DE4403932C2 - Magnetoresistive Sensoreinrichtung mit einem magnetisch anisotropen Sensorteil - Google Patents
Magnetoresistive Sensoreinrichtung mit einem magnetisch anisotropen SensorteilInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine magnetoresistive Sen
soreinrichtung mit einem magnetisch anisotropen, eine Vor
zugsachse der Magnetisierung aufweisenden Sensorteil, der
eine bezüglich eines zu erfassenden äußeren Magnetfeldes
auszurichtende flächenhafte Oberseite hat.
Eine solche
Sensoreinrichtung ist aus dem Buch "Sensors", Vol. 5:
Magnetic Sensors, Hrsg. R. Boll und K. J. Overshott VCH-
Verlagsgesellschaft, Weinheim (DE), 1989, Seiten 343
bis 378, insbesondere Seiten 350 bis 353 bekannt.
Bei einer magnetoresistiven Sensoreinrichtung wird die
Anisotropie des Magnetowiderstandes ihres magnetisch
anisotropen, häufig schichtförmigen Sensorteils ausge
nutzt. Dieser Sensorteil weist einen Magnetisierungsvektor
FA## in einer vorgegebenen Richtung auf, welche im allge
meinen die Hauptausdehnungsrichtung des Sensorteils ist
und beispielsweise im Falle eines schichtförmigen Sensor
teils in der Schichtebene liegt. Der spezifische Wider
stand RHO eines solchen, von einem Strom durchflossenen
Sensorteils ist abhängig von dem Winkel PHI zwischen dem
Magnetisierungsvektor M und dem Stromvektor I:
RHO(PHI) = RHOV + RHO . cos2(PHI)
RHO = RHOP - RHOV.
RHO = RHOP - RHOV.
Dabei sind RHOV = RHO(PHI = 90°) der isotrope Anteil des
spezifischen Widerstandes und Δ RHO = RHOP - RHOV mit RHOP
= RHO(PHI = 0°) die Änderung des Widerstandes beim Drehen
des Magnetisierungsvektors FA## um 90° aus der Richtung des
Stromes I. Das Verhältnis Δ RHO/ROHV nennt man den aniso
tropen magnetoresistiven Effekt des entsprechenden Mate
rials, der bis zu einige Prozent betragen kann. Ein äuße
res Magnetfeld mit einer Komponente Hs senkrecht zum
Magnetisierungsvektor M dreht nun den Magnetisierungs
vektor M und verändert damit den Winkel PHI zwischen dem
Magnetisierungsvektor M und dem Strom I. Die daraus re
sultierende Widerstandsänderung von RHO(PHI) stellt ein
Maß für die Größe der Magnetfeldkomponente Hs dar (vgl.
"Sensors", siehe oben, Seiten 343 und 344).
In einem Meßbereich um PHI = ± 45° und PHI = ± 135° ist die
Kennlinie des Sensorteils in guter Näherung jeweils li
near. Bei den Winkeln PHI = -45° und PHI = +135° ist die
Steigung der Kennlinie positiv und bei PHI = +45° und
PHI = -135° negativ. Zum Linearisieren stellt man daher
den Winkel PHI zwischen dem Magnetisierungsvektor M und
dem Stromvektor I auf einen dieser Werte ein, wenn kein
äußeres Magnetfeld mit der Komponente Hs vorhanden ist.
Einen entsprechenden Aufbau zeigt ein sogenannter Barber-
Pole-Sensor. Dieser Sensor enthält als magnetisch und
geometrisch anisotropen Sensorteil einen in Längsrichtung
magnetisierten Streifen aus der NiFe-Legierung "Permalloy"
mit einer Länge l, einer Breite w und einer Dicke d, wobei
1 < w << d gilt. Auf diesem Streifen sind schmale Strei
fenleiter aus einem elektrisch gut leitenden Material wie
Au unter einem Winkel von β = +45° oder β = -45° zur Magne
tisierung M des Streifens angeordnet. Beim Anlegen einer
Spannung an den Längsenden des Streifens bildet sich
zwischen den Streifenleitern in dem magnetoresistiven
Streifen ein Stromfluß I aus, der im wesentlichen senk
recht zu den Streifenleitern und damit je nach Polung der
Spannung unter einem Winkel PHI = β +90° oder PHI =
β -90° zur Magnetisierung M verläuft.
Im Idealfall ist der Permalloy-Sensorteil einer solchen
Sensoreinrichtung uniform magnetisiert. Es zeigt sich
jedoch, daß diese Magnetisierungsverteilung im allgemeinen
nicht sehr stabil ist, weil die Konfiguration einen Zu
stand mit hoher magnetostatischer Energie darstellt. Klei
ne Störfelder, vor allem parallel zum Magnetisierungsvek
tor M können dazu führen, daß eine Umwandlung zu einem
stabilen Domänenzustand stattfindet. Solche Domänen haben
zur Folge, daß eine quer zur Magnetisierungsrichtung
gerichtete Magnetfeldkomponente kein oder nur ein ver
mindertes Signal hervorruft. Man ist deshalb bestrebt,
die erwünschte uniforme Magnetisierungsverteilung zu
stabilisieren.
Hierzu ist in der EP 0 279 535 A1 vorgeschlagen, die
magnetisch anisotrope Meßschicht aus Permalloy einer als
Barber-Pole gestalteten magnetoresistiven Sensoreinrich
tung über den eigentlichen Meßbereich hinaus in Form von
zipfelartigen Endstücken auslaufen zu lassen. In einem
solchen zipfelartigen Endstück wird die durch ein Magnet
feld hervorgerufene Magnetisierung entlang der Bisetrix
des Zipfelwinkels gezwungen. Der Rest der Magnetisierung
im zipfelartigen Endstück wird sich danach ausrichten, und
es entsteht eine Verteilung der Magnetisierung, die
parallel zur Symmetrieachse des Meßelements ausge
richtet ist. Weiter entfernt von dem zipfelartigen End
stück hat das Magnetfeld in der Meßschicht die entgegen
gesetzte Richtung und neigt hier dazu, die Magnetisierung
zu destabilisieren. Diese Destabilisierung tritt aber we
gen des Anisotropiefeldes vorerst in dem mittleren Teil
der Meßschicht nicht auf. Am Rande des Ladungsbereiches
heben sich die Anisotropie und das entmagnetisierende Feld
gegenseitig auf, und es entsteht ein periodisches Muster
von Neel'schen Domänenwänden. Diese Wände erzeugen ein die
ursprüngliche Magnetisierung stabilisierendes Feld. Wenn
nun ein äußeres Magnetfeld der Magnetisierung entgegenge
setzt gerichtet vorliegt, wird sich der Neel'sche Wandbe
reich ausbreiten und zur Mitte der Meßschicht hin bewegen.
Auf diese Weise wird die Magnetisierungsverteilung in dem
Meßbereich beeinträchtigt. Eine weitere Erhöhung des Fel
des führt dann zu einer weiteren Beeinträchtigung und so
gar zum Umklappen der Magnetisierung in dem Mittenbereich.
Eine weitere Möglichkeit der Festlegung der Magnetisierung
an den stirnseitigen Endstücken eines magnetoresistiven
Meßelements geht aus "IEEE Trans. Magn.", Vol. 25, No. 5,
Sept. 1989, Seiten 3692 bis 3694 hervor. Bei der bekann
ten Sensoreinrichtung ist an diesen stirnseitigen End
stücken des Meßelements jeweils eine Schicht aus einem
antiferromagnetischen Material wie z. B. aus einer Fe-Mn-
Legierung aufgebracht. Durch Erhitzen dieses Aufbaus über
die Neel-Temperatur des antiferromagnetischen Materials in
einem Magnetfeld und durch anschließendes Wiederabkühlen
wird in den stirnseitigen Endstücken eine Magnetisierung
mit einer Vorzugsrichtung, eine sogenannte Grundeinstell
richtung, eingeprägt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, im Meßbereich
der Sensoreinrichtung den Effekt sowohl des entmagnetisie
renden Feldes wie auch der unerwünschten äußeren Magnet
feldkomponente parallel oder antiparallel zur Grundein
stellrichtung der Magnetisierung im Meßbereich zumindest
weitgehend zu kompensieren. Außerdem soll die Magnetisie
rung weiter stabilisiert sein.
Diese Aufgabe wird mit den in Anspruch 1
angegebenen Maßnahmen gelöst.
Da die Fläche der Kompensationsschicht zumindest in senk
rechter Richtung bezüglich der Hauptausdehnungsrichtung
bzw. der Grundeinstellrichtung der Magnetisierung des
feldsensitiven Sensorteils über die Ränder der Unterseite
dieses Sensorteils hinausragt, wird vorteilhaft die Ver
drehung der Magnetisierung durch die Meßfeldkomponente nur
wenig beeinträchtigt, während die Störkomponente parallel
zur Grundeinstellrichtung der Magnetisierung zumindest
weitgehend kompensiert wird.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Sensoreinrichtung nach
der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird nachfolgend
auf die schematische Zeichnung Bezug genommen, in deren
Fig. 1 ein Sensorteil in einem äußeren Magnetfeld ver
anschaulicht ist. Die Fig. 2 und 3 zeigen als Auf-
bzw. Seitenansicht eine erfindungsgemäße Sensoreinrich
tung mit einem solchen Sensorteil. Aus den Fig. 4 und 5
sowie 6 und 7 gehen zwei weitere Ausführungsformen von
erfindungsgemäßen Sensoreinrichtungen jeweils in Auf-
bzw. Seitenansicht hervor. In Fig. 8 ist eine andere
erfindungsgemäße Sensoreinrichtung mit mehreren Sensor
teilen dargestellt. In den Figuren sind sich entsprechende
Teile mit denselben Bezugszeichen versehen.
Fig. 1 zeigt die Aufsicht auf einen beliebigen, flächen
haft ausgebildeten magnetoresistiven Sensorteil 2, der
einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung zugrundezulegen
ist. Dieser Sensorteil hat insbesondere eine ebene, gege
benenfalls aber auch gekrümmte, flächenhafte Oberseite 3.
Er kann in an sich bekannter Weise, beispielsweise gemäß
der genannten EP 0 279 535 A1 nach Art eines Barber-Pole
gestaltet sein. Ebensogut sind jedoch auch andere Aus
führungsformen von flächenhaften magnetoresistiven Sen
sorteilen für eine erfindungsgemäße Sensoreinrichtung
geeignet. Gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel hat der
Sensorteil 2 eine Streifenform, wobei seine Hauptausdeh
nungsrichtung in die x-Richtung eines in der Fläche der
Oberseite 3 liegenden x-y-Koordinatensystems weist. In
dieser Richtung gesehen endet der feldsensitive Bereich
des Sensorteils 2 gemäß der dargestellten Ausführungs
form in zipfelartigen Endstücken 2a und 2b (vgl. die ge
nannte EP 0 279 535 A1). Statt solcher zipfelartigen End
stücke oder auch zusätzlich zu diesen können die stirn
seitigen Endstücke auch mit antiferromagnetichem Material
gemäß dem sogenannten "Exchange Biasing" überdeckt sein
(vgl. die genannte Literaturstelle aus "IEEE Trans.
Magn.", Vol. 25). Der Sensorteil 2 hat so eine magnetische
Anisotropie, wobei die Richtung der Magnetisierung M ins
besondere in die Hauptausdehnungsrichtung (x-Richtung) des
Sensorteils weist. Die entsprechende Grundeinstellung der
Magnetisierung kann auch in anderer Weise, beispielsweise
durch eine Materialanisotropie erreicht werden.
Der Sensorteil 2 besitzt deshalb senkrecht zu dieser
Grundeinstellrichtung seine größte Sensitivität bzgl.
eines äußeren, zu erfassenden Magnetfeldes H. Von diesem
äußeren Magnetfeld H wird somit die senkrecht zur Magne
tisierung M, in y-Richtung weisende, in der Ebene der
Oberseite 3 verlaufende Komponente Hs mit der größten Sen
sitivität detektiert. Die parallel zur Magnetisierung M
in x-Richtung weisende Komponente Hp des äußeren Magnet
feldes H stellt hingegen eine das Meßergebnis gegebenen
falls verfälschende Störkomponente dar, die erfindungsge
mäß zumindest weitgehend zu kompensieren ist. Hierzu soll
vorgesehen werden, daß auf der der Oberseite 3 gegenüber
liegenden Unterseite des Sensorteils 2 parallel zu dieser
eine magnetisch isotrope Kompensationsschicht aus weich
magnetischem Material angeordnet wird, welche eine Fläche
mit Abmessungen einnehmen soll, die zumindest senkrecht
bezüglich der Grundeinstellrichtung der Magnetisierung,
also zumindest in y-Richtung größer als die entsprechenden
Abmessungen der Unterseite des feldsensitiven Sensorteils
sind. Ein entsprechendes Ausführungsbeispiel einer solchen
Sensoreinrichtung geht aus den Fig. 2 und 3 hervor.
Die in den Fig. 2 und 3 schematisch als Aufsicht bzw.
als Seitenansicht auf einen Querschnitt veranschaulichte
Sensoreinrichtung nach der Erfindung ist allgemein mit 6
bezeichnet. Sie enthält ein an sich bekannten, beispiels
weise als Barber-Pole ausgeführten, flächenhaften Sensor.
Dieser Sensor weist eine Meßschicht als feldsensitiven
Sensorteil 2 auf. Auf der Meßschicht ist mittels einer
Haftschicht 7 ein für einen Barber-Pole typisches Strei
fenmuster 8 aus einem elektrisch gut leitenden Material
wie z. B. aus Gold angeordnet. In der Aufsicht der Fig. 2
sind die Ränder der Meßschicht 2 in deren zipfelartigen
Endstücken 2a und 2b durch eine gestrichelte Linie veran
schaulicht. Parallel zur Unterseite 10 des Sensorteils 2
bzw. der Meßschicht befindet sich eine Kompensations
schicht 11, die bezüglich der Unterseite durch eine dünne
elektrische Isolationsschicht 12 beabstandet ist. Die
Oberseite 3 der Meßschicht 2 habe eine Ausdehnung Lm in
Längsrichtung x eines x-y-Koordinatensystems und eine ver
gleichsweise geringere, in y-Richtung weisende Breite Bm.
Erfindungsgemäß soll nun zumindest die Breite Bk der Kom
pensationsschicht 11 in y-Richtung größer als die ent
sprechende Abmessung der Meßschicht 2 sein. Dabei wird
vorgesehen, daß Bk ≧ 2 . Bm, vorzugsweise ≧ 3 . Bm ist.
Im Falle einer Ausführungsform mit antiferromagnetischem
Material an den Endstücken wird vorteilhaft auch die Länge
Lk in x-Richtung größer, insbesondere um mindestens 10%
größer gewählt als die Länge Lm. Beispielsweise können die
Schichtdicken Dm und Dk der Meßschicht 2 bzw. der Kompen
sationsschicht 11 in derselben Größenordnung, insbesondere
jeweils unter etwa 0,03 µm liegen. Dann wird der Magnet
fluß in der Meßschicht über die Kompensationsschicht ge
schlossen. Dies hat zur Folge, daß entmagnetisierende,
parallel zur Richtung der Magnetisierung M gerichtete
Feldkomponenten in der Meßschicht deutlich reduziert wer
den.
Ferner wird die Kompensationsschicht 11 nicht von dem
magnetischen Fluß in der Meßschicht 2 gesättigt. Wird ein
äußeres Magnetfeld Hp parallel zur x-Richtung angelegt,
dann wird nämlich in erster Linie die Magnetisierungsver
teilung in der Kompensationsschicht 11 davon betroffen
sein. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn das
Magnetfeld Hp parallel zur Grundeinstellrichtung der
Magnetisierung M in der Meßschicht 2 gerichtet ist. Diese
Schicht ist gesättigt, während in der Kompensationsschicht
11 eine Umwandlung der Magnetisierung erfolgt, die so ein
entmagnetisierendes Feld hervorruft, welches das angelegte
Feld in der Kompensationsschicht 11 aufhebt. Dieses ent
magnetisierende Feld wird aber auch fast unverändert die
Meßschicht 2 erfassen und bewirkt auch hier eine Kompensa
tion. Diese Kompensation ist nur solange wirksam, wie die
Kompensationsschicht nicht gesättigt ist. Der Wert der
Sättigungsmagnetisierung liegt relativ hoch wegen der ver
hältnismäßig großen Breite Bk der Kompensationsschicht 11.
Zu einer weiteren Erhöhung der Sättigungsmagnetisierung in
der Kompensationsschicht 11 kann man für diese Schicht
eine höhere Magnetisierung oder eine größere Dicke Dk vor
sehen. Auch wenn ein äußeres Magnetfeld in die Gegenrich
tung angelegt wird, wird die Kompensationsschicht 11 domi
nieren. Es gibt hierfür zwei Gründe, nämlich
- 1. wegen der Fixierung der Magnetisierung in der Meß schicht durch die Ausbildung der zipfelartigen End stücke 2a und 2b und
- 2. wegen der verhältnismäßig geringen Breite Bm der Meßschicht im Vergleich zu der Breite Bk der Kompen sationsschicht.
Es ist zu erwarten, daß wegen des Vorhandenseins der Kom
pensationsschicht 11 die Empfindlichkeit einer Sensorein
richtung verringert wird. Nimmt man z. B. an, daß die
Dicken Dm und Dk sowie die Breiten Bm und Bk jeweils
gleich sind und die Dicke Di der Isolationsschicht 12 sehr
klein ist, dann wird die Empfindlichkeit für ein zu detek
tierendes äußeres Feld Hs (in y-Richtung) bei gleicher
Magnetisierung von Meß- und Kompensationsschicht um etwa
einen Faktor 2 kleiner. Auch bei der in den Fig. 2 und
3 gezeigten Ausführungsform der Sensoreinrichtung 6 ist
eine Empfindlichkeitsabnahme für Feldverhältnisse zu er
warten, bei denen die Kompensationsschicht 11 noch nicht
magnetisch gesättigt ist. Jedoch wird vorteilhaft wegen
der kleineren Dk/Bk- und Lk/Bk-Verhältnisse die magneti
sche Sättigung der Kompensationsschicht 11 bereits bei
verhältnismäßig niedrigen Feldstärken des zu erfassenden
Magnetfeldes erreicht.
Aus den Fig. 4 und 5 ist eine weitere Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung in den Fig. 2
bzw. 3 entsprechender Darstellung ersichtlich. Dabei
unterscheidet sich die Sensoreinrichtung 15 von der Sen
soreinrichtung 6 nach den Fig. 2 und 3 im wesentlichen
nur dadurch, daß die Länge Lk' ihrer Kompensationsschicht
17 etwas geringer gewählt worden ist als die Länge Lm der
Meßschicht bzw. des Sensorteils 2. In diesem Fall bleibt
die Fixierung der Magnetisierung in den zipfelartigen End
stücken 2a und 2b der Meßschicht 2 unbeeinträchtigt. Dann
ist es vorteilhaft, die Kompensationsschicht 17 in ein
Substrat 18 zu versenken. Mit dieser Maßnahme sind zwei
Vorteile verbunden:
- 1. treten praktisch keine zusätzlichen Streufelder in der Meßschicht auf und
- 2. sind Goldkontakte eines Streifenmusters 8 auf der Meß schicht 2 verhältnismäßig einfach zu realisieren.
Die Fig. 6 und 7 zeigen eine weitere Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung 25 in einer der
Fig. 2 bzw. 3 entsprechenden Darstellung. Wie aus den
Fig. 6 und 7 hervorgeht, sind die mit 2c und 2d be
zeichneten Endstücke eines magnetoresistiven Sensorteils
bzw. einer Meßschicht 2 von Schichtteilen 26a bzw. 26b aus
einem antiferromagnetischen Material gemäß der genannten
Literaturstelle aus "IEEE Trans. Magn.", Vol. 25 abge
deckt. Zwei Anschlußstreifen aus Gold sind mit 27a und
27b bezeichnet.
Bei einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung wird von der
Kompensationsschicht 11 bzw. 17 verhältnismäßig viel Sen
soroberfläche in Anspruch genommen. Gegebenenfalls kann
man deshalb die Fläche der Kompensationsschicht für wei
tere Sensorteile bzw. Meßschichten nutzen. Einen entspre
chenden Aufbau zeigt Fig. 8 schematisch als Aufsicht. Bei
der dort dargestellten Sensoreinrichtung 20 sind auf einer
Kompensationsschicht 21 drei Sensorteile 22a, 22b und 22c
in einer Mäanderform mittels eines Goldstreifens 24 hin
tereinandergeschaltet.
Eine weitere Möglichkeit der erfindungsgemäßen Ausbildung
einer Sensoreinrichtung mit mehreren Sensorteilen auf
einer gemeinsamen Kompensationsschicht wäre die Anordnung
dieser Sensorteile zu einer Wheatstone'schen Brückenschal
tung.
Bei den in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen
von erfindungsgemäßen Sensoreinrichtungen wird davon aus
gegangen, daß den streifenförmigen Sensorteilen (Meß
schichten) eine Materialanisotropie in Längsrichtung des
jeweiligen Sensorteils aufgeprägt wird. Bei fehlendem
äußeren Magnetfeld wird dann die Magnetisierung M übli
cherweise parallel zur Längsrichtung verlaufen. Dies ist
nicht nur eine Folge der Materialanisotropie, sondern auch
bedingt durch eine magnetostatische Wirkung des Randes der
Meßschicht, der eine zum Rand parallele Magnetisierungs
orientierung bewirkt. In dem länglichen Sensorteil trägt
dies zur gewünschten Ausrichtung des Magnetisierung bei.
Eine Ausrichtung der Magnetisierung parallel zum Rand läßt
sich noch folgendermaßen zusätzlich unterstützen:
Die Meßschicht ist auf einer Unterlage angeordnet, wobei
die Kristallgitter der Schicht bzw. der Unterlage nicht
völlig aneinander angepaßt sind. Diese Fehlanpassung führt
zunächst zu einer isotropen Zug- oder Druckspannung in der
Ebene der Meßschicht. Am Rande hingegen werden die symme
trischen Verhältnisse unterbrochen. Wenn z. B. weit weg vom
Rand Zugspannung in der Meßschicht vorliegt, wird diese
Zugspannung senkrecht zum Rand relaxieren. Es wird sich so
eine Vorzugsachse der Magnetisierung entlang des Randes
bilden, wenn die Magnetostriktionskonstante ein positives
Vorzeichen hat. Ein negatives Vorzeichen ist erwünscht,
wenn Druckspannungen in der Meßschicht wegen Fehlanpas
sungen vorliegen. Bei Sensoreinrichtungen mit Sensorteilen
in Form von Barber-Poles können diese Fehlanpassungen zu
Anisotropien schräg zur Längsrichtung der jeweiligen Sen
sorteile führen. An den Rändern der elektrischen Streifen
leiter 8 z. B. aus Gold werden dann Spannungen sowohl in
diesen Streifenleitern wie auch in der darunterliegenden
Meßschicht relaxieren und zu einer schrägen lokalen An
isotropie führen. Häufig rühren solche Spannungen von der
Haftschicht 7 zwischen Gold und der Meßschicht her. In
diesem Fall kann man diese Anisotropien beheben, indem man
die Haftschicht 7 nicht gemäß den in den Fig. 2 und 4
gezeigten Seitenansichten entsprechend dem Streifenmuster
8 unterbricht, sondern über die gesamte Ausdehnung dieses
Streifenmusters durchgehend gestaltet. Weil die Haft
schicht ein Kurzschluß der Meßschicht darstellen würde,
müssen selbstverständlich ihre elektrische Leitfähigkeit
und ihre Dicke genügend gering sein.
Claims (13)
1. Magnetoresistive Sensoreinrichtung mit einem eine
Grundeinstellung der Magnetisierung aufweisenden Sensor
teil, der eine bezüglich eines zu erfassenden Magnetfeldes
auszurichtende flächenhafte Oberseite hat, dadurch
gekennzeichnet, daß auf der der Oberseite
(3) gegenüberliegenden Unterseite (10) des Sensorteils (2;
22a bis 22c) parallel zu dieser eine Kompensationsschicht
(11, 17, 21) aus weichmagnetischem Material angeordnet
ist, deren Abmessung (Bk) zumindest senkrecht
bezüglich der Grundeinstellungsrichtung der Magnetisierung
(M) größer als die entsprechende Abmessung (Bm) des Sen
sorteils ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die senkrechte Abmessung
(Bk) der Kompensationsschicht (11, 17, 21) mindestens
2-mal, vorzugsweise mindestens 3-mal größer ist als die
entsprechende Abmessung des jeweils zugeordneten Sensor
teils (2, 22a bis 22c).
3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekenn
zeichnet durch eine Einprägung der Grundeinstel
lung der Magnetisierung (M) mittels einer Materialaniso
tropie oder einer Formanisotropie oder einer entsprechend
magnetisierten Hilfsschicht.
4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß die Ab
messung (Lk) der Kompensationsschicht (17) parallel
zur Richtung der Grundeinstellung der Magnetisierung (M)
kleiner als die entsprechende Abmessung (Lm) des
Sensorteils (2) ist.
5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß auch die
Abmessung (Lk) der Kompensationsschicht (11, 21)
parallel zur Richtung der Grundeinstellung der Magneti
sierung (M) größer als die entsprechende Abmessung (Lm)
des Sensorteils (2; 22a bis 22c) ist.
6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß der
Sensorteil (2; 22a bis 22c) streifenartig ausgebildet ist.
7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da
durch gekennzeichnet, daß die Grund
einstellung der Magnetisierung (M) in die Hauptausdehnungs
richtung des Sensorteils (2; 22a bis 22c) weist.
8. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Grundeinstellung der
Magnetisierung (M) festlegende Endstücke (2a, 2b) des
Sensorteils (2; 22a bis 22c) zipfelartig ausgebildet sind.
9. Einrichtung nach Anspruch 3 oder 8, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Grundeinstellung
der Magnetisierung (M) Endstücke (2c, 2d) des Sensorteils
(2; 22a bis 22c) jeweils mit einem Schichtteil (26a bzw.
26b) aus einem antiferromagnetischen Material versehen
sind.
10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da
durch gekennzeichnet, daß der Sen
sorteil (2; 22a bis 22c) als Barber-Pole gestaltet ist.
11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß auf einer Meßschicht
des Sensorteils (2; 22a bis 22c) mittels einer Haftschicht
(7) ein Streifenmuster (8) aus einem elektrisch gut lei
tenden Material aufgebracht ist, wobei die Haftschicht
durchgehend unter dem Streifenmuster ausgebildet ist.
12. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, da
durch gekennzeichnet, daß einer
Kompensationsschicht (21) mehrere Sensorteile (22a bis
22c) zugeordnet sind.
13. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, da
durch gekennzeichnet, daß die Kom
pensationsschicht (17) in einem Substrat (18) versenkt an
geordnet ist.
Priority Applications (1)
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1994
- 1994-02-08 DE DE4403932A patent/DE4403932C2/de not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
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Ipc: G01R 33/09 |
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D2 | Grant after examination | ||
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