DE4400689A1 - Messonde, Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung von lokalen Eigenschaften eines teilweise ionisierten gasförmigen Mediums und von Schichtdicken - Google Patents
Messonde, Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung von lokalen Eigenschaften eines teilweise ionisierten gasförmigen Mediums und von SchichtdickenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Meßsonde, eine Vorrichtung und ein
Verfahren zur Bestimmung von lokalen Eigenschaften eines
teilweise ionisierten gasförmigen Mediums, insbesondere der
Elektronen- und Ionendichte, der Elektronenverteilungsfunktion
und des Plasmapotentials sowie von optischen Parametern von
mindestens einer aus dem Medium abgeschiedenen Beschichtung.
Bei verschiedenen Aufdampfverfahren und Sputterverfahren,
insbesondere bei der Plasma-Aufdampfung ist es wichtig, mittels
einer Meßvorrichtung die Zusammensetzung eines teilweise
ionisierten gasförmigen Mediums, in dem die Aufdampfung
stattfindet, und die Zusammensetzung der Schicht zu bestimmen.
Wenn ein Substrat bedampft wird, ist es ferner wünschenswert,
die Schichtdicke einzelner auf dem Substrat aufgebracht er
Schichten mit hoher Genauigkeit zu messen. Für Messungen,
insbesondere in Plasmen, wurden bisher elektrische Sonden
eingesetzt. Diese Sonden messen eine Strom-Spannungs-Kennlinie
in dem Plasma, die eine Aussage über Plasmaparameter, wie
Elektronen- und Ionentemperatur sowie Elektronendichte
gestatten.
Die DE 42 00 636 A1 beschreibt eine herkömmliche Langmuir-
Meßsonde für Plasmen, die in einen Plasma-Reaktor eingefügt
werden kann, um Plasmaparameter bei Hochfrequenzentladungen zu
messen. Ein Prinzipblockschaltbild einer derartigen
herkömmlichen Meßvorrichtung ist in Fig. 6 dargestellt. In Fig.
6 umfaßt eine Sonde 13 einen Sondenkopf 12 mit einem
elektrischen Leiter E. Der Sondenkopf 12 ist in einen Behälter
15 eingefügt, in dem über die Elektroden 16₁, 16₂ eine
elektrische Entladung in den teilweise ionisierten gasförmigen
Medium M stattfindet, wobei in unerwünschter Weise auch eine
Aufbringung einer Schicht S auf dem elektrischen Leiter
auftreten kann. Eine HF-Filtereinrichtung 11 ist optional
vorgesehen, um die Modulation des Potentials zwischen der Sonde
13 und dem in dem Behälter 15 erzeugten Plasma zu unterdrücken.
Mittels eines Computers 7, einer Spannungs-Quelle 8 und einer
Strommeßvorrichtung 9, 10 wird über die Strom-Spannungs-
Kennlinie des Sondenkopfs 12 durch die Veränderung der
elektrischen Potentiale in dem Behälter 15 eine Bestimmung der
Plasmaparameter, wie beispielsweise der Elektronen- und
Ionentemperatur sowie der Elektronendichte durchgeführt.
Die JP 11-86597 beschreibt eine weitere herkömmliche
elektronische Temperaturmeßvorrichtung für Plasmen, die die
Temperatur durch Messen der Spannungsänderung bestimmt, die
durch Anlegung einer Wechselspannung zwischen zwei nicht
symmetrischen Sonden erzeugt wird. Auch bei dieser Meßsonde
wird im Prinzip lediglich eine Auswertung der elektrischen
Potentiale durchgeführt. Ferner ist aus der JP 11 86596 eine
herkömmliche Temperaturmeßvorrichtung für Plasmen bekannt, die
die Temperatur über den differentiellen Koeffizienten der DC-
Stromspannungskennlinien zwischen zwei Sonden in einem Plasma,
d. h. durch eine elektrische Messung bestimmt.
Aus der SU 43 8920 ist außerdem eine herkömmliche optische
Meßvorrichtung für Plasmacharakteristiken bekannt, die die
räumliche Temperaturverteilung durch optische
Spektroskopiemethoden mißt. Die Anwendung ist jedoch auf
Hochdruckplasmen beschränkt.
Die herkömmlichen Meßsonden bzw. Meßverfahren besitzen jedoch
den Nachteil, daß der in das Plasma eingebrachte Sondenkopf bei
einer Plasmabeschichtung ebenfalls beschichtet wird und somit
die Charakteristik des Sondenkopfes selbst bei der Messung
verändert wird. Dies hat eine Störung der Messungen zur Folge,
da Veränderungen des Sondenkopfes bei der Messung selbst
auftreten.
Derartige Veränderungen können sich ferner beziehen auf:
- - Beschichtung der Sonde in einem beschichtenden Medium, wie beispielsweise Methanplasmen;
- - Ätzen der Sondenoberfläche, beispielsweise in Chlor plasmen; und
- - Erhitzung der Sonde durch hochenergetischen Teilchen beschuß.
Der Erfindung liegt somit das technische Problem zugrunde,
- - eine Meßsonde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bestimmung von lokalen Eigenschaften eines teilweise ionisierten gasförmigen Mediums vorzusehen, durch die einerseits der Einfluß des teilweise ionisierten gasförmigen Mediums auf die Genauigkeit des Meßergebnisses vermieden werden kann und andererseits eine Veränderung der Kennlinie zur Charakterisierung von auf die Sonde aufwachsenden Schichten und eines Beschichtungsvorganges verwendet werden kann.
Dieses technische Problem wird durch eine Meßsonde gelöst,
deren Sondenkopf die folgenden Merkmale umfaßt:
- a) eine erste Meßeinrichtung zur Bestimmung von elektrischen Parametern des teilweise ionisierten gasförmigen Mediums und mindestens einer aufgebrachten Schicht im Wege einer elektrischen Messung; und
- b) eine zweite Meßeinrichtung zur Bestimmung von optischen Parametern von mindestens einer auf der ersten Meßeinrichtung aufgebrachten Schicht im Wege einer optischen Messung.
Ferner wird dieses technische Problem durch eine Vorrichtung
gelöst, welche die folgenden Merkmale umfaßt
- a) einen Sondenkopf mit einer ersten Meßeinrichtung zur
Bestimmung von elektrischen Parametern des teilweise
ionisierten gasförmigen Mediums und mindestens einer
aufgebrachten Schicht im Wege einer elektrischen Messung;
und
einer zweiten Meßeinrichtung zur Bestimmung von optischen Parametern von mindestens einer auf der ersten Meßeinrichtung aufgebrachten Schicht im Wege einer optischen Messung; - b) einen mit der zweiten Meßeinrichtung verbundenen optischen Sender zur Einstrahlung von Licht in den Sondenkopf; und
- c) eine mit dem Sondenkopf verbundene Auserteeinrichtung zur Bestimmung der lokalen Eigenschaften durch Verarbeitung der elektrischen und optischen Parameter.
Das obige technische Problem wird außerdem durch ein Verfahren
gelöst, bei dem
- a) elektrische Parameter des teilweise ionisierten gasförmigen Mediums und mindestens einer Schicht im Wege einer elektrischen Messung; und
gleichzeitig
- b) optische Parameter von mindestens einer auf der Messonde aufgebrachten Schicht im Wege einer optischen Messung bestimmt werden.
Die erfindungsgemäße Meßsonde, die Vorrichtung und das
Verfahren weisen insbesondere den Vorteil auf, daß sie in
beliebigen Plasmen verwendet werden können. In beschichtenden
Plasmen wird neben dem zu beschichtenden Substrat nämlich auch
die Sondenoberfläche mit einer im allgemeinen optisch
transparenten Schicht beaufschlagt. Die erste Meßeinrichtung
mißt dabei die elektrischen Parameter des teilweise ionisierten
gasförmigen Mediums im Wege einer elektrischen Messung. Die
zweite Meßeinrichtung ist vorgesehen, um gleichzeitig eine
Bestimmung von optischen Parametern von mindestens einer auf
der ersten Meßeinrichtung aufgebrachten Schicht vorzunehmen.
Diese kombinierte Messung ermöglicht einerseits über
elektrischen Parameter eine Bestimmung der Kennlinie des
Sondenkopfes und andererseits eine Bestimmung der Schichtdicke
auf dem Sondenkopf selbst, bzw. auf der ersten Meßeinrichtung.
Für die zweite Meßeinrichtung kann in vorteilhafter Weise ein
optischer Lichtwellenleiter verwendet werden, wobei die erste
Meßeinrichtung eine um den Lichtwellenleiter herum angeordnete
Umkleidung aus einem chemisch inerten Material umfaßt.
Vorzugsweise umfaßt das chemisch inerte Material als
Bestandteil Iridium oder eine Iridiumlegierung, welches ein
chemisch inertes und hochschmelzendes Material ist. Damit wird
eine gute Reproduzierbarkeit der Strom-Spannungs-Kennlinien des
Sondenkopfes gewährleistet.
In vorteilhafter Weise ist die erste Meßeinrichtung vorgesehen,
um elektrische Potentiale und Ströme des teilweise ionisierten
gasförmigen Mediums bei der Gasentladung aufzunehmen. Die
Bestimmung der optischen Parameter wird von der zweiten
Meßeinrichtung vorzugsweise im Wege einer optischen Messung
durch die Bestimmung von optischen Wegunterschieden in der
mindestens einen aufgebrachten Schicht durchgeführt.
Die erste und die zweite Meßeinrichtung umfassen eine in-situ
Kalibriereinrichtung, um in vorteilhafter Weise der Vielzahl
der üblichen Beschichtungsmedien, Schichtbedingungen und
Sondenkopfeigenschaften Rechnung zu tragen. Mit der
Kalibriereinrichtung können in vorteilhafter Weise die
verschiedenen gemessenen Kennlinien des Sondenkopfes kalibriert
werden, da der Einfluß einer Schicht auf der Sondenkopf
oberfläche bzw. der Oberfläche der ersten Meßeinrichtung sich
deutlich in der Sondenkopf-Kennlinie nachweisen läßt. Wenn die
Kalibriereinrichtung vorgesehen ist, kann also mit einer
Analyse der Sondenkennlinie neben den oben angegebenen lokalen
Eigenschaften des teilweise ionisierten gasförmigen Mediums
auch eine Bestimmung der Dicke der einzelnen Schichten in
vorteilhafter Weise durchgeführt werden.
Ferner ist es vorteilhaft, eine Aufwärmeinrichtung in den
Sondenkopf zu integrieren, die eine Entfernung mindestens einer
Schicht von der ersten Meßeinrichtung ermöglicht.
Da bei der Meßsonde, der Vorrichtung und dem Verfahren
gleichzeitig elektrische sowie optische Parameter bestimmt
werden, kann der Einfluß der Beschichtung des Sondenkopfes,
beispielsweise in einem Plasma, kompensiert werden. Die mit dem
Sondenkopf verbundene Auswerteeinrichtung empfängt die
elektrischen und optischen Parameter vom Sondenkopf und
ermöglicht somit in vorteilhafter Weise eine Korrektur der
elektrischen Parameter mittels der gleichzeitig gemessenen
optischen Parameter der auf der ersten Meßeinrichtung bzw. der
auf dem Sondenkopf aufgebrachten Schicht.
In vorteilhafter Weise umfaßt die Auswerteeinrichtung eine
elektrische Auswerteeinheit, die die von der ersten
Meßeinrichtung bestimmten elektrischen Parameter zur Bestimmung
von elektrischen Potentialen und Strömen und zur Bestimmung der
Strom-Spannungs-Kennlinie des Sondenkopfes verarbeitet. Ferner
ist es vorteilhaft, wenn die Auswerteeinrichtung eine optische
Auswerteeinheit mit einem optischen Empfänger umfaßt, der
vorzugsweise eine Bestimmung der optischen Parameter durch
Auswertung von optischen Wegunterschieden in einer oder
mehreren Schichten vornimmt.
Es ist ferner vorteilhaft, wenn bei der Bestimmung der
Sondenkennlinie auch die ersten und zweiten Ableitungen der
Kennlinie bestimmt werden. Aus der Differenz von Kennlinien mit
und ohne Schicht läßt sich damit auch die Kennlinie der Schicht
selbst bestimmen.
Wenn über die Auswertung der elektrischen Parameter eine Strom-
Spannungs-Kennlinie des Meßkopfes bestimmt wird, ist es ferner
vorteilhaft, einen Kalibrierschritt durchzuführen, bei dem die
elektrische Kennlinie unter Zuhilfenahme der mittels der
optischen Differenzsignale bestimmten Schichtdicke auf dem
Sondenkopf in-situ kalibriert wird.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung ergeben
sich aus den beiliegenden Unteransprüchen. Im folgenden wird
die Erfindung anhand ihrer Ausführungsformen unter Bezugnahme
auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Meßsonde
mit einem Sondenkopf SK;
Fig. 2 eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Vorrichtung zur Bestimmung von lokalen Eigenschaften
eines teilweise ionisierten gasförmigen Mediums M;
Fig. 3 das Prinzip der Bestimmung von optischen Parametern
der mindestens einen Schicht, die auf dem Sondenkopf
SK bzw. auf der ersten Meßeinrichtung U in Fig. 1, 2
gezeigten Sondenkopfs SK aufgebracht ist;
Fig. 4, 5 jeweils Strom-Spannungs-Kennlinien 6 des Sondenkopfes
mit der Schichtdicke t als Parameter; und
Fig. 6 einen herkömmlichen elektrischer Sondenkopf 12 bzw.
eine herkömmliche Vorrichtung zur Bestimmung von
lokalen Eigenschaften eines teilweise ionisierten
gasförmigen Mediums M.
Im folgenden bezeichnen die Bezugszeichen gleiche oder ähnliche
Teile wie oben unter Bezugnahme auf Fig. 6 beschrieben.
Fig. 1 zeigt zunächst eine Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Meßsonde, die einen Sondenkopf SK umfaßt. Der
Sondenkopf SK weist als erste Meßeinrichtung für elektrische
Parameter (einen elektrischen Teil) in Form einer Umkleidung U
auf, die eine zweite Meßeinrichtung in Form eines optischen
Teils umgibt. Die erste Meßeinrichtung U ist so ausgeführt, daß
sie elektrische Parameter, wie beispielsweise Potentiale,
Ströme und Spannungen in dem teilweise ionisierten gasförmigen
Medium M messen kann. Über die Ausgangsanschlüsse , können
die elektrischen bzw. optischen Parameter weitergeleitet
werden. Der in Fig. 1 gezeigte Sondenkopf SK beruht also auf
einer Kombination der Bestimmung der elektrischen Strom-
Spannungs-Kennlinie mit der Umkleidung U und der optischen
Interferometrie mit der als (monomode oder multimode)
Lichtwellenleiter LWL (mit einem Mantel Ma und einem Kern K)
ausgeführten zweiten Meßeinrichtung. Der optische und der
elektrische Teil sind in der Sonde miteinander verkoppelt und
in einem einzigen Sondenkopf SK integriert. Die erste
Meßeinrichtung enthält als Bestandteil ein chemisch inertes
Material, welches eine gute Reproduzierbarkeit von
Sondenkennlinien gewährleistet. Vorzugsweise wird Iridium oder
eine Iridiumlegierung für das chemisch inerte Material
verwendet.
Über die erste Meßeinrichtung mit dem chemisch inerten Material
kann über die Ausgangsleitung also die Kennlinie bzw. die
Strom-Spannungsverhältnisse in dem Medium bestimmt werden,
während gleichzeitig mittels der zweiten Meßeinrichtung über
den Ausgangs-Eingangs-Anschluß eine optische Messung
durchgeführt wird. Wenn also ein derartiger Sondenkopf SK in
ein gasförmiges Medium M, beispielsweise ein Plasma eingebracht
wird, bildet sich mindestens eine Schicht S mindestens auf der
ersten Meßeinrichtung U aus, wie dies in Fig. 1, 2 schematisch
angedeutet ist. Die Umkleidung U, d. h. die leitende
Ringstruktur, ermöglicht also die Strom-Spannungs-
Kennlinienbestimmung, während gleichzeitig über den
Lichtwellenleiter LWL innerhalb der kreisförmigen, elektrischen
Ringstruktur eine Interferenz mit einer Schicht S bewirkt und
ausgewertet werden kann. Über die Auswertung der Interferenzen,
so wie dies in Fig. 3 dargestellt ist, können die optischen
Wegunterschiede in den einzelnen Schichten S, bzw. der
Schichtdicke der mindestens einen Schicht S bestimmt werden.
Fig. 2 zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Bestimmung
von lokalen Eigenschaften eines teilweise ionisierten
gasförmigen Mediums M, bei dem ein Sondenkopf SK gemäß Fig. 1
verwendet wird. Die Vorrichtung umfaßt eine Auswerteeinrichtung
A mit einer elektrischen Auswerteeinheit 3 und einem optischen
Empfänger 1 und einen optischen Sender 2. Die elektrische
Auswerteeinheit 3 führt eine Erfassung der Kennlinie des
Sondenkopfs SK durch Bestimmung der Potentiale in dem teilweise
ionisierten gasförmigen Medium M durch, welches in einem
Behälter 5 enthalten ist. Die Bestimmung der Strom-Spannungs-
Kennlinie kann beispielsweise wie in Fig. 6 gezeigt,
durchgeführt werden.
Über den Lichtwellenleiter LWL des Sondenkopfes SK innerhalb
der kreisförmigen, elektrischen Ringstruktur der Umkleidung U
wird von dem optischen Sender 2 optisch kohärente Strahlung in
den Sondenkopf SK eingekoppelt, während die elektrische
Auswerteeinheit gleichzeitig eine Auswertung der Potentiale
vornimmt. Wenn ein Aufdampfvorgang bzw. eine Beschichtung der
Sondenkopfoberfläche mittels einer Schicht S erfolgt, bewirkt
dies Interferenzsignale in dem optischen Empfänger 1, die eine
Aussage über die Schichtdicke t auf dem Sondenkopf SK oder
insbesondere auf der ersten Meßeinrichtung U erlaubt.
Fig. 3 zeigt die Bestimmung der optischen Parameter im Wege
einer Auswertung der Interferenzsignale an dem optischen
Empfänger 1, die von der Einstrahlung von Licht und die in der
Schicht S erzeugten Interferenzen herrührt. Derartige
Interferenzmeßverfahren zur optischen Schichtdickenbestimmung
sind beispielsweise aus "D. Herrmann, Schichtdickenmessung,
Oldenbourg-Verlag München Wien 1993, ISBN 3-486-22203-1"
bekannt. Wie in Fig. 1 gezeigt, wird eine einfallende
Laserstrahlung von dem optischen Sensor 2 an einer Schicht (1)
reflektiert, die auf einem Grundmaterial (2) aufgebracht ist.
Der Sondenkörper SK stellt das Grundmaterial (2) dar. An dem
optischen Empfänger 1 ergibt sich ein in Fig. 3(b) gezeigter
Interferenzverlauf, aus dem die Schichtdicke bestimmt werden
kann. Selbst wenn mehrere Schichten S auf den Sondenkörper SK
bzw. der ersten Meßeinrichtung U aufgebracht werden, kann durch
eine Auswertung der Interferenzsignale in der optischen
Auswerteeinheit 1 eine Bestimmung der Schichtdicken
durchgeführt werden.
Die Fig. 4, 5 zeigen Strom-Spannungs-Kennlinien 6 des in das
Medium M eingebrachten Sondenkopfes SK, die durch die erste
elektrische Meßeinrichtung durch die Bestimmung von
elektrischen Potentialen in dem teilweise ionisierten
gasförmigen Medium M ermittelt wurden. Als Parameter ist die
Schichtdicke t einer auf der Meßeinrichtung U aufgebrachten
Schicht S dargestellt. Die Fig. 4, 5 zeigen jeweils zwei
verschiedene Beispiele der Kennlinien bei positiven und
negativen Strömen bzw. verschiedenen Spannungsbereichen. Die
Schichtdicke t wird also mittels der zweiten Meßeinrichtung
über die optischen Parameter bestimmt und zur Kalibrierung der
Kennlinien verwendet, die durch die erste Meßeinrichtung
bestimmt werden. Wenn derartige Kennlinien 6 zur Messung von
Strömungen und Spannungen in dem teilweise ionisierten
gasförmigen Medium M verwendet werden, kann eine Beschichtung
des Sondenkopfes keine Meßungenauigkeit der elektrischen
Messung verursachen, da ein definierter Zusammenhang zwischen
der aufgebrachten Schichtdicke und der elektrischen Parameter
hergestellt ist. Außer der Kalibrierung der Kennlinien über die
Schichtdicke läßt sich damit natürlich gleichzeitig die
Schichtdicke und oder der Brechungsindex einer Schicht
bestimmen, die gleichzeitig auf ein Substrat in dem Behälter 15
aufgedampft wird.
Wenn also eine Kalibriereinrichtung in die Sonde integriert
wird, liefert die Kalibriereinrichtung während der
gleichzeitigen Bestimmung der elektrischen Parameter
(Potentiale) und optischen Parameter (optische Wegunterschiede)
ein fortwährendes in-situ Monitorsignal der Schichtdicke, die
zur Kalibrierung der Kennlinien 6 verwendet wird. Zu diesem
Zweck wird die erste Meßeinrichtung mit der zweiten
Meßeinrichtung gekoppelt. Durch die Kombination der
Schichtdickenmessung und der gleichzeitigen elektrischen
Sondenkennlinienmessung ergeben sich folgende Vorteile:
- - eine hohe lokale Auflösung, d. h. kleine Sondenkopf dimensionen;
- - hohe Schichtdickenauflösung, d. h. kalibrierte Sonden kennlinien; und
- - Einflüsse des beschichtenden oder ätzenden Mediums auf das elektrische Verhalten der Sonde können erkannt und somit kompensiert werden.
Es ist ferner vorteilhaft, wenn der Sondenkopf eine
Aufwärmeinrichtung H in Form einer Heizung aufweist, die für
Entfernung der mindestens einen Schicht der ersten
Meßeinrichtung dient. Somit kann eine Neukalibrierung, bzw.
eine erneute Messung von Schichtdicken von erneut aufgebrachten
Schichten S durchgeführt werden.
Beispielsweise kann die oben beschriebene Meßsonde in ein
kohlenwasserstoffhaltiges Plasma eingefügt werden, in dem
isolierende, optisch transparente Schichten abgeschieden
werden. Mit einer mittels der Aufwärmeinrichtung aufheizbaren
Sonde kann dort reproduzierbar gemessen werden, da sich auf die
heiße Sonde keine Schicht abscheidet. Mit kalter Sonde wächst
demgegenüber eine Schicht auf. Mit zunehmender Schichtdicke
(siehe Fig. 4, 5) werden die Kennlinien 6 immer flacher, d. h.
die reziproke Steigung wächst mit der Schichtdicke. Aus der
Differenz von Kennlinien mit und ohne Schicht kann auch die
Kennlinie der Schicht selbst bestimmt werden. Dabei zeigt sich,
daß mit zunehmender Schichtdicke die Kennlinie der Schicht
flacher wird (da der elektrische Widerstand steigt), d. h. mit
zunehmender Expositionsdauer steigt die Schichtdicke an. Die
Kennliniencharakteristik spricht dabei schon auf Bruchteile
einer Monoschicht an.
Bei unterschiedlichen Plasmabedingungen ergeben sich aber
unterschiedliche Beziehungen zwischen Schichtdicke und
Widerstand (allgemein: Kennlinie). Schichten, die bei höheren
Entladungsleistungen abgeschieden werden besitzen bei gleicher
Schichtdicke einen steileren Verlauf (erste Ableitung größer).
Deshalb ist die absolute Kalibrierung der Beziehung zwischen
Kennlinie und Schichtdicke für das jeweilige Plasma mittels
optischer Messung erforderlich. Die Sonde mißt also
Schichtdicken relativ sehr empfindlich aber nicht absolut, das
optische Verfahren mißt absolut aber nicht so empfindlich. Das
Meßverfahren funktioniert nur dann, wenn man die Kennlinie der
unbeschichteten Sonde als Vergleich vorliegen hat. Daher ist
die Aufwärmeinrichtung erforderlich.
Selbst für die Abscheidung von leitenden Schichten kann aus
Kennlinien beispielsweise für siliziumhaltige Schichten, die
aus der Literatur entnehmbar sind, geschlossen werden, daß
selbst bei höherer Leitfähigkeit charakteristische Strukturen
bzw. Veränderungen der Kennlinie auftreten, aus denen auf die
Schichtdicke geschlossen werden kann. In diesem Fall kann das
Abt ragen der Schicht anstelle mittels der Aufwärmeinrichtung
(Heizung) auch durch Absputtern (Sonde sehr negativ
vorgespannt) durchgeführt werden.
Für leitende und nichtleitende Schichten können die
Eigenschaften von Schicht und Plasma nicht nur aus der
Kennlinie selbst, sondern aus deren Änderungen, d. h. aus deren
ersten und zweiten Ableitungen (d. h. aus I(U), dI/dU und
d²I/dU²) bestimmt werden.
Das Anwendungsgebiet der erfindungsgemäßen Meßsonde, der
Vorrichtung und des Verfahrens bezieht sich auf die
Dünnschichttechnologie, einer Schlüsseltechnologie, bei der
Aussagen über den Beschichtungs- bzw. Ätzprozeß gemacht werden
müssen. Insbesondere kann die Meßsonde bei Meßerfordernissen
angewendet werden, die konventionellen Sonden-Meßverfahren
bisher nicht zugänglich waren. Beispielsweise kann die Meßsonde
bei folgenden Meßverfahren verwendet werden:
- - Isolierte und vom Substrat getrennte Schichtdickenmessung über das elektrische Sondensignal der elektrischen Meß einrichtung;
- - Überwachung und Endpunktkontrolle von Niedertemperatur- Ätzprozeß;
- - Steuerung und Regelung von großflächigen Beschichtungs anlagen.
Bezugszeichen in den Ansprüchen dienen der Verdeutlichung und
engen den Schutzumfang nicht ein.
Claims (27)
1. Meßsonde zur Bestimmung von lokalen Eigenschaften eines
teilweise ionisierten gasförmigen Mediums (M),
insbesondere der Elektronen- und Ionendichte, der
Elektronenverteilungsfunktion und des Plasmapotentials
sowie von elektrischen Parametern von mindestens einer aus
dem Medium (M) abgeschiedenen Beschichtung (S), mit einem
Sondenkopf (SK), der folgende Merkmale umfaßt:
- a) eine erste Meßeinrichtung (U) zur Bestimmung von elektrischen Parametern (i, U) des teilweise ionisierten gasförmigen Mediums (M) und mindestens einer aufgebrachten Schicht (S) im Wege einer elektrischen Messung; und
- b) eine zweite Meßeinrichtung (LWL) zur Bestimmung von optischen Parametern (OW) von mindestens einer auf der ersten Meßeinrichtung (U) aufgebrachten Schicht (S) im Wege einer optischen Messung.
2. Meßsonde nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die zweite Meßeinrichtung (LWL) einen optischen
Lichtwellenleiter (LWL) und die erste Meßeinrichtung (U)
eine um den Lichtwellenleiter (LWL) herum angeordnete
Umkleidung (U) aus einem chemisch inerten Material
umfaßt.
3. Meßsonde nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das chemisch inerte Material Iridium oder eine inerte
Iridiumlegierung ist.
4. Meßsonde nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die mit der ersten Meßeinrichtung (U) im Wege einer
elektrischen Messung bestimmbaren elektrischen Parameter
(i, U) elektrische Potentiale und Ströme umfassen.
5. Meßsonde nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die mit der zweiten Meßeinrichtung (LWL) im Wege einer
optischen Messung bestimmbaren optischen Parameter
optische Wegunterschiede (OW) in der mindestens einen
Schicht (S) umfassen.
6. Meßsonde nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Sondenkopf (SK) zur gleichzeitigen Bestimmung von
optischen Wegunterschieden (OW) in einer oder mehreren
Schichten (S) und elektrischen Potentialen und Strömen des
teilweise ionisierten gasförmigen Mediums (M) ausgelegt
ist.
7. Meßsonde nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste und zweite Meßeinrichtung (U; LWL) des
Sondenkopfes (SK) eine in-situ Kalibriereinrichtung
umfassen.
8. Meßsonde nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Sondenkopf (SK) eine Einrichtung (H) zur Entfernung
der mindestens einen Schicht (S) von der ersten
Meßeinrichtung (U) umfaßt.
9. Meßsonde nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Entfernungseinrichtung (H) eine in dem Sondenkopf (SK)
vorgesehene Heizung (H) ist.
10. Vorrichtung zur Bestimmung von lokalen Eigenschaften eines
teilweise ionisierten gasförmigen Mediums (M),
insbesondere der Elektronen- und Ionendichte, der
Elektronenverteilungsfunktion und des Plasmapotentials
sowie von elektrischen Parametern mindestens einer aus dem
Medium (M) abgeschiedenen Beschichtung (S), umfassend:
- a) einen Sondenkopf (SK) mit einer ersten Meßeinrichtung
(U) zur Bestimmung von elektrischen Parametern (i, U)
des teilweise ionisierten gasförmigen Mediums (M) und
mindestens einer aufgebrachten Schicht (S) im Wege
einer elektrischen Messung; und
einer zweiten Meßeinrichtung (LWL) zur Bestimmung von optischen Parametern (OW) von mindestens einer auf der ersten Meßeinrichtung (U) aufgebrachten Schicht (S) im Wege einer optischen Messung. - b) einen mit der zweiten Meßeinrichtung (U) verbundenen optischen Sender (2) zur Einstrahlung von Licht in den Sondenkopf (SK); und
- c) eine mit dem Sondenkopf (SK) verbundene Auserteeinrichtung (A) zur Bestimmung der lokalen Eigenschaften durch Verarbeitung der elektrischen und optischen Parameter (i, U; OW).
11. Vorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
die zweite Meßeinrichtung (LWL) einen optischen
Lichtwellenleiter (LWL) und die erste Meßeinrichtung (U)
eine um den Lichtwellenleiter (LWL) herum angeordnete
Umkleidung (U) aus einem chemisch inerten Material umfaßt.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß
das chemisch inerte Material Iridium oder eine
Iridiumlegierung ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Auswerteeinrichtung (A) eine optische Auswerteeinheit
mit einem optischen Empfänger (1) und eine elektrische
Auswerteeinheit (3) umfaßt.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet, daß
die elektrische Auswerteeinheit (3) die von der ersten
Meßeinrichtung (U) bestimmten elektrischen Parameter (i,
U) des teilweise ionisierten, gasförmigen Mediums,
insbesondere der Elektronen- und Ionendichten, der
Elektronenverteilungsfunktion und des Plasmapotentials
sowie von elektrischen Parametern von aus dem gasförmigen
Medium (M) abgeschiedenen Schichten (S), insbesondere der
Strom-Spannungskennlinien verarbeitet.
15. Vorrichtung nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet, daß
die optische Auswerteeinheit (1) die von der zweiten
Meßeinrichtung (U) bestimmten optischen Parameter zur
Auswertung von optischen Wegunterschieden (OW) in einer
oder mehreren Schichten (S) verarbeitet.
16. Vorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Auswerteeinrichtung (A) gleichzeitig eine Bestimmung
von optischen Wegunterschieden (OW) und elektrischen
Potentialen und Strömen ausführt.
17. Vorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste und zweite Meßeinrichtung (U, LWL) des
Sondenkopfes (SK) eine in-situ Kalibriereinrichtung
umfassen.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Sondenkopf (SK) eine Einrichtung (H) zur Entfernung
der mindestens einen Schicht (S) von der ersten
Meßeinrichtung (U) umfaßt.
19. Vorrichtung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Entfernungseinrichtung (H) eine in dem Sondenkopf (SK)
vorgesehene Heizung (H) ist.
20. Verfahren zur Bestimmung von lokalen Eigenschaften eines
teilweise ionisierten gasförmigen Mediums (M),
insbesondere der Elektronen- und Ionendichte, der
Elektronenverteilungsfunktion und des Plasmapotentials
sowie von elektrischen Parametern von mindestens einer aus
dem Medium (M) abgeschiedenen Beschichtung (S) mittels
einer in das gasförmige Medium (M) eingebrachten Meßsonde
(13), wobei
- a) elektrische Parameter (i, U) des teilweise ionisierten gasförmigen Mediums (M) und mindestens einer Schicht (S) im Wege einer elektrischen Messung; und gleichzeitig
- b) optische Parameter (OW) von mindestens einer auf der Messonde aufgebrachten Schicht (S) im Wege einer optischen Messung bestimmt werden.
21. Verfahren nach Anspruch 20,
dadurch gekennzeichnet, daß
zur Bestimmung der optischen und elektrischen Parameter
(OW; i, U) eine Messonde nach Anspruch 1 verwendet wird.
22. Verfahren nach Anspruch 20,
dadurch gekennzeichnet, daß
als elektrische Parameter (i, U) elektrische Potentiale
und Ströme und als optische Parameter über
Interferenzsignale optische Wegunterschiede (OW) bestimmt
werden.
23. Verfahren nach Anspruch 20,
dadurch gekennzeichnet, daß
durch Auswerten der elektrischen Parameter (i, U) eine
Strom-Spannungs-Kennlinie (6) für mindestens eine Schicht
(S) auf der Meßsonde und daraus deren Dicke bestimmt wird.
24. Verfahren nach Anspruch 22,
dadurch gekennzeichnet, daß
ein Kalibrierschritt durchgeführt wird, bei dem die
elektrische Kennlinie (6) unter Zuhilfenahme der mittels
der optischen Interferenzsignale bestimmten Schichtdicke
(t) auf dem Sondenkopf (SK) in-situ kalibriert wird.
25. Verfahren nach Anspruch 22,
dadurch gekennzeichnet, daß
die mindestens eine Schicht (S) mittels einer in dem
Sondenkopf (SK) vorgesehenen Entfernungseinrichtung
entfernt wird.
26. Verfahren nach Anspruch 25,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Sondenkopf (SK) zur Entfernung mit einer in dem
Sondenkopf (SK) vorgesehenen Heizung (H) erwärmt wird.
27. Verfahren nach Anspruch 23,
dadurch gekennzeichnet, daß
erste und zweite Ableitungen der Strom-Spannungs-
Sondenkennlinie bestimmt werden.
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