DE4334410C3 - Dünnschicht-Gassensor - Google Patents

Dünnschicht-Gassensor

Info

Publication number
DE4334410C3
DE4334410C3 DE19934334410 DE4334410A DE4334410C3 DE 4334410 C3 DE4334410 C3 DE 4334410C3 DE 19934334410 DE19934334410 DE 19934334410 DE 4334410 A DE4334410 A DE 4334410A DE 4334410 C3 DE4334410 C3 DE 4334410C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
thin
sensor according
film sensor
contact electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19934334410
Other languages
English (en)
Other versions
DE4334410C2 (de
DE4334410A1 (de
Inventor
Klaus Steiner
Gerd Kuehner
Ulrich Hoefer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE19934334410 priority Critical patent/DE4334410C3/de
Publication of DE4334410A1 publication Critical patent/DE4334410A1/de
Publication of DE4334410C2 publication Critical patent/DE4334410C2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4334410C3 publication Critical patent/DE4334410C3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Dünnschicht-Gassensor, wobei eine SnO2-gassensitive Schicht oder deren Ober­ fläche mit speziellen Promotoren modifiziert ist.
Halbleiter-Gassensoren auf Metalloxidbasis insbe­ sonder SnO2-Sensoren, sind bekannt (W. Göpel et al. Sensors; Comprehensive Survey, Vol. II; Chemical and Biochemical Sensors, Part 1, VCH-Verlag Weinheim 1991).
Diese bekannten SnO2-Sensoren sind exakt definierte Widerstandselemente, die diskret betrieben werden (Leitfähigkeitssensoren). Die Sensoren sind dabei so aufgebaut, daß direkt auf einem inerten Träger Kon­ taktelektroden aufgebracht sind. Die sensorisch aktive Schicht ist gesputtertes polykristallines SnO2, das dann direkt auf die Kontaktelektroden abgeschieden wird.
Zur Einstellung der Arbeitstemperatur ist meist eine integrierte Heizung vorgesehen, die z. B. auf der Rück­ seite des Substrates angeordnet sein kann. Zur Passivie­ rung sowohl für die Kontaktelektroden als auch für die Heizung ist eine dünne SiO2-Schicht vorgesehen, die direkt z. B. auf dem Substrat aufgebracht sein kann. Zur spezifischen Aktivierung von Gasreaktionen an bzw. auf der SnO2-Oberfläche werden dabei gezielt Promo­ toren-Katalysatoren verwendet. So modifizierte SnO2-Sensoren werden für eine Vielzahl von Gasen ein­ gesetzt.
Eine Ausnahme bildet allerdings das CO2. Der Grund wurde bisher darin gesehen, daß das relativ stabile CO2-Molekül nur selten oder - wenn überhaupt - dann nur sehr träge mit anderen Stoffen reagiert.
Ein CO2-Sensor ist in der US 4,755,473 offenbart. Hierbei wird ein Sensor vorgeschlagen, bei dem ein Hy­ droxyapatid eingesetzt wird.
Da Kohlendioxid bei allen Verbrennungsprozessen anfällt, ist es insbesondere in der Umweltanalytik, Ab­ gaskontrolle und Haushalts-/Arbeitsplatz-Überwa­ chung ein Gas, welches man bevorzugt mit einem billi­ gen Gassensor, möglichst in situ, kontrollieren möchte. Es besteht deshalb ein großes Bedürfnis für die CO2-Messung mit einfachen und kostengünstigen Sen­ soren.
Ausgehend hiervon, ist es die Aufgabe der vorliegen­ den Erfindung, einen Dünnschichtsensor mit SnO2 als sensitive Schicht zur Verfügung zu stellen, mit dem es möglich ist, CO2 zu messen.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merk­ male des Anspruches 1 gelöst. Die Unteransprüche zei­ gen vorteilhafte Weiterbildungen auf.
Überraschenderweise wurde gefunden, daß es durch eine gezielte Verwendung von speziellen Promotoren, nämlich von Ca und/oder Ca-Oxid, möglich wird, CO2 zu messen. Aufgrund der Stabilität des CO2-Moleküls und der bisher gefestigten Lehrmeinung, daß CO2 nur relativ träge mit anderen Stoffen reagiert, war es über­ raschend und nicht zu erwarten, daß nun mit Ca- und/­ oder Ca-Oxid-Promotoren ein CO2-gassensitiver Sen­ sor hergestellt werden kann.
Besonders bevorzugt ist es dabei, wenn der Sensor eine Katalysatorschicht auf der gassensitiven Schicht aufweist und wenn diese Katalysatorschicht die Promo­ toren enthält. Ganz besonders günstig ist es, wenn die Katalysatorschicht Platin oder andere bekannte Kataly­ satoren wie V; Pd; Ag; Cn; oder Seltene Erden als Kata­ lysatormaterial enthält.
Es hat sich weiter als günstig erwiesen, wenn zur Haf­ tung der Elektroden sowohl der Heizung, z. B. auf der Substrat-Unterseite, als auch der Kontakte auf der Oberfläche ein dünner Haftvermittler (zwischen den Elektroden und der Passivierungsschicht) aufgebracht wird. Dadurch wird vermieden, daß die aktiven Schich­ ten vor altem bei höheren Arbeitstemperaturen abplat­ zen oder bei der Herstellung nicht haften. Die Dicke dieser Haftvermittlerschichten kann dabei im Bereich von 10 bis 100 nm, bevorzugt bei ca. 25 nm, liegen. Als Haftvermittler können dabei alle aus dem Stand der Technik bekannten Haftvermittler eingesetzt werden, insbesondere hat es sich als günstig erwiesen, wenn Tan­ tal verwendet wird. Besonders der Tantal-Haftvermitt­ ler ist äußerst temperaturstabil und sehr wenig diffu­ sionsbereit.
Als Substrate eignen sich alle aus dem Stand der Technik im Bereich der Dünnschichttechnologie be­ kannten Substrate, wie insbesondere Si, Saphir oder auch Keramik. Bevorzugt ist jedoch die Anwendung von Si-Substraten.
Als Elektrodenmaterialien sowohl für die Heizung als auch für die Kontaktelektroden eignen sich ebenfalls die bisher im Bereich der Dünnschichttechnologie einge­ setzten Elektroden. Erfindungsgemäß ist es bevorzugt, Platin und Tantal sowohl in bezug auf die Heizung als auch auf die Elektroden zu verwenden. Dies gilt auch für die möglichen Kontaktelektroden-Strukturen, die bei derartigen Sensoren eingesetzt werden können. Erfin­ dungsgemäß kann dar Sensor mit Elektrodenstrukturen in Kammstruktur, in Punktstruktur oder in Streifens­ truktur aufgebaut werden.
Die Herstellung des vorstehend beschriebenen Sen­ sors erfolgt ebenfalls auf dem bisher aus dem Stand der Technik bekannten Wege. Das Einbringen des Promo­ tors bzw. das Aufbringen einer Schicht kann mit allen bekannten Methoden der Dünnschichttechnik, insbe­ sondere mittels PVD oder CVD, erfolgen.
In der folgenden Beschreibung wird die Erfindung an Hand der Figuren erläutert. Hierbei zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt eines CO2-Dünnschicht-Gas­ sensors mit auf der Unterseite aufgebrachter Heizung,
Fig. 2 einen Querschnitt eines CO2-Dünnschicht-Gas­ sensors, wobei die Heizung auf der gleichen Seite wie die sensitive Schicht aufgebracht ist,
Fig. 3 einen Querschnitt eines CO2-Dünnschicht-Gas­ sensors, bei dem die Kontaktelektroden auf der Ober­ fläche der sensitiven Schicht angeordnet sind,
Fig. 4 eine CO2-Messung,
Fig. 5 bis 9 verschiedene Kontaktelektroden-Struktu­ ren.
Fig. 1 zeigt in einem Ausführungsbeispiel, wie ein er­ findungsgemäßer CO2-SnO2-Sensor 1 aufgebaut ist. Der Gassensor 1 ist ein exakt definiertes Widerstandsele­ ment, das diskret als Leitfähigkeitssensor betrieben wird. Die sensorisch aktive Schicht 6 ist gesputtertes polykristallines SnO2, das direkt auf die Kontaktelektro­ den 3, 4, hier Platin- und Tantal-Elektroden, abgeschie­ den wird. Der mechanische Träger 2 ist ein Si-Substrat. Zur Einstellung der Arbeitstemperatur befindet sich auf der Rückseite des Substrates 2 eine integrierte Heizung 8. Beide Elektrodenkonfigurationen 3, 4, 8 sind zum Sub­ strat elektrisch durch eine SiO2-Schicht 7 passiviert. Zur Haftung der Elektroden 3, 4, 8 ist ein dünner Tantal- Haftvermittler (ca. 25 nm) zwischen den Elektroden 3, 4, 8 (Platinschicht) und der Passivierungsschicht 7 (SiO2) eingebaut. Dies ist günstig, da ansonsten die Gefahr besteht, daß die aktiven Schichten bei den Arbeitstem­ peraturen abplatzen oder bei der Herstellung nicht haf­ ten. Die sensitive Schicht 6 ist mit einer Katalysatorschicht 5 überzogen, die die erfindungsgemäßen Promo­ toren enthält. Im Beispielsfall enthält die Katalysator­ schicht 5 noch zusätzlich Platin als Katalysator. Die vor­ stehend beschriebene Sandwich-Struktur des erfin­ dungsgemäßen Sensors 1 ist dabei bis 900°C in Stick­ stoff-Sauerstoff-Atmosphäre für mindestens zwei Tage stabil Zersetzungen wurden nicht festgestellt trotz An­ wesenheit von Sauerstoff. Gleichzeitig konnte kaum ei­ ne Interdiffusion beobachtet werden. Die elektrische Kontaktierung des SnO2 erfolgt durch die Oberflächen- Elektroden 3, 4. Fig. 1 zeigt den Sensor im Querschnitt. Im Beispielsfall wurde für die Elektroden eine Kamm­ struktur (siehe Fig. 8 bzw. 9) gewählt. Es wurde dabei festgestellt, daß die Kontakte kein rein ohmsches Ver­ halten aufweisen, da bei Admittanz-Messungen Reak­ tantsbeiträge gemessen worden sind. Die Dicke der Pla­ tin/Tantal-Heizwendel 5 und Kontakt 3, 4 ist ca. 0,5 µm. Dickere und dünnere Schichten sind jedoch genauso möglich. Fig. 4 zeigt die mit einem derartigen Sensor gemessene CO2-Konzentration bei Vorliegen von syn­ thetischer Luft und 50% relativer Luftfeuchtigkeit.
Damit ist es möglich, CO2-Konzentrationen um den MAK-Wert (5000 ppm) zu detektieren.
Die aktive Fläche des im Ausführungsbeispiel ange­ wendeten Sensorelementes 1 beträgt 5 × 5 qmm bei einer Chip-Gesamtfläche von 8 × 8 qmm. Die Lei­ stungsaufnahme eines solchen Sensorelementes beträgt etwa 2 bis 3 W zwischen 250 und 350°C Arbeitstempe­ ratur.
Wie vorstehend in der Beschreibung ausführlich er­ läutert, ist es möglich, den Sensor vielgestaltig umzu­ wandeln. Grundsätzlich sind alle möglichen Elektroden­ strukturen (Fig. 5 bis 9) wie auch verschiedenste Elek­ trodenmaterialien anwendbar.
Besonders vorteilhaft bei dem erfindungsgemäßen Sensor ist sein einfacher Aufbau.
Fig. 2 zeigt nun einen anderen Schichtaufbau als in Fig. 1. Dieser Aufbau, der sich dadurch auszeichnet, daß die Heizung 8 auf der gleichen. Seite wie die sensitive Schicht 6 angeordnet ist, hat den Vorteil, daß der Einbau in ein Gehäuse erheblich erleichtert wird. Die Heizung 8 liegt dabei dann direkt auf der Oberfläche der Passivie­ rungsschicht 7. Dadurch befindet sich die Heizung 8 direkt unter den Kontaktelektroden 3, 4. Lediglich eine zusätzliche Passivierungsschicht 9 zwischen Heizung 8 und den Kontaktelektroden 3, 4 ist notwendig.
Eine weitere Optimierung der Architektur des Sen­ sors besteht aus der Lage der sensitiven Schicht 6 und der Anordnung der Elektroden 3, 4. Erfindungsgemäß ist es auch möglich, die Elektroden 3, 4 auf der sensitiven Schicht 6 zu strukturieren (Fig. 3).
Fig. 5 bis Fig. 9 zeigen die Möglichkeiten, wie die Kontakte 3, 4 ausgebildet sein können. Einerseits ist es möglich, eine sogenannte Punktstruktur (10) zu verwen­ den (Fig. 5a und 5b). Bevorzugt ist hierbei eine Vier­ punktstruktur anzuwenden, z. B. Vierpunktmessung nach von der Pau. Fig. 5a und Fig. 5b unterscheiden sich lediglich durch die Wahl des Zinndioxid-Designs, d. h. der sensitiven Schicht 6 (schraffierte Fläche).
Andere bevorzugte Kontaktstrukturen sind die Strei­ fenstruktur (11), wobei es wiederum bevorzugt ist, zwei oder vier Streifenstrukturen anzuwenden. Der Abstand und die Breite der Kontakte 11 kann dabei von einem µm bis zu mehreren Millimetern reichen (Fig. 6 und 7). Die Breite des Zinndioxids 6 kann von wenigen Mikro- bis mehrere Millimeter variieren.
Die Dimensionierung richtet sich im Einzelfall nach der gewünschten Spezifität des Sensors, da die Größe der Kontaktfläche die Eigenschaften beeinflußt.
Fig. 8 und 9 zeigen die Ausgestaltung der Kontakt­ elektroden als Kammstruktur 12. Beide Ausführungs­ beispiele zeigen, daß jeweils noch unterschiedliche De­ signs des Zinndioxids angewendet werden können. Der­ artige Kammstrukturen weisen bevorzugt Abmessun­ gen von 100 × 100 qmm bis 10 × 10 qmm auf. Möglich sind hierbei auch asymmetrische Stege und Spalte.

Claims (14)

1. Dünnschicht-Gassensor zur Messung von CO2 aus einem flächigen, mit einer Passivierungsschicht (7) versehenen inerten heizbaren Substrat (2) und einer darauf abgeschiedenen gassensitiven SnO2-Schicht (6), die mit Kontaktelektroden (3, 4) verbunden ist, wobei die gassensitive SnO2- Schicht (6) mit Katalysatormaterial dotiert sein kann und/oder zumindest teilweise mit einer Ka­ talysatormaterial enthaltenden Schicht (5) ver­ sehen sein kann, dadurch gekennzeichnet, daß die sensitive Schicht (6) und/oder deren Oberfläche (13) und/oder die Katalysatorschicht (5), Ca und/oder Ca-Oxid-Promotoren enthält.
2. Dünnschichtsensor nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die sensitive Schicht (6) oder de­ ren Oberfläche (13) mit den Promotoren modifi­ ziert ist.
3. Dünnschichtsensor nach Anspruch 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß die sensitive Schicht (6) eine Katalysatorschicht (5) aufweist, die mit den Promotoren modifiziert ist.
4. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung (8) auf dem Substrat (2) auf der der sensiti­ ven Schicht (6) gegenüberliegenden Seite angeord­ net ist, wobei zwischen der Heizung (8) und dem Substrat (2) eine Passivierungsschicht (7) aufge­ bracht ist.
5. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung (8) auf der gleichen Seite wie die sensitive Schicht (6) angeordnet ist - in der Weise, daß sie von einer weiteren Passivierungsschicht (9) um­ schlossen ist und daß die sensitive Schicht (6) auf dieser weiteren Schicht (9) aufgebracht ist.
6. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektroden (3, 4) direkt auf der Passivie­ rungsschicht (7) angeordnet sind.
7. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektroden (3, 4) auf der sensitiven Schicht (6) angeordnet sind.
8. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Kontaktelektroden (3, 4) und der Pas­ sivierungsschicht (7) bzw. zwischen der Kontakt­ elektrode (3, 4) und der sensitiven Schicht (6), und zwischen der Heizung (8) und der Passivierungs­ schicht (7) eine Haftvermittlungsschicht aufge­ bracht ist.
9. Dünnschichtsensor nach Anspruch 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Haftvermittlungsschicht eine Tantal-Schicht ist.
10. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektroden in Form einer Streifenstruktur (11) ausgebildet sind.
11. Dünnschichtsensor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß bevorzugt eine Zwei- oder Vierstreifenstruktur vorliegt.
12. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektroden in Form einer Kammstruktur (12) ausgebildet sind.
13. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektroden in Form von Punktelektroden (10) ausgebildet sind.
14. Verwendung des Dünnschichtsensors nach min­ destens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch ge­ kennzeichnet, daß er als CO2-Sensor eingesetzt wird.
DE19934334410 1993-10-08 1993-10-08 Dünnschicht-Gassensor Expired - Fee Related DE4334410C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934334410 DE4334410C3 (de) 1993-10-08 1993-10-08 Dünnschicht-Gassensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934334410 DE4334410C3 (de) 1993-10-08 1993-10-08 Dünnschicht-Gassensor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE4334410A1 DE4334410A1 (de) 1995-04-13
DE4334410C2 DE4334410C2 (de) 1995-07-20
DE4334410C3 true DE4334410C3 (de) 2002-05-29

Family

ID=6499754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19934334410 Expired - Fee Related DE4334410C3 (de) 1993-10-08 1993-10-08 Dünnschicht-Gassensor

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4334410C3 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19549146A1 (de) * 1995-12-29 1997-07-03 Siemens Ag Gassensor
DE19845112C2 (de) * 1998-09-30 2000-12-21 Tyco Electronics Logistics Ag Gassensor
DE19859998C2 (de) * 1998-12-23 2000-11-30 Siemens Ag Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009031305A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Uhde Gmbh Katalysatorbeschichteter Träger, Verfahren zu dessen Herstellung, ein damit ausgestatteter Reaktor und dessen Verwendung
DE102017208418A1 (de) * 2017-05-18 2018-11-22 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer nanokristallinen, gassensitiven Schichtstruktur, entsprechende nanokristalline, gassensitive Schichtstruktur, und Gassensor mit einer entsprechenden nanokristallinen, gassensitiven Schichtstruktur
US11333648B1 (en) * 2020-11-06 2022-05-17 Pgr Holdings, Llc Decoupled thermodynamic sensing system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2603785C2 (de) * 1976-01-31 1984-08-23 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Sensor für Kohlenmonoxid und/oder Kohlenwasserstoffe in Abgasen
DE2908916C2 (de) * 1979-03-07 1986-09-04 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Widerstandsmeßfühler zur Erfassung des Sauerstoffgehaltes in Gasen, insbesondere in Abgasen von Verbrennungsmotoren und Verfahren zur Herstellung derselben
US4706493A (en) * 1985-12-13 1987-11-17 General Motors Corporation Semiconductor gas sensor having thermally isolated site
US4755473A (en) * 1985-05-16 1988-07-05 Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha Method of detecting carbon dioxide gas

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2603785C2 (de) * 1976-01-31 1984-08-23 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Sensor für Kohlenmonoxid und/oder Kohlenwasserstoffe in Abgasen
DE2908916C2 (de) * 1979-03-07 1986-09-04 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Widerstandsmeßfühler zur Erfassung des Sauerstoffgehaltes in Gasen, insbesondere in Abgasen von Verbrennungsmotoren und Verfahren zur Herstellung derselben
US4755473A (en) * 1985-05-16 1988-07-05 Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha Method of detecting carbon dioxide gas
US4706493A (en) * 1985-12-13 1987-11-17 General Motors Corporation Semiconductor gas sensor having thermally isolated site

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Sensors, A comprehensive Survey, edited by W. Göpel, J. Hesse, J.N. Zemel, Volume 2: Chemical and Biochemical Sensors, Part 1, VCH, Weinheim u. a. 1991, S. 429-466 *
XU, C. u.a., in: Sensors and Actuators B, 1991, Bd. 3, S. 147-155 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE4334410C2 (de) 1995-07-20
DE4334410A1 (de) 1995-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4424342C1 (de) Sensorarray
DE10011562C2 (de) Gassensor
DE4423289C1 (de) Gassensor für reduzierende oder oxidierende Gase
DE4334672C2 (de) Sensor zum Nachweis von Stickoxid
DE69418615T2 (de) Katalytischer gassensor
EP2220482B1 (de) Gassensor mit einer verbesserten selektivität
DE10359173B4 (de) Messvorrichtung mit mehreren auf einem Substrat angeordneten potentiometrischen Elektrodenpaaren
DE4445359A1 (de) Sensor zum Nachweis von brennbaren Gasen
EP0464244B1 (de) Sensor zur Erfassung reduzierender Gase
EP0046989B1 (de) Selektiver Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid (WOx)-Halbleitern, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung
DE10210819B4 (de) Mikrostrukturierter Gassensor mit Steuerung der gassensitiven Eigenschaften durch Anlegen eines elektrischen Feldes
DE4334410C3 (de) Dünnschicht-Gassensor
WO1998026260A1 (de) Elektrischer widerstand mit wenigstens zwei anschlusskontaktfeldern auf einem keramik-substrat sowie verfahren zu dessen herstellung
EP0464243B1 (de) Sauerstoffsensor mit halbleitendem Galliumoxid
DE19941420A1 (de) Elektrischer Widerstand mit wenigstens zwei Anschlußkontaktfeldern auf einem Substrat mit wenigstens einer Ausnehmung sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE4442396A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung der Selektivität von gassensitiven chemischen Verbindungen über externe Potentiale
WO2003023387A1 (de) Metalloxid-halbleitergassensor und verfahren zu seiner herstellung
DE19718584C1 (de) Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden Gasen oder Gasgemischen
DE102004038988B3 (de) Strömungssensor
DE19924083C2 (de) Leitfähigkeitssensor zur Detektion von Ozon
DE4401885C2 (de) Detektor zum Nachweis reduzierender Gase
DE102016206445B4 (de) Coulometrischer Feuchtesensor mit gelförmigem Elektrolyt und Herstellungsverfahren für einen Coulometrischen Feuchtesensor mit gelförmigem Elektrolyt
WO2007104483A2 (de) Epitaktischer stoffsensitiver sensor
DE10315190A1 (de) Gassensor
DE19710456C1 (de) Dünnschicht-Gassensor

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8305 Restricted maintenance of patent after opposition
D4 Patent maintained restricted
8339 Ceased/non-payment of the annual fee