DE4417235A1

DE4417235A1 - Plasmapolymer-Schichtenfolge als Hartstoffschicht mit definiert einstellbarem Adhäsionsverhalten

Info

Publication number: DE4417235A1
Application number: DE19944417235
Authority: DE
Inventors: Martin Dr Grischke; Klaus Trojan
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date: 1993-05-21
Filing date: 1994-05-17
Publication date: 1994-11-24

Description

Amorphe Kohlenwasserstoff-(a-C:H) oder auch "Diamond Like Carbon" (DLC) Schichten sind dünne Schichten in einem typischen Dickenbereich von 1 µm bis 5 µm und allgemein bekannt. Sie sind vielfältig in der Literatur beschrieben (z. B. J. Robertson "Amorphous Carbon" in Advances in Physics, 1986, Vol. 35, No. 4, S. 317-374). Diese Schichten, auch als Plasmapolymerschichten (Hartstoffschichten) bekannt, werden u. a. in einem PECVD- Prozeß (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) hergestellt. Durch das Anlegen einer HF-Spannung (13.56 MHz) an zwei, in einem Hochvakuum befindliche Elektroden, wird nach dem Einleiten eines geeigneten Gases ein Plasma gezündet und das zu beschichtende Substrat in einem kathodischen Abscheidungsprozeß beschichtet. Der Rezipient, elektrisch auf Nullpotential geschaltet, übernimmt gleichzeitig die Funktion der Gegenelektrode. Als Plasmagase werden üblicherweise reaktive Kohlenwasserstoffgase, insbesondere Acetylen (C₂H₂) verwendet. Die Kohlenwasserstoffmoleküle werden dabei im Plasma in unterschiedliche Bruchstücke aufgespalten und teilweise positiv ionisiert. Die positiv gela denen Teilchen werden in Richtung des auf negativem Potential liegenden Substrates be schleunigt auf dem Substrat abgeschieden und polymerisieren dort als Kohlenwasserstoffschicht. Die auf diese Weise entstehenden Hartstoffschichten zeichnen sich durch besondere Eigenschaften wie z. B. hohe Härte, geringer Verschleiß (Abrieb), kleine Reibwerte (Kenngröße für Reibkräfte zwischen zwei Flächen, z. B. bei Kugellagern), hohe Kratzfestigkeit und chemische Resistenz gegenüber Säuren, Laugen und Lösungsmitteln aus.

Eine weitere Eigenschaft, die man nutzen möchte, ist das Benetzungsverhalten derartiger C-H-Schichten gegenüber Flüssigkeiten bzw. das Adhäsionsverhalten überhaupt gegenüber Gasen, Flüssigkeiten und Festkörpern. Diese Eigenschaften, d. h. ob sich beispielsweise ei ne Flüssigkeit auf einer Oberfläche ausbreitet oder als kugelförmiger Tropfen ausbildet, hän gen direkt von der Oberflächenenergie der abgeschiedenen Schicht ab. Durch eine geeig nete Prozeßführung, z. B. Druck, Gasfluß, Bias (negative Substratspannung) usw. bei der Schichtabscheidung kann auf die Oberflächenenergie der abgeschiedenen Schicht aber nur geringfügig Einfluß genommen werden.

Um aber diese Schichten mit ihren besonderen Eigenschaften, wie z. B. große Härte und geringer Verschleiß, einem noch wesentlich breiteren Anwendungsgebiet zugänglich zu machen, reicht die Möglichkeit nur geringfügig auf die Oberflächenenergie und damit auf das Benetzungs- bzw. Adhäsionsverhalten Einfluß nehmen zu können bei weitem nicht aus.

In der Literatur (z. B. B. Tietke "Langmuir-Blodqett Films for Electronic Applications" in Advanced Materials 2, 1990, No. 5) wird eine Möglichkeit zur Einflußnahme auf die Oberflächenenergie und damit das Benetzungsverhalten beschrieben, bei der zusätzlich Polymerschichten (Wachsschichten) aufgetragen werden. Neben dem Nachteil der nur geringfügigen Variationsmöglichkeit und geringfügigen Einflußnahmemöglichkeit auf die Oberflächenenergie ist hier noch zusätzlich nachteilig, daß das Anwendungsgebiet weiter eingeschränkt wird, da diese Wachsschichten die Eigenschaften einer Hartstoffschicht (z. B. Härte, Verschleißfestigkeit usw.) nicht besitzen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde Hartstoffschichten anzugeben, die die Nachteile des Standes der Technik nicht aufweisen.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, Hartstoffschichten anzugeben, die eine hohe Härte, einen geringen Verschleiß, kleine Reibwerte, hohe Kratzfestigkeit und chemische Resistenz gegenüber Säuren, Laugen und Lösungsmitteln hat.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, daß das Benetzungs- bzw. Adhäsionsverhalten dieser anzugebenden Hartstoffschichten mit hoher Härte, geringem Verschleiß usw. entsprechend dem jeweiligen Anwendungsfall definiert einstellbar ist.

Somit besteht die Aufgabe der Erfindung auch darin, eine Hartstoffschicht mit hoher Härte, geringem Verschleiß, kleiner Reibwerte, hoher Kratzfestigkeit und chemischer Resistenz gegenüber Säuren, Laugen und Lösungsmittel anzugeben, die einem breiten Anwendungsbereich zugänglich ist.

Desweiteren ist es Aufgabe der Erfindung eine Möglichkeit zur Herstellung dieser Hartstoffschichten zu nennen. Die Aufgabe, eine Möglichkeit zur Herstellung dieser Hartstoffschichten zu nennen, beinhaltet auch, daß diese Herstellung vorteilhafterweise auf einer bekannten Methode zur Schichtherstellung basieren sollte.

Diese Aufgabe wird die Schicht betreffend in den Ansprüchen 1 bis 5 und das Verfahren zur Herstellung dieser Schicht betreffend in den Ansprüchen 6 bis 13 erfindungsgemäß gelöst. Mögliche Anwendungsbereiche werden in den Ansprüchen 14 bis 17 genannt.

Die erfindungsgemäßen Plasmapolymer-Schichtenfolgen sind dabei Hartstoffschichten, die auf Substraten abgeschieden sind und aus einer Funktionsschicht bestehen, die neben den Basiselementen noch nichtmetallische und halbmetallische Elemente der 1., 3., 4., 5., 6. und/oder 7. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente enthält und die über herkömmliche PVD- oder CVD-Verfahren, z. B. einem Plasma-Enhanced-Chemical-Vapor- Deposition (PECVD)-Prozeß, herstellbar sind. Dabei sind die neben den Basiselementen in der Funktionsschicht enthaltenen nichtmetallischen bzw. halbmetallischen Elemente der 1., 3., 4., 5., 6. und/oder 7. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente in die Funktionsschicht derart eingebaut, daß in Abhängigkeit vom polaren bzw. dispersen Anteil der Oberflächenenergie der Gase, Flüssigkeiten und/oder Festkörper, mit denen diese Schichten kontaktiert werden, und dem gewünschten Adhäsionsverhalten die Stärke des polaren bzw. dispersen Anteils dieser Funktionsschichten definiert eingestellt werden kann. Für den Fall, daß die Funktionsschicht nicht problemlos auf dem Substrat aufzubringen ist, ist es vorteilhaft, wenn zwischen Substrat und Funktionsschicht eine der Haftvermittlung zwischen beiden dienende Zwischenschicht (beispielsweise eine mit Acetylen hergestellte Schicht) auf dem Substrat ist, an die sich dann direkt oder über eine Gradientenschicht die Funktionsschicht anschließt. Es ist günstig, wenn die Funktionsschicht eine Schicht auf der Basis von Kohlenstoff und Wasserstoff ist und 1at-% bis 70at-% der nichtmetallischen bzw. halbmetallischen Elemente der 1., 3., 4., 5., 6. und/oder 7. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente, vorzugsweise Fluor, Bor, Silizium, Stickstoff und/oder Sauerstoff, enthält. Im Regelfall wird mit den in der Funktionsschicht zusätzlich enthaltenen Elementen Fluor und Silizium eine Abnahme und mit Stickstoff und Sauerstoff eine Zunahme des Adhäsions- bzw. Benetzungsverhaltens gegenüber Wasser erreicht, was über eine gezielte Einstellung der Prozeßparameter beeinflußbar ist.

Allgemein setzt sich die Oberflächenspannung δ additiv aus dem polaren Anteil δ^p und dem dispersen Anteil δ^d zusammen und gilt sowohl für Festkörper als auch für Flüssigkeiten.

Die Adhäsionskräfte z. B. zwischen Substrat und Flüssigkeit werden bestimmt durch polar/ polar und dispers/dispers Wechselwirkungen. Es wurde gefunden, daß für das Benetzungs bzw. Adhäsionsverhalten weniger der Wert der gesamten Oberflächenspannung δ als vielmehr die Größe der polaren bzw. dispersen Anteile entscheidend ist. Wird z. B. eine polare Flüssigkeit mit einem unpolaren Festkörper in Kontakt gebracht, so ist das Benet zungsverhalten weit weniger ausgeprägt als bei Verwendung einer polaren Festkörperober fläche, obwohl die Oberflächenspannung in beiden Fällen identisch ist.

Es wurde nun überraschenderweise gefunden, daß es möglich ist, erfindungsgemäß Hartstoffschichten mit definiert einstellbarem Adhäsionsverhalten zu erhalten, wenn neben den Basiselementen, die vorzugsweise Kohlenstoff und Wasserstoff sind, noch nichtmetallische bzw. nicht vollständig metallische Zusatzelemente der 1., 3., 4., 5., 6. und/oder 7. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente, beispielsweise Fluor, Bor, Silizium, Stickstoff und/oder Sauerstoff, eingebaut sind. Welches bzw. welche der genannten Elemente in welcher Menge in die Funktionsschicht eingebaut werden, wird vom gewünschten Adhäsionsverhalten und von den Gasen, Flüssigkeiten und/oder Festkörpern, mit denen die Funktionsschichten kontaktiert werden, bestimmt. Das bedeutet, der Einbau erfolgt derart, daß das Adhäsionsverhalten bzw. Benetzungsverhalten der Funktions schichten in Abhängigkeit vom polaren bzw. dispersen Anteil der Oberflächenenergie der Gase, Flüssigkeiten und/oder Festkörper, mit denen diese Schichten kontaktiert werden, und dem polaren bzw. dispersen Anteil der Oberflächenenergie dieser Funktionsschichten definiert eingestellt werden kann. Dabei ist einerseits die Auswahl der in die Funktionsschicht einzubauenden Elemente wichtig, z. B. wird mit den in der Funktionsschicht zusätzlich enthaltenen Elementen Fluor und/oder Silizium eine Abnahme und mit Stickstoff und/oder Sauerstoff eine Zunahme des Adhäsions- bzw. Benetzungsverhaltens gegenüber Wasser erreicht, andererseits kommt aber auch der Wahl der Prozeßparameter, der Reaktivgase usw. eine große Bedeutung zu. So erreicht man beispielsweise ganz allgemein durch eine Erhöhung der negativen Self-Bias eine Zunahme und mit Erhöhung des Prozeßdruckes eine Abnahme der Oberflächenenergie.

Mit der erfindungsgemäßen Lösung kann somit erstmals das Benetzungs- bzw. Adhäsionsverhalten bei derartigen Schichten gezielt eingestellt und somit einem breiten Anwendungsgebiet nutzbar gemacht werden.

Erfindungsgemäß werden derartige Schichten mit dem bekannten PECVD-Prozeß hergestellt, indem ein die Funktionsschicht abscheidendes Reaktivgas und/oder Reaktivgasgemisch, welches das oder die Elemente, die in die Funktionsschicht eingebaut werden sollen, enthält, dem Prozeß zugeführt und die Funktionsschicht auf dem Substrat abgeschieden wird. Unter Umständen ist es zur besseren Haftung der Funktionsschicht auf dem Substrat vorteilhaft, daß vor Zuführung des Reaktivgases in den Prozeß eine der Haft vermittlung zwischen Substrat und Funktionsschicht dienende Zwischenschicht abgeschie den wird, wobei der dafür erforderliche Wechsel der Prozeßatmosphären ohne Unterbrechung, d. h. direkt, schlagartig oder allmählich schriftweise erfolgen kann. Günstig ist, wenn hierbei der Wechsel zwischen Zwischenschicht und Funktionsschicht über eine Gradientenschicht erfolgt, was durch einen schriftweisen Übergang der Prozeßatmosphäre von der die reine Zwischenschicht bildenden zu der die reine Funktionsschicht bildenden Prozeßatmosphäre erreicht werden kann. In Abhängigkeit vom Substratmaterial kann die der Haftvermittlung dienende Schicht z. B. aus einer Acetylen- oder Tetramethylsilanatmosphäre abgeschieden werden. Es wurde gefunden, daß für den Fall, daß Fluor als Zusatzelement in die Funktionsschicht eingebaut werden soll, es vorteilhaft ist, wenn eine reine C-H-Schicht als Zwischenschicht und diese vorzugsweise aus einer Acetylenatmosphäre abgeschieden wird.

Die Höhe des prozentualen Anteiles des oder der einzubauenden Elemente in der Schicht wird in Abhängigkeit vom polaren bzw. dispersen Anteil der Oberflächenenergie der Gase, Flüssigkeiten und/oder Festkörper, mit denen diese Schichten kontaktiert werden, und dem gewünschten Adhäsionsverhalten über eine geeignete Variation der Prozeßparameter und der bzw. des Reaktivgases definiert eingestellt.

Bevorzugt ist es, wenn als Reaktivgas für Fluor enthaltende Funktionsschichten C₂F₄, CF₄, HCF₃, Fluorchlorkohlenwasserstoffe und/oder Freone, für Silizium enthaltende Funktionsschichten Tetramethylsilan (TMS), Hexamethyldisiloxan (HMDSO), Hexamethyl disilazan (HMDSN), Tetraethylorthosilicat (TEOS) und/oder Silane, für Stickstoff enthaltende Funktionsschichten N₂, NH₃, CH₃CN und/oder N(C₂H₅)₃, für Sauerstoff enthaltende Funktionsschichten O₂, Alkohole, Ether und/oder Ester und für Bor enthaltende Funktionsschichten Borsäuretrimethylester eingesetzt werden.

Die in Anspruch 12 für die entsprechenden in die Funktionsschicht einzubauenden Elemente genannten bevorzugten Reaktivgase können bei dem Wunsch, mindestens zwei dieser Zusatzelemente in einer Funktionsschicht einzubauen, auch entsprechend, allerdings unter Beachtung der Verträglichkeit der einzelnen Reaktivgase miteinander, kombiniert werden.

Es hat sich gezeigt, daß die erfindungsgemäßen Hartstoffschichten vorteilhaft in der Haus haltswarenindustrie, vorzugsweise als Schutzschicht gegen Schmierungen, gegen Verschmutzung bzw. Verkalkung insbesondere auf Heizstäben, die mit Wasser in Kontakt kommen (z. B. Heizstäben in Waschmaschinen), in der Lackindustrie (z. B. als Schutzschicht in Düsen von Spritzpistolen oder in Förderpumpen) und Druckindustrie (z. B. bei Benetzungsproblemen in Druckmaschinen), in der Medizintechnik (z. B. Prothetik) und im allgemeinen Maschinenbau (z. B. Schmierung) verwendet werden können.

Das erfindungsgemäße Verfahren bietet erstmalig die Möglichkeit, Plasmapolymer- Schichten, die alle Eigenschaften aufweisen, die eine Hartstoffschicht auszeichnen, zu erhalten, deren Benetzungs- bzw. Adhäsionsverhalten definiert eingestellt werden kann. Das bietet den Vorteil, daß diese Schichten für ein breites Anwendungsgebiet nutzbar sind.

Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht in der Möglichkeit, die Schichten auch nach einer bekannten Schichtherstellungsmethode zu erhalten.

Die erfindungsgemäße Hartstoffschicht sowie das erfindungsgemäße Verfahren sollen an nachfolgenden Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.

Welches chemische Element bei der Schichtherstellung als Zusatzelement eingebaut wird, ist davon abhängig, ob die Oberflächenspannung bezogen auf die rein aus den Basisele menten bestehende Schicht gesteigert oder minimiert werden soll. Diesem Ziel entsprechend werden auch die Prozeßparameter eingestellt und variiert.

Tabelle 1 zeigt dabei den Einfluß unterschiedlicher Modifizierungselemente auf die Oberflächenspannung, während in Tabelle 2 in Verbindung mit Bild 1 unterschiedlich hergestellte Schichttypen bzgl. ihrer Oberflächenspannung (δ_s), den jeweiligen polaren (δ_s ^p) und dispersen (δ_s ^d) Anteilen und dem Benetzungsverhalten gegenüber Wasser in % dargestellt sind. 100% Benetzung bedeutet dabei ein völliges Spreiten (Breitlaufen) eines Wassertropfens auf einer Festkörperoberfläche. Demgegenüber bedeutet 0% Benetzung das genaue Gegenteil davon (Kugelform). Das Benetzungsverhalten wird durch den Kon taktwinkel, der mit handels-üblichen Meßgeräten gemessen wird, ausgedrückt. Dabei bedeuten 100% Benetzung einen Kontaktwinkel (KW) von 0°.

Beispielhaft werden im Folgenden einige Möglichkeiten zur definierten Einstellung des polaren bzw. dispersen Anteiles der Oberflächenenergie und die Auswahl der einzubauenden Elemente in Relation zum Medium, mit dem diese Schichten kontaktiert werden sollen, aufgezeigt.

1. Bei Herstellung einer Si-enthaltenden Funktionsschicht unter Verwendung von Tetramethylsilan als Reaktivgas läßt sich die Oberflächenenergie von im PECVD-Prozeß abgeschiedenen Hartstoffschichten durch Einstellen einer negativen Self-Bias an der HF- Elektrode von U_B = 0.4-1.8 kV im Bereich von δ^p = 1.5-5.0 mN/m für den polaren Anteil bzw. im Bereich von δ^d = 29.0-32.0 mN/m für den dispersen Anteil der Oberflächenenergie und durch Variation des Prozeßdruckes von P = 0.5-3.5 Pa im Bereich von δ^p = 7.0-2.5 mN/m für den polaren bzw. δ^d = 27.0-32.0 mN/m für den dispersen Anteil der Oberflächenenergie definiert einstellen. Das Benetzungsverhalten gegenüber Wasser liegt im Bereich von 60% bis 50%.
2. Ebenfalls bei Herstellung einer Si-enthaltenden Funktionsschicht aber unter Verwendung einer Mischung von Tetramethylsilan und Sauerstoff als Reaktivgas läßt sich die Oberflächenenergie der im PECVD-Prozeß abgeschiedenen Hartstoffschichten bei einem Gasflußverhältnis der beteiligten Gase von 1 : 0.05 bis 1 : 5, einer negativen Self-Bias an der HF-Elektrode von U_B = 1.0 kV und einem Prozeßdruck von P = 1.5 Pa für den polaren Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^p = 1.5-11.0 mN/m und für den dispersen Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^d = 32.0-22.0 mN/m definiert einstellen. Das zu erreichende Benetzungsverhalten gegenüber Wasser liegt dann im Bereich von 47% bis 57%.
3. Bei Herstellung einer Si- und O-enthaltenden Funktionsschicht unter Verwendung einer entsprechenden Mischung von Hexamethyldisiloxan und Sauerstoff als Reaktivgas läßt sich die Oberflächenenergie der im PECVD-Prozeß abgeschiedenen Hartstoffschichten bei einem Gasflußverhältnis der beteiligten Gase von 1 : 0.04 bis 1 : 4, einer negativen Self- Bias an der HF-Elektrode von U_B = 1.0 kV und einem Prozeßdruck von P = 1.5 Pa für den polaren Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^p = 1.5-4.5 mN/m und für den dispersen Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^d = 23.0-21.0 mN/m definiert einstellen. Das Benetzungsverhalten gegenüber Wasser beträgt in diesem Fall von 43% bis 50%.
4. Bei Herstellung einer F-enthaltenden Funktionsschicht unter Verwendung einer entsprechenden Mischung von Tetrafluorethylen und Acetylen als Reaktivgas läßt sich die Oberflächenenergie der im PECVD-Prozeß abgeschiedenen Hartstoffschichten bei einem Mischungsverhältnis der beteiligten Gase von 1 : 0.05 bis 1 : 1, einer negativen Self- Bias an der HF-Elektrode von U_B = 0.4 kV und einem Prozeßdruck von P = 2.7 Pa für den polaren Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^p = 1.9-4.0 mN/m und für den dispersen Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^d = 20.0-40.0 mN/m definiert einstellen. Das zu erreichende Benetzungsverhalten gegenüber Wasser liegt im Bereich von 42% bis 53%.
5. Bei Herstellung einer Si-enthaltenden Funktionsschicht, die auch Spuren von Sauerstoff aufweist, unter Verwendung einer entsprechenden Mischung von Tetraethoxysilan und Sauerstoff als Reaktivgas läßt sich die Oberflächenenergie von im PECVD-Prozeß abgeschiedenen Hartstoffschichten bei einem Gasflußverhältnis der beteiligten Gase von 1 : 0.1 bis 1 : 0.6, einer negativen Self-Bias an der HF-Elektrode von U_B = 1.0 kV und einem Prozeßdruck von P = 1.5 Pa für den polaren Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^p = 7.0-42.0 mN/m definiert einstellen wobei der disperse Anteil der Oberflächenenergie δ^d = 29.0 mN/m ist. Mit dieser Variante kann ein Benetzungsverhalten gegenüber Wasser im Bereich von 53% bis 82% erhalten werden.
6. Bei Herstellung einer O-enthaltenden Funktionsschicht unter Verwendung einer entsprechenden Mischung von Acetylen und Sauerstoff als Reaktivgas läßt sich die Oberflächenenergie der im PECVD-Prozeß abgeschiedenen Hartstoffschichten bei einem Gasflußverhältnis der beteiligten Gase von 1 : 0.04 bis 1 : 2, einer negativen Self-Bias an der HF-Elektrode von U_B = 0.6 kV und einem Prozeßdruck von P = 1.0 Pa für den polaren Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^p = 6.0-24.0 mN/m und für den dispersen Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^d = 40.0-28.0 mN/m definiert einstellen. Das zu erreichende Benetzungsverhalten gegenüber Wasser liegt dann im Bereich von 58% bis 72%.
7. Bei Herstellung einer N-enthaltenden Funktionsschicht unter Verwendung einer entsprechenden Mischung von Acetylen und Stickstoff als Reaktivgas läßt sich die Oberflächenenergie der im PECVD-Prozeß abgeschiedenen Hartstoffschichten bei einem Gasflußverhältnis der beteiligten Gase von 1 : 0.04, einer negativen Self-Bias an der HF- Elektrode von U_B = 0.4-1.0 kV und einem Prozeßdruck von P = 1.5 Pa für den polaren Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^p = 25.0-13.0 mN/m und für den dispersen Anteil der Oberflächenenergie im Bereich von δ^d = 25-33 mN/m definiert einstellen. Das Benetzungsverhalten gegenüber Wasser, was mit dieser Variante erreichbar ist, liegt im Bereich von 71% bis 65%.

Diese kleine Auswahl an Möglichkeiten zeigt bereits an, wie vielschichtig die Möglichkeiten, die durch die erfindungsgemäße Lösung gegeben werden, sind. Ein breites Anwendungsgebiet kann somit erschlossen werden.

Die Funktionsschichten, die in Tabelle 1, Tabelle 2, Bild 1 und den nachfolgenden Ausfüh rungsbeispielen zugrundeliegen, enthielten jeweils als Basiselemente Kohlenstoff und Wasserstoff.

Beispiel 1

Das Verfahren zur Herstellung von amorphen Kohlenwasserstoffschichten mit definierten Benetzungseigenschaften wird im 1. Beispiel an einer fluorierten Funktionsschicht beschrie ben. Zur Herstellung dieser Schicht wird das Substrat zuerst mit Argon bei einem Prozeß druck von P = 1.0 Pa und einer Bias von U_B = -1.5 kV zehn Minuten geätzt. Anschließend wird zur besseren Anbindung an das Substrat eine reine a-C:H Zwischenschicht (Gasfluß Q = 10-30 sccm Acetylen; Prozeßdruck P = 1-2 Pa; Bias U_B = -400 bis -800 V) abgeschieden. Nachdem eine ausreichende Anbindung an das Substrat gesichert ist wird der Acetylengasfluß über eine Prozeßdauer von zehn Minuten bis auf ca. 1-2 sccm - bei sonst gleichen Prozeßbedingungen - ausgeblendet und ein Tetrafluorethylengasfluß C₂F₄ von 0 sccm auf ca. 30 sccm, wobei sccm Standardkubikzentimeter pro Minute bedeutet und mit "cm³/min unter Standardbedingungen" gleichzusetzen ist, eingeblendet. Im Anschluß an diese Gradientenschicht wird die Funktionsschicht etwa 20 Minuten mit dem zuletzt genannten Prozeßparameter abgeschieden. Damit ergibt sich schematisch der in Bild 2 dargestellte Schichtaufbau.

Die EPMA-Analyse ergibt einen gemessenen Fluoranteil in der Funktionsschicht von ca. 33 at-%. Der technisch maximal erreichbare Fluoranteil bei den als a-C:H:F bezeichneten Schichten wird in einem Bereich wenig oberhalb der 33 at-% vermutet. Als Grund hierfür wird die dreidimensional vernetzte Struktur der polymerisierten Schichten angesehen. Jede wei tere Erhöhung des Fluoranteils führt zu einer Erniedrigung des Vernetzungsgrades und somit zu einer im technischen Einsatz nur bedingt brauchbaren Schicht. Im Vergleich dazu liegt der Fluoranteil beim durchfluorierten Teflon bei ca. 66 at-%. Dabei ist jedoch zu berück sichtigen, daß Teflon ein Kettenmolekül ist und die räumliche Steifigkeit im wesentlichen durch seine Knäuelstruktur erhält.

Die Oberflächenspannung der a-C:H:F Schicht wird mit δ_s = 19.96 dyn/cm gesamt, δ_sp = 2.22 dyn/cm für den polaren und δ_s ^d = 17.74 dyn/cm für den dispersen Anteil ermittelt. Damit haben a-C:H:F Schichten hinsichtlich des Benetzungsverhaltens teflonähnliche Eigenschaften (s. u.) bei einer gleichzeitig deutlich verbesserten Härte und Verschleiß festigkeit.

Der gemessene Kontaktwinkel gegen Wasser wird als quantitative Bewertungsgröße für das Benetzungsverhalten von Festkörperoberflächen aufgefaßt und bei den mit Tetrafluorethylen C₂F₄ hergestellten Schichten mit ⌀ = 101 Grad gemessen. Werte für den Kontaktwinkel von Teflon gegen Wasser werden in der Literatur mit ⌀ = 114 Grad und die Daten zur Oberflächenspannung mit δ_s = 18.50 dyn/cm gesamt, δ_s ^p = 1.00 dyn/cm für den polaren und δ_s ^d = 17.50 dyn/cm für den dispersen Anteil angegeben.

Beispiel 2

Das Verfahren zur Herstellung von amorphen Kohlenwasserstoffschichten mit definierten Benetzungseigenschaften wird im 2. Beispiel an einer a-C:H:Si Funktionsschicht beschrie ben. Zur Herstellung dieser Schicht wird das Substrat zuerst mit Argon bei einem Prozeß druck von P = 1.0 Pa und einer Bias von U_B = -1.5 kV zehn Minuten geätzt. Im Anschluß an diese Reinigungsphase wird die Funktionsschicht mit einem Reaktivgas aus dem Precur sermonomer Tetramethylsilane (TMS) abgeschieden. Diese Abscheidung wird bei einem Prozeßdruck von P = 1.5 Pa und einer Bias von U_B = -1000 V bei einem Gasfluß von Q = 20 sccm durchgeführt. Damit ergibt sich schematisch der in Bild 3 dargestellte Schichtaufbau.

Die Oberflächenspannung der a-C:H:Si Schicht wird mit δ_s = 31.20 dyn/cm gesamt, δ_s ^p = 3.33 dyn/cm für den polaren und δ_s ^d = 27.87 dyn/cm für den dispersen Anteil ermittelt.

Die EPMA-Analyse ergibt eine Elementzusammensetzung von Si = 33.1 at-% und C = 66.6 at-%.

Es konnte somit gezeigt werden, daß mit der erfindungsgemäßen Schicht die Aufgabe gelöst wurde und Hartstoffschichten mit definiert einstellbaren Adhäsionsverhalten er halten werden konnten.

Claims

1. Plasmapolymer-Schichtenfolge als Hartstoffschicht auf Substraten, mit einer Funktionsschicht sowie gegebenenfalls einer Zwischenschicht und einer Gradientenschicht, wobei die Funktionsschicht neben den Basiselementen noch nichtmetallische bzw. halbmetallische Elemente der 1., 3., 4., 5., 6. und/oder 7. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente enthält, und die über herkömmliche PVD- oder CVD-Verfahren, z. B. einen Plasma-Enhanced-Chemical-Vapor-Deposition (PECVD)-Prozeß herstellbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß diese neben den Basiselementen in der Funktionsschicht enthaltenen nichtmetallischen bzw. halbmetallischen Elemente der 1., 3., 4., 5., 6. und/oder 7. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente in die Funktionsschicht derart eingebaut sind, daß in Abhängigkeit vom polaren bzw. dispersen Anteil der Oberflächenenergie der Gase, Flüssigkeiten und/oder Festkörper, mit denen diese Schichten kontaktiert werden, und dem gewünschten Adhäsionsverhalten die Stärke des polaren bzw. dispersen Anteils dieser Funktionsschichten definiert eingestellt sind.

2. Plasmapolymer-Schichtenfolge nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Funktionsschicht als Basiselemente Kohlenstoff und Wasserstoff enthält.

3. Plasmapolymer-Schichtenfolge nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Funktionsschicht 1at-% bis 70at-% der nichtmetallischen bzw. halbmetallischen Elemente der 1., 3., 4., 5., 6. und/oder 7. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente enthält.

4. Plasmapolymer-Schichtenfolge nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, da durch gekennzeichnet, daß die Funktionsschicht Fluor, Bor, Silizium, Stickstoff und/oder Sauerstoff enthält.

5. Plasmapolymer-Schichtenfolge nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Adhäsions- bzw. Benetzungsverhalten gegenüber Wasser mit den in der Funktionsschicht zusätzlich enthaltenen Elemente Fluor und Silizium abnimmt und mit Stickstoff und Sauerstoff zunimmt.

6. Verfahren zur Herstellung der Plasmapolymer-Schichtenfolge gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5 mit einem Plasma-Enhanced-Chemical-Vapor-Deposition (PECVD)-Prozeß, dadurch gekennzeichnet, daß ein die Funktionsschicht abscheidendes Reaktivgas und/oder Reaktivgasgemisch, welches das oder die Elemente, die in die Funktionsschicht eingebaut werden sollen, enthält, dem Prozeß zugeführt und die Funktionsschicht auf dem Substrat abgeschieden wird, wobei die Höhe des prozentualen Anteiles des oder der einzubauenden Elemente in der Schicht in Abhängigkeit vom polaren bzw. dispersen Anteil der Oberflächenenergie der Gase, Flüssigkeiten und/oder Festkörper, mit denen diese Schichten kontaktiert werden, und dem gewünschten Adhäsionsverhalten über eine geeignete Variation der Prozeßparameter und der bzw. des Reaktivgases definiert eingestellt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verbesserung der Haftung der Funktionsschicht auf dem Substrat vor Zuführung der bzw. des Reaktivgases in den Prozeß eine der Haftvermittlung zwischen Substrat und Funktionsschicht dienende Zwischenschicht abgeschieden wird, wobei der Wechsel der Prozeßatmosphäre zwischen Abscheidung der Zwischenschicht und Abscheidung der Funktionsschicht ohne Unterbrechung erfolgt.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Übergang von der die reine Zwischenschicht bildenden Prozeßatmosphäre zu der die reine Funktionsschicht bildenden Prozeßatmosphäre schrittweise und kontinuierlich erfolgt, so daß zwischen der Zwischenschicht und der Funktionsschicht eine Gradientenschicht abgeschieden wird.

9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die der Haftvermittlung dienende Zwischenschicht aus einer Acetylen- oder einer Tetramethylsilanatmosphäre abgeschieden wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß beim Einbau von Fluor in die Funktionsschicht eine reine C-H-Schicht als Zwischenschicht abgeschieden wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die reine C-H- Zwischenschicht aus einer Acetylenatmosphäre abgeschieden wird.

12. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Reaktivgas für Fluor enthaltende Funktionsschichten C₂F₄, CF₄, HCF₃, Fluorchlorkohlenwasserstoffe und/oder Freone, für Silizium enthaltende Funktionsschichten Tetramethylsilan (TMS), Hexamethyldisiloxan (HMDSO), Hexamethyldisilazan (HMDSN), Tetraethylorthosilicat (TEOS) und/oder Silane, für Stickstoff enthaltende Funktionsschichten N₂, NH₃, CH₃CN und/oder N(C₂H₅)₃, für Sauerstoff enthaltende Funktionsschichten O₂, Alkohole, Ether und/oder Ester und für Bor enthaltende Funktionsschichten Borsäuretrimethylester eingesetzt werden.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß für den Einbau von mindestens zwei der Elemente Fluor, Silizium, Stickstoff, Bor und/oder Sauerstoff in die Funktionsschicht eine Mischung der entsprechenden Reaktivgase eingesetzt wird.

14. Verwendung der Plasmapolymer-Schichten nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5 als Schutzschichten.

15. Verwendung der Plasmapolymer-Schichten nach Anspruch 14 als Schutzschichten in der Haushaltswarenindustrie, in der Nahrungsmittelindustrie, in der Lack- und Druckindustrie, im allgemeinen Maschinenbau und in der Medizintechnik.

16. Verwendung der Plasmapolymer-Schichten nach einem der Ansprüche 14 bis 15 als Schutzschicht gegen Verschmutzung und/oder Verkalkung und/oder Schmierungen.

17. Verwendung der Hartstoffschicht nach Anspruch 16 als Schutzschicht auf Heizstäben in Waschmaschinen.