DE4406769C2 - Verfahren zur Herstellung ohmscher Kontakte auf einem SiC-Halbleiterkörper - Google Patents
Verfahren zur Herstellung ohmscher Kontakte auf einem SiC-HalbleiterkörperInfo
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Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstelluing ohmscher Kontakte auf einem Sic-Halbleiterkörper
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Aus der US-PS 5 087 322 ist ein gattungsgemäßes Verfahren zum Herstellen von ohmschen
oder gleichrichtenden Kontakten bekannt, welches die Modifizierung der
Oberfläche eines Hochtemperatur-Halbleitermaterials umfaßt. Bei dieser
Methode wird mittels eines lithographischen Verfahrens die Fläche
ausgewählt, auf der später durch einen CVD-Prozeß Material abgeschieden
werden soll. Zunächst wird ein Ionenstrahl eines Metalls auf die Oberfläche
gerichtet, welcher das halbleitende Material an der Oberfläche so schädigt,
daß diese Oberfläche mit den CVD-Gasen reagiert. Danach wird das
Kontaktmetall auf der geschädigten Oberfläche so abgeschieden, daß
zunächst Keime an der geschädigten Oberfläche entstehen, welche die
Metallisierung der Oberfläche einleiten. Vor dem Abscheiden des Kontaktmetalls wird
im Kontaktbereich eine Oberflächenschicht der Halbleiteroberfläche abgeätzt. Die Implantationsmaske kann ein
Oxid, Nitrid oder eine Oxid-Nitrid-Kombination sein, oder auch ein anderes
Material, welches bei hohen Temperaturen genügend stabil ist. Das
Halbleitersubstrat besteht aus einem Halbleiter mit großer Bandlücke,
insbesondere SiC, Si₃N₄, BN und Diamant.
Eine Anregung, Dotierstoffe mitttels Ionenstrahl direkt zu implantieren, wird nicht
gegeben. Aufgrund des andersartigen Verfahrens, mittels Aufrauhens der
Oberfläche Keime für das Metallisieren der Oberfläche zu schaffen, findet keine
gezielte Dotierung statt.
Bei dem Verfahren nach der Patentschrift US 5 087 576 werden Dotierstoffe als Ionen in ein
Substrat aus Siliziumcarbid implantiert. Die Temperaturen werden so hoch
gewählt, daß eine Armorphisierung des Siliziumcarbids nicht stattfindet.
Anschließend werden die hochleitenden Oberflächenschichten abgetragen.
Die Maske zur Herstellung von Source- und Drainkontakten für diese
Implantation wird in üblicher Weise durch einen
lithographischen Prozeß strukturiert. Es ist dabei vorgesehen, nur
die hochgestörten Bereiche der Oberfläche zu entfernen. Dazu wird die
Oberflächenschicht auf 1000 bis 1500°C aufgeheizt und oxidiert.
Aus der japanischen Offenlegungsschrift JP 2-196421 A2 ist ein Verfahren zur Bildung eines ohmschen Kontaktes
auf p-SiC bekannt, bei dem zunächst eine Schicht abgeschieden wird, von der Sauerstoff
stärker gebunden wird als von SiC. Darauf wird ein Aluminiumfilm abgeschieden.
Der Kontaktwiderstand wird dadurch reduziert, daß Aluminium aus dem
Aluminiumfilm in das p-Siliziumcarbid bei erhöhter Temperatur eindiffundiert,
wodurch eine kontaktfähige, niederohmige p⁺-Schicht an der Oberfläche entsteht.
Danach werden die beiden Schichten wieder entfernt, und das Kontaktmetall (z. B. Ti) wird aufgebracht.
Ein Hinweis auf ein Ionenstrahlverfahren ist nicht enthalten.
Aus der nicht vorveröffentlichten WO 94/06153 A1 ist ein Verfahren zum Herstellen einer ohmschen
Kontaktstruktur zwischen einem Metall mit hoher Austrittsarbeit wie Platin
und einem Halbleitersubstrat mit großer Bandlücke wie Siliziumcarbid
bekannt, welches normalerweise keinen guten ohmschen Kontakt bildet.
Man erhält einen guten Kontakt dadurch, daß man das Halbleitersubstrat
mit einem p-leitenden Material dotiert. Als Dotierstoffe werden Aluminium
und Bor genannt. Die Implantation wird mit einem Hochtemperatur-
Ionenimplantationsverfahren durchgeführt. Vor der Implantation und nach
der anschließenden Abscheidung von Platin wird der Kontakt getempert,
vorzugsweise zwischen 400 und 900°C.
Verfahren zur Herstellung von Kontakten sind aus dem Buch "Halbleiter-Technologie"
von Ingolf Ruge, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York 1984, S. 189
bis 192, bekannt. Ein Verfahren, einen ohmschen Kontakt bei einem Metall-
Halbleiter-Übergang zu erzeugen, besteht danach darin, den Halbleiter an
der Kontaktstelle so hoch zu dotieren, daß nach dem Aufbringen der
Metallelektrode infolge der geringen Breite der Barriere ("Schottky-Diode")
der Stromtransport aufgrund des Tunneleffektes vorherrscht. Die
erreichbaren Kontaktwiderstände liegen hier bei ca. 10-6 Ω cm².
Da die Tunnelwahrscheinlichkeit mit zunehmender Höhe und Breite der
Potentialbarriere am Kontakt abnimmt, lassen sich folgende Forderungen
bei der Herstellung von ohmschen Kontakten ableiten:
Die Barrierenhöhe des Metall-Halbleiter-Kontaktes sollte durch die Wahl
eines geeigneten Kontaktmetalls klein gehalten werden; die kontaktseitige
Halbleiter-Oberfläche sollte möglichst hoch dotiert sein, um eine schmale
Barriere zu liefern.
Eine Dotierung mit Fremdatomen läßt sich auf zwei Arten erzielen:
Einmal durch Diffusion von der Festkörperoberfläche her und zum zweiten
durch eine Ionenimplantation. Das Einbringen von Frendamtomen in einen
Festkörper durch Ionenimplantation ist seit langem bekannt (S. M. Sze: VLSI
Technology, McGraw Hill Book Company, N. Y., 1983, S. 224-229). Bei
der Ionenimplantation tritt eine Verteilung der Dichte der Fremdatome
derart auf, daß sie ein Maximum im Inneren des Festkörpers aufweisen.
Während die Energie der implantierten Ionen die Eindringtiefe bestimmt,
wird durch die Implantationsdosis im wesentlichen deren Konzentration im
Maximum bestimmt. Wenn zur Implantation Dotierstoffe verwendet werden,
können in dem Festkörper vergrabene Schichten mit vorbestimmter
Dotierung bzw. eines vorbestimmten Leitungstyps erzeugt werden. Bei SiC
kommt Diffusion wegen der kleinen Diffusionskonstanten praktisch nicht in
Frage.
Falls man sich für die Dotierung durch Implantation entscheidet, hat man
die Schwierigkeit zu überwinden, daß die Ionen einer bestimmten
Energieverteilung um eine mittlere Energie E₀ eine - wenn auch breite -
räumliche Verteilung in der Tiefe des Festkörpers zeigen. Dabei ist die
Konzenmtration des Dotierstoffs an der Oberfläche um mindestens eine
Größenordnung geringer als im Maximum.
Die Herstellung von Bauelementen erfordert eine Reihe unterschiedlicher
Verfahrensschritte. Von besonderer Bedeutung ist die Struktur von SiC.
Dabei ist die Abtragung von Material ein wesentlicher Prozeßschritt.
Das Abtragen durch Ätzen bringt eine Reihe von Problemen mit sich, die
durch die in neuerer Zeit entwickelte Methode des "reactive ion etching"
(RIE) zum großen Teil überwunden werden konnten.
Der Trockenätzprozeß (RIE = Reactive Ion Etching) findet unter
Plasmabedingungen statt und besteht aus zwei Komponenten. Die chemische
Komponente entspricht den chemischen Reaktionen zwischen dem geätzten
Substrat und der in dem Plasma gebildeten freien Radikalen. Die
Prozeßbedingungen werden so gewählt, daß ein möglichst großes Verhältnis
zwischen der Ätzrate des Substrats und der Ätzrate der Ätzmaske (z. B.
Photolack, Oxid oder Metall), Selektivität genannt, entsteht. Die
physikalische Komponente besteht in einer Zerstäubung des Substats durch
die im Plasma beschleunigten Ionen.
Zum Stand der Technik bei reinem Silizium gehören RIE-Prozesse, die als
chemische Reagenten chlor-, fluor- oder bromhaltige Komponenten
einsetzen.
(D. Behammer, W. Buchholtz, "Kontrollierte Profileinstellung von tiefen Si-
Gräben mit CBrF₃/O₂-RIE-Plasmen", GME-Fachbericht Nr. 8, S. 411-416
und GME-Fachtagung "Mikroelektronik", 4.-6. März 1991, Baden-Baden,
VDE-Verlag, Berlin).
Zum Ätzen von reinem Silizium sind schon eine Reihe von Verfahren
entwickelt worden, deren Übertragung auf andere Halbleiter wie SiC aber
nicht ohne weiteres möglich ist.
Besondere Überlegungen müssen angestellt werden, um SiC abtragen zu
können. Geht man von Trockenätzverfahren mit Chlor aus, so zeigt sich,
daß reines Chlor relativ unwirksam ist. Fügt man zum Chlor noch BCl₃
hinzu, so ist die Ätzrate bei SiC zu gering. Auch Mischungen von Chlor
mit Sauerstoff sind nicht sonderlich gut geeignet, da das Reaktionsgefäß
von den Rückstanden nur sehr schwer zu reinigen ist. Der vorteilhafte Einsatz von
chlorhaltigen Reagenzien (z. B. Cl₂, CCl₄, SiCl₄) ist zum Ätzen von Silizium-
Substraten bekannt, weil er erlaubt, eine strukturierte SiO₂-Schicht
als Ätzmaske zu verwenden.
Die Erfindung eignet sich in Verbindung mit der Maskentechnik zur
Kontaktierung von SiC und damit zur Herstellung von integrierten
Bauelementen auf der Basis dieser Substanz. Die bisher üblicherweise verwendete
Methode benutzte Fluor als Halogen für den Trockenätzprozeß und hatte
insbesondere den Nachteil, daß man Metallmasken für diese Technik
verwenden mußte.
Insbesondere sind Masken aus Aluminium in der Handhabung ungünstig, da
Aluminium sehr leicht zu Aluminiumoxid umgesetzt wird, welches nur
schwer zu beseitigen ist. Der Sauerstoff stammt von den üblichen
Sputterverfahren, welche zum Oxidieren des Kohlenstoffs einen bestimmten
Sauerstoffanteil im Ätzgas benötigen.
Aus der japanischen Offenlegungssschrift JP 63-152125 A2 ist eine Ätzmaske bekannt, mit
deren Hilfe man Gräben in Siliziumcarbid herstellen kann. Zunächst wird
ein thermischer Oxidfilm aus SiO₂ gebildet, und dann Öffnungen in diesem
Oxidfilm bis zur darunterliegenden Schicht hergestellt. Danach wird mit
Hilfe von Ar-Cl₂-O₂ als Ätzgas ein Prozeß durchgeführt, welcher die
Gruben vertieft. Die Maske verhindert das Eindringen von
Diffusionsverunreinigungen in die angrenzenden Halbleiterschichten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1 so weiterzubilden, daß
ein ohmscher Kontakt mit einem niedrigen
Kontaktwiderstand entsteht.
Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1
aufgeführten Merkmale gelöst.
Das Verfahren weist die Vorteile auf, daß man die vom
Silizium bekannte Maskentechnik mit SiO₂ auch für SiC benutzen kann,
und daß nur eine Maske für die Implantation, das Abtragen der
Oberflächenschicht und die Metallisierung verwendet wird.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des Gegenstands des Anspruchs 1 sind in den
Unteransprüchen angegeben.
Die Vorteile der Ausgestaltungen der Erfindung nach den Unteransprüchen
sind darin zu sehen, daß mit dem Chlorverfahren bei entsprechender Wahl
der Zusatzgase (CCl₄ und Ar bzw. N₂) technisch verwendbare Ätzraten zu
verwirklichen sind.
Die Erfindung wird nun anhand von Auisführungsbeispielen unter
Zuhilfenahme der Zeichnung erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen SiC-Kristall, welcher thermisch oxidiert ist,
Fig. 2 die Abscheidung von CVD-Oxid,
Fig. 3 das Strukturieren des Oxids,
Fig. 4 das Implantieren von Ionen,
Fig. 5 das Ätzen in den strukturierten Lücken und
Fig. 6 das Ergebnis der Metallabscheidung.
Bei dem folgenden Ausführungsbeispiel der Erfindung wird das Herstellen
von Kontakten auf SiC-Bauelemente beschrieben. Als erstes wird das SiC-
Substrat gereinigt und thermisch oxidiert. Als nächstes wird auf dieser
Schicht chemisch abgeschiedenes Oxid erzeugt (CVD-Verfahren). Diese
beiden Schritte sind in Fig. 1 und 2 dargestellt. Die Schicht des Oxids ist
etwa 0,2 µm dick.
Als nächstes wird das Oxid mittels Ätzens durch reaktive Ionen (RIE) in
der für die Schaltung benötigten Form strukturiert (Fig. 3). Die
Metallabscheidung in einem späteren, in Fig. 6 dargestellten Schritt dient der
Herstellung einer Kontaktbahn oder Elektrode. Für p-SiC nimmt man NiCr
oder Ni, für
n-SiC nimmt man Ti, TaSi₂ oder TiSi₂.
Die Metallabscheidung geschieht mit einem der üblichen Verfahren mit der
gleichen Maske aus SiO₂, die schon für das Implantieren (Fig. 4) und Ätzen
verwendet wurde.
Das Ätzen des SiC mittels eines in die Tiefe des Substrats gehenden
Ätzprozesses geschieht mittels eines Cl-Prozesses, um die Oxidschicht als
Ätzmaske verwenden zu können.
Durch dieses Ätzen mittels reaktiver Ionen werden die obersten Schichten
abgetragen, wie in Fig. 5 dargestellt. Der Antrag erfolgt so tief, daß das Maximum der Konzentration
der implantierten Zonen erreicht wird. Den letzten Verfahrensschritt, das
Abscheiden Metall für Elektroden und Leiterbahnen zeigt Fig. 6. Danach
wird eine weitere Maske verwendet, was hier nicht dargestellt ist. Das
überschüssige Metall wird nach dem Photolithographischen Prozeß chemisch
weggeätzt, so daß sich ein Endzustand ergibt.
Die folgenden Beispiele beziehen sich auf den Prozeßschritt, welcher in
Fig. 5 dargestellt ist. Sie behandeln verschiedene Rezepturen für den RIE-
Prozeß.
Als Substrat wird SiC gewählt. Als thermisches Oxid wird pyrogenes Oxid
verwendet, welches in vier Stunden bei 1250°C aufgebracht wurde. Die Stärke
des Oxids beträgt 0,3 µm. Das CVD-Oxid wird bei 0,5 · 10² Pa und 6 W
Hochfrequenzleistung hergestellt. Die Gase setzen sich zusammen aus 70 sccm N₂O ("sccm" steht als Abkürzung für
Kubikzentimeter pro Minuter unter Normalbedingungen); sccm SiH₄. Die Dicke der Oxidschicht wird auf etwa 1 µm
festgelegt. Das Hochfrequenzplasma heizt das Substrat auf etwa 300°C bei
dieser Prozedur auf. Der nächste Schritt der Strukturierung des Oxids wird
mit einem Gemisch aus CF₄ mit 14 sccm, CH₃SF mit 50 sccm bei 200 W,
einem Druck von 0,16 · 10² Pa und Raumtemperatur vorgenommen.
Der sich daran anschließende und für die Erfindung maßgebliche Cl-Ätz-Prozeß
besteht in einem RIE-Prozeß bei 0,25 · 10² Pa und 300 W Leistung, wobei das
Gasgemisch aus 40 sccm Cl₂, 10 sccm N₂ und SiCl₄ mit einem Anteil von
20 sccm durchgeführt wird. Die Ätzrate beträgt dabei 127-135 nm/min.
Die Selektivität in Bezug auf die Abtragung des Oxids beträgt 2,2.
Es wird für den Cl-Ätz-Prozeß alternativ ein weiterer, vorteilhafter
Verfahrensschritt vorgeschlagen. Das Hochfrequenzplasma, welches bei einer
Frequenz von 13,56 mHz erzeugt wird, steht unter einem Druck von 0,25 · 10² Pa
und arbeitet bei einer Leistung von 300 W.
Das Substrat, d. h. die Kathode, wird gekühlt, so daß die Temperatur nicht
höher als 50°C ansteigen kann. Das Ätzgas setzt sich so zusammen aus 40
sccm Cl₂, 10 sccm N₂ und 20 sccm SiCl₄. Die Ätzrate beträgt 127-135 nm/min.
Die Selektivität bezüglich der siO₂-Maske beträgt 2,2.
Der erfindungsgemäße Ätzvorgang kann auch erfolgreich mit einer etwas
anderen Kombination durchgeführt werden, bei welcher noch etwas
Sauerstoff zugeführt wird.
Die Gaszusammensetzung ist wie folgt: 40 sccm Cl₂, 20 sccm SiCl₄, 10 sccm
N₂ und 2 sccm O₂. Die Ätzrate beträgt bei den übrigen gleichen
Parametern für das Hochfrequenzplasma etwa 129 nm/min.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht ein Ätzgas mit
40 sccm Cl₂, 20 sccm SiCl4, 10 sccm Ar und 2 sccm O₂ vor. Druck,
Temperatur und Leistung sind wie in den vorigen Beispielen gewählt. Die
Ätzrate beträgt dabei etwa 154 nm/min und die Selektivität beträgt etwa
3,4.
In diesem Beispiel ist ein höherer Anteil an Sauerstoff benutzt worden mit
40 sccm Cl₂, 20 sccm SiCl₄, 10 sccm N₂ und 20 sccm O₂.
Die Beispiele gelten für 6-H SiC und β-SiC. Die erforderliche Ätztiefe, um
das Maximum der Konzentration implantierter Ionen zu erfassen, wird
durch eine Simulationsrechnung bestimmt.
Die mit diesen Verfahren hergestellten Bauelemente aus SiC finden
Verwendung bei allen Anwendungen, bei denen ein Substratmaterial mit
großer Bandbreite benötigt wird. Solche Anwendungen sind in der
Weltraumtechnik, der Automobilindustrie und in allen Fällen zu
sehen, bei denen Sensoren oder elektronische Bauteile hohen Temperaturen
ausgesetzt sind.
Sowohl zum Implantieren von Ionen als auch zum anschließenden
chemischen Ätzen stehen eine Reihe seit Jahren bewährter Verfahren zur
Verfügung. Ein bevorzugtes Verfahren für die Kontaktierung einer p⁺-Schicht
sei stellvertretend aufgeführt.
Zur Erzeugung einer p-dotierten Schicht werden bis zu 3 At.-% B-Ionen
implantiert. Auf diese Weise wird ein spezifischer Widerstand von etwa
1 kΩcm erreicht, mit dem ein sehr guter Kontakt zu metallisch
aufgebrachten Schichten, beispielsweise aus Nickel, hergestellt werden
kann. Die Dosis beim Implantieren hatte einen Wert von 3,8 · 10¹⁸ cm-2
bei einer Spannung von 100 kV.
Die Proben wurden zum Ausheilen von Defekten nach der Implantation 1 h
bei 1500°C getempert.
Claims (12)
1. Verfahren zur Herstellung ohmscher Kontakte auf einem SIC-
Halbleiterkörper mit den aufeinanderfolgenden Schritten:
Aufbringen und Strukturieren einer Maske, welche an den zur Kontaktierung vorgesehenen Stellen Öffnungen aufweist, auf die Halbleiteroberfläche,
Einbringen von Fremdatomen in die Halbleiteroberfläche mittels Ionenimplantation durch die Öffnungen in dieser Maske,
Abätzen einer Oberflächenschicht der implantierten Halbleiteroberfläche in den Öffnungen der Maske, wobei die Oberfläche der implantierten Ionen zumindest erreicht wird,
Abscheiden einer Metallschicht auf der mit der Maske versehenen Halbleiteroberfläche und Strukturieren derselben, so daß in den Öffnungen der Maske Kontaktmaterial abgeschieden wird und sich die gewünschten Kontakte ergeben, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (2, 3) aus SiO₂ besteht,
daß die implantierten Ionen Dotierstoffe sind, und
daß das Abätzen in einem Plasmareaktor mit einem Chlor enthaltenden Ätzgas erfolgt,
wobei die Oberflächenschicht der implantierten Halbleiteroberfläche so weit abgeätzt wird, daß sich das Maximum der Konzentration des implantierten Dotierstoffs annähernd an der neuen Oberfläche befindet.
Aufbringen und Strukturieren einer Maske, welche an den zur Kontaktierung vorgesehenen Stellen Öffnungen aufweist, auf die Halbleiteroberfläche,
Einbringen von Fremdatomen in die Halbleiteroberfläche mittels Ionenimplantation durch die Öffnungen in dieser Maske,
Abätzen einer Oberflächenschicht der implantierten Halbleiteroberfläche in den Öffnungen der Maske, wobei die Oberfläche der implantierten Ionen zumindest erreicht wird,
Abscheiden einer Metallschicht auf der mit der Maske versehenen Halbleiteroberfläche und Strukturieren derselben, so daß in den Öffnungen der Maske Kontaktmaterial abgeschieden wird und sich die gewünschten Kontakte ergeben, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (2, 3) aus SiO₂ besteht,
daß die implantierten Ionen Dotierstoffe sind, und
daß das Abätzen in einem Plasmareaktor mit einem Chlor enthaltenden Ätzgas erfolgt,
wobei die Oberflächenschicht der implantierten Halbleiteroberfläche so weit abgeätzt wird, daß sich das Maximum der Konzentration des implantierten Dotierstoffs annähernd an der neuen Oberfläche befindet.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Ätzgas neben Chlor Stickstoff (N₂) und/oder Sauerstoff (O₂)
und/oder Argon enthält, wobei Argon und/oder Stickstoff das Plasmaätzen
physikalisch, d. h. durch Energiezufuhr, unterstützen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß für das Plasmaätzen dem Ätzgas bis zu 30 Vol-Proz. Sauerstoff (O₂)
zugemischt werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterkörper beim Plasmaätzen auf einer Temperatur von
T < 50°C gehalten wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die überwiegende Anzahl von Chloratomen für das Plasmaätzen durch
Cl₂ bereitgestellt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichent,
daß die überwiegende Anzahl von Chloratomen für das Plasmaätzen durch
SiCl₄ bereitgestellt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Plasmaätzverfahren mit einer Frequenz von 5-50 Mhz, einem
Druck von 10-50 Pa und einer Energie von 200-500 W durchgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Dotierstoffe für eine n⁺-Dotierung N oder P und für eine p⁺-Dotierung
Al oder B sind.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 7 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die implantierten Ionen im Substrat eine Konzentration von etwa 10²⁰ cm-3
aufweisen.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 7 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß zur Kontaktierung über der p-dotierten Zone NiCr oder Ni aufgebracht
wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 7 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß zur Kontaktierung über der n-dotierten Zone Ti, TiSi₂ oder TaSi₂ aufgebracht
wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 7 bis 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterkörper nach dem Implantieren 1 h lang auf 1500°C erhitzt
wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19944406769 DE4406769C2 (de) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | Verfahren zur Herstellung ohmscher Kontakte auf einem SiC-Halbleiterkörper |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19944406769 DE4406769C2 (de) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | Verfahren zur Herstellung ohmscher Kontakte auf einem SiC-Halbleiterkörper |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4406769A1 DE4406769A1 (de) | 1995-09-14 |
| DE4406769C2 true DE4406769C2 (de) | 1997-10-16 |
Family
ID=6511586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19944406769 Expired - Lifetime DE4406769C2 (de) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | Verfahren zur Herstellung ohmscher Kontakte auf einem SiC-Halbleiterkörper |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE4406769C2 (de) |
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| DE19944144A1 (de) * | 1999-09-15 | 2001-04-12 | Rossendorf Forschzent | Verfahren zur Herstellung von Kontakten und Leitbahnen in oder auf kristallinen Siliziumkarbid-Halbleitersubstraten |
| DE19954866A1 (de) * | 1999-11-15 | 2001-05-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Behandlung einer durch Epitaxie hergestellten Oberfläche eines SiC-Halbleiterkörpers und danach hergestellten Schottkykontakt |
| DE10051049B4 (de) * | 2000-10-14 | 2011-04-07 | Cree, Inc. | Aluminium-Nickel-Kontaktmetallisierung für p-dotiertes SiC und Herstellungsverfahren dafür |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4406769A1 (de) | 1995-09-14 |
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Owner name: DAIMLER AG, 70327 STUTTGART, DE |
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