DE19811046C2 - Electronic component and method for producing an electronic component - Google Patents
Electronic component and method for producing an electronic componentInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit einer aktiven Schicht aus einem Halbleiter mit einer Bandlücke von über 2 eV und mit einem zwischen der aktiven Schicht und einer Kontaktierung ausgebil deten Schottky-Kontakt. Derartige Bauelemente mit aktiven Schichten aus einem Wide-Gap Halbleiter eig nen sich beispielsweise zur Überwachung und Steuerung von bei hohen Temperaturen ablaufenden oder hohe elektrische Leistungen erfordernden Prozessen.The invention relates to an electronic component with an active layer made of a semiconductor a band gap of over 2 eV and with a between the active layer and a contact formation Schottky contact. Such components with active layers from a wide-gap semiconductor for monitoring and control from running at high temperatures or high processes requiring electrical power.
Insbesondere Diamant mit einer Bandlücke von 5,45 eV ist aufgrund seiner Materialeigenschaften ein attrak tives Material für die Hochtemperatur- und Leistungs elektronik. Diamantfilme, welche z. B. aus der Gaspha se im CVD-Verfahren abgeschieden werden, bilden mitt lerweile die Basis für Gleichrichterdioden, Feldef fekttransistoren sowie Temperatur- und Drucksensoren. In particular diamond with a band gap of 5.45 eV is an attractive due to its material properties tive material for high temperature and performance electronics. Diamond films, e.g. B. from the gas phase se are deposited in the CVD process, form mitt meanwhile the basis for rectifier diodes, Feldef effect transistors as well as temperature and pressure sensors.
Die Funktion einer Vielzahl dieser elektronischen Bauelemente erfordert das Aufbringen von gleichrich tenden Schottky-Kontakten auf den aktiven Diamant film.The function of a variety of these electronic Components require the application of rectifier tendency Schottky contacts on the active diamond Movie.
In der Praxis hat sich gezeigt, daß zur Herstellung von Schottky-Kontakten auf Diamant Kontaktmaterialien benötigt werden, welche auch bei hohen Betriebs- und Umgebungstemperaturen keine chemische Reaktion mit der Diamantoberfläche eingehen. Aufgrund der chemi schen Reaktion des Kontaktmaterials mit der Diamant oberfläche bilden sich an der Grenzfläche zwischen Kontaktmaterial und Diamant Carbide aus. Weiterhin werden aufgrund der chemischen Reaktion zwischen Kon taktmaterial und Diamantoberfläche elektrisch aktive Defekte erzeugt. Sowohl die Defektbildung als auch die Carbidbildung bewirken eine Zerstörung der sper renden Eigenschaften des Überganges vom Diamanten zum Kontaktmaterial.In practice it has been shown that for manufacturing Schottky contacts on diamond contact materials are needed, which even at high operating and Ambient temperatures with no chemical reaction of the diamond surface. Due to the chemi reaction of the contact material with the diamond surface form at the interface between Contact material and diamond carbide. Farther are due to the chemical reaction between Kon Clock material and diamond surface electrically active Defects created. Both the defect formation as well the carbide formation cause destruction of the sper properties of the transition from diamond to Contact material.
Da metallische Kontaktmaterialien wie Titan oder Alu minium bereits bei Temperaturen von ungefähr 430°C mit der Diamantoberfläche unter Ausbildung von Carbiden reagieren, scheidet die Verwendung solcher Elemente als Kontaktmaterialien für Schottky-Kontakte auf Diamant im Falle von Hochtemperaturanwendungen aus. Zwar zeichnet sich das Kontaktmetall Gold auch bei hohen Temperaturen durch seine chemische Inert heit aus, die mechanische und thermische Stabilität von Gold ist jedoch gering. Aufgrund dieser Nachteile metallischer Kontaktmaterialien wurde in letzter Zeit vermehrt die Verwendung von Silizium, welches sich durch hohe mechanische und thermische Stabilität auszeichnet, als Kontaktmaterial untersucht.Because metallic contact materials such as titanium or aluminum minium already at temperatures of about 430 ° C with the diamond surface to form React carbides, the use of such is excluded Elements as contact materials for Schottky contacts on diamond in the case of high temperature applications out. The contact metal gold is also distinguished at high temperatures due to its chemical inert the mechanical and thermal stability of gold, however, is low. Because of these disadvantages metallic contact materials has been around lately increases the use of silicon, which is due to high mechanical and thermal stability distinguished, examined as contact material.
In "Silicon Based Schottky Contacts on Diamond With High Barrier Height and Thermal Stability", P. Gluche et al., Transactions on Third International High Tem peratures Electronics Conference, Albuquerque, New Mexico, USA, 9. bis 14. Juni 1996, Vol. 2, Seiten 189-194, werden Schottky-Kontakte auf epitaktisch gewachsenem, p-dotiertem Diamant beschrieben. Als Kontaktmaterial findet hoch p-dotiertes Silizium, welches durch Ionenstrahlsputtern auf der Diamant oberfläche abgeschieden wurde, Verwendung. Jedoch ist auch bei diesen Schottky-Kontakten beginnend bei Tem peraturen von 600°C eine Carbidbildung zu beobach ten, welche schließlich noch unterhalb von 700°C einen irreversiblen Totalausfall des Bauele mentes bewirkt.In "Silicon Based Schottky Contacts on Diamond With High Barrier Height and Thermal Stability ", P. Gluche et al., Transactions on Third International High Tem peratures Electronics Conference, Albuquerque, New Mexico, USA, June 9-14, 1996, vol. 2, pages 189-194, Schottky contacts become epitaxial grown, p-doped diamond. As Contact material finds highly p-doped silicon, which by ion beam sputtering on the diamond surface has been deposited, use. However is also with these Schottky contacts starting with Tem temperatures of 600 ° C to observe carbide formation ten, which finally still below 700 ° C an irreversible total failure of the component mentes.
Venkatesan et al. offenbaren in J. Electrochem. Soc., 1992, Vol. 139, Nr. 5, Seite 1445-1449 einen MOS- Schottky-Kontakt, bei dem zwischen der aktiven Schicht und der Kontaktschicht eine isolierende Zwischenschicht aus Siliziumdioxid angebracht wird. Auch W. Mönch offenbart in J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, Vol. 14, Nr. 4, Seite 2985-2993 einen Metall- Halbleiter bzw. Schottky-Kontakt, bei dem isolierende Zwischenschichten aus Siliziumdioxid und Si3N4 zwischen die Kontaktschichten als durchtunnelte Isolatorschichten vorgesehen sind.Venkatesan et al. disclose in J. Electrochem. Soc., 1992, Vol. 139, No. 5, page 1445-1449 a MOS Schottky contact, in which an insulating intermediate layer made of silicon dioxide is applied between the active layer and the contact layer. W. Mönch also discloses in J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, Vol. 14, No. 4, page 2985-2993 a metal semiconductor or Schottky contact, in which insulating intermediate layers of silicon dioxide and Si 3 N 4 are provided between the contact layers as tunneled insulator layers.
Venkatesan et al. offenbaren weiterhin in IEEE Transactions an Electron Devices, ISSN: 0018-9383, 1993, Vol. 40, Nr. 8. Seite 1556-1558 eine Diamant- Silizium-Diode.Venkatesan et al. continue to disclose in IEEE Transactions on Electron Devices, ISSN: 0018-9383, 1993, Vol. 40, No. 8. Page 1556-1558 a diamond Silicon diode.
Ein entsprechender Schottky-Kontakt ist auch in der US 4,982,243 A offenbart, wobei hier auf einen ein kristallinen Diamant epitaxial eine Diamantschicht abgeschieden wird. Auf diese Diamantschicht wird eine weitere Schottky-Elektrodenschicht aufgebracht.A corresponding Schottky contact is also in the US 4,982,243 A, wherein here one crystalline diamond epitaxial a diamond layer is deposited. On this diamond layer is a another Schottky electrode layer applied.
Ausgehend von diesen und weiteren Nachteilen des Standes der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein elektronisches Bauelement zu schaffen, das mit einem Schottky-Kontakt versehen ist, welcher selbst bei Temperaturen oberhalb von 600°C noch gleichrichtende Eigenschaften aufweist. Außerdem soll ein Herstellungsverfahren für ein derartiges Bauele ment angegeben werden.Based on these and other disadvantages of the State of the art, the object of the invention to create an electronic component, which is provided with a Schottky contact, which even at temperatures above 600 ° C has rectifying properties. In addition, should a manufacturing process for such a component ment.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Bauelement gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Herstellungsverfahren ge mäß Anspruch 12. Die jeweiligen Unteransprüche be treffen vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung.This object is achieved by a component according to Claim 1 and ge by a manufacturing process according to claim 12. The respective subclaims be meet advantageous embodiments of the invention.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, auf einen Wide- Gap Halbleiter, der eine Bandlücke von über 2 eV auf weist, eine mindestens zweischichtige Schottky-Kon taktierung aufzubringen, welche eine auf dem Wide-Gap Halbleiter angeordnete dotierte, mindestens 5 nm dicke Grenzflächenschicht enthaltend Silizium und mindestens eines der Elemente Stickstoff, Kohlenstoff oder Sauerstoff sowie eine auf der Grenzflächenschicht angeordnete dotierte Kontaktschicht umfaßt. Die Kontaktschicht kann sowohl p- als auch n-dotiert sein. Der Wide-Gap Halbleiter kann p-dotiert, n-dotiert sowie undotiert sein. Die Grenzflächen schicht enthält Dotierstoffe. Die Grenzflächenschicht kann weiterhin ein refraktäres Metall wie Titan, Wolfram, Tantal oder Molybdän enthalten.According to the invention, it is proposed to Gap semiconductor that has a band gap of over 2 eV shows an at least two-layer Schottky-Kon to apply clocking, which one on the wide gap Semiconductors doped, at least 5 nm thick interface layer containing silicon and at least one of the elements nitrogen, carbon or oxygen as well as one on the interface layer arranged doped contact layer comprises. The contact layer can be p- as well as n-doped his. The wide-gap semiconductor can be p-doped, be n-doped and undoped. The interfaces layer contains dopants. The interface layer can still be a refractory metal like titanium, Contain tungsten, tantalum or molybdenum.
Aufgrund des Einbaus mindestens eines der Elemente Stickstoff, Kohlenstoff und Sauerstoff sowie ggf. eines refraktären Metalles in die Grenzflächenschicht wirkt diese als chemisch inerte Barriere zwischen Kontaktmaterial und Oberfläche des Wide-Gap Halb leiters. Die Gesamtanteile dieser Elemente in der Grenzflächenschicht müssen derart eingestellt werden, daß eine ausreichende chemische und thermodynamische Stabilität der Grenzflächenschicht gewährleistet wird. Die Gesamtanteile dieser Elemente in der Grenz flächenschicht bezogen auf das in der Grenzflächen schicht enthaltene Silizium sollten vorteilhafterwei se mindestens 25 Atom-% betragen. Bevorzugt ist ein Gesamtanteil zwischen 40 und 80 Atom-%. Die Stöchio metrie zwischen Silizium (bzw. den refraktären Metal len) und der zur chemischen Stabilisierung eingebau ten Elemente Stickstoff, Kohlenstoff oder Sauerstoff kann mit der Dicke der Grenzflächenschicht variieren. Die angegebenen Atom-% geben den Mittelwert für die Stöchiometrie der Grenzflächen schicht an. Zur Erzielung der gewünschten Effekte genügen prinzipiell Schichtdicken von wenigen Atom lagen. Entscheidend ist weniger die Dicke der Grenz flächenschicht, als vielmehr deren Funktionalität. So muß am Übergang zum Wide-Gap Halbleiter eine ther modynamisch stabile Phase vorliegen, welche Aus tauschreaktionen verhindert und sich auch bei hohen Temperaturen nicht zersetzt. Bei geringen Dicken der Grenzflächenschicht kann diese von den Ladungsträgern durchtunnelt werden. Bei größeren Schichtdicken wird eine Dotierung der Grenzflächenschicht erforderlich, damit der Serienwiderstand nicht steigt. Es hat sich gezeigt, daß insbesondere amorphe Grenzflächenschich ten Diffusionsvorgänge an Grenzflächen unterdrücken, wodurch die elektrischen Eigenschaften des Bauelemen tes erhalten bleiben. Voraussetzung ist, daß die Grenzflächenschicht nicht bei hohen Temperaturen re kristallisiert. Durch die Beschaffenheit der beschriebenen Grenzflächenschicht wird eine Rekri stallisation an der Grenzfläche jedoch selbst bei hohen Temperaturen unterdrückt.Due to the installation of at least one of the elements Nitrogen, carbon and oxygen and possibly of a refractory metal in the interface layer it acts as a chemically inert barrier Contact material and surface of the wide-gap half conductor. The total proportions of these elements in the Interface layer must be set in such a way that adequate chemical and thermodynamic Stability of the interface layer guaranteed becomes. The total proportions of these elements in the border surface layer based on that in the interfaces Layer containing silicon should advantageously se amount to at least 25 atomic%. A is preferred Total share between 40 and 80 atomic%. The stoichio metry between silicon (or the refractory metal len) and built in for chemical stabilization elements nitrogen, carbon or oxygen can vary with the thickness of the interface layer. The atomic% given give the Average for the stoichiometry of the interfaces layer on. To achieve the desired effects In principle, layer thicknesses of a few atoms are sufficient lay. The thickness of the border is less important surface layer, rather its functionality. So a ther must at the transition to the wide-gap semiconductor there is a dynamically stable phase, which is off exchange reactions prevented and even at high Temperatures not decomposed. At low thicknesses Interface layer can this from the charge carriers be tunneled through. With larger layer thicknesses doping of the interface layer is required, so that the series resistance does not increase. It has demonstrated that in particular amorphous interface layers suppressing diffusion processes at interfaces, whereby the electrical properties of the building elements remain intact. The prerequisite is that the Interfacial layer not right at high temperatures crystallized. Due to the nature of the described interface layer is a Rekri installation at the interface itself suppressed high temperatures.
Als Kontaktmaterial kann auf der Grenzflächenschicht eine bevorzugt ebenfalls amorphe und hochdotierte Siliziumschicht angeordnet sein. Anstatt Silizium kann diese Kontaktschicht auch Wolframsilizid enthal ten. Um ein späteres Bonden des Bauelementes zu er möglichen, läßt sich auf der Kontaktschicht noch eine ggf. durch eine Diffusionsbarriere vom Kontaktmateri al getrennte Kontaktmetallisierung aufbringen.The contact material can be on the interface layer one also preferably amorphous and highly doped Silicon layer can be arranged. Instead of silicon this contact layer can also contain tungsten silicide To later bond the component possible, another can be found on the contact layer possibly through a diffusion barrier from the contact material Apply al separate contact metallization.
Weitere Einzelheiten und bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Figuren und den Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Further details and preferred configurations the invention result from the figures and the Embodiments. Show it:
Fig. 1: eine schematische Darstellung einer erfin dungsgemäßen Schottky-Kontaktierung; und Fig. 1 is a schematic representation of an OF INVENTION to the invention Schottky contact; and
Fig. 2: die Strom-Spannungs-Kennlinie einer erfin dungsgemäßen Schottky-Kontaktierung. Fig. 2: the current-voltage characteristic of an inventive Schottky contacting.
Obwohl die aktiven Schichten der erfindungsgemäßen Bauelemente prinzipiell aus allen Wide-Gap Halblei tern wie Diamant oder SiC, GaN, AlN, kubischem Bor nitrid oder deren ternären Verbindungen bestehen kön nen, wird nachfolgend anhand von Fig. 1 exemplarisch die Herstellung einer Schottky-Diode auf Diamantbasis beschrieben.Although the active layers of the components according to the invention can in principle consist of all wide-gap semiconductors such as diamond or SiC, GaN, AlN, cubic boron nitride or their ternary compounds, the production of a Schottky diode is shown below using FIG. 1 as an example Diamond base described.
Auf ein für das Diamantwachstum geeignetes Substrat 1 wird ein Diamantfilm 2 aus der Gasphase im CVD-Ver fahren aufgebracht. Auf Silizium-, Molybdän- und Si liziumdioxidsubstraten lassen sich polykristalline Diamantschichten und auf Diamantsubstraten homoepi taktisch einkristalline Diamantschichten abscheiden. Die Dicke der aktiven Diamantschicht beträgt in Ab hängigkeit von Dotierung und gewünschter Durchbruchs spannung typischerweise 40-500 nm.On a substrate 1 suitable for diamond growth, a diamond film 2 is applied from the gas phase in the CVD process. Polycrystalline diamond layers can be deposited on silicon, molybdenum and silicon dioxide substrates, and homoepi tactically single-crystalline diamond layers on diamond substrates. The thickness of the active diamond layer is typically 40-500 nm depending on the doping and the desired breakdown voltage.
Die Funktion einer Schottky-Diode auf homoepitaktisch einkristallinen Diamantschichten und polykristallinen Diamantschichten erfordert eine niedrige Dotierung der abgeschiedenen Diamantschicht von unter 1017 cm-3 im Bereich der Grenzfläche zur Schottky-Kontaktie rung. Diese Dotierung erfolgt üblicherweise mit Bor. Um einen scharfen Übergang von dem hochdotierten Rückkontakt 1 zu der gering dotierten aktiven Schicht zu erhalten, wird eine Bor-Feststoffquelle zu Beginn des mikrowellenunterstützten epitaktischen Wachstums für kurze Zeit in die CVD-Kammer eingeführt. An schließend wird der Film in Abwesenheit von der Bor- Feststoffquelle weitergewachsen. Die Oberflächenkon zentration von Bor hängt von der Wachstumszeit ab und kann bei einer Dicke der aktiven Schicht von 0,5 µm bis auf 2 × 1015 cm-3 sinken.The function of a Schottky diode on homoepitaxically single-crystalline diamond layers and polycrystalline diamond layers requires a low doping of the deposited diamond layer of less than 10 17 cm -3 in the region of the interface to the Schottky contact. This doping is usually carried out with boron. To obtain a sharp transition from the highly doped back contact 1 to the lightly doped active layer, a boron solid source is introduced into the CVD chamber for a short time at the beginning of the microwave-assisted epitaxial growth. The film is then grown in the absence of the boron solids source. The surface concentration of boron depends on the growth time and can decrease with a thickness of the active layer from 0.5 µm to 2 × 10 15 cm -3 .
Im Anschluß an das epitaktische Abscheiden der Dia mantschicht 2 wird die Diamantoberfläche 3 zur Ver ringerung der Oberflächenleitfähigkeit in einem Sau erstoffplasma behandelt.Following the epitaxial deposition of the slide mantschicht 2, the diamond surface 3 for the surface conductivity Ver ringerung in a Sau erstoffplasma treated.
Die Abscheidung der amorphen Si:N-, Si:C- bzw. Si:O- Grenzflächenschicht 4 auf der durch das Sauerstoff plasma passivierten Diamantoberfläche 3 erfolgt in einer Ionenstrahl-Sputteranlage. Dabei werden mit einer ersten Ionenquelle je nach Art der Grenzflä chenschicht 4 Sauerstoff (O2), Stickstoff (N2) und/ oder Methan (CH4) ionisiert und die entstehenden Stoffe direkt auf die Probe geführt. Eine zweite Ionenquelle sputtert gleichzeitig das hochdotierte Silizium auf die Probe. Mit einer solchen Vor gehensweise lassen sich in das Silizium Sauerstoff (Si:O), Stickstoff (Si:N) bzw. Kohlenstoff (Si:C) einbauen. Untersuchungen haben gezeigt, daß bei einer Dicke der Grenzflächenschicht 4 im Bereich von 5 nm die Grenzflächenschicht bereits als Barriere fun giert. Bevorzugt ist eine Schichtdicke von etwa 10 nm.The amorphous Si: N, Si: C or Si: O interface layer 4 is deposited on the diamond surface 3 passivated by the oxygen plasma in an ion beam sputtering system. Depending on the type of boundary layer, 4 oxygen (O 2 ), nitrogen (N 2 ) and / or methane (CH 4 ) are ionized with a first ion source and the resulting substances are passed directly to the sample. A second ion source simultaneously sputtered the highly doped silicon onto the sample. With such an approach, oxygen (Si: O), nitrogen (Si: N) or carbon (Si: C) can be built into the silicon. Studies have shown that with a thickness of the interface layer 4 in the range of 5 nm, the interface layer already functions as a barrier. A layer thickness of approximately 10 nm is preferred.
Auf die Grenzflächenschicht 4 wird anschließend amor phes, bordotiertes Silizium als Kontaktschicht 5 mit einer Dicke von typischerweise 10 nm bis 1 µm und bevorzugt 50 nm aufgebracht. Das Aufbringen kann ebenfalls in einer Ionenstrahl-Sputteranlage erfol gen.Amor phes, boron-doped silicon is then applied to the interface layer 4 as a contact layer 5 with a thickness of typically 10 nm to 1 μm and preferably 50 nm. The application can also be carried out in an ion beam sputtering system.
Die Dotierung des Kontaktmaterials 5 sollte minde stens 1018 cm-3 betragen. Bevorzugt ist eine Dotierung des Kontaktmaterials 5 von über 1020 cm-3. Technolo gisch bedingt wird auch die in der Regel durchtunnel te Grenzflächenschicht 4 eine Dotierung aufweisen.The doping of the contact material 5 should be at least 10 18 cm -3 . Doping of the contact material 5 of more than 10 20 cm -3 is preferred. Technologically, the generally tunneled interface layer 4 will also have a doping.
Fig. 2 zeigt die Strom-Spannungs-Kennlinie des in Fig. 1 dargestellten Bauelementes. Deutlich zu erken nen ist, daß die Schottky-Kontaktierung auch bei 1000°C noch gleichrichtende Eigenschaften aufweist. FIG. 2 shows the current-voltage characteristic of the component shown in FIG. 1. It can be clearly seen that the Schottky contacting still has rectifying properties even at 1000 ° C.
Für technische Diodenstrukturen sollte die Schottky- Kontaktierung mit einer Kontaktmetallisierung verse hen werden. Hierzu wird auf die Silizumschicht zu nächst eine Silizium-Wolfram-Legierung aufgebracht, in die ca. 10 Atom-% Stickstoff eingebaut ist. Auf diese Diffusionsbarrierenschicht wiederum wird eine Metallisierung aus Gold abgeschieden, welche das Bon den des Bauelementes ermöglicht. Derartige Schottky- Dioden eignen sich beispielsweise hervorragend als Hochleistungsgleichrichter oder Thermistor. Die erfindungsgemäße Schottky-Kontaktierung kann jedoch auch als Steuerelektrode von Transistoren für den Hochtemperatureinsatz fungieren. Auch im Falle von sensorischen Anwendungen wie insbesondere der Strah lungs-, Druck- oder Temperaturmessung oder der Ver wendung für Aktuatoren erschließt die erfindungsgemä ße Schottky-Kontaktierung neue Einsatzbereiche. Eine aufwendige Kühlung kann bei Bauelementen mit dem er findungsgemäßen Kontaktsystem entfallen.For technical diode structures, the Schottky Contacting with a contact metallization verse will be. For this, the silicon layer is approached next a silicon-tungsten alloy is applied, in which approx. 10 atomic percent nitrogen is incorporated. On this diffusion barrier layer in turn becomes one Metallization deposited from gold, which the receipt enables the component. Such Schottky For example, diodes are excellent as High power rectifier or thermistor. The invention Schottky contacting can, however also as a control electrode for transistors for the Act high temperature use. Even in the case of sensory applications such as in particular the beam lungs-, pressure or temperature measurement or the Ver application for actuators opens up the invention Schottky contacts new areas of application. A Complex cooling can be used for components with which it contact system according to the invention are eliminated.
Claims (16)
- a) epitaktisches Wachstum der aktiven Schicht (2) auf einem Substrat (1);
- b) Aufbringen einer amorphen, dotierten Silizium-Grenzflächenschicht, die mindestens eines der Elemente Kohlenstoff, Stickstoff und Sauerstoff enthält mit einer Dicke über 5 nm auf die aktive Schicht (2) derart, daß die Elemente Stickstoff, Kohlenstoff und Sauerstoff in der Grenzflächenschicht einen Gesamtanteil zwischen 40 und 80% aufweisen, und
- c) Aufbringen einer dotierten Kontaktschicht (5) auf die Grenzflächenschicht (4).
- a) epitaxial growth of the active layer ( 2 ) on a substrate ( 1 );
- b) applying an amorphous, doped silicon interface layer containing at least one of the elements carbon, nitrogen and oxygen with a thickness of more than 5 nm on the active layer ( 2 ) such that the elements nitrogen, carbon and oxygen in the interface layer make up a total proportion have between 40 and 80%, and
- c) applying a doped contact layer ( 5 ) to the interface layer ( 4 ).
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