DE4334410A1 - Dünnschicht-Gassensor - Google Patents

Dünnschicht-Gassensor

Info

Publication number
DE4334410A1
DE4334410A1 DE19934334410 DE4334410A DE4334410A1 DE 4334410 A1 DE4334410 A1 DE 4334410A1 DE 19934334410 DE19934334410 DE 19934334410 DE 4334410 A DE4334410 A DE 4334410A DE 4334410 A1 DE4334410 A1 DE 4334410A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
thin
sensor according
sensitive
film sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19934334410
Other languages
English (en)
Other versions
DE4334410C2 (de
DE4334410C3 (de
Inventor
Klaus Dr Steiner
Gerd Kuehner
Ulrich Hoefer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE19934334410 priority Critical patent/DE4334410C3/de
Publication of DE4334410A1 publication Critical patent/DE4334410A1/de
Publication of DE4334410C2 publication Critical patent/DE4334410C2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4334410C3 publication Critical patent/DE4334410C3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid

Description

Die Erfindung betrifft einen Dünnschicht-Gassensor, wobei eine SnO₂-gassensitive Schicht oder deren Ober­ fläche mit speziellen Promotoren modifiziert ist.
Halbleiter-Gassensoren auf Metalloxidbasis insbeson­ dere SnO₂-Sensoren, sind bekannt (W. Göpel et al. Sen­ sors; Comprehensive Survey, Vol. II; Chemical and Biochemical Sensors, Part 1, VCH-Verlag Weinheim 1991).
Diese bekannten SnO₂-Sensoren sind exakt definierte Widerstandselemente, die diskret betrieben werden (Leitfähigkeitssensoren). Die Sensoren sind dabei so aufgebaut, daß direkt auf einem inerten Träger Kon­ taktelektroden aufgebracht sind. Die sensorisch akti­ ve Schicht ist gesputtertes polykristallines SnO₂, das dann direkt auf die Kontaktelektroden abgeschie­ den wird.
Zur Einstellung der Arbeitstemperatur ist meist eine integrierte Heizung vorgesehen, die z. B. auf der Rückseite des Substrates angeordnet sein kann. Zur Passivierung sowohl für die Kontaktelektroden als auch für die Heizung ist eine dünne SiO₂-Schicht vor­ gesehen, die direkt z. B. auf dem Substrat aufgebracht sein kann. Zur spezifischen Aktivierung von Gasreak­ tionen an bzw. auf der SnO₂-Oberfläche werden dabei gezielt Promotoren-Katalysatoren verwendet. So modi­ fizierte SnO₂-Sensoren werden für eine Vielzahl von Gasen eingesetzt.
Eine Ausnahme bildet allerdings das CO₂. Der Grund wurde bisher darin gesehen, daß das relativ stabile CO₂-Molekül nur selten oder - wenn überhaupt - dann nur sehr träge mit anderen Stoffen reagiert.
Da Kohlendioxid bei allen Verbrennungsprozessen an­ fällt, ist es insbesondere in der Umweltanalytik, Ab­ gaskontrolle und Haushalts-/Arbeitsplatz-Überwachung ein Gas, welches man bevorzugt mit einem billigen Gassensor, möglichst in situ, kontrollieren möchte. Es besteht deshalb ein großes Bedürfnis für die CO₂-Messung mit einfachen und kostengünstigen Sensoren.
Ausgehend hiervon, ist es die Aufgabe der vorliegen­ den Erfindung, einen Dünnschichtsensor mit SnO₂ als sensitive Schicht zur Verfügung zu stellen, mit dem es möglich ist, CO₂ zu messen.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruches 1 gelöst. Die Unteransprüche zeigen vorteilhafte Weiterbildungen auf.
Überraschenderweise wurde gefunden, daß es durch eine gezielte Verwendung von speziellen Promotoren, näm­ lich von Ca und/oder Ca-Oxid, möglich wird, CO₂ zu messen. Aufgrund der Stabilität des CO₂-Moleküls und der bisher gefestigten Lehrmeinung, daß CO₂ nur rela­ tiv träge mit anderen Stoffen reagiert, war es über­ raschend und nicht zu erwarten, daß nun mit Ca- und/oder Ca-Oxid-Promotoren ein CO₂-gassensitiver Sensor hergestellt werden kann.
Besonders bevorzugt ist es dabei, wenn der Sensor eine Katalysatorschicht auf der gassensitiven Schicht aufweist und wenn diese Katalysatorschicht die Promo­ toren enthält. Ganz besonders günstig ist es, wenn die Katalysatorschicht Platin oder andere bekannte Katalysatoren wie V; Pd; Ag; Cn; oder Seltene Erden als Katalysatormaterial enthält.
Es hat sich weiter als günstig erwiesen, wenn zur Haftung der Elektroden sowohl der Heizung, z. B. auf der Substrat-Unterseite, als auch der Kontakte auf der Oberfläche ein dünner Haftvermittler (zwischen den Elektroden und der Passivierungsschicht) aufge­ bracht wird. Dadurch wird vermieden, daß die aktiven Schichten vor allem bei höheren Arbeitstemperaturen abplatzen oder bei der Herstellung nicht haften. Die Dicke dieser Haftvermittlerschichten kann dabei im Bereich von 10 bis 100 nm, bevorzugt bei ca. 25 nm, liegen. Als Haftvermittler können dabei alle aus dem Stand der Technik bekannten Haftvermittler eingesetzt werden, insbesondere hat es sich als günstig erwie­ sen, wenn Tantal verwendet wird. Besonders der Tan­ tal-Haftvermittler ist äußerst temperaturstabil und sehr wenig diffusionsbereit.
Als Substrate eignen sich alle aus dem Stand der Technik im Bereich der Dünnschichttechnologie bekann­ ten Substrate, wie insbesondere Si, Saphir oder auch Keramik. Bevorzugt ist jedoch die Anwendung von Si-Substraten.
Als Elektrodenmaterialien sowohl für die Heizung als auch für die Kontaktelektroden eignen sich ebenfalls die bisher im Bereich der Dünnschichttechnologie ein­ gesetzten Elektroden. Erfindungsgemäß ist es bevor­ zugt, Platin und Tantal sowohl in bezug auf die Hei­ zung als auch auf die Elektroden zu verwenden. Dies gilt auch für die möglichen Kontaktelektroden-Struk­ turen, die bei derartigen Sensoren eingesetzt werden können. Erfindungsgemäß kann der Sensor mit Elektro­ denstrukturen in Kammstruktur, in Punktstruktur oder in Streifenstruktur aufgebaut werden.
Die Herstellung des vorstehend beschriebenen Sensors erfolgt ebenfalls auf dem bisher aus dem Stand der Technik bekannten Wege. Das Einbringen des Promotors bzw. das Aufbringen einer Schicht kann mit allen be­ kannten Methoden der Dünnschichttechnik, insbesondere mittels PVD oder CVD, erfolgen.
Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorzüge der Erfin­ dung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Figuren. Hierbei zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt eines CO₂-Dünnschicht-Gassensors mit auf der Unterseite aufge­ brachter Heizung,
Fig. 2 einen Querschnitt eines CO₂-Dünnschicht-Gassensors, wobei die Heizung auf der glei­ chen Seite wie die sensitive Schicht aufge­ bracht ist,
Fig. 3 einen Querschnitt eines CO₂-Dünnschicht-Gassensors, bei dem die Kontaktelektroden auf der Oberfläche der sensitiven Schicht angeordnet sind,
Fig. 4 eine CO₂-Messung,
Fig. 5 bis 9 verschiedene Kontaktelektroden-Strukturen.
Fig. 1 zeigt in einem Ausführungsbeispiel, wie ein erfindungsgemäßer CO₂-SnO₂-Sensor 1 aufgebaut ist. Der Gassensor 1 ist ein exakt definiertes Wider­ standselement, das diskret als Leitfähigkeitssensor betrieben wird. Die sensorisch aktive Schicht 6 ist gesputtertes polykristallines SnO₂, das direkt auf die Kontaktelektroden 3, 4, hier Platin- und Tantal- Elektroden, abgeschieden wird. Der mechanische Träger 2 ist ein Si-Substrat. Zur Einstellung der Arbeits­ temperatur befindet sich auf der Rückseite des Sub­ strates 2 eine integrierte Heizung 8. Beide Elektro­ denkonfigurationen 3, 4, 8 sind zum Substrat elek­ trisch durch eine SiO₂-Schicht 7 passiviert. Zur Haf­ tung der Elektroden 3, 4, 8 ist ein dünner Tantal- Haftvermittler (ca. 25 nm) zwischen den Elektroden 3, 4, 8 (Platinschicht) und der Passivierungsschicht 7 (SiO₂) eingebaut. Dies ist günstig, da ansonsten die Gefahr besteht, daß die aktiven Schichten bei den Arbeitstemperaturen abplatzen oder bei der Herstel­ lung nicht haften. Die sensitive Schicht 6 ist mit einer Katalysatorschicht 5 überzogen, die die erfin­ dungsgemäßen Promotoren enthält. Im Beispielsfall enthält die Katalysatorschicht 5 noch zusätzlich Pla­ tin als Katalysator. Die vorstehend beschriebene Sandwich-Struktur des erfindungsgemäßen Sensors 1 ist dabei bis 900°C in Stickstoff-Sauerstoff-Atmosphäre für mindestens zwei Tage stabil. Zersetzungen wurden nicht festgestellt trotz Anwesenheit von Sauerstoff. Gleichzeitig konnte kaum eine Interdiffusion beobach­ tet werden. Die elektrische Kontaktierung des SnO₂ erfolgt durch die Oberflächen-Elektroden 3, 4. Fig. 1 zeigt den Sensor im Querschnitt. Im Beispielsfall wurde für die Elektroden eine Kammstruktur (siehe Fig. 8 bzw. 9) gewählt. Es wurde dabei festgestellt, daß die Kontakte kein rein ohmsches Verhalten aufwei­ sen, da bei Admittanz-messungen Reaktantsbeiträge gemessen worden sind. Die Dicke der Platin/Tantal- Heizwendel 5 und Kontakt 3, 4 ist ca. 0,5 µm. Dickere und dünnere Schichten sind jedoch genauso möglich. Fig. 4 zeigt die mit einem derartigen Sensor gemesse­ ne CO₂-Konzentration bei Vorliegen von synthetischer Luft und 50% relativer Luftfeuchtigkeit.
Damit ist es möglich, CO₂-Konzentrationen um den MAK-Wert (5000 ppm) zu detektieren.
Die aktive Fläche des im Ausführungsbeispiel angewen­ deten Sensorelementes 1 beträgt 5×5 qmm bei einer Chip-Gesamtfläche von 8×8 qmm. Die Leistungsaufnah­ me eines solchen Sensorelementes beträgt etwa 2 bis 3 W zwischen 250 und 350°C Arbeitstemperatur.
Wie vorstehend in der Beschreibung ausführlich erläu­ tert, ist es möglich, den Sensor vielgestaltig umzu­ wandeln. Grundsätzlich sind alle möglichen Elektro­ denstrukturen (Fig. 5 bis 9) wie auch verschiedenste Elektrodenmaterialien anwendbar.
Besonders vorteilhaft bei dem erfindungsgemäßen Sen­ sor ist sein einfacher Aufbau.
Fig. 2 zeigt nun einen anderen Schichtaufbau als in Fig. 1. Dieser Aufbau, der sich dadurch auszeichnet, daß die Heizung 8 auf der gleichen Seite wie die sen­ sitive Schicht 6 angeordnet ist, hat den Vorteil, daß der Einbau in ein Gehäuse erheblich erleichtert wird. Die Heizung 8 liegt dabei dann direkt auf der Ober­ fläche der Passivierungsschicht 7. Dadurch befindet sich die Heizung 8 direkt unter den Kontaktelektroden 3, 4. Lediglich eine zusätzliche Passivierungsschicht 9 zwischen Heizung 8 und den Kontaktelektroden 3, 4 ist notwendig.
Eine weitere Optimierung der Architektur des Sensors besteht aus der Lage der sensitiven Schicht 6 und der Anordnung der Elektroden 3, 4. Erfindungsgemäß ist es auch möglich, die Elektroden 3, 4 auf der sensitiven Schicht 6 zu strukturieren (Fig. 3).
Fig. 5 bis Fig. 9 zeigen die Möglichkeiten, wie die Kontakte 3, 4 ausgebildet sein können. Einerseits ist es möglich, eine sogenannte Punktstruktur (10) zu verwenden (Fig. 5a und 5b). Bevorzugt ist hierbei eine Vierpunktstruktur anzuwenden, z. B. Vierpunktmes­ sung nach von der Pau. Fig. 5a und Fig. 5b unter­ scheiden sich lediglich durch die Wahl des Zinn­ dioxid-Designs, d. h. der sensitiven Schicht 6 (schraffierte Fläche).
Andere bevorzugte Kontaktstrukturen sind die Strei­ fenstruktur (11), wobei es wiederum bevorzugt ist, zwei oder vier Streifenstrukturen anzuwenden. Der Abstand und die Breite der Kontakte 11 kann dabei von einem µm bis zu mehreren Millimetern reichen (Fig. 6 und 7). Die Breite des Zinndioxids 6 kann von wenigen Mikro- bis mehrere Millimeter variieren.
Die Dimensionierung richtet sich im Einzelfall nach der gewünschten Spezifität des Sensors, da die Größe der Kontaktfläche die Eigenschaften beeinflußt.
Fig. 8 und 9 zeigen die Ausgestaltung der Kontakt­ elektroden als Kammstruktur 12. Beide Ausführungsbei­ spiele zeigen, daß jeweils noch unterschiedliche De­ signs des Zinndioxids angewendet werden können. Der­ artige Kammstrukturen weisen bevorzugt Abmessungen von 100×100 qmm bis 10×10 qmm auf. Möglich sind hierbei auch asymmetrische Stege und Spalte.

Claims (14)

1. Dünnschicht-Gassensor aus einem flächigen, mit einer Passivierungsschicht (7) versehenen iner­ ten heizbaren Substrat (2) und einer darauf ab­ geschiedenen gassensitiven SnO₂-Schicht (6), die mit Kontaktelektroden (3, 4,) verbunden ist, wo­ bei die gassensitive SnO₂-Schicht (6) gegebenen­ falls mit Katalysatormaterial dotiert bzw. zu­ mindest teilweise mit einer Katalysatormaterial enthaltenden Schicht (5) versehen sein kann, dadurch gekennzeichnet, daß die sensitive Schicht (6) CO₂-sensitiv ist, wobei die sensitive Schicht (6) und/oder die Oberfläche, gegebenenfalls die Katalysator­ schicht (5), Ca und/oder Ca-Oxid-Promotoren ent­ hält.
2. Dünnschichtsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die sensitive Schicht (6) oder die Oberfläche mit den Promoto­ ren modifiziert ist.
3. Dünnschichtsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die sensitive Schicht (6) eine Katalysatorschicht (5) auf­ weist, die mit Promotoren modifiziert ist.
4. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung (8) auf dem Substrat (2) auf der der sensitiven Schicht (6) gegenüberliegenden Seite angeordnet ist, wo­ bei zwischen der Heizung (8) und dem Substrat (2) eine Passivierungsschicht (7) aufgebracht ist.
5. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung (8) auf der gleichen Seite wie die sensitive Schicht (6) angeordnet ist - in der Weise, daß sie von einer weiteren Passivierungsschicht (9) umschlossen ist und daß die sensitive Schicht (6) auf dieser weiteren Schicht (9) aufgebracht ist.
6. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro­ den (3, 4) direkt auf der Passivierungsschicht (7) angeordnet sind.
7. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro­ den (3, 4) auf der sensitiven Schicht (6) ange­ ordnet sind.
8. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Kon­ taktelektroden (3, 4) und der Passivierungs­ schicht (7) bzw. zwischen der Kontaktelektrode (3, 4) und der sensitiven Schicht (6), und zwi­ schen der Heizung (8) und der Passivie­ rungsschicht (7) eine Haftvermittlungsschicht aufgebracht ist.
9. Dünnschichtsensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermitt­ lungsschicht eine Tantal-Schicht ist.
10. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro­ den in Form einer Streifenstruktur (11) ausge­ bildet sind.
11. Dünnschichtsensor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß bevorzugt eine Zwei- oder Vierstreifenstruktur vorliegt.
12. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro­ den in Form einer Kammstruktur (12) ausgebildet sind.
13. Dünnschichtsensor nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektro­ den in Form von Punktelektroden (10) ausgebildet sind.
14. Verwendung des Dünnschichtsensors nach minde­ stens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß er als CO₂-Sensor eingesetzt wird.
DE19934334410 1993-10-08 1993-10-08 Dünnschicht-Gassensor Expired - Fee Related DE4334410C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934334410 DE4334410C3 (de) 1993-10-08 1993-10-08 Dünnschicht-Gassensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19934334410 DE4334410C3 (de) 1993-10-08 1993-10-08 Dünnschicht-Gassensor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE4334410A1 true DE4334410A1 (de) 1995-04-13
DE4334410C2 DE4334410C2 (de) 1995-07-20
DE4334410C3 DE4334410C3 (de) 2002-05-29

Family

ID=6499754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19934334410 Expired - Fee Related DE4334410C3 (de) 1993-10-08 1993-10-08 Dünnschicht-Gassensor

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4334410C3 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19549146A1 (de) * 1995-12-29 1997-07-03 Siemens Ag Gassensor
DE19845112A1 (de) * 1998-09-30 2000-04-27 Siemens Ag Gassensor
DE19859998A1 (de) * 1998-12-23 2000-07-06 Siemens Ag Gassensor und Verfahrne zu dessen Herstellung
CN110959115A (zh) * 2017-05-18 2020-04-03 罗伯特·博世有限公司 用于制造纳米晶的、气体敏感的层结构的方法,相应的纳米晶的、气体敏感的层结构和具有相应的纳米晶的、气体敏感的层结构的气体传感器
US11333648B1 (en) * 2020-11-06 2022-05-17 Pgr Holdings, Llc Decoupled thermodynamic sensing system

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009031305A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Uhde Gmbh Katalysatorbeschichteter Träger, Verfahren zu dessen Herstellung, ein damit ausgestatteter Reaktor und dessen Verwendung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4755473A (en) * 1985-05-16 1988-07-05 Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha Method of detecting carbon dioxide gas

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2603785C2 (de) * 1976-01-31 1984-08-23 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Sensor für Kohlenmonoxid und/oder Kohlenwasserstoffe in Abgasen
DE2908916C2 (de) * 1979-03-07 1986-09-04 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Widerstandsmeßfühler zur Erfassung des Sauerstoffgehaltes in Gasen, insbesondere in Abgasen von Verbrennungsmotoren und Verfahren zur Herstellung derselben
US4706493A (en) * 1985-12-13 1987-11-17 General Motors Corporation Semiconductor gas sensor having thermally isolated site

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4755473A (en) * 1985-05-16 1988-07-05 Sekisui Kaseihin Kogyo Kabushiki Kaisha Method of detecting carbon dioxide gas

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Sensors, A comprehensive Survey, edited by W. Göpel, J. Hesse, J.N. Zemel, Volume 2: Chemical and Biochemical Sensors, Part 1, VCH, Weinheim u. a. 1991, S. 429-466 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19549146A1 (de) * 1995-12-29 1997-07-03 Siemens Ag Gassensor
DE19845112A1 (de) * 1998-09-30 2000-04-27 Siemens Ag Gassensor
DE19845112C2 (de) * 1998-09-30 2000-12-21 Tyco Electronics Logistics Ag Gassensor
DE19859998A1 (de) * 1998-12-23 2000-07-06 Siemens Ag Gassensor und Verfahrne zu dessen Herstellung
DE19859998C2 (de) * 1998-12-23 2000-11-30 Siemens Ag Gassensor und Verfahren zu dessen Herstellung
CN110959115A (zh) * 2017-05-18 2020-04-03 罗伯特·博世有限公司 用于制造纳米晶的、气体敏感的层结构的方法,相应的纳米晶的、气体敏感的层结构和具有相应的纳米晶的、气体敏感的层结构的气体传感器
US11414319B2 (en) 2017-05-18 2022-08-16 Robert Bosch Gmbh Method for producing a nanocrystalline, gas-sensitive layer structure
US11333648B1 (en) * 2020-11-06 2022-05-17 Pgr Holdings, Llc Decoupled thermodynamic sensing system
WO2022150229A3 (en) * 2020-11-06 2022-09-29 Pgr Holdings, Llc Decoupled thermodynamic sensing system

Also Published As

Publication number Publication date
DE4334410C2 (de) 1995-07-20
DE4334410C3 (de) 2002-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4423289C1 (de) Gassensor für reduzierende oder oxidierende Gase
EP0723662B1 (de) Sensor zum nachweis von stickoxid
DE10011562C2 (de) Gassensor
WO1996012944A1 (de) Chemischer festkörpersensor
DE3019387A1 (de) Duennschicht-halbleiter-gassensor mit einem in den sensor integrierten heizelement
DE4424342C1 (de) Sensorarray
EP0046989B1 (de) Selektiver Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid (WOx)-Halbleitern, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung
DE2545473A1 (de) Sensor fuer reduzierendes gas und verfahren zur herstellung des sensors
EP2220482B1 (de) Gassensor mit einer verbesserten selektivität
EP0464244B1 (de) Sensor zur Erfassung reduzierender Gase
DE4334410C2 (de) Dünnschicht-Gassensor
EP0464243B1 (de) Sauerstoffsensor mit halbleitendem Galliumoxid
DE10210819A1 (de) Mikrostrukturierter Gassensor mit Steuerung der gassensitiven Eigenschaften durch Anlegen eines elektrischen Feldes
DE19842735A1 (de) Elektrochemischer Sensor mit direkt elektrisch heizbaren Elektrodenflächen
EP2908121A1 (de) Gassensor und Verfahren zur Detektion von Gasen
DE4132441C2 (de) Dickschicht-Leitfähigkeitselektroden als Biosensor
DE69635160T2 (de) Vorrichtung zur vergrösserung der sensorselektivität
WO2003023387A1 (de) Metalloxid-halbleitergassensor und verfahren zu seiner herstellung
EP0645621A2 (de) Sensoranordnung
DE19718584C1 (de) Sensor zur Detektion von oxidierenden und/oder reduzierenden Gasen oder Gasgemischen
EP0005480A1 (de) Gassensoren
DE4401885C2 (de) Detektor zum Nachweis reduzierender Gase
DE102016206445B4 (de) Coulometrischer Feuchtesensor mit gelförmigem Elektrolyt und Herstellungsverfahren für einen Coulometrischen Feuchtesensor mit gelförmigem Elektrolyt
EP2264445B1 (de) Coulometrischer Feuchtesensor und entsprechendes Verfahren
DE10019010B4 (de) Verwendung eines chemisch sensitiven Halbleitermaterials zum Nachweis von gas- und/oder dampfförmigen Analyten in Gasen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8305 Restricted maintenance of patent after opposition
D4 Patent maintained restricted
8339 Ceased/non-payment of the annual fee