DE19811046C2 - Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelementes - Google Patents

Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelementes

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Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit einer aktiven Schicht aus einem Halbleiter mit einer Bandlücke von über 2 eV und mit einem zwischen der aktiven Schicht und einer Kontaktierung ausgebil­ deten Schottky-Kontakt. Derartige Bauelemente mit aktiven Schichten aus einem Wide-Gap Halbleiter eig­ nen sich beispielsweise zur Überwachung und Steuerung von bei hohen Temperaturen ablaufenden oder hohe elektrische Leistungen erfordernden Prozessen.
Insbesondere Diamant mit einer Bandlücke von 5,45 eV ist aufgrund seiner Materialeigenschaften ein attrak­ tives Material für die Hochtemperatur- und Leistungs­ elektronik. Diamantfilme, welche z. B. aus der Gaspha­ se im CVD-Verfahren abgeschieden werden, bilden mitt­ lerweile die Basis für Gleichrichterdioden, Feldef­ fekttransistoren sowie Temperatur- und Drucksensoren.
Die Funktion einer Vielzahl dieser elektronischen Bauelemente erfordert das Aufbringen von gleichrich­ tenden Schottky-Kontakten auf den aktiven Diamant­ film.
In der Praxis hat sich gezeigt, daß zur Herstellung von Schottky-Kontakten auf Diamant Kontaktmaterialien benötigt werden, welche auch bei hohen Betriebs- und Umgebungstemperaturen keine chemische Reaktion mit der Diamantoberfläche eingehen. Aufgrund der chemi­ schen Reaktion des Kontaktmaterials mit der Diamant­ oberfläche bilden sich an der Grenzfläche zwischen Kontaktmaterial und Diamant Carbide aus. Weiterhin werden aufgrund der chemischen Reaktion zwischen Kon­ taktmaterial und Diamantoberfläche elektrisch aktive Defekte erzeugt. Sowohl die Defektbildung als auch die Carbidbildung bewirken eine Zerstörung der sper­ renden Eigenschaften des Überganges vom Diamanten zum Kontaktmaterial.
Da metallische Kontaktmaterialien wie Titan oder Alu­ minium bereits bei Temperaturen von ungefähr 430°C mit der Diamantoberfläche unter Ausbildung von Carbiden reagieren, scheidet die Verwendung solcher Elemente als Kontaktmaterialien für Schottky-Kontakte auf Diamant im Falle von Hochtemperaturanwendungen aus. Zwar zeichnet sich das Kontaktmetall Gold auch bei hohen Temperaturen durch seine chemische Inert­ heit aus, die mechanische und thermische Stabilität von Gold ist jedoch gering. Aufgrund dieser Nachteile metallischer Kontaktmaterialien wurde in letzter Zeit vermehrt die Verwendung von Silizium, welches sich durch hohe mechanische und thermische Stabilität auszeichnet, als Kontaktmaterial untersucht.
In "Silicon Based Schottky Contacts on Diamond With High Barrier Height and Thermal Stability", P. Gluche et al., Transactions on Third International High Tem­ peratures Electronics Conference, Albuquerque, New Mexico, USA, 9. bis 14. Juni 1996, Vol. 2, Seiten 189-194, werden Schottky-Kontakte auf epitaktisch gewachsenem, p-dotiertem Diamant beschrieben. Als Kontaktmaterial findet hoch p-dotiertes Silizium, welches durch Ionenstrahlsputtern auf der Diamant­ oberfläche abgeschieden wurde, Verwendung. Jedoch ist auch bei diesen Schottky-Kontakten beginnend bei Tem­ peraturen von 600°C eine Carbidbildung zu beobach­ ten, welche schließlich noch unterhalb von 700°C einen irreversiblen Totalausfall des Bauele­ mentes bewirkt.
Venkatesan et al. offenbaren in J. Electrochem. Soc., 1992, Vol. 139, Nr. 5, Seite 1445-1449 einen MOS- Schottky-Kontakt, bei dem zwischen der aktiven Schicht und der Kontaktschicht eine isolierende Zwischenschicht aus Siliziumdioxid angebracht wird. Auch W. Mönch offenbart in J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, Vol. 14, Nr. 4, Seite 2985-2993 einen Metall- Halbleiter bzw. Schottky-Kontakt, bei dem isolierende Zwischenschichten aus Siliziumdioxid und Si3N4 zwischen die Kontaktschichten als durchtunnelte Isolatorschichten vorgesehen sind.
Venkatesan et al. offenbaren weiterhin in IEEE Transactions an Electron Devices, ISSN: 0018-9383, 1993, Vol. 40, Nr. 8. Seite 1556-1558 eine Diamant- Silizium-Diode.
Ein entsprechender Schottky-Kontakt ist auch in der US 4,982,243 A offenbart, wobei hier auf einen ein­ kristallinen Diamant epitaxial eine Diamantschicht abgeschieden wird. Auf diese Diamantschicht wird eine weitere Schottky-Elektrodenschicht aufgebracht.
Ausgehend von diesen und weiteren Nachteilen des Standes der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein elektronisches Bauelement zu schaffen, das mit einem Schottky-Kontakt versehen ist, welcher selbst bei Temperaturen oberhalb von 600°C noch gleichrichtende Eigenschaften aufweist. Außerdem soll ein Herstellungsverfahren für ein derartiges Bauele­ ment angegeben werden.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Bauelement gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Herstellungsverfahren ge­ mäß Anspruch 12. Die jeweiligen Unteransprüche be­ treffen vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, auf einen Wide- Gap Halbleiter, der eine Bandlücke von über 2 eV auf­ weist, eine mindestens zweischichtige Schottky-Kon­ taktierung aufzubringen, welche eine auf dem Wide-Gap Halbleiter angeordnete dotierte, mindestens 5 nm dicke Grenzflächenschicht enthaltend Silizium und mindestens eines der Elemente Stickstoff, Kohlenstoff oder Sauerstoff sowie eine auf der Grenzflächenschicht angeordnete dotierte Kontaktschicht umfaßt. Die Kontaktschicht kann sowohl p- als auch n-dotiert sein. Der Wide-Gap Halbleiter kann p-dotiert, n-dotiert sowie undotiert sein. Die Grenzflächen­ schicht enthält Dotierstoffe. Die Grenzflächenschicht kann weiterhin ein refraktäres Metall wie Titan, Wolfram, Tantal oder Molybdän enthalten.
Aufgrund des Einbaus mindestens eines der Elemente Stickstoff, Kohlenstoff und Sauerstoff sowie ggf. eines refraktären Metalles in die Grenzflächenschicht wirkt diese als chemisch inerte Barriere zwischen Kontaktmaterial und Oberfläche des Wide-Gap Halb­ leiters. Die Gesamtanteile dieser Elemente in der Grenzflächenschicht müssen derart eingestellt werden, daß eine ausreichende chemische und thermodynamische Stabilität der Grenzflächenschicht gewährleistet wird. Die Gesamtanteile dieser Elemente in der Grenz­ flächenschicht bezogen auf das in der Grenzflächen­ schicht enthaltene Silizium sollten vorteilhafterwei­ se mindestens 25 Atom-% betragen. Bevorzugt ist ein Gesamtanteil zwischen 40 und 80 Atom-%. Die Stöchio­ metrie zwischen Silizium (bzw. den refraktären Metal­ len) und der zur chemischen Stabilisierung eingebau­ ten Elemente Stickstoff, Kohlenstoff oder Sauerstoff kann mit der Dicke der Grenzflächenschicht variieren. Die angegebenen Atom-% geben den Mittelwert für die Stöchiometrie der Grenzflächen­ schicht an. Zur Erzielung der gewünschten Effekte genügen prinzipiell Schichtdicken von wenigen Atom­ lagen. Entscheidend ist weniger die Dicke der Grenz­ flächenschicht, als vielmehr deren Funktionalität. So muß am Übergang zum Wide-Gap Halbleiter eine ther­ modynamisch stabile Phase vorliegen, welche Aus­ tauschreaktionen verhindert und sich auch bei hohen Temperaturen nicht zersetzt. Bei geringen Dicken der Grenzflächenschicht kann diese von den Ladungsträgern durchtunnelt werden. Bei größeren Schichtdicken wird eine Dotierung der Grenzflächenschicht erforderlich, damit der Serienwiderstand nicht steigt. Es hat sich gezeigt, daß insbesondere amorphe Grenzflächenschich­ ten Diffusionsvorgänge an Grenzflächen unterdrücken, wodurch die elektrischen Eigenschaften des Bauelemen­ tes erhalten bleiben. Voraussetzung ist, daß die Grenzflächenschicht nicht bei hohen Temperaturen re­ kristallisiert. Durch die Beschaffenheit der beschriebenen Grenzflächenschicht wird eine Rekri­ stallisation an der Grenzfläche jedoch selbst bei hohen Temperaturen unterdrückt.
Als Kontaktmaterial kann auf der Grenzflächenschicht eine bevorzugt ebenfalls amorphe und hochdotierte Siliziumschicht angeordnet sein. Anstatt Silizium kann diese Kontaktschicht auch Wolframsilizid enthal­ ten. Um ein späteres Bonden des Bauelementes zu er­ möglichen, läßt sich auf der Kontaktschicht noch eine ggf. durch eine Diffusionsbarriere vom Kontaktmateri­ al getrennte Kontaktmetallisierung aufbringen.
Weitere Einzelheiten und bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Figuren und den Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Fig. 1: eine schematische Darstellung einer erfin­ dungsgemäßen Schottky-Kontaktierung; und
Fig. 2: die Strom-Spannungs-Kennlinie einer erfin­ dungsgemäßen Schottky-Kontaktierung.
Obwohl die aktiven Schichten der erfindungsgemäßen Bauelemente prinzipiell aus allen Wide-Gap Halblei­ tern wie Diamant oder SiC, GaN, AlN, kubischem Bor­ nitrid oder deren ternären Verbindungen bestehen kön­ nen, wird nachfolgend anhand von Fig. 1 exemplarisch die Herstellung einer Schottky-Diode auf Diamantbasis beschrieben.
Auf ein für das Diamantwachstum geeignetes Substrat 1 wird ein Diamantfilm 2 aus der Gasphase im CVD-Ver­ fahren aufgebracht. Auf Silizium-, Molybdän- und Si­ liziumdioxidsubstraten lassen sich polykristalline Diamantschichten und auf Diamantsubstraten homoepi­ taktisch einkristalline Diamantschichten abscheiden. Die Dicke der aktiven Diamantschicht beträgt in Ab­ hängigkeit von Dotierung und gewünschter Durchbruchs­ spannung typischerweise 40-500 nm.
Die Funktion einer Schottky-Diode auf homoepitaktisch einkristallinen Diamantschichten und polykristallinen Diamantschichten erfordert eine niedrige Dotierung der abgeschiedenen Diamantschicht von unter 1017 cm-3 im Bereich der Grenzfläche zur Schottky-Kontaktie­ rung. Diese Dotierung erfolgt üblicherweise mit Bor. Um einen scharfen Übergang von dem hochdotierten Rückkontakt 1 zu der gering dotierten aktiven Schicht zu erhalten, wird eine Bor-Feststoffquelle zu Beginn des mikrowellenunterstützten epitaktischen Wachstums für kurze Zeit in die CVD-Kammer eingeführt. An­ schließend wird der Film in Abwesenheit von der Bor- Feststoffquelle weitergewachsen. Die Oberflächenkon­ zentration von Bor hängt von der Wachstumszeit ab und kann bei einer Dicke der aktiven Schicht von 0,5 µm bis auf 2 × 1015 cm-3 sinken.
Im Anschluß an das epitaktische Abscheiden der Dia­ mantschicht 2 wird die Diamantoberfläche 3 zur Ver­ ringerung der Oberflächenleitfähigkeit in einem Sau­ erstoffplasma behandelt.
Die Abscheidung der amorphen Si:N-, Si:C- bzw. Si:O- Grenzflächenschicht 4 auf der durch das Sauerstoff­ plasma passivierten Diamantoberfläche 3 erfolgt in einer Ionenstrahl-Sputteranlage. Dabei werden mit einer ersten Ionenquelle je nach Art der Grenzflä­ chenschicht 4 Sauerstoff (O2), Stickstoff (N2) und/­ oder Methan (CH4) ionisiert und die entstehenden Stoffe direkt auf die Probe geführt. Eine zweite Ionenquelle sputtert gleichzeitig das hochdotierte Silizium auf die Probe. Mit einer solchen Vor­ gehensweise lassen sich in das Silizium Sauerstoff (Si:O), Stickstoff (Si:N) bzw. Kohlenstoff (Si:C) einbauen. Untersuchungen haben gezeigt, daß bei einer Dicke der Grenzflächenschicht 4 im Bereich von 5 nm die Grenzflächenschicht bereits als Barriere fun­ giert. Bevorzugt ist eine Schichtdicke von etwa 10 nm.
Auf die Grenzflächenschicht 4 wird anschließend amor­ phes, bordotiertes Silizium als Kontaktschicht 5 mit einer Dicke von typischerweise 10 nm bis 1 µm und bevorzugt 50 nm aufgebracht. Das Aufbringen kann ebenfalls in einer Ionenstrahl-Sputteranlage erfol­ gen.
Die Dotierung des Kontaktmaterials 5 sollte minde­ stens 1018 cm-3 betragen. Bevorzugt ist eine Dotierung des Kontaktmaterials 5 von über 1020 cm-3. Technolo­ gisch bedingt wird auch die in der Regel durchtunnel­ te Grenzflächenschicht 4 eine Dotierung aufweisen.
Fig. 2 zeigt die Strom-Spannungs-Kennlinie des in Fig. 1 dargestellten Bauelementes. Deutlich zu erken­ nen ist, daß die Schottky-Kontaktierung auch bei 1000°C noch gleichrichtende Eigenschaften aufweist.
Für technische Diodenstrukturen sollte die Schottky- Kontaktierung mit einer Kontaktmetallisierung verse­ hen werden. Hierzu wird auf die Silizumschicht zu­ nächst eine Silizium-Wolfram-Legierung aufgebracht, in die ca. 10 Atom-% Stickstoff eingebaut ist. Auf diese Diffusionsbarrierenschicht wiederum wird eine Metallisierung aus Gold abgeschieden, welche das Bon­ den des Bauelementes ermöglicht. Derartige Schottky- Dioden eignen sich beispielsweise hervorragend als Hochleistungsgleichrichter oder Thermistor. Die erfindungsgemäße Schottky-Kontaktierung kann jedoch auch als Steuerelektrode von Transistoren für den Hochtemperatureinsatz fungieren. Auch im Falle von sensorischen Anwendungen wie insbesondere der Strah­ lungs-, Druck- oder Temperaturmessung oder der Ver­ wendung für Aktuatoren erschließt die erfindungsgemä­ ße Schottky-Kontaktierung neue Einsatzbereiche. Eine aufwendige Kühlung kann bei Bauelementen mit dem er­ findungsgemäßen Kontaktsystem entfallen.

Claims (16)

1. Elektronisches Bauelement mit einer aktiven Schicht aus einem Halbleiter mit einer Bandlücke von über 2 eV und mit einem zwischen der aktiven Schicht und einer Silizium enthaltenden Kon­ taktierung ausgebildeten Schottky-Kontakt, wobei die Kontaktierung mindestens eine auf der aktiven Schicht angeordnete amorphe, dotierte Silizium-Grenzflächenschicht (4) die min­ destens eines der Elemente Stickstoff, Kohlen­ stoff und Sauerstoff enthält sowie eine auf der Grenzflächen­ schicht (4) angeordnete dotierte Kontaktschicht (5) umfaßt, die Grenzflächenschicht (4) eine Dicke von über 5 nm aufweist und wobei die Elemente Stickstoff, Kohlenstoff und Sauerstoff in der Grenzflächenschicht (4) einen Gesamtanteil zwischen 40 und 80% aufweisen.
2. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (5) eine Siliziumschicht ist.
3. Elektronisches Bauelement nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Grenzflächenschicht (4) ein refraktäres Metall enthält.
4. Elektronisches Bauelement nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente Stickstoff, Koh­ lenstoff und Sauerstoff in der Grenzflächen­ schicht (4) einen derartigen Gesamtanteil aufweisen, daß eine diskrete, thermodynamische stabile Phase aus dem mindestens ein Element und Silizium vorliegt.
5. Elektronisches Bauelement nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht (2) einkristallin oder poly­ kristallin ist.
6. Elektronisches Bauelement nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht (2) aus Diamant oder SiC be­ steht.
7. Elektronisches Bauelement nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Kontaktschicht (5) eine Kontaktmetalli­ sierung angeordnet ist.
8. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 7, da­ durch gekennzeichnet, daß zwischen Kontaktmetal­ lisierung und Kontaktschicht (5) eine als Dif­ fusionsbarriere fungierende Schicht angeordnet ist.
9. Elektronisches Bauelement nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektronische Bauelement eine Schottky-Diode ist.
10. Elektronisches Bauelement nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektronische Bauelement ein Sensor oder ein Aktuator ist.
11. Elektronisches Bauelement nach einem der vorher­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektronische Bauelement ein Transistor ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelementes mit einer aktiven Schicht (2) aus einem Halbleiter mit einer Bandlücke von über 2 eV und mit einem zwischen der aktiven Schicht (2) und einer Silizium enthaltenden Kontaktie­ rung ausgebildeten Schottky-Kontakt, enthaltend die Schritte
  • a) epitaktisches Wachstum der aktiven Schicht (2) auf einem Substrat (1);
  • b) Aufbringen einer amorphen, dotierten Silizium-Grenzflächenschicht, die mindestens eines der Elemente Kohlenstoff, Stickstoff und Sauerstoff enthält mit einer Dicke über 5 nm auf die aktive Schicht (2) derart, daß die Elemente Stickstoff, Kohlenstoff und Sauerstoff in der Grenzflächenschicht einen Gesamtanteil zwischen 40 und 80% aufweisen, und
  • c) Aufbringen einer dotierten Kontaktschicht (5) auf die Grenzflächenschicht (4).
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß vor dem Aufbringen der Grenz­ flächenschicht (4) die Oberfläche (3) der aktiven Schicht (2) in einem Sauerstoffplasma behandelt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Dotierung der aktiven Schicht (2) nur zu Beginn des epitakti­ schen Wachstums erfolgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Grenzflächen­ schicht (4) durch Sputtern abgeschieden wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekenn­ zeichnet, daß von einer ersten Sputterquelle das hochdotierte Silizium gesputtert wird und gleichzeitig von einer zweiten Sputterquelle mindestens eines der Elemente Sauerstoff, Stick­ stoff und Methan ionisiert und gesputtert wird.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7297626B1 (en) 2001-08-27 2007-11-20 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Process for nickel silicide Ohmic contacts to n-SiC
DE10220396B4 (de) * 2002-05-07 2007-08-23 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelementanordnung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4982243A (en) * 1988-03-28 1991-01-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Schottky contact
WO1993002471A1 (en) * 1991-07-25 1993-02-04 North Carolina State University High temperature refractory silicide rectifying contact and method for making same
DE4313625C2 (de) * 1992-04-27 1998-10-08 Kobe Steel Ltd Gleichrichterkontakt zwischen einer halbleitenden Diamantschicht und einer amorphen Siliciumschicht und Verfahren zu seiner Herstellung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4982243A (en) * 1988-03-28 1991-01-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Schottky contact
WO1993002471A1 (en) * 1991-07-25 1993-02-04 North Carolina State University High temperature refractory silicide rectifying contact and method for making same
DE4313625C2 (de) * 1992-04-27 1998-10-08 Kobe Steel Ltd Gleichrichterkontakt zwischen einer halbleitenden Diamantschicht und einer amorphen Siliciumschicht und Verfahren zu seiner Herstellung

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GLUCHE P., EBERT W., VESCAN A., KOHN E.: Silicon Based Schottky Contacts on Diamond with high Bar- rier Height and Thermal Stability. In: Transac- tions on Third International High-Temperature Electronics Conference, Albuquerque, New Mexico, USA, 9.-14.06.1996, Vol. 2, S. 189-194 *
KIYOTA H., MATSUSHIMA E., SATO K., OKUSHI H. *
MÖNCH W.: Electronic properties of ideal and in- terface-modified metal-semiconductor interfaces. In: J. Vac.Sci. Technol. B, 1996, Vol.14, No. 4, S. 2985-2993 *
VENKATESAN V., DAS K., FOUNTAIN G.G., RUDDER R.A.,u.a.: Effect of Thin Interfacial SiO2 Films on Me-tal Contacts to B-doped Diamond Films. In:J.Elec- trochem. Soc., 1992, Vol.139, No.5, S. 1445-1449 *
VENKATESAN V., VON WINDHEIM J.A., DAS K.: Deep-Le-vel Effects on Forward Characteristics of Recti- fying Contacts on Semiconducting Diamond. In: IEEE Transactions on Electron Devices, ISSN:0018-9383, 1993, Vol. 40, No.8, S. 1556-1558 *

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