DE4401588C2 - Verfahren zum Verkappen eines Chipkarten-Moduls und Chipkarten-Modul - Google Patents
Verfahren zum Verkappen eines Chipkarten-Moduls und Chipkarten-ModulInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß Oberbegriff des
Patentanspruchs 1 und einen Chipkarten-Modul gemäß Oberbe
griff des Patentanspruchs 7.
Chipkarten-Module werden als aktive Baugruppen unter anderem
für die Herstellung von Telephon-, Buchungs- und Prozessor
karten sowie als kompakte Baugruppen in anderen elektroni
schen Karten, Baugruppen und Bauteilen verwendet und enthal
ten integrierte Schaltkreise und elektronische Bauelemente
für bestimmte Funktionen. Ein Chipkarten-Modul wird auf einem
Träger auf Kunststoff-, Mineral- oder Metallbasis oder deren
Verbunde aufgebaut, wobei nach bekannten Methoden ein IC-
Baustein oder andere aktive oder passive Bauelemente am Trä
ger angebracht werden. Durch Löten oder Bonden werden elek
trisch leitende Verbindungen hergestellt. Gegen äußere Ein
flüsse wie Berührung, Biegung, Korrosion, Druck (im physika
lischen Sinn), Wärme und Strahlung etc. ist der Modul emp
findlich. Der Modulrohling wird deshalb, z. B. durch Verkap
pen, in eine einfach handhabbare, beanspruchbare, geometrisch
definierte und stabile Form gebracht.
Bei einem aus FR 26 28 263 A1 bzw. deren amerikanischen Familienmitglied US 4954308 bekannten Verfahren wird ein den
IC-Baustein tragendes Substrat in der Form derart mit einer
wärmehärtbaren Harzmasse angespritzt, daß die Harzmasse in
etwa parallel zur Ebene des Substrats in den die geometrische
Form der Verkappung definierenden Hohlraum fließt. Formen
technische Maßnahmen verhindern einen Kontakt zwischen dem
Trägermaterial und der Spritzmasse im Anspritzkanal. Teil der
Form ist nämlich ein Formkern, der als Platte bezeichnet wird und dem Trennmittel der Anmeldung entspricht, der die gesamte Breite des
Substrates übergreift und den Anspritzkanal derart positio
niert, daß die Spritzmasse im Abstand oberhalb der Oberfläche
des Substrats zum Hohlraum für die Verkappung strömt. Die im
Anspritzkanal verbleibende Harzmasse wird durch Bewegen des
Formkerns relativ zum Substrat von der Verkappung gelöst.
Bei einem aus US 5122860 bekannten Verfahren wird eine
andere Art eines Chipkarten-Moduls hergestellt, bei dem der
IC-Baustein direkt auf die Rückseite der später in der Chip
karte die Kontaktstellen definierenden Metallplatten aufge
klebt und in einer Form durch Transfer-Spritzen mit einem
Epoxid-Harz verkappt wird. Die Verkippung greift seitlich um
die Ränder der Metallplatten herum bzw. in Hohlräume zwischen den Metallplatten ein. Zur Vergrößerung der
Haftflächen werden die Oberflächen der Metallplatten durch
Sandstrahlen oder Ätzen aufgerauht.
Aus GB 2073947 A und US 4946633 sind Transfer-Formpreß
verfahren zum Herstellen von Halbleiterkomponenten mit an ei
ner Metall-Leiterrahmenstruktur angeordneten IC-Bausteinen
bekannt, wobei härtbares Harz an die freien Oberflächen der
Leiterrahmenstruktur angehaftet wird.
Bei einem aus US 4674175 bekannten Verfahren wird eine Me
tallgitter-Struktur mit PVC-Formteilen als Rahmen für eine
Vergußmasse der IC-Bausteine bestückt, ehe vorgeformte Hohl
räume der Formteile mit einer Vergußmasse ausgefüllt werden.
Bei einem aus DE 42 09 184 C1 bekannten Verfahren wird eine
Formkammer mit einem Zweikomponenten-Epoxidharz befüllt, ehe
der Chipkarten-Modul mit dem IC-Baustein voran eingedrückt
wird. Überschüssiges Epoxid-Harz wird seitlich ausgetrieben
und bildet auf der Oberfläche des Trägers nach außen verlängerte,
dünne Folienbereiche, die später die Haftung zwischen
dem Chipkarten-Modul und der Chipkarte verbessern sollen.
Bei einem US 4803542 aus bekannten Casting-Verfahren zum
Herstellen eines Chipkarten-Moduls wird das mit dem IC-
Baustein bestückte Trägermaterial in mit Glasfasern vermisch
tes Epoxid-Harz eingebettet, wobei das Epoxid-Harz senkrecht
zur Ebene des Trägermaterials zufließt bzw. abfließt. Um sau
bere Verkappungsoberflächen zu erreichen, ist eine Nachbear
beitung der Angußstellen erforderlich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der
eingangs genannten Art sowie einen Chipkarten-Modul anzuge
ben, bei denen kostengünstig und verfahrenstechnisch einfach
hohe und gleichbleibende Maßgenauigkeit, gute Qualität und
hohe Belastbarkeit des Verbindungsbereichs zwischen der Ver
kappung und dem Trägermaterial über lange Gebrauchsdauer er
reichbar sind.
Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß mit dem Verfahren
gemäß Anspruch 1 und dem Chipkarten-Modul gemäß Anspruch 7
gelöst.
Ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 ist aus der
FR 26 28 263 A1 bzw. derem Familienmitglied US 4954308. Ein Chipkarten-Modul
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 7 ist aus der US 5122860 bekannt.
Durch die vor dem Verkappen gebildeten Verankerungshohlräume
wird zusätzlich zur chemischen Haftung der Verkappung an der
Oberfläche des nichtmetallischen Trägermaterials ein fester
formschlüssiger Verbund zwischen dem Trägermaterial und der
Spritzmasse erreicht, obwohl zwischen der duroplastischen
Spritzmasse und dem nicht metallischen Trägermaterial keine
ausgeprägte gegenseitige Haftungsneigung vorliegt. Durch die
Verankerungshohlräume wird jedoch eine intensive Haftung er
reicht, die nur in dem Bereich, in dem die Oberfläche des
Trägermaterials den Anspritzkanal begrenzt, durch die
aufgebrachte Trennschicht ausgeschlossen wird. Ob
wohl die Verkappung fest haftet und das nicht metalli
sche Trägermaterial stabilisiert, läßt sich die im Anspritzkanal
verbliebene Spritzmasse dank der Trennschicht leicht
von der Verkappung lösen.
Der Chipkarten-Modul zeichnet sich aufgrund des zusätzlichen
Formschlusses zwischen der Verkappung und dem nicht metalli
schen Trägermaterial durch einen bruchfesten Aufbau und durch
die durch die Form bestimmte, präzise und exakt reproduzier
bare Geometrie der Verkappung aus. Der Chipkarten-Modul ist
besonders zur Anwendung in dünnen Telephon-, Zutritts-, Bu
chungs- und Prozessorkarten zweckmäßig, da der Träger durch
die mit ihm Verkappung stabilisiert ist.
Bei der Verfahrensform gemäß Anspruch 2 wird das Trägermate
rial kostengünstig für die dauerhafte und feste Haftung der
Verkappung vorbereitet.
Bei der Verfahrensvariante gemäß Anspruch 3 lassen sich geo
metrisch unterschiedliche Verkappungen erzeugen, die unabhän
gig von ihrer Größe und geometrischen Form am Trä
germaterial haften.
Die Verfahrensform gemäß Anspruch 4 ist zweckmäßig, weil bei
dieser Temperatur die Spritzmasse zwar in kleinste Veranke
rungshohlräume einzudringen vermag, jedoch das Trägermaterial
und die darauf angebrachten Komponenten thermisch nicht ge
fährdet sind.
Gemäß Anspruch 5 passiviert die Trennschicht
die aufgrund der Verankerungshohlräume haftungs
freudige Oberfläche im Bereich des Anspritzkanals, so daß
dort die Spritzmasse nicht anzuhaften vermag. Die im An
spritzkanal verbliebene Spritzmasse läßt sich gegebenenfalls
vor dem Aushärten unter Wärmeeinwirkung bereits entfernen,
ist jedoch auch nach dem Aushärten dank der Trennschicht ein
fach entfernbar. Gegebenenfalls haf
tet die Spritzmasse an der Trennschicht, die beim Entfernen
vom Trägermaterial gelöst wird.
Die Ausführungsform gemäß Anspruch 10 ist zweckmäßig, weil
die beim Abätzen der Dentrit-Kupfer-Auflage freigelegte Ober
flächenstruktur die Vielzahl der Verankerungshohlräume auf
weist, die für die mechanische und chemische Haftung der
Spritzmasse genutzt werden. Diese Vorbehandlung des Trägerma
terials wird zum Aufbau des Modulrohlings und der elektrischen
Leiter vorgenommen und stellt die Verankerungshohlräume
her, die zum intensiven Anhaften der Verkappung genutzt und
im Bereich des Anspritzkanals durch die Trennschicht kompen
siert sind.
Anhand der Zeichnung werden Ausführungsformen des Erfin
dungsgegenstandes erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung einer Vor
richtung zum Verkappen,
Fig. 2 einen vergrößerten Teilschnitt durch einen
Chipkarten-Modul,
Fig. 3 eine Draufsicht eines Bandes oder Streifens
verkappter Chipkarten-Module, und
Fig. 4 eine Druntersicht zu Fig. 3.
Mit einer Vorrichtung V gemäß Fig. 1 werden Chipkarten-
Module M mit einer duroplastischen Niederdruck-Spritz
masse S verkappt. In einem Gegenhalter 1 mit einer Auf
lagefläche 2 ist ein Chipkarten-Modul M so positionier
bar, daß er einen offenen Formhohlraum 4 einer Spritz
form 3 bis auf einen Anspritzkanal 5 verschließt. Der
Chipkarten-Modul M besitzt einen plättchenartigen Träger
C, an dessen oder in dessen Oberfläche 6 ein IC-Baustein
7 positioniert ist, der über Kontaktbrücken 8 mit einer
an der anderen Oberfläche angebrachten Kontaktschicht 19
elektrisch leitend verbunden ist. Die Kontaktbrücken 8
durchsetzen Durchgangsbohrungen 9 im Träger C. Zusätz
lich können Sackbohrungen 10 in den Träger C eingebracht
sein, die zur Oberfläche 6 hin offen sind. Darüberhinaus
können in der Oberfläche 6 offene, in Fig. 1 nicht ge
zeigte, Verankerungshohlräume A (s. Fig. 2) vorgesehen
sein. Die Verankerungshohlräume A sind entweder ganz
flächig oder lokal begrenzt vorgesehen.
Der Anspritzkanal 5 wird von der Oberfläche 6 zumindest
teilweise begrenzt. Im Bereich des Anspritzkanals 5 ist
auf der Oberfläche 6 eine Trennschicht T (ein Trenn
lack oder ein Klebestreifen) ange
bracht. Alternativ oder additiv könnte auch ein haf
tungsarmer Schieber 22 vorgesehen sein, mit dem sich der
Anspritzkanal 5 unmittelbar an der Oberfläche 6 absper
ren läßt.
Ferner ist eine Niederdruck-Spritzpresse 12 Teil der
Vorrichtung V. Die Presse 12 enthält eine Heizung 13, um
in einer Kammer 14 eine Tablette oder ein Pellet 17
einer duroplastischen Niederdruck-Spritzmasse S in einen
niedrigviskosen Zustand überzuführen. Von der Kammer 14
führt ein Kanal 15 zum Anspritzkanal 5. Ein Kolben 16
erzeugt den erforderlichen Druck zum Spritzen der
Spritzmasse S an die Oberfläche 6 und in die Veranke
rungshohlräume A des Trägers C.
Die Presse 12 ist in Fig. 1 mit ihrem Kanal 15 schräg
von oben zum Formhohlraum 4 geneigt gezeigt. Es ist aber
auch denkbar, die den Kanal 15 im wesentlichen horizon
tal in den Formhohlraum 4 zu richten und mit dem Kolben
16 von oben nach unten zu arbeiten. Der Gegenhalter 1
und die Form 3 werden in Richtung der Pfeile gegeneinan
der gepreßt, damit der Formhohlraum 4 sicher verschlos
sen wird und keine Spritzmasse S seitlich austreten
kann.
In Fig. 2 ist ein Teilabschnitt eines fertigen Chipkar
ten-Moduls M erkennbar. Der Träger C, an dem der IC-Bau
stein 7 angebracht und mittels der Kontaktbrücken 8 mit
der Kontaktfläche 19 elektrisch leitend verbunden ist,
besteht aus einem Trägermaterial 18 auf Kunststoff-,
Mineral- oder Metallbasis oder deren Verbunde. Die
Durchgangsbohrungen 9 (oder entsprechende Sackbohrun
gen (10)) und beispielsweise konisch ausgebildet, derart,
daß sie sich von der Oberfläche 6 ausgehend erweitern.
Die Bohrungen können gebohrt, gestanzt oder gefräst
sein. Ferner ist es denkbar, sie durch Erodieren oder
mit energiereichen Strahlen zu formen. Weitere Veranke
rungshohlräume A mit unregelmäßiger Form sind beispiels
weise am Trägermaterial 18 (glasfaserverstärktem Epoxid
material (FR-4)) in einer speziell rauhen Oberflächen
struktur durch Abätzen eines Dentrit-Kupfer-Belags
in einem Vorbehandlungsprozeß gebildet, wobei der Belag
mit dem Epoxid-Material in zur Oberfläche 6 offenen
Hohlräumen, Spalten, Rissen und dergleichen verbunden
war, die nach dem Abätzen freigelegt sind. Die Spritz
masse S dringt beim Anspritzen des Trägers C in die Ver
ankerungshohlräume A, füllt diese zumindest teilweise
und verbindet sich auf diese Weise formschlüssig mit dem
Trägermaterial 18. Die Verankerungshohlräume A sind
zweckmäßigerweise so ausgebildet, daß sie einen Form
schluß ermöglichen, mit dem das Abheben der Verkappung K
nach oben vermieden wird. Die in die Verankerungshohl
räume A eingedrungene Spritzmasse S, die auch chemisch
durch Adhäsion haftet, wird nach dem Anspritzen, vor
zugsweise durch eine Wärmebehandlung, ausgehärtet. Die
auf diese Weise gebildete Verkappung (K) umhüllt die
elektronischen aktiven und/oder passiven Komponenten.
Durch genaue Bemessung des Formhohlraumes 4 ergibt sich
eine geometrisch maßgenau reproduzierbare Form des
Chipkarten-Moduls M. Die Verkappung K besitzt zweckmäßi
gerweise eine ebene Oberfläche. Ihre Form kann rund,
viereckig oder beliebig vieleckig sein.
In Fig. 2 ist bei T der Oberflächenschutz angedeutet,
und bei 21 die Bruchstelle der im Bereich des Spritzkanals
5 entfernten Spritzmasse S. Diese ist zweckmäßiger
weise eine Mischung von Sand oder Quarzmehl mit Epoxid
und wird durch Wärmeeinwirkung in einen niedrigviskosen
Zustand überführt, aus dem sie z. B. innerhalb einer Mi
nute, aushärtet. Bei einem Chipkarten-Modul M für eine
Chipkarte mit einer Stärke von ca. 0,8 mm können der
Träger C eine Stärke von ca. 0,15 mm und die Verkappung
K eine Stärke von ca. 0,55 mm haben.
Gemäß Fig. 3 und 4, sind in einem Streifen B aus Modulen
M gleichzeitig sechs Module verkappt worden. Jede Ver
kappung K ist in der Draufsicht annähernd quadratisch
mit gerundeten Ecken, und läßt an der Oberfläche 6 einen
schmalen Randstreifen 20 frei. Die Anspritzkanäle führen
von einer Seite des Streifens B in etwa zur Mitte jedes
Formhohlraums. Die Spritzmasse S, von der der nicht aus
gepreßte Rest 17' erkennbar ist, bildet Äste 5', die sich zu
den Bereichen der Oberfläche 6 erstrecken, an denen je
weils die Trennschicht T angebracht ist. Nach oder
vor dem Aushärten der Verkappungen K werden die Äste 5'
an den Verkappungen K abgebrochen.
In der Druntersicht von Fig. 4 ist an jedem Modul M die
Kontaktfläche 19 erkennbar. Die Äste 5' verlaufen in et
wa in der Ebene des Streifens B. Die noch mit dem Strei
fen B verbundenen Äste 5' werden - wie gesagt - wegge
brochen. Da die Verkappungen K voneinander getrennt
sind, lassen sich auch die Module M später leicht von
einander trennen.
In Fig. 1 ist die Spritzpresse 12 getrennt von der Form
3 vorgesehen und über den Kanal 15 mit dem Anspritzkanal
5 verbunden. Es ist denkbar, die Form 3 (zweckmäßiger
weise mit mehreren Formhohlräumen 4) mit der Spritzpresse
12 oder zumindest deren Mundstück zu vereinigen und
auch das Widerlager 1 in die Form 3 zu integrieren.
Im Rahmen des vorbeschriebenen Verfahrens werden zu
nächst auf einem Träger C aus glasfaserverstärktem
Epoxid-Material (FR-4) auf der nicht zu verkappenden
Rückseite vergoldete Kupferkontaktbahnen mit offenen
Durchkontaktierungen zu Bondinseln auf der Oberfläche 6
und in dem zu verkappenden Bereich angebracht. Dann wird
ein IC-Baustein 7 montiert und durch Bondbrücken 8 elek
trisch mit den Kontakten verbunden. Anschließend wird
der Träger C mit der duroplastischen niederviskosen
Niederdruck-Spritzmasse S in einer Verschließpresse bei
ca. 180°C durch Anspritzen verkappt. Vor oder nach dem
rückstandsfreien Formen und Entfernen der Spritzmasse S
im Anspritzkanal 5 wird die Verkappung durch Wärmeein
wirkung in die stabile Endform überführt.
Am Träger C aus glasfaserverstärktem Epoxid-Material
(FR-4) wird eine speziell rauhe Oberflächenstruktur
durch Abätzen einer Dentrit-Kupfer-Auflage in einem
speziellen Herstellungsprozeß vorbereitet. Auf der nicht
zu verkappenden Rückseite sind vergoldete Kupferkontakt
bahnen angebracht. Von der zu der verkappenden Oberflä
che 6 zur Rückseite werden Sackloch-Durchkontaktierungen
von den Bondflächen der Oberfläche 6 zur Rückseite und
den Kontaktbahnen angebracht. Dann wird der IC-Baustein
7 montiert und mit den Bondinseln kontaktiert. Danach
wird der Verlauf des Anspritzkanals 5 an der Oberfläche
6 mit einem Trennlack als Trennschicht T druckt.
Die Spritzmasse S wird mit der Verschließpresse bei ca.
180°C angespritzt. Dabei werden im Streifen B gleich
zeitig mehrere Verkappungen K gebildet. Anschließend
wird der Streifen B entformt und die Spritzmasse S, die
im Bereich der Anspritzkanäle 5 an den Oberflächen 6
haftet, zusammen mit dem Trennlack rückstandsfrei ent
fernt. Danach werden die Module M durch Wärmeeinwirkung
in eine stabile Endform überführt.
Claims (11)
1. Verfahren zum Verkappen wenigstens eines aus einem Träger (C) mit aktiven und
passiven elektronischen Komponenten bestehenden Chip-Karten-Moduls an dessen
der Kontaktierungsseite abgewandter Oberfläche (6) mit duroplastischer
Niederdruck-Spritzmasse (S) in einem Formhohlraum (4), zu dem wenigstens ein von
der Oberfläche des Trägers begrenzter Anspritzkanal (5) führt, wobei die
Niederdruck-Spritzmasse (S) an den Träger (C) angespritzt und mit ihm
haftverbunden wird,
dadurch gekennzeichnet,
dass vor dem Anspritzen in dem Trägermaterial (18) zur Oberfläche (6) offene
Verankerungshohlräume (A) für die Spritzmasse (S) gebildet werden, dass auf den
den Anspritzkanal (5) begrenzenden Bereich der Oberfläche (6) des Trägermaterials
(18) eine das Anhaften der Niederdruck-Spritzmasse (S) an der Oberfläche (6) des
Trägermaterials (18) verhindernde Trennschicht (T) aufgebracht wird, dass die
Niederdruck-Spritzmasse (S) durch den Anspritzkanal (5) im Formhohlraum (4) an
die Oberfläche (6), in Verankerungshohlräume (A) und an die Trennschicht (T)
gepresst und ausgehärtet wird und dass nach dem Aushärten im Bereich des
Anspritzkanals (5) auf der Oberfläche (6) verbliebene Niederdruck-Spritzmasse (S)
entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
Verankerungshohlräume (A) durch spanende Bearbeitung, auf chemischem Weg,
durch energiereiche Strahlung oder durch Sandstrahlen gebildet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Niederdruck-
Spritzmasse (S) mit runder, ovaler, viereckiger oder vieleckiger Begrenzung
angespritzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Niederdruck-
Spritzmasse (S) in niedrig viskosem Zustand bei einer Tempertaur von ca. 180°C
angespritzt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als
Trennschicht (T) ein Trennlack, eine Trennfolie oder eine Klebefolie aufgebracht
wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass
gleichzeitig mehrere, in einem Flächen- oder Streifenverband zusammengefasste
Chipkarten-Module mit Niederdruck-Spritzmasse (S) angespritzt werden.
7. Chipkarten-Modul mit einem Träger (C) mit aktiven und passiven elektronischen
Komponenten und mit einer an dessen der Kontaktierungsseite abgewandter
Oberfläche (6) angeordneten Verkappung (K) aus ausgehärteter duroplastischer
Niederdruck-Spritzmasse (S), wobei die Verkappung mit dem Träger (C) durch im
Träger (C) gebildete Verankerungshohlräume (A) einen formschlüssigen Verbund
bildet,
dadurch gekennzeichnet,
dass auf den den Anspritzkanal (5) begrenzenden Bereich der Oberfläche des
Trägers (C) eine das Anhaften der Niederdruck-Spritzmasse (S) an der Oberfläche
des Trägers (C) verhindernde Trennschicht (T) aufgebracht wird, die ein leichtes
Entfernen der nach dem Aushärten im Bereich des Anspritzkanals auf der Oberfläche
verbliebene Niederdruck-Spritzmasse erlaubt.
8. Chipkarten-Modul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Niederdruck-
Spritzmasse (S) aus mineralisch gefülltem Epoxidpulver oder aus einer Silikonbasis
besteht.
9. Chipkarten-Modul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennschicht
(T) abnehmbar oder aufgedruckt ist, insbesondere ein Trennlack oder eine
Klebestreifen- oder Klebefolien-Auflage ist.
10. Chipkarten-Modul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das
Trägermaterial (18) eine Epoxid-Glasfasermischung ist, und dass die
Verankerungshohlräume (A) in einer durch Abätzen einer zuvor mit den
Trägermaterial (18) verbundenen Dentrit-Kupfer-Auflage freigelegten Oberfläche
angeordnet sind.
11. Chipkarten-Modul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass sich zumindest
einige der Verankerungshohlräume (A) von der Oberfläche (6) ausgehend erweitern.
Priority Applications (3)
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---|---|---|---|
DE4401588A DE4401588C2 (de) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | Verfahren zum Verkappen eines Chipkarten-Moduls und Chipkarten-Modul |
DE59509954T DE59509954D1 (de) | 1994-01-20 | 1995-01-16 | Verfahren zum Verkappen eines Chipkartenmoduls |
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Applications Claiming Priority (1)
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DE4401588A DE4401588C2 (de) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | Verfahren zum Verkappen eines Chipkarten-Moduls und Chipkarten-Modul |
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Family Applications (2)
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