DE4410799C2 - Diode - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Diode mit halbleitender
Schicht und mit dieser Schicht flächenhaft verbundenen,
metallisch leitenden Schichten.
Die moderne Optokommunikation mit ihren extrem hohen
Übertragungsbandbreiten macht die Entwicklung von immer
schnelleren Rauelementen zur Informationsverarbeitung
erforderlich. Die Information, die mittels Lichtpulsen
in Glasfaserkabeln übetragen wird, muß zur Signalverar
beitung in ein elektrisches Signal umgewandelt werden.
Dies geschieht mit schnellen Photodioden, deren elek
trischer Widerstand sich bei Einstrahlung von Licht än
dert. Wird eine elektrisch vorgespannte Photodiode mit
einem kurzen Lichtpuls beleuchtet, so wird ein Span
nungspuls erzeugt, der mit einer nachgeschalteten Elek
tronik weiterverarbeitet werden kann. Um eine schnelle
Schaltzeit der Dioden zu erreichen, muß die Lebensdauer
der durch den Lichtpuls erzeugten Ladungsträger mög
lichst kurz sein.
Es ist aus Appl. Phys. Lett. 61 (15), S. 1760-1762, be
kannt, dazu sog. MSM-(metal-semiconductor-metal)-Dioden
mit einem möglichst geringen Elektrodenabstand zu ver
wenden. Dabei ist auf einem Substrat eine erste metal
lisch leitende Schicht und eine weitere zweite metal
lisch leitende Schicht zwecks Bildung zweier Elektroden
vorgesehen. Um zum einen den Lichtfokus optimal auszu
nutzen, zum anderen die stromdurchflossenen Bereiche im
halbleitenden Material von Elektrode zu Elektrode mög
lichst kurz auszuführen, werden die Elektroden planar
als ineinandergreifende Fingerstrukturen ausgeführt. Im
Ergebnis werden dadurch kurze Elektrodenabstände von
einigen µm erreicht, wobei die Schaltzeit solcher Di
oden dann im wesentlichen von der Laufzeit der Ladungs
träger zwischen den Elektroden bestimmt ist. Typische
Schaltzeiten bei einem Fingerabstand von 1 µm liegen in
der Größenordnung von 10-20 ps. Nachteilig bei sol
chen Dioden ist jedoch, daß wegen der lithographischen
Auflösung der Verringerung der Fingerabstände Grenzen
gesetzt sind, so daß insofern auch die erreichbaren
Schaltzeiten begrenzt sind.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Diode der eingangs
genannten Art zu schaffen, bei der die Schaltzeit ver
bessert ist.
Die Aufgabe wird gelöst durch die Gesamtheit der Merk
male gemäß Anspruch 1.
Es wurde erkannt, daß bei Verwendung einer vertikalen
Anordnung der ersten metallisch leitenden, halbleiten
den und zweiten metallisch leitenden Schicht die Tran
sitzeit der Ladungsträger soweit verringert wird, daß
die Schaltzeit der Diode nicht mehr von der Laufzeit
der erzeugten Ladungsträger, sondern lediglich noch von
der RC-Zeitkonstante der Schichtstruktur bestimmt wird.
Da die Länge des Stromkanals der Ladungsträger in die
sem Falle von der Schichtdicke der halbleitenden
Schicht bestimmt und diese mit Hilfe in an sich bekann
ter Techniken sehr klein gewählt werden kann, insbeson
dere mit Schichtdicken weit unterhalb von 1 µm, insbe
sondere im Bereich von 0,1-0,4 µm, besitzt die erfin
dungsgemäße Diode gegenüber bekannten, horizontal
strukturierten MSM-Dioden eine wesentlich bessere
Schaltzeit.
Es ist dabei zweckmäßig, gemäß Anspruch 2 vorzusehen,
daß die eine metallisch leitende Schicht lichtdurchläs
sig ausgebildet, die andere metallisch leitende Schicht
mit einem Substrat verbunden ist. Je nach Auswahl des
Materials der halbleitenden Schicht ist eine besonders
vorteilhafte Ausführungsform gemäß Anspruch 3 gegeben,
wenn als Material für die lichtdurchlässige Schicht ein
solches vorgesehen ist, das mit dem Material der halb
leitenden Schicht eine möglichst hohe Schottky-Barriere
bildet.
Für die im Bereich der Optokommunikation bedeutsamen
Silicium-Technologie kann als weitere vorteilhafte Va
riante der erfindungsgemäßen Diode gemäß Anspruch 4
vorgesehen werden, daß als Material für die mit dem
Substrat verbundene metallische Schicht CoSi₂ vorgese
hen ist. Sie kann dabei als Grundfläche in Form einer
in einem Silicium-Substrat vergrabenen, metallischen
CoSi₂-Schicht ausgebildet sein. Hergestellt werden kann
eine solche Struktur beispielsweise mit der Ionen
strahlsynthese, wie in Appl. Phys. Lett. 50 (1987),
S. 95 beschrieben ist, aber auch mit Hilfe des sog. Al
lotaxie-Verfahrens, wie es beispielsweise aus DE-OS 41 13 143
bekannt ist. In vorteilhafter Weise liegt
dabei die metallische CoSi₂-Schicht im Silicium
vergraben vor, wobei das darüberliegende Silicium
einkristallin ist, so daß die Kompatibilität zur
Silicium-Elektronik vollständig gewährleistet ist.
Als Material für die in ihrer Funktion als Gegenelek
trode ausgebildete, erste metallisch leitende Schicht
kann grundsätzlich ein beliebiges Metall gewählt wer
den. Soweit gemäß Anspruch 3 dieses Material mit dem
halbleitenden Material ein möglichst hohe Schottky-Bar
riere, insbesondere auf Silicium, ausbildet, wird da
durch der Dunkelstrom des Photoschalters in vorteilhaf
ter Weise minimiert.
Die Schichtdicke dieser lichtdurchlässigen Gegenelek
trode kann dabei so gewählt werden, daß sie semitrans
parent ist und beispielsweise 50% des verwendeten
Lichts hindurchläßt. Die Kontaktierung der Diode ist in
üblicher Koplanarleitungstechnik, aber auch Mikrostrei
fenleitungstechnologie möglich, wobei die CoSi₂-Schicht
als geerdete Grundfläche dienen kann.
Insgesamt zeigt die erfindungsgemäße Diode zusammenfas
send folgende Vorteile:
- 1. Eine Sub-Mikrometer-Strukturierung bei der Herstel lung einer solchen Diode ist nicht erforderlich,
- 2. die Kompatibilität zur Silicium-Technologie insbesondere bei Wahl einer vergrabenen CoSi₂-Schicht mit darüberliegender einkristallinen Decksilicium ist voll gewährleistet,
- 3. eine Ankopplung an andere Bauelemente, wie z. B. Transistoren, in Mikrostreifenleitungstechnologie ist möglich, insbesondere dann, wenn als geerdete Grund fläche vergrabenes CoSi₂ vorgesehen ist,
- 4. die erfindungsgemäße Diode kann eine Schaltzeit ha ben, die nicht mehr von der Transitzeit, sondern nur noch von der RG-Zeitkonstante der Diode begrenzt wird, wenn die von den beiden metallisch leitenden Schichten benachbarte, halbleitende Schicht möglichst dünn ausge bildet wird. Gegenüber bekannten Dioden dieser Art wird dadurch eine erhebliche Verbesserung der Schaltzeit er reicht.
In der Fig. 1 ist eine erfindungsgemäße Diode mit
vertikaler Metall-Halbleiter-Metall-Strukturschicht
1, 2 und 3 in Mikrostreifenleitungausführung mit
semitransparentem Metall als Gegenelektrode 2
schematisch dargestellt. Dabei kann als Gegenelektrode
eine 10 nm dicke Aluminium- oder Chromschicht
vorgesehen sein.
Aus Fig. 2 in einer schematischen Querschnitts
darstellung der erfindungsgemäßen Diode ist gezeigt,
wie das Licht durch die semitransparente Alumi
niumelektrode 2 in den halbleitenden Siliciumbereich 1
zur Bildung von Ladungsträger gelangt. Es handelt sich
bei der dargestellten Diode um eine solche, bei der, in
einem Siliciumsubstrat 4 vergraben, die andere me
tallisch leitende Schicht 3 in Form von CoSi₂ ausgebil
det ist. Die Schichtdicke der halbleitenden Silicium-
Schicht 1 hatte beispielsweise einen Wert im Bereich
von 50-500 nm, die Schichtdicke der vergrabenen Co
balt-Silicid-Grundelektrode hatte einen Wert von bei
spielsweise 100 nm.
Claims (4)
1. MSM-Diode mit halbleitender Schicht (1) und mit
dieser flächenhaft verbundenen, metallisch lei
tenden Schichten (2, 3),
dadurch gekennzeichnet,
daß die eine leitende Schicht (2) mit einer Ober
fläche (4) der halbleitenden Schicht (1), die an
dere leitende Schicht mit der der ersteren
gegenüberliegenden Oberfläche (5) der halbleiten
den Schicht (1) elektrisch verbunden ist.
2. Diode nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet
daß die eine metallisch leitende Schicht (2)
lichtdurchlässig ausgebildet und die andere me
tallisch leitende Schicht (3) mit einem Substrat
(4) verbunden ist.
3. Diode nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet
daß als Material für die lichtdurchlässige
Schicht (2) ein solches vorgesehen ist, das mit
dem Material der halbleitenden Schicht (1) eine
möglichst hohe Schottky-Barriere bildet.
4. Diode nach Anspruch 1, 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet
daß als Material für die andere metallische
Schicht (3) CoSi₂ vorgesehen ist.
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |