DE4431071C2 - Resonatoranordnung - Google Patents
ResonatoranordnungInfo
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- H01Q13/18—Resonant slot antennas the slot being backed by, or formed in boundary wall of, a resonant cavity ; Open cavity antennas
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Description
Die Erfindung betrifft eine Resonatoranordnung. Eine der
artige Resonatoranordnung dient zur Erzeugung und Detek
tion und in Verbindung mit einem Strahlerelement zur Ab
strahlung und zum Empfang elektromagnetischer Wellen, ins
besondere im Millimeterwellen-Bereich.
Resonatoranordnungen sind insbesondere als Hohlraumresona
toren, dielektrische Resonatoren, Streifenleitungsresona
toren und Schlitzresonatoren gebräuchlich. Zur Stabilisie
rung der Resonanzfrequenz ist es bekannt, einen Oszillator
an einen Resonanzraum (cavity) anzukoppeln, siehe z. B.
IEEE Trans. on Antennas and Propagation, Vol. AP-15, pp.
119-126, 1963 oder IEEE Trans. on Microwave Theory and
Techniques, Vol. MTT-33, pp. 1603-1610, 1985. Als Strahlerele
mente kommen insbesondere Aperturstrahler, wie z. B. Schlitzan
tennen in Betracht.
Aus der Schrift US 4054875 ist ein mikroelektronische Resonator
anordnung bekannt, welche einen dielektrischen Resonator mit ei
ner im Mikrowellenbereich arbeitenden Diode kombiniert. In be
vorzugter Weise wird hierbei der Resonator aus GaAs hohen Wider
standes mittels Zerspanung hergestellt. Dieser Resonator umfasst
einen Hohlraum, in welchem sich die Mikrowellendiode befindet.
Die Mikrowellendiode und deren Zuleitung weisen eine Dipolanord
nung auf deren Resonanzfrequenz die Abmessungen des Hohlraum an
gepaßt sind.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine vorteilhafte Re
sonatoranordnung, insbesondere für den Millimeterwellenbereich
anzugeben.
Die Erfindung ist im Patentanspruch 1 beschrieben. Die Unteran
sprüche enthalten vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbil
dungen der Erfindung.
Die erfindungsgemäße Resonatoranordnung vereint in sich eine
Reihe vorteilhafter Eigenschaften.
Der aus Halbleitermaterial bestehende Resonatorkörper ermöglicht
die monolithische Integration eines aktiven Bauelements. Hier
durch ist auch eine sehr effektive Ankopplung des aktiven Bau
elements an den Resonator ohne Zuleitungen gegeben. Durch die
monolithische Integration des Bauelements mit dem Resonatorkör
per ergibt sich auch ein sehr geringer Flächenbedarf. Dies tritt
noch in verstärktem Maße ein durch Integration eines Strahler
elements als Struktur in der Metallisierung des Resonatorkör
pers, inbesondere als Schlitzstrahler.
Das Halbleitermaterial ist für den Einsatz als Resonatorkörper
hochohmig ausgeführt. Durch die allseitige Metallisierung können
keine undefiniert sich ausbreitenden Oberflächenwellen entste
hen. Die Resonatoranordnung besitzt eine hohe Güte und einen ho
hen Strahlungswirkungsgrad. Die
Metallisierung trägt zur verbesserten Abfuhr der im akti
ven Bauelement enthaltenden Verlustleistung bei.
Die erfindungsgemäße Anordnung ist mit Standardverfahren
der Halbleitertechnologie kostengünstig und rationell her
stellbar.
Die Erfindung ist nachfolgend an einem bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel unter Bezugnahme auf die Abbildung noch ein
gehend veranschaulicht. Diese zeigt eine Resonatoranord
nung in der Draufsicht und in zwei senkrecht durch die Re
sonatormitte verlaufenden Schnitten.
In einer Oberfläche eines Resonatorkörpers aus Halbleiter
material 2 wird in bekannter Weise ein aktives Halbleiter
bauelement 1 erzeugt. Das Halbleitermaterial 2 ist hochoh
mig und somit verlustarm.
Das Halbleiterbauelement ist beispielsweise eine IMPATT-
Diode oder ein Heterobipolar-Transistor. Je nach Anwen
dungsfall kann das Halbleiterbauelement aber auch durch
andere bekannte aktive Elemente oder Kombinationen von
Halbleiter-Bauelementen gebildet sein.
Das Halbleitermaterial 2 dient somit sowohl als Dielektri
kum des Resonatorkörpers als auch als einkristallines Sub
strat für das Bauelement. Der Resonatorkörper ist mit Aus
nahme von Strukturen zur Anregung und Abstrahlung bzw.
Empfang und Detektion elektromagnetischer Wellen, insbe
sondere Millimeterwellen, allseitig mit einer Metallisie
rung versehen und bildet somit einen mit Dielektrikum ge
füllten Hohlraumresonator.
Im skizzierten Beispiel ist in der Metallisierung ein
Schlitz 4 ausgespart, der zugleich als Anregungsstruktur
für die Ankopplung des aktiven Elements 1 an den Resonator
und als Strahler zur Abstrahlung oder zum Empfang elek
tromagnetischer Wellen dient. Das aktive Dioden-Element
ist hierfür hochfrequenzmäßig mit seinen beiden Polen mit
den gegenüberliegenden Längskanten des Schlitzes verbunden
und in der Mitte der Schlitzstruktur bezüglich deren
Längsrichtung angeordnet. Zur Ansteuerung des aktiven Di
oden-Elements 1 durch eine Gleichspannung ist eine Konden
satoranordnung vorgesehen, welche eine von der Metallisie
rung 3 durch eine Isolierschicht 6 getrennte metallische
Kondensatorfläche 5 auf einer Seite der Anregungs-Schlitz
struktur umfaßt. Die Kondensatorfläche 5 ist mittels eines
von der Metallisierung 3 isolierten Anschlußsteges 7 mit
einem Pol des aktiven Dioden-Elements 1 verbunden, dessen
anderer Pol an die Metallisierung 3 an der gegenüberlie
genden Schlitzseite angeschlossen ist. Die externen An
schlüsse an die Metallisierung 3 und die Kondensatorfläche
5 zur Gleichspannungsversorgung sind nicht eingezeichnet.
Die Kondensatorfläche 5 bildet eine entkoppelte Gleich
spannungszuführung und zugleich für die hochfrequenten Si
gnale im Millimeterwellenbereich einen Kurzschluß gegen
die darunterliegende Metallisierung. Hierdurch braucht die
allseitige Metallisierung 3 nicht zusätzlich für die ent
koppelte Gleichspannungszuführung strukturiert zu werden.
Der Resonatorkörper, der bereits als Wärmesenke für die in
dem aktiven Element anfallende Verlustwärme dient, kann
mit der dem aktiven Bauelement 1 abgewandten Fläche auf
einen weiteren wärmeableitenden Trägerkörper befestigt
werden. Die Metallisierung unterstützt dabei die Wärmeab
leitung durch schnellere Verteilung über die Oberfläche
des Resonatorkörpers.
Die Resonanzfrequenz des Resonatorkörpers kann über die
Dimensionen des Körpers präzise eingestellt werden, wofür
wiederum die hochgenauen Strukturierungsmöglichkeiten der
gebräuchlichen Halbleitertechnologien von besonderem Vor
teil sind. Die Resonanzfrequenz hängt noch in bekannter
Weise ab von der Dielektrizitätskonstanten des Halbleiter
materials 2.
Die Herstellung der erfindungsgemäßen Resonatoranordnungen
kann vorteilhafterweise in wesentlichen Prozeßschritten
für eine Mehrzahl von Anordnungen gleichzeitig mit bekann
ten und bewährten Mitteln der Halbleitertechnologie erfol
gen.
Auf einer Halbleiterscheibe (wafer), auf welcher eine Un
terteilung in eine Mehrzahl von Flächen für die einzelnen
Resonatoranordnungen vorgesehen ist, werden z. B. mittels
photolithographischer Strukturierung, Diffusions- oder
Implantationsdotierung, epitaktischer Kristallwachstums
verfahren etc. gleichzeitig für alle Resonatoranordnungen
die aktiven Halbleiterbauelemente erzeugt.
Anschließend wird ganzflächig eine Metallisierungsschicht
abgeschieden und entsprechend der vorgesehenen Strukturen
für die Ankopplung und ggf. eine Aperturantenne struktu
riert und schließlich durch weitere Schichtabscheidungen
und Strukturierungen die Kondensatoranordnungen herge
stellt.
Nach Trennung der einzelnen Resonatoranordnungen werden
die übrigen Flächen der Resonator-Halbleiterkörper metal
lisiert.
Die Trennung der einzelnen Resonatorkörper aus dem Wafer
verband kann vorteilhafterweise mittels eines (z. B. im
einkristallinen Halbleitermaterial orientierungsselekti
ven, anisotropen) Ätzverfahrens erfolgen, was zum einen
eine sehr präzise Dimensionierung der Resonatorkörper
durch photolithographische Erzeugung der Trennlinien be
nachbarter Resonatorkörper als Angriffsflächen für den
Ätzvorgang ermöglicht und zum anderen besonders ebene
(z. B. schräge) Seitenflächen liefert. Der Neigungswinkel
der Seitenflächen ist abhängig von der Kristallorientie
rung des Wafers. Beim Ätzen wird die Ätztiefe z. B. etwas
tiefer als die gewünschte Dicke der Resonatorkörper aber
geringer als die Waferdicke gewählt und zur Trennung der
einzelnen Resonatorkörper wird der Wafer von der der
strukturierten Seite abgewandten Fläche her bis auf die
gewünschte Resonatordicke abgetragen, z. B. durch Schleifen
oder Polieren.
Die Form des Resonatorkörpers ist an sich beliebig. Für
die Trennung der Resonatorkörper durch orientierungsselek
tives Grabenätzen sind gerade Begrenzungslinien günstig.
Claims (7)
1. Resonatoranordnung mit folgenden Merkmalen
ein dielektrischer Resonatorkörper (2) ist allseitig me tallisiert (3)
der Resonatorkörper besteht aus einkristallinem Halblei termaterial
auf dem Halbleitermaterial ist auf einer Seite ein aktives Halbleiterbauelement (1) monolithisch integriert
die Metallisierung (3) weist im Bereich des aktiven Halb leiterbauelements (1) zur Ankopplung des Bauelements an den Resonatorkörper eine Öffnung (4) auf.
ein dielektrischer Resonatorkörper (2) ist allseitig me tallisiert (3)
der Resonatorkörper besteht aus einkristallinem Halblei termaterial
auf dem Halbleitermaterial ist auf einer Seite ein aktives Halbleiterbauelement (1) monolithisch integriert
die Metallisierung (3) weist im Bereich des aktiven Halb leiterbauelements (1) zur Ankopplung des Bauelements an den Resonatorkörper eine Öffnung (4) auf.
2. Resonatoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Resonatorkörper (2) als flache Scheibe ausgeführt ist.
3. Resonatoranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Halbleitermaterial orientierungsselektiv ätzbar ist,
und daß die Seitenflanken des Resonatorkörpers (2) Ätzflanken
eines orientierungsselektiven Ätzprozesses sind.
4. Resonatoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß in der Metallisierung (3) eine
schlitzförmige Öffnung (4) vorhanden ist.
5. Resonatoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da
durch gekennzeichnet, daß in der Metallisierung (3) eine Öff
nung (4) als Apertur-Antennenstruktur vorhanden ist.
6. Resonatoranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß eine schlitzförmige Öffnung (4) in der Metallisierung
(3) zur Ankopplung des Bauelements (1) an den Resonatorkörper
(2) und zugleich als Aperturantenne dient.
7. Resonatoranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichstromzuführung (7) zu ei
nem der Pole des Bauelements (1) über eine integrierte Konden
satoranordnung (5) erfolgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4431071A DE4431071C2 (de) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Resonatoranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4431071A DE4431071C2 (de) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Resonatoranordnung |
Publications (2)
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DE4431071A1 DE4431071A1 (de) | 1996-03-07 |
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ID=6527113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE4431071A Expired - Fee Related DE4431071C2 (de) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Resonatoranordnung |
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Families Citing this family (1)
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DE10156255A1 (de) * | 2001-11-09 | 2003-05-22 | Bosch Gmbh Robert | Hochfrequenz-Oszillator für eine integrierte Halbleiterschaltung und dessen Verwendung |
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- 1994-09-01 DE DE4431071A patent/DE4431071C2/de not_active Expired - Fee Related
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