung
sind in den Unteransprüchen angeführt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei
spielen erläutert.
In der dazugehörenden Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Seitenansicht einer Chip-Induktivität,
Fig. 2 eine Draufsicht auf eine Chip-Induktivität und
Fig. 3 eine stirnseitige Ansicht einer Chip-Induktivität.
In den Fig. 1 bis 3 ist ein massives Kernteil 4 mit einem
Wickelraum 5 dargestellt. Im Wickelraum 5 ist die Wicklung 6
der Chip-Induktivität angeordnet, die vorzugsweise aus einem
Kupferdraht mit hochtemperaturfester Lackisolation besteht.
Kontaktelemente 2, die Teil eines Systemträgers 1 sind, sind
an den Stirnseiten 8 des Kernteils 4 befestigt, vorzugsweise
angeklebt. Der Systemträger 1, der beispielsweise aus CuSn6
besteht, weist einen Oberflächenüberzug aus einem Lotmetall,
vorzugsweise Zinn oder eine Zinn-Blei-Legierung, auf.
Die Kontaktelemente weisen eine Aussparung 7 auf, die zusätz
lich als An- und Abwickelstelle der Enden 9 der Wicklung 6
dient. Ferner sind die Kontaktelemente 2 derart ausgebildet,
daß sie sowohl als Abschirm- als auch als Schweißmaterial bei
der indirekten Laserschweißung dienen. Wie insbesondere aus
Fig. 3 ersichtlich ist, werden die Enden 9 der Wicklung 6
derart im Kantaktelement 2 geführt, daß sie im Bereich der
Aussparung 7 sandwichartig zwischen an den Kontaktelemente 2
angeordneten Teilen zu liegen kommen. In diesem Bereich wird
die Schweißstelle 10 angebracht.
Weiterhin weisen die Kontaktelemente 2 einen derartigen
Schlitz 3 auf, daß die dreidimensionale Positionierung des
Kernteils 4 im Systemträger 1 erhalten bleibt, aber die
Kontaktelemente 2 im Schlitz 3 unterbrochen sind.
Die Fertigung von Chip-Induktivitäten mit Systemträger 1
vermeidet das Umwickeln von An- und Abwickelstiften auf dem
Bauelement. Die Sandwichtechnologie mit Kontaktelementen 2,
die gleichzeitig als Abschirm- und Schweißmaterial dienen,
vermeidet den Positionieraufwand für separate Abschirm
plättchen. Die Kontaktelemente 2 mit Schlitz 3 und Aussparung
7 ergeben höhere Gütewerte für die Chip-Induktivität im Ver
gleich zu nicht unterbrochenen Kontaktelementen mit Ausspa
rungen, die als Kurzschlußwicklung wirken.
Die Oberfläche der Kontaktelemente 2 aus Lötmetall wird heute
vom Anwender als Stand der Technik gefordert, und die
Schweißverbindung ist fester als eine Lötverbindung und
gestattet den Einsatz von Wickeldrähten mit warm- oder
hochwarmfester Lackisolation für den Bauelementeeinsatz bei
Temperaturen <125°C. Weiterhin ist ein Umspritzen mit Hoch
temperaturthermoplasten möglich, wie es in der DE-40 23 141-A1
beschrieben ist. Schließlich benötigt das Laserschweißen nur
Schweißzeiten in der Größenordnung von ms und ermöglicht
damit Zykluszeiten unter 1 s, die aus Kostengründen erforder
lich sind.
Claims (7)
1. Chip-Induktivität, insbesondere Luftspule, Drossel oder
Übertrager, mit einem massiven Kernteil aus ferromagnetischem
oder elektrisch nicht leitendem Werkstoff, insbesondere
Ferrit, Keramik oder Kunststoff, mit einem ein- oder mehrla
gig bewickelbaren und gegenüber parallelen Stirnenden des
Kernteils abgesetzten Wickelraum, bei der die Wicklungsenden
mit stirnseitig angeordneten Kontaktelementen verschweißt
sind,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wicklungsenden (9) mittels einer indirekten Laser
schweißung an den Kontaktelementen (2) befestigt sind, daß
die Kontaktelemente (2) einen Überzug aus einem Lotmetall
besitzen, und daß die Kontaktelemente (2) eine Aussparung (7)
aufweisen, die als An- und Abwickelstelle ausgelegt ist und
gleichzeitig als Abschirm- und Schweißmaterial bei der indi
rekten Laserschweißung dient.
2. Chip-Induktivität nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Überzug aus Zinn oder einer Zinn/Bleilegierung be
steht.
3. Chip-Induktivität nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktelemente (2) als Systemträger (1) ausgebildet
sind.
4. Chip-Induktivität nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktelemente (2) einen derartigen Schlitz (3)
aufweisen, daß die dreidimensionale Positionierung des Kern
teils (4) im Systemträger (1) erhalten bleibt und die Kon
taktelemente (2) im Schlitz (3) unterbrochen sind.
5. Chip-Induktivität nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktelemente (2) an den Stirnenden (8) des Kern
teils (4) mittels eines Klebers befestigt sind.
6. Chip-Induktivität nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktelemente (2) aus CuSn6 mit einem Lötme
tallüberzug bestehen.
7. Chip-Induktivität nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wicklungsdrähte (6) aus, vorzugsweise hochtemperatur
festem, Kupferlackdraht bestehen.
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