DE4425110C1 - Wäßriges Bad für die galvanische Abscheidung von Palladiumüberzügen, Verfahren der galvanischen Abscheidung sowie Verwendung des Bades - Google Patents
Wäßriges Bad für die galvanische Abscheidung von Palladiumüberzügen, Verfahren der galvanischen Abscheidung sowie Verwendung des BadesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein wässeriges Bad für die galvanische Abscheidung von Palladium-Über
zügen, das 5-50 g/l Palladium als Aminpalladiumdihalogenid, Ammoniumbromid,
10-150 g/l Amidosulfonsäure und/oder Ammoniumsulfamat und ein Pyridin-Derivat enthält und
einen mit Ammoniumhydroxid eingestellten pH-Wert von 6,5-10 aufweist, ein Verfahren zur
galvanischen Abscheidung von Palladium-Überzügen daraus und deren Verwendung.
Nach der deutschen Offenlegungsschrift 30 45 968 lassen sich duktile, porenfreie und haftfeste
Palladium-Beschichtungen aus einem Bad galvanisch abscheiden, das 5-50 g/l Palladium
amminchlorid und/oder -bromid, 10-150 g/l Sulfamidsäure und 10-150 g/l Ammoniumchlorid
enthält und einen pH-Wert von etwa 6,5-10,0 aufweist. Die Palladium-Beschichtungen sind
besonders für elektrische Kontakte geeignet.
Aus der deutschen Patentschrift 33 17 493 ist ein wässeriges Bad für die galvanische Abschei
dung von Palladium-Überzügen bekannt, das 5-50 g/l Palladium als Tetramminpalladiumdibro
mid, 10-150 g/l Ammoniumbromid, 10-150 g/l Amidosulfonsäure und/oder Ammoniumsulfa
mat und als Pyridin-Derivat 1-20 g/l Nicotinsäure und/oder 0,1 mg/l-0,5 g/l Nicotinsäureamid
enthält und einen pH-Wert von 6,5-10 aufweist. Aus diesem Bad lassen sich bei einer Tempe
ratur von 20-50°C und einer Stromdichte von 0,1-20 Ndm² haftfeste, duktile, glänzende und
poren- und rißfreie Palladium-Überzüge mit einer Schichtdicke von 0,5-10 Mikrometer ab
scheiden.
Die deutsche Offenlegungsschrift 3347 384 betrifft ein galvanisches Palladium-Bad, das als
Komplexbildner Pyridin oder ein Pyridin-Derivat enthält und dadurch die schnelle Abscheidung
von glänzenden, hochduktilen, haftfesten, riß- und porenfreien Palladium-Schichten ermöglicht.
Die aus dem Bad gemäß der deutschen Patentschrift 33 17 493 abgeschiedenen Palladium-
Überzüge sind für die Verwendung auf dem Gebiet der elektrischen Kontakte sehr gut geeignet,
können aber, da nur unzureichend bondbar, zur Herstellung elektrischer Verbindungen durch
Bonden nicht benutzt werden. Das Bonden ist ein in der Halbleitertechnik angewandtes Verfah
ren zur Herstellung elektrischer Verbindungen zwischen den Kontaktstellen der Chips und den
internen Anschlußflächen der Systemträger unter Verwendung sehr feiner Drähte, der Bond
drähte, die häufig aus Gold oder Gold-Legierungen bestehen. Die Bondanschlüsse werden
durch Ultraschallschweißen, Thermokompression beziehungsweise das Thermosonic-Verfah
ren hergestellt. Die externen Anschlüsse zur gedruckten Schaltung werden meist durch Löten
hergestellt.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Bad der eingangs charakterisierten Art und ein Verfahren
für die galvanische Abscheidung von Palladium-Überzügen daraus zu finden, womit sich zur
Herstellung elektrischer Verbindungen durch Löten und Bonden geeignete Palladium-Überzüge
erzeugen lassen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Bad gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist, daß
zu seiner Herstellung Diamminpalladiumdichlorid als Palladium-Quelle verwendet wird und es
0,01-2 g/l des Pyridin-Derivats und Bromid und Chlorid in einem Mol-Verhältnis von 3 zu 1
enthält.
Das Bad mit einem pH-Wert von 8-9 hat sich besonders bewährt.
Zur Verwendung in dem Bad gemäß der Erfindung geeignete Pyridin-Derivate sind zum Bei
spiel Methyl-, Hydroxymethyl-, Formyl-, Acetyl- und Sulfopropylpyridin,
Hydroxy- und Sulfopolyethoxymethylpyridine der allgemeinen Formel I
Hydroxy- und Sulfopolyethoxymethylpyridine der allgemeinen Formel I
mit R = Hydroxy- oder Sulfo-Gruppe und m = 4-8,
Carboxymethylenoxy-polyethoxymethylpyridine der allgemeinen Formel II
Carboxymethylenoxy-polyethoxymethylpyridine der allgemeinen Formel II
mit n = 3-7 und die Ester und Amide davon und
Pyridiniumverbindungen, wie das Pyridinium-N-propylsulfonat und seine 4-Formyl- und 4-Carbamoylderivate.
Pyridiniumverbindungen, wie das Pyridinium-N-propylsulfonat und seine 4-Formyl- und 4-Carbamoylderivate.
Besonders bewährt haben sich Nicotinsäure, Nicotinsäureamid und N-substituierte Nicotinsäu
reamide, wie zum Beispiel N,N-Dimethylnicotinsäureamid.
Das Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Palladium-Überzügen aus dem Bad gemäß
der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das Bad bei einer Temperatur von 20-50°C
und einer Stromdichte von 0,1-20 A/dm² betrieben wird. In günstiger Weise kann auch mit ei
nem Bad, das Raumtemperatur aufweist, gearbeitet werden.
Unter diesen Bedingungen lassen sich lötbare, haftfeste und rißfreie Überzüge mit Schichtdic
ken im Bereich von 0,01-0,5 Mikrometer abscheiden. Überraschenderweise besitzen die aus
dem Bad und nach dem Verfahren gemäß der Erfindung abgeschiedenen Palladium-Überzüge
auch eine sehr gute Bondbarkeit, die - so wird vermutet - wesentlich auf dem ausgewählten
Bromid/Chlorid-Mol-Verhältnis und dem Zusammenwirken von Bromid, Chlorid und Pyridin-De
rivat beruht.
Die unter Einsatz der aus dem Bad und nach dem Verfahren gemäß die Erfindung erzeugten
Palladium-Überzüge hergestellten gebondeten Verbindungen zeichnen sich durch ihre hohe
Haftfestigkeit und Zuverlässigkeit aus, so daß sich die Palladium-Überzüge sehr gut als interne
Anschlußflächen von Systemträgern verwenden lassen. Da sie - aufgrund ihrer Lötbarkeit -
ebenso als externe Anschlußflächen geeignet sind, wird durch die Erfindung die Möglichkeit ge
schaffen, die sonst übliche Verzinnung der für die externen Anschlüsse vorgesehenen Flächen
einzusparen und die internen und externen Anschlußflächen durch galvanische Abscheidung in
nur einem Verfahrensschritt aus einem einzigen Bad zu erzeugen. Vorteilhafterweise bildet
dann der Palladium-Überzug in Form einer durchgehenden Deckschicht die Oberfläche des Sy
stemträgers, so daß auch das sonst erforderliche aufwendige selektive Galvanisieren entfällt.
Die Palladium-Überzüge lassen sich beispielsweise auf Kupfer, Kupfer-Legierungen, wie Kup
fer/Beryllium und Messing, Nickel und Nickel-Legierungen abscheiden.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung werden in den folgenden Beispielen ein Bad gemäß der
Erfindung und - zum Vergleich dazu - zwei bekannte Bäder und die Abscheidung von Palladi
um-Überzügen daraus beschrieben. Zur Prüfung, ob die abgeschiedenen Palladium-Überzüge
bondbar sind oder nicht, wird die Kraft zum Abreißen (Abreißkraft) von damit verbundenen
Gold-Bonddrähten bestimmt.
Es wird eine Lösung aus Wasser und
15 g/l Pd als Pd(NH₃)₂Cl₂,
80 g/l NH₄Br,
50 g/l Amidosulfonsäure und
10 mg/l Nicotinsäureamid
80 g/l NH₄Br,
50 g/l Amidosulfonsäure und
10 mg/l Nicotinsäureamid
hergestellt und mit NH₄OH auf einen pH-Wert von 8,7 eingestellt. Aus diesem Bad mit einer
Temperatur von 24°C werden mit einer Stromdichte von 3 A/dm² auf vernickelten
CuFe2-Blechen Palladium-Überzüge mit einer Schichtdicke von etwa 0,05 Mikrometer abge
schieden. Die Überzüge sind haftfest, rißfrei, lötbar und bondbar.
Es wird eine Lösung aus Wasser und
15 g/l Pd als Pd(NH₃)₂Cl₂,
80 g/l NH₄Cl,
50 g/l Amidosulfonsäure und
10 mg/l Nicotinsäureamid
80 g/l NH₄Cl,
50 g/l Amidosulfonsäure und
10 mg/l Nicotinsäureamid
hergestellt und mit NH₄OH auf einen pH-Wert von 8,7 eingestellt. Aus diesem Bad mit einer
Temperatur von 24°C werden mit einer Stromdichte von 3 A/dm² auf vernickelten
CuFe2-Blechen Palladium-Überzüge mit einer Schichtdicke von etwa 0,05 Mikrometer abge
schieden. Die Überzüge sind haftfest, rißfrei und lötbar.
Es wird eine Lösung aus Wasser und
15 g/l Pd als Pd(NH₃)₄Br₂,
80 g/l NH₄Br,
50 g/l Amidosulfonsäure und
10 mg/l Nicotinsäureamid
80 g/l NH₄Br,
50 g/l Amidosulfonsäure und
10 mg/l Nicotinsäureamid
hergestellt und mit NH₄OH auf einen pH-Wert von 8,7 eingestellt. Aus diesem Bad mit einer
Temperatur von 24°C werden mit einer Stromdichte von 3 Ndm² auf vernickelten
CuFe2-Blechen Palladium-Überzüge mit einer Schichtdicke von etwa 0,05 Mikrometer abge
schieden. Die Überzüge sind haftfest, rißfrei und lötbar.
Unter Verwendung der gemäß den Beispielen mit einem Palladium-Überzug versehenen ver
nickelten CuFe2-Bleche und von Gold-Bonddrähten mit einem Durchmesser von 25 Mikrometer
werden Bondanschlüsse nach dem Thermosonic-Verfahren hergestellt. Die Abreißkraft der
Bondanschlüsse wird durch sogenannte Pull-Tests (Pulltester: Precima MCT 15) bestimmt, wo
bei mittels eines kleinen Hakens bei stereomikroskopischer Betrachtung die Drahtschleife an
der Bondstelle abgerissen und die dazu erforderliche Abreißkraft über eine Kraftmeßzelle regi
striert wird.
Die in jeweils 40 Pull-Tests ermittelten Minimum-, Mittel- und Maximum-Werte der Abreißkraft
werden in der Tabelle angegeben. Der Vergleich der Werte zeigt, daß die Bondstellen auf den
aus dem erfindungsgemäßen Bad abgeschiedenen Palladium-Überzügen die größte Haftfestig
keit besitzen.
In der Praxis besitzen die Minimum-Werte eine besondere Bedeutung für die Bewertung der
Bondbarkeit. Von fehlender Bondbarkeit wird bei Werten unterhalb von 4 cN (Centinewton) ge
sprochen; denn dann treten Ausfälle durch Bruch an den Bondstellen auf, wenn die gebondeten
Halbleiterbauelemente zum Schutz gegen mechanische und atmosphärische Einflüsse mit
Kunststoff umhüllt werden. Bei den Palladium-Überzügen gemäß der Erfindung beträgt der Mi
nimum-Wert 5,2 cN. Damit ist beim Einspritzen der viskosen Kunststoffpreßmasse eine zuver
lässige Haftfestigkeit der Bondstellen gewährleistet.
Claims (7)
1. Wässeriges Bad für die galvanische Abscheidung von Palladium-Überzügen, das 5-50 g/l
Palladium als Aminpalladiumdihalogenid, Ammoniumbromid, 10-150 g/l Amidosulfon
säure und/oder Ammoniumsulfamat und ein Pyridin-Derivat enthält und einen mit Ammo
niumhydroxid eingestellten pH-Wert von 6,5-10 aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß
zu seiner Herstellung Diaminpalladiumdichlorid als Palladium-Quelle verwendet wird und
es 0,01-2 g/l des Pyridin-Derivats und Bromid und Chlorid in einem Mol-Verhältnis von 3
zu 1 enthält.
2. Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es einen pH-Wert von 8-9 aufweist.
3. Bad nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß es als Pyridin-Derivat Nicotin
säure oder Nicotinsäureamid enthält.
4. Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Palladium-Überzügen unter Verwendung ei
nes Bades nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad bei
einer Temperatur von 20-50°C und einer Stromdichte von 0,1-20 A/dm² betrieben wird.
5. Verwendung des Bades nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zur Abscheidung von Palla
dium-Überzügen als interne Anschlußflächen von Systemträgern.
6. Verwendung des Bades nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zur Abscheidung von Palla
dium-Überzügen als externe Anschlußflächen von Systemträgern.
7. Verwendung des Bades nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zur Abscheidung von Palla
dium-Überzügen als durchgehende löt- und bondbare Deckschichten von Systemträgern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944425110 DE4425110C1 (de) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | Wäßriges Bad für die galvanische Abscheidung von Palladiumüberzügen, Verfahren der galvanischen Abscheidung sowie Verwendung des Bades |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19944425110 DE4425110C1 (de) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | Wäßriges Bad für die galvanische Abscheidung von Palladiumüberzügen, Verfahren der galvanischen Abscheidung sowie Verwendung des Bades |
Publications (1)
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---|---|
DE4425110C1 true DE4425110C1 (de) | 1995-10-26 |
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ID=6523297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944425110 Expired - Fee Related DE4425110C1 (de) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | Wäßriges Bad für die galvanische Abscheidung von Palladiumüberzügen, Verfahren der galvanischen Abscheidung sowie Verwendung des Bades |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4425110C1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004005589A1 (fr) * | 2002-07-04 | 2004-01-15 | Metalor Technologies International S.A. | Bain pour depôt electrolytique d’or |
CN105332022A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-17 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 一种含亚硝酸钠、溴化异丙基三苯基磷鎓的钯电镀液及其电镀方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3045968A1 (de) * | 1979-12-06 | 1981-09-03 | Bunker Ramo Corp., Oak Brook, Ill. | Elektrolytisches bad, herstellung von palladiumbeschichtungen unter verwendung des elektrolytischen bades und regenerierung des elektrolytischen bades |
DE3347384A1 (de) * | 1983-12-29 | 1985-07-11 | Inovan-Stroebe GmbH & Co KG, 7534 Birkenfeld | Palladiumbad |
DE3317493C2 (de) * | 1983-05-13 | 1988-01-14 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De |
-
1994
- 1994-07-15 DE DE19944425110 patent/DE4425110C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3045968A1 (de) * | 1979-12-06 | 1981-09-03 | Bunker Ramo Corp., Oak Brook, Ill. | Elektrolytisches bad, herstellung von palladiumbeschichtungen unter verwendung des elektrolytischen bades und regenerierung des elektrolytischen bades |
DE3317493C2 (de) * | 1983-05-13 | 1988-01-14 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De | |
DE3347384A1 (de) * | 1983-12-29 | 1985-07-11 | Inovan-Stroebe GmbH & Co KG, 7534 Birkenfeld | Palladiumbad |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004005589A1 (fr) * | 2002-07-04 | 2004-01-15 | Metalor Technologies International S.A. | Bain pour depôt electrolytique d’or |
CN105332022A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-17 | 无锡市嘉邦电力管道厂 | 一种含亚硝酸钠、溴化异丙基三苯基磷鎓的钯电镀液及其电镀方法 |
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D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
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Owner name: W. C. HERAEUS GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE |
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Effective date: 20110201 |