DE4329708C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Verbindungsherstellung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur VerbindungsherstellungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur
Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung
von zwei Kontaktelementen, bei dem die beiden über
deckend angeordneten Kontaktelemente mittels einer
in einer Kapillare geführten, stempelartig ausgebil
deten Energieübertragungseinrichtung zur Ausbildung
eines Kontaktbereichs aneinandergedrückt und durch
die Energieübertragungseinrichtung hindurch zur Ver
bindung im Kontaktbereich mit Energie beaufschlagt
werden. Des weiteren betrifft die Erfindung eine
Vorrichtung zur Herstellung einer elektrisch leitfä
higen Verbindung von zwei Kontaktelementen mit einer
in einer Kapillare eines Bondkopfs geführten, stem
pelartig ausgebildeten Energieübertragungsein
richtung zum Anschluß an eine Energiequelle und zum
Aneinanderdrücken der zu verbindenden Kontaktelemen
te.
Ein Verfahren sowie eine Vorrichtung der vorstehend
genannten Art sind aus der DE 42 00 492 A1 bekannt.
Bei dem dort beschriebenen Verfahren wird eine
Lichtleitfaser, die mit einer Laseranordnung verbun
den ist, gegen einen Kontaktleiter gedrückt, der
sich oberhalb einer Anschlußfläche eines Chips be
findet. Dabei dient das Andrücken des Kontaktleiters
auf die Anschlußfläche zur Verhinderung einer Spalt
ausbildung zwischen den beiden Kontaktelementen und
Ausbildung eines sicheren Kontaktbereichs. Zur Ver
bindung der Kontaktelemente werden diese durch die
Lichtleitfaser mit Laserenergie beaufschlagt.
Das bekannte Verfahren sowie die bekannte Vorrich
tung eignen sich für die Inner-Lead-Bondtechnik, die
beispielsweise beim Tape-Automated-Bonding (TAB)
Anwendung findet. Hierbei werden in sich starre Lei
terbahnen (Inner Leads) einer Leiterbahnanordnung
(Lead Frame) mit den mit Bumps versehenen Anschluß
flächen (Pads) eines Chips verbunden.
Im Gegensatz hierzu werden in der Drahtbondtechnik
flexible, vom Material her bondfähige Anschlußdrähte
an einem Ende mit der Anschlußfläche eines Chips
oder eines anderen elektronischen Bauelements und am
anderen Ende mit einer Anschlußfläche eines weiteren
elektronischen Bauelements verbunden. Die bekannte
sten Verbindungstechniken, die in der Draht-bond
technik angewandt werden, sind das Thermosonic-
Schweißverfahren, das Ultraschall-Schweißverfahren
und das Thermokompressions-Schweißverfahren. Diese
Verfahren werden mit Drahtbond-Werkzeugen durchge
führt, die im Fall des Thermosonic-Schweißverfahrens
und des Thermokompressions-Schweißverfahrens die
Herstellung einer sogenannten Ball-Wedge-Verbindung
ermöglichen und im Fall des Ultraschall-Schweißver
fahrens eine sogenannte Wedge-Wedge-Verbindung
schaffen.
Die mit Ultraschall arbeitenden Verfahren, also das
Thermosonic-Schweißverfahren und das Ultraschall
schweißverfahren sind zur Verbindung ultraschallemp
findlicher Bauteile nicht verwendbar. Das Thermokom
pressions-Schweißverfahren ist wegen der hohen Ar
beitstemperaturen bei temperatursensiblen Bauelemen
ten nur begrenzt anwendbar.
Aus der DE 39 41 558 A1 ist eine Laser-Verbindungs-
Vorrichtung mit einer Lichtleitfaser bekannt, bei
der die als Energieübertragungseinrichtung verwen
dete Lichtleitfaser lediglich zur Übertragung der
Laserenergie und nicht zur Übertragung des für die
Kontaktierung notwendigen Anpreßdrucks dient. Die
bekannte Laser-Verbindungsvorrichtung wird zur Ver
bindung zweier in einem Kontaktbereich aufeinander
liegender Drahtleiter verwendet.
Aus der DE 27 34 759 A1 ist eine ebenfalls mit La
serenergie arbeitende Verbindungsvorrichtung be
kannt, wobei auch hier keine stempelartig ausgebil
dete Energieübertragungsvorrichtung vorgesehen ist
und, wie im Fall der vorstehend erläuterten Vor
richtung, auch nicht die Durchführung einer Draht
bondtechnik möglich ist.
Die DE 40 22 664 A1 zeigt ein in der Drahtbondtech
nik verwendetes Bondwerkzeug, das die Verbindung
eines freien Drahtendes mit einem Kontaktleiter er
möglicht, wobei der Drahtquerschnitt des durch eine
Kapillare zugeführten Bonddrahts durch das Mund
stück des Bondwerkzeugs mit Druck und/oder Tempera
tur beaufschlagt wird.
Aus der DD 1 45 147 A und aus Tschernev, R.:
"Bondverfahren in der Hybrid-Mikroelektronik", ELEK
TRONIK PRODUKTION UND PRÜFTECHNIK, Mai 1983, Heft
5, Seite 258, Bild 1, ist ein Verfahren zur Ausbil
dung einer Kugel am Ende eines Bonddrahts bekannt.
Dabei erfolgt die zur Verbindung des kugelförmig
ausgebildeten Bonddrahtendes mit einem Kontaktlei
ter notwendige Energiebeaufschlagung ähnlich, wie
bei dem vorstehend beschriebenen, aus der DE 40 22
664 A1 bekannten Bondwerkzeug, über das Mundstück
des Bondwerkzeugs.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrun
de, ein Verfahren bzw. eine Vorrichtung zu schaffen,
das bzw. die den Einsatz einer stempelartig ausge
bildeten Energieübertragungseinrichtung in der
Drahtbondtechnik ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merk
malen des Anspruchs 1 gelöst.
Erfindungsgemäß wird am Ende eines in einen Überdeck
ungsbereich mit dem Endquerschnitt der Energieüber
tragungseinrichtung hineingeführten Drahtleiters als
erstes Kontaktelement eine Kugel ausgebildet, die
nachfolgend unter Verformung durch die Energieüber
tragungseinrichtung gegen eine Anschlußfläche des
zweiten Kontaktelements gedrückt und zur Verbindung
mit dem zweiten Kontaktelement mit Energie beauf
schlagt wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Ener
gieübertragungseinrichtung nicht nur zur Erzeugung
eines Kontaktgegendrucks zwischen den Kontaktelemen
ten verwendet, sondern darüber hinaus zur Verformung
eines Drahtleiters, der durch die Energieübertra
gungseinrichtung auf die Anschlußfläche des zweiten
Kontaktelements aufgepreßt wird, um die zur
Durchführung der Draht-Bond-Technik notwendige Preß
schweißung auszuführen.
Im Gegensatz zu dem erfindungsgemäßen Verfahren er
folgt bei den konventionellen Drahtbondtechniken die
Verformung des Drahtleiters durch den Randbereich
der Kapillarenöffnung im sogenannten Bondkopf, durch
die der Drahtleiter austritt.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ermöglicht die
Verwendung der Energieübertragungseinrichtung als
Druckstempel eine möglichst flache Ausgestaltung des
Verbindungsbereichs. Darüber hinaus kann bei dem
erfindungsgemäßen Verfahren der Öffnungsbereich ei
ner Kapillare zur Führung der Energieübertragungs
einrichtung im Bondkopf quasi als Formmatrize zur
Festlegung der äußeren Abmessungen der Drahtleiter
verbindung nach Stauchung der Kugel durch die Ener
gieübertragungseinrichtung verwendet werden.
In bevorzugten Ausführungsformen des erfindungsgemä
ßen Verfahrens werden als Energieübertragungsein
richtung alternativ eine Lichtleitfaseranordnung
oder ein Thermo-Kompressionswerkzeug verwendet. Die Lichtleitfaseran
ordnung dient dabei zur Übertragung von Laserener
gie; das Thermo-Kompressionswerkzeug zur Übertragung von Wärmeenergie.
Die nachfolgend angeführten, vorteilhaften Ausfüh
rungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens gelten,
wenn nicht ausdrücklich anderes festgestellt wird,
sowohl in Verbindung mit einer Lichtleitfaseranord
nung als Energieübertragungseinrichtung als auch in
Verbindung mit einem Thermo-Kompressionswerkzeug als Energieübertra
gungseinrichtung.
Als vorteilhaft erweist es sich, die Ausbildung der
Kugel mittels einer Kathoden/Anoden-Anordnung durch
zuführen, wobei das Aufschmelzen der Kugel am Draht
leiterende durch die bei einer Funkenentladung frei
werdende Energie erfolgt. Hierzu kann ein Bereich
einer Drahtleiterkapillare, die zur Zuführung des
Drahtleiters dient, als Kathodenanschluß und ein Be
reich der Kapillare, die zur Zuführung der Energie
übertragungseinrichtung dient, als Anodenanschluß
verwendet werden.
Alternativ ist es auch möglich, die Ausbildung der
Kugel mittels der von der Energieübertragungsein
richtung in das Ende des Drahtleiters eingeleiteten
Energie durchzuführen. Dies erweist sich als beson
ders vorteilhaft, da somit zur Realisierung der Ein
richtung zur Ausbildung der Kugel am Drahtleiterende
keine besonderen Vorkehrungen notwendig sind.
Wenn nach Ausbildung der Kugel und vor der Verbin
dung der Kugel mit der Anschlußfläche eine Abtren
nung der Kugel vom Drahtleiter erfolgt, ist es mög
lich, die vom Drahtleiterende abgetrennte Kugel
quasi als Bump auf die Anschlußfläche aufzubringen.
Wie vorstehend schon erwähnt, kann dabei durch das
Zusammenwirken der stempelartig ausgebildeten Ener
gieübertragungseinrichtung und der als Formmatrize
wirkenden Austrittsöffnung der Energieübertragungs
einrichtungskapillare ein in seinen Abmessungen ge
nau festgelegter Bump erzeugt werden. Darüber hinaus
ist bei entsprechender Gestaltung des Endquer
schnitts der Energieübertragungseinrichtung eine
beliebige Oberflächengestaltung möglich. Im Gegen
satz zu den bislang bekannten Bumps, die bedingt
durch ihr Herstellungsverfahren eine konvexe Ober
fläche aufweisen, ist somit auch die Erzeugung von
flachen Bumps möglich. Dies wirkt sich nicht nur
vorteilhaft auf die Höhe der mit den Bumps versehenen
Bauelemente aus, sondern erleichtert auch die nach
folgende Verbindung der Bumps mit Leads oder Draht
leitern.
Wenn die Kugel nach ihrer Abtrennung von einer Hal
teeinrichtung gegen den Endquerschnitt der Energie
übertragungseinrichtung gehalten wird, kann der
Bondkopf nach Art einer pick-and-place-Einrichtung
gegenüber der Anschlußfläche bewegt werden, ohne daß
mit einem Verlust der Kugel gerechnet werden muß.
In der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausfüh
rungsform ist das erfindungsgemäße Verfahren beson
ders zur Aufbringung von Bumps auf Anschlußflächen
elektronischer Bauelemente geeignet. Wenn das erfin
dungsgemäße Verfahren zur Verbindung zweier An
schlußflächen mittels der Drahtbondtechnik angewen
det werden soll, kann gemäß einer vorteilhaften Aus
führungsform nach Verbindung des durch die Kugel
gebildeten, ersten Kontaktelements mit dem zweiten
Kontaktelement der Drahtleiter unter Ausbildung ei
ner Drahtleiterschleife (Loop) zu einem weiteren
Kontaktelement geführt, das laufende Ende der Draht
leiterschleife von einer Halteeinrichtung an der
Drahtleiterkapillare gehalten, am Drahtleiterschlau
fenende eine Kugel ausgebildet und diese nach
Durchtrennung des Drahtleiters unterhalb der Ener
gieübertragungseinrichtung unter Verformung durch
die Energieübertragungseinrichtung gegen eine An
schlußfläche des weiteren Kontaktelements gedrückt
und zur Verbindung mit dem weiteren Kontaktelement
mit Energie beaufschlagt werden.
Mittels der vorbeschriebenen Variante des erfin
dungsgemäßen Verfahrens ist es erstmalig möglich
abweichend von dem bislang bekannten Wedge-Wedge-
Verfahren und dem Ball-Wedge-Verfahren ein Ball-
Ball-Verfahren in der Drahtbondtechnik durchzufüh
ren. Bei den bekannten Verfahren wurde die Verbin
dung des Drahtleiters mit der Anschlußfläche des
weiteren Kontaktelements stets in der Wedge-Technik
ausgeführt, bei der der Drahtleiter unter Ausführung
einer Preßschweißung gegen die Anschlußfläche ge
drückt wird und nach ausgeführter Preßschweißung
eine Durchtrennung des Drahtleiters erfolgt. Dies
hat zur Folge, daß bei derartigen Verbindungen stets
ein Drahtüberstand im Bereich der Anschlußfläche
vorhanden ist, der seitlich nach oben vorsteht. Dies
wirkt sich ungünstig auf die Gesamtdicke eines mit
einer derartigen Drahtverbindung versehenen Bauele
ments aus. Darüber hinaus erweist sich der Draht
überstand auch als störend, wenn ein weiterer Draht
leiter mit einer derartig beschaffenen Verbindungs
stelle verbunden werden soll. Ein weiterer Nachteil,
der vorbeschriebenen, in der Wedge-Bond-Technik her
gestellten Verbindungsstellen besteht darin, daß die
durch Abreißen oder Durchtrennen geschaffene Trenn
stelle des Drahtleiters sich als besonders korro
sionsgefährdet erweist. Wenn die Verbindungsstelle
jedoch in der Ball-Bond-Technik hergestellt wird,
ergibt sich eine gleichmäßige, unverletzte Oberflä
che der Verbindungsstelle, die keine exponierten
Angriffspunkte für eine Korrosion aufweist.
Sowohl die Durchführung des erfindungsgemäßen Ver
fahrens zur Bumpapplikation als auch der Verfahrens
variante zur Herstellung einer Ball-Ball-Verbindung
kann in einer Schutzgasatmosphäre oder unter Vakuum
erfolgen.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung weist die Merkmale
des Anspruchs 8 auf.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist der Bond
kopf mit einer Drahtleiterkapillare zur Zuführung
eines Drahtleiters und einer Einrichtung zur Ausbil
dung einer Kugel am Drahtleiter versehen. Eine der
artige Ausbildung der Vorrichtung ermöglicht in der
vorbeschrieben, vorteilhaften Art und Weise die Aus
führung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Die Energieübertragungseinrichtung kann in besonde
ren Ausführungsformen aus einem Thermo-Kompressionswerkzeug oder einer
Lichtleitfaseranordnung mit zumindest einer Licht
leitfaser gebildet sein. Die Ausbildung als Licht
leitfaser erweist sich als besonders vorteilhaft, da
es hiermit möglich ist, in sehr konzentrierter Weise
große Energiemengen innerhalb kürzester Zeit in die
Verbindungsstelle einzubringen. Hierzu kann die mit
dem Lichtleitfaser zu verbindende Laserquelle im
Pulsverfahren betrieben werden, so daß trotz eines
hohen Energieeintrags eine unzulässige Erwärmung des
Bauelements, auf dessen Anschlußfläche die Verbin
dung durchgeführt werden soll, vermieden wird.
Um einerseits eine Abtrennung eines zu einer Kugel
ausgebildeten Drahtleiterendes, wie es zur Ausfüh
rung einer, wie vorstehend im Zusammenhang mit dem
erfindungsgemäßen Verfahren beschriebenen Bumpver
bindung notwendig ist, andererseits eine Durchtren
nung des Drahtleiters am Ende einer Drahtleiter
schleife zur Ausbildung einer Ball-Ball-Verbindung
zu ermöglichen, ist die Vorrichtung mit einer Ab
trenneinrichtung versehen.
Auf besonders einfache Art und Weise läßt sich eine
derartige Abtrenneinrichtung realisieren, wenn die
Lichtleitfaseranordnung mit einer den Endquerschnitt
der Lichtleitfaseranordnung zumindest teilweise
überragenden Ummantelung versehen ist, die eine
Schneidkante aufweist.
Weiterhin kann die erfindungsgemäße Vorrichtung eine
etwa als Vakuumeinrichtung ausgebildete Halteein
richtung zum Halten eines durch die Abtrennungsein
richtung abgetrennten Drahtleiterendes gegen den
Endquerschnitt der Energieübertragungseinrichtung
aufweisen. Eine derartige Halteeinrichtung ermög
licht in vorteilhafter Weise ein besonders einfaches
und sicheres Handling des abgetrennten, zu einer
Kugel ausgebildeten Drahtleiterendes. Im Fall der
Ausbildung als Vakuumeinrichtung kann die Halteein
richtung besonders einfach in den Bondkopfinte
griert werden, wenn sie als eine konzentrisch zur
Kapillare für die Energieübertragungseinrichtung
angeordnete Vakuumleiteinrichtung ausgebildet ist.
Darüber hinaus besteht auch die Möglichkeit, die
Halteeinrichtung mechanisch, etwa durch eine Klemm
einrichtung zu realisieren.
Um mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung die Durch
führung einer Ball-Ball-Drahtverbindung zu ermögli
chen, kann benachbart der Kapillarenaustrittsöffnung
für die Energieübertragungseinrichtung eine Halte
einrichtung vorgesehen sein. Diese Halteeinrichtung
ist besonders einfach realisierbar, wenn sie als
eine an der Bondkopfoberfläche angeordnete Vakuum
einrichtung ausgebildet ist. Auch diese Halteein
richtung kann mechanisch wirkend ausgebildet sein.
Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren so
wie die erfindungsgemäße Vorrichtung anhand bei
spielhafter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf
die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 die erfindungsgemäße Vorrichtung in einer
ersten Ausführungsform zur Applizierung eines Bumps
auf einer Anschlußfläche eines Bauelements in sche
matischer Darstellung;
Fig. 2 eine Teilschnittansicht der in Fig. 1 darge
stellten Vorrichtung entlang dem Schnittlinienver
lauf II-II;
Fig. 3 die erfindungsgemäße Vorrichtung in einer
Ausführungsform zur Durchführung einer Drahtbond
technik;
Fig. 4 die Darstellung einer mittels der in Fig. 3
dargestellten Vorrichtung zwischen zwei Anschlußflä
chen durchführbaren Drahtverbindung.
Fig. 1 zeigt einen Bondkopf 10 mit einer Kapillare
11 zur längsverschiebbaren Aufnahme einer Lichtleit
faser 12′′ und einer quer hierzu angeordneten Draht
leiterkapillare 13 zur Zuführung eines Drahtleiters
14 in einen Kugelausbildungsraum 15, der durch den
Austrittsbereich der Kapillare 11 in einem Bondkopf
körper 16 gebildet ist.
Die Lichtleitfaser 12 ist mit einer Ummantelung 17
versehen, die zur Ausbildung einer Abtrenneinrich
tung in ihrem über einen Endquerschnitt 18 der
Lichtleitfaser 12′′ hinausragenden Bereich mit einer
Schneidkante 19 versehen ist. Es ist aber auch mög
lich, die Lichtleitfaser selbst im Bereich ihres
Endquerschnitts mit einer Schneidkante zu versehen.
Wie auch aus Fig. 2 zu ersehen ist, ist die Licht
leitfaser 12′′ bzw. deren Ummantelung 17 von einer
rohrförmig ausgebildeten Vakuumleiteinrichtung 20
umgeben, die fest in die Kapillare 11 eingesetzt
ist, und gegenüber der die Lichtleitfaser 12′′ mit
ihrer Ummantelung 17 längsverschiebbar ist.
In dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel
ist die Vakuumleiteinrichtung mit konzentrisch zur
Mittelachse 21 der Lichtleitfaser 12′′ angeordneten
Längsnuten 22 versehen, die durch Längsstege 23 von
einander beabstandet Röhren bilden, welche eine Va
kuumverbindung zwischen dem Kugelausbildungsraum 15
und einer nicht näher dargestellten Einrichtung zur
Erzeugung eines Vakuums bilden.
Wie in Fig. 1 dargestellt, ist der Bondkopf 10 dar
über hinaus im Bereich des Kugelausbildungsraums 15
mit einer Kathoden/Anoden-Anordnung 24 versehen,
wobei in dem dargestellten Ausführungsbeispiel ein
Anodenanschluß 25 gegenüberliegend einer Aus
trittsöffnung der Drahtleiterkapillare 13 und ein
Kathodenanschluß 27 im Austrittsbereich der Draht
leiterkapillare 13 um diese herum angeordnet ist.
Sowohl der Anodenanschluß 25 als auch der Kathoden
anschluß 27 sind mit hier nicht näher dargestellten
elektrischen Zuleitungen versehen. Weiterhin befin
det sich im Bereich der Drahtleiterkapillare 13 eine
Drahtvorschubeinrichtung 28, die auch außerhalb des
Bondkopfkörpers 16 angeordnet sein kann.
Zur Erläuterung der Funktion des in Fig. 1 darge
stellten Bondkopfs 10 ist dieser neben der Darstel
lung mit ausgezogenen Linien auch mit durchbrochenem
Linienverlauf in einem auf die Anschlußfläche 29
eines Chips 30 abgesenkten Zustand dargestellt.
Zu Beginn des Verfahrens zur Applikation eines Bumps
31 auf die Anschlußfläche 29 des Chips 30 befindet
sich der Bondkopf 10 in seiner in ununterbrochenem
Linienverlauf dargestellten Position oberhalb der
Anschlußfläche 29. Zur Ausbildung der in Fig. 1 dar
gestellten Kugel 32 (Ball) wird der Drahtleiter 14
durch die Drahtleiterkapillare 13 mit seinem im
Querschnitt noch mit dem übrigen Drahtleiter 14
übereinstimmenden Drahtleiterende mittels der Draht
vorschubeinrichtung 28 bis in den Kugelausbildungs
raum 15 im Austrittsbereich der Kapillare 11 vorge
schoben. Hierbei befindet sich die Lichtleitfaser 12′′
mit ihrem Endquerschnitt 18 in etwa in der in Fig. 1
dargestellten Position.
Zur Ausbildung der in Fig. 1 dargestellten Kugel 32
wird an die Kathoden/Anoden-Anordnung 24 eine elek
trische Spannung angelegt, die ausreichend groß ist,
um eine Funkenentladung zwischen dem Anodenanschluß
25 und dem Kathodenanschluß 27 zu bewirken. Infolge
dieser Funkenentladung und der damit verbundenen
großen Hitze im Kugelausbildungsraum 15 ergibt sich
eine Aufschmelzung des Drahtleiterendes, so daß die
ses eine kugelförmige Gestalt annimmt. Dabei wird
durch die Drahtvorschubeinrichtung 28 Draht nachge
führt. Die Ausbildung der in Fig. 1 dargestellten
Kugel 32 kann durch eine entsprechende Gestaltung
des Kugelausbildungsraums 15 gefördert werden.
Nach Ausbildung der Kugel 32 im Kugelausbildungsraum
15 wird der Bondkopf 10 in seine durch den unterbro
chenen Linienverlauf dargestellte Position auf den
Chip 30 überführt. Hierbei liegt der Bondkopf 10 im
wesentlichen drucklos auf dem Chip 30 auf oder ist
zumindest sehr dicht an diesen herangeführt. Durch
ein Absenken der Lichtleitfaser 12′′ in Richtung auf
die Anschlußfläche 29 kommt die Schneidkante 19 der
Ummantelung 17 in Berührung mit dem Drahtleiter 14
und trennt die Kugel 32 von diesem ab. Um auch nach
Abtrennung der Kugel 32 einen Kontakt zwischen dem
Endquerschnitt 18 der Lichtleitfaser 12′′ und der Ku
gel 32 aufrechtzuerhalten, wird spätestens in diesem
Stadium die in Fig. 1 nicht dargestellte Vakuumein
richtung aktiviert, so daß durch die Vakuumleitein
richtung 20 eine Saugkraft auf die Kugel 32 ausgeübt
wird. Wenn die Vakuumeinrichtung bereits bei der
Kugelausbildung aktiviert wird, verhindert dies das
Entstehen von Oxidschichten, wodurch die Kugelbil
dung vereinfacht wird.
Die abgetrennte Kugel 32 wird dann zusammen mit der
Lichtleitfaser 12′′ gegen die Anschlußfläche 29 be
wegt. Spätestens zu diesem Zeitpunkt, aber auch
schon vorher kann über den eine Kontaktfläche zur
Kugel 32 bildenden Endquerschnitt 18 eine Übertra
gung von Laserenergie von der Lichtleitfaser 12′′ in
die Kugel 32 erfolgen. Die erwärmte und somit leicht
verformbare Kugel 32 wird schließlich durch die als
Druckstempel wirkende Lichtleitfaser 12′′ gegen die
Anschlußfläche 29 gedrückt. Dabei bildet der auf den
Chip abgesenkte Kugelausbildungsraum 15 eine Formma
trize, die für die hier beispielhaft dargestellte,
rechteckförmige Querschnittsausbildung des Bumps 31
auf der Anschlußfläche 29 sorgt. Gleichzeitig mit
der Formgestaltung des Bumps 31 erfolgt aufgrund der
Temperatur- und Druckeinwirkung eine Preßschweißung
zwischen dem Bump 31 und der Anschlußfläche 29.
Sowohl bei der möglichen Ausbildung der Kugel 32
infolge eines Energieeintrags durch die Lichtleitfa
ser 12′′ als auch beim Einbringen von Laserenergie in
die ausgebildete Kugel 32 zur Verbindung der Kugel
32 mit der Anschlußfläche erweist es sich als vor
teilhaft, wenn, wie in Fig. 1 durch den strichpunk
tierten Linienverlauf angedeutet, im Bereich der
Verbindungsstelle eine, etwa trichterartig ausgebil
dete, zur Anschlußfläche 29 hin geöffnete, reflek
tierende Laserstrahlabschirmung 44 vorgesehen ist.
Diese Laserstrahlabschirmung 44 kann balgartig aus
geführt sein, so daß sie sich beim Absenken des
Bondkopfs 10 in Richtung auf die Anschlußfläche 29
zusammenschiebt. Die Laserstrahlabschirmung 44 be
wirkt zum einen infolge der Reflexion eine Konzen
tration der Laserenergie im Kugelausbildungsraum 15
und verhindert Abstrahlverluste, wodurch die zur
Ausbildung der Kugel 32 und zur Verbindung der Kugel
32 mit der Anschlußfläche 29 notwendige Laser
leistung reduziert werden kann. Zum anderen wird
verhindert, daß Laserstrahlung in die Umgebung aus
tritt und etwa in der Nähe des Bondkopfs 10 befind
liches Bedienungspersonal gefährden kann.
Durch das Zusammenwirken von Stempel und Formmatrize
ist eine reproduzierbare, flache Ausgestaltung des
Bumps möglich. Darüber hinaus kann durch eine ent
sprechende Ausbildung des Endquerschnitts 18 eine
beliebige Oberflächengestaltung des Bumps 31 erzielt
werden.
Wenn während der Verbindung zwischen dem Bump 31 und
der Anschlußfläche 29 die Vakuumeinrichtung betätigt
bleibt, kann eine Oxydation der Bumpoberfläche im
wesentlichen verhindert werden. Statt der Ausbildung
eines Vakuums im Kugelausbildungsraum 15 kann jedoch
auch über die Vakuumleiteinrichtung 20 ein Schutzgas
zur Erzeugung einer Schutzgasatmosphäre im Kugelaus
bildungsraum 15 eingeleitet werden.
Fig. 3 zeigt in einer schematischen Darstellung ei
nen Bondkopf 33, der abweichend von dem in Fig. 1
dargestellten Bondkopf neben der durch die Vakuum
leiteinrichtung 20 gebildeten Halteeinrichtung mit
einer weiteren Halteeinrichtung 34 versehen ist. Die
Halteeinrichtung 34 besteht in dem in Fig. 3 darge
stellten Ausführungsbeispiel aus einer mit einer
nicht näher dargestellten Vakuumeinrichtung verbun
denen Saugleitung 35, deren Saugöffnung 36 in der
Bondkopfoberfläche dazu dient, ein Drahtleiterende
37 gegen die Bondkopfoberfläche zu halten. Die in
Fig. 3 dargestellte Konfiguration des Bondkopfs 33
wird erreicht, wenn der Bondkopf 33 zur Herstellung
einer in Fig. 4 dargestellten Drahtverbindung zwi
schen zwei Anschlußflächen 38 und 39 verwendet wird.
Hierbei wird eine erste Drahtverbindung 40 zwischen
dem Drahtleiter 14 und der ersten Anschlußfläche 38
nach Ausbildung einer Kugel 32, wie in Fig. 1 darge
stellt, durchgeführt. Im Unterschied zu der anhand
von Fig. 1 erläuterten Bump-Applikation auf die An
schlußfläche 29 des Chips 30 erfolgt bei dem in
Fig. 4 dargestellten Drahtbond-Verfahren kein Ab
trennen der Kugel 32 vom Drahtleiter 14. Vielmehr
wird der Bondkopf 33 unter Ausbildung einer
Drahtleiterschleife 41 zur zweiten Anschlußfläche 39 be
wegt, um auch dort eine Drahtverbindung 42 zwischen
dem Drahtleiter 14 und der Anschlußfläche 39 durch
zuführen. Fig. 3 zeigt den Bondkopf 33 vor Ausbil
dung der zweiten Drahtverbindung 42 oberhalb der
Anschlußfläche 39. Nachdem die Drahtleiterschleife
41 von der Halteeinrichtung 34 am Drahtleiterschlei
fenende 37 erfaßt worden ist, erfolgt eine Aktivie
rung der Kathoden/Anoden-Anordnung 24, wobei gleich
zeitig über die Drahtvorschubeinrichtung 28 der
Drahtleiter 14 in den Kugelausbildungsraum 15 nach
geführt wird. Hierbei bildet sich in ähnlicher Wei
se, wie vorstehend anhand der Fig. 1 bereits be
schrieben, am Drahtleiterschleifenende 37 eine Kugel
32 aus. Nach Ausbildung der Kugel 32 wird die Licht
leitfaser 12′′ abgesenkt, wodurch eine Durchtrennung
des Drahtleiters 14 an einer Trennstelle 43 erfolgt
und die Kugel 32 zur Ausbildung der Drahtverbindung
42 gegen die Anschlußfläche 39 gepreßt wird.
Wie bereits zuvor unter Bezugnahme auf Fig. 1 be
schrieben, erfolgt die Verformung der Kugel 32 zur
Ausbildung der Drahtverbindung 42 unter gleichzeiti
ger Einleitung von Laserenergie in die Kugel 32. Um
auch bei der zweiten Drahtverbindung 42 die Bildung
von Korrosion während der Ausführung der Drahtver
bindung zu verhindern, kann auch hier die Vakuum
leiteinrichtung 20 zur Erzeugung eines Vakuums oder
der Ausbildung einer Schutzgasatmosphäre im
Kugelausbildungsraum 15 genutzt werden.
Um sowohl bei dem vorstehend beschriebenen Verfahren
zur Bump-Applikation als auch bei dem Verfahren zur
Durchführung der Drahtbondtechnik ein Vakuum oder
eine Schutzgasatmosphäre im Bereich der Verbindungs
stelle zu erzeugen, ist es auch möglich, den Bond
kopf oder zumindest den Austrittsbereich der Kapillare 11
zur Führung der Energieübertragungseinrich
tung 12 in einer Vakuum- oder Schutzgaskammer anzu
ordnen. Um gegenseitige Störeinflüsse zwischen den
vorgenannten Halteeinrichtungen und dem in der Kam
mer ausgebildeten Vakuum bzw. der Schutzgasatmosphä
re auszuschließen, können die Halteeinrichtungen in
diesem Fall als mechanische Klemmeinrichtungen aus
gebildet sein.
Abweichend von dem in Fig. 4 dargestellten Verfahren
kann natürlich auch bei entsprechender Ausbildung
des Bondkopfs bzw. des Austrittsbereich der Kapilla
re 11 die erste Drahtverbindung mit der Anschlußflä
che 38 in Ball-Bondtechnik und die zweite Drahtver
bindung mit der Anschlußfläche 39 in an sich bekann
ter Wedge-Bondtechnik durchgeführt werden.
Bezugszeichenliste
10 Bondkopf
11 Kapillare
12 Energieübertragungseinrichtung
12′′ Lichtleitfaser
12′ Thermo-Kompressionswerkzeug
13 Drahtleiterkapillare
14 Drahtleiter
15 Kugelausbildungsraum
16 Bondkopfkörper
17 Ummantelung
18 Endquerschnitt
19 Schneidkante
20 Vakuumleiteinrichtung
21 Mittelachse
22 Längsnut
23 Längssteg
24 Kathoden/Anoden-Anordnung
25 Kathodenanschluß
26 -.-
27 Anodenanschluß
28 Drahtvorschubeinrichtung
29 Anschlußfläche
30 Chip
31 Bumps
32 Kugel
33 Bondkopf
34 Halteeinrichtung
35 Saugleitung
36 Saugöffnung
37 Drahtleiterende
38 Anschlußfläche
39 -.-
40 Drahtverbindung
41 Drahtleiterschleife
42 Drahtverbindung
43 Trennstelle
44 Laserstrahlabschirmung
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
11 Kapillare
12 Energieübertragungseinrichtung
12′′ Lichtleitfaser
12′ Thermo-Kompressionswerkzeug
13 Drahtleiterkapillare
14 Drahtleiter
15 Kugelausbildungsraum
16 Bondkopfkörper
17 Ummantelung
18 Endquerschnitt
19 Schneidkante
20 Vakuumleiteinrichtung
21 Mittelachse
22 Längsnut
23 Längssteg
24 Kathoden/Anoden-Anordnung
25 Kathodenanschluß
26 -.-
27 Anodenanschluß
28 Drahtvorschubeinrichtung
29 Anschlußfläche
30 Chip
31 Bumps
32 Kugel
33 Bondkopf
34 Halteeinrichtung
35 Saugleitung
36 Saugöffnung
37 Drahtleiterende
38 Anschlußfläche
39 -.-
40 Drahtverbindung
41 Drahtleiterschleife
42 Drahtverbindung
43 Trennstelle
44 Laserstrahlabschirmung
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61
Claims (16)
1. Verfahren zur Herstellung einer elektrisch
leitfähigen Verbindung von zwei Kontaktelemen
ten (32, 29), bei dem die beiden einander über
deckend angeordneten Kontaktelemente (32, 29)
mittels einer in einer Kapillare (11) geführ
ten, stempelartig ausgebildeten Energieübertra
gungseinrichtung (12) zur Ausbildung eines Kon
taktbereichs aneinandergedrückt und durch die
Energieübertragungseinrichtung hindurch zur
Verbindung im Kontaktbereich mit Energie beauf
schlagt werden,
dadurch gekennzeichnet,
daß am Ende eines in einen Überdeckungsbereich
mit dem Endquerschnitt (18) der Energieübertra
gungseinrichtung (12) hineingeführten Drahtlei
ters (14) als erstes Kontaktelement eine Kugel
(32) ausgebildet wird, und nachfolgend
die Kugel (32) unter Verformung durch die
Energieübertragungseinrichtung (12) gegen eine
Anschlußfläche (29) des zweiten Kontaktelements
gedrückt und zur Verbindung mit dem zweiten
Kontaktelement mit Energie beaufschlagt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ausbildung der Kugel (32) mittels einer
Kathode/Anode-Anordnung (24) durch Funkenent
ladung erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ausbildung der Kugel (32) mit
tels in das Ende des Drahtleiters (14) einge
leiteter Energie aus der Energieübertragungs
einrichtung (12) erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß nach Ausbildung der zweiten Kugel (32) am Drahtleiter (14) und
vor Verbindung dieser Kugel mit der Anschlußfläche
(39) eine Abtrennung der Kugel (32) vom Draht
leiter (14) in Richtung der Drahtleiterkapillare (13) erfolgt.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kugel (32) nach der Abtrennung
von einer Vakuumleiteinrichtung (20) mittels Unterdruck gegen den
Endquerschnitt (18) der Energieübertragungsein
richtung (12) gehalten wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprü
che 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß nach Verbindung der Kugel (32) mit
einer Anschlußfläche (38) des zweiten Kontakt
elements der Drahtleiter (14) unter Ausbildung
einer Drahtleiterschleife (41) zu einem weite
ren Kontaktelement geführt wird, wobei
das laufende Ende der Drahtleiterschleife (41)
von einer Halteeinrichtung (34) gehalten,
am Drahtleiterschleifenende (37) eine Kugel
ausgebildet und diese nach Durchtrennung des
Drahtleiters (14) unterhalb der Energieübertra
gungseinrichtung (12) unter Verformung durch die
Energieübertragungseinrichtung (12) gegen eine
Anschlußfläche (39) des weiteren Kontaktele
ments gedrückt und zur Verbindung mit dem wei
teren Kontaktelement mit Energie beaufschlagt
wird.
7. Verfahren nach einem der vorange
henden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß sowohl die Ausbildung der Kugel (32) als
auch deren Verbindung mit der Anschlußfläche
(29, 38, 39) des Kontaktelements in einer
Schutzgasatmosphäre oder unter Vakuum erfolgt.
8. Vorrichtung zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen
Verbindung von zwei Kontaktelementen mit einer in einer
Kapillare (11) eines Bondkopfs (10, 33) geführten, stem
pelartig ausgeführten Energieübertragungseinrichtung (12)
mit Anschluß an eine Energiequelle und zum Aneinander
drücken der zu verbindenden Kontaktelemente,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Bondkopf (10, 33) mit einer Drahtleiterkapillare
(13) zur Zuführung eines Drahtleiters (14) in einen Ku
gelausbildungsraum (15) und einer Einrichtung (24) zur
Ausbildung einer Kugel (32) am Drahtleiterende versehen
ist, wobei sich der Kugelausbildungsraum (15) innerhalb
des Bondkopfs (10, 33) befindet.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Energieübertragungseinrichtung (12) aus einem
Thermokompressionswerkzeug (12′) gebildet ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Energieübertragungseinrichtung (12) aus ei
ner Lichtleitfaseranordnung mit zumindest einer
Lichtleitfaser (12′′) gebildet ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10,
gekennzeichnet durch
eine Abtrenneinrichtung (19) zum Abtrennen ei
nes von der Drahtleiterkapillare (13) in die
Kapillare (11) zur Führung der Energieübertra
gungseinrichtung (12) hervorragenden Drahtlei
terendes.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Lichtleitfaseranordnung (12′′) zur Aus
bildung der Abtrenneinrichtung mit einer den
Endquerschnitt (18) der Lichtleitfaseranordnung
(12′′) zumindest teilweise überragenden Ummante
lung (17) mit Schneidkante (19) versehen ist.
13. Vorrichtung nach einem der An
sprüche 8 bis 12,
gekennzeichnet durch
eine als Vakuumeinrichtung ausge
bildete Halteeinrichtung zum Halten eines durch
die Abtrenneinrichtung (19) abgetrennten
Drahtleiterendes gegen den Endquerschnitt (18)
der Energieübertragungseinrichtung (12).
14. Vorrichtung nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Vakuumeinrichtung eine konzentrisch zur
Kapillare (11) für die Energieübertragungsein
richtung (12) angeordnete Vakuumleiteinrichtung
(20) aufweist.
15. Vorrichtung nach einem der An
sprüche 8 bis 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß am Bondkopf (33) benachbart zur Austritts
öffnung der Energieübertragungseinrichtung (12)
eine Halteeinrichtung (34) vorgesehen ist.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Halteeinrichtung (34) als eine an der
Bondkopfoberfläche angeordnete Vakuumeinrich
tung ausgebildet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4329708A DE4329708C2 (de) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | Verfahren und Vorrichtung zur Verbindungsherstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4329708A DE4329708C2 (de) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | Verfahren und Vorrichtung zur Verbindungsherstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4329708A1 DE4329708A1 (de) | 1995-03-09 |
DE4329708C2 true DE4329708C2 (de) | 1997-02-13 |
Family
ID=6496715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4329708A Expired - Fee Related DE4329708C2 (de) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | Verfahren und Vorrichtung zur Verbindungsherstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4329708C2 (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102021113163A1 (de) | 2021-05-20 | 2022-11-24 | F & K Delvotec Bondtechnik Gmbh | Laserbond-Vorrichtung |
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US7971339B2 (en) | 2006-09-26 | 2011-07-05 | Hid Global Gmbh | Method and apparatus for making a radio frequency inlay |
US8286332B2 (en) | 2006-09-26 | 2012-10-16 | Hid Global Gmbh | Method and apparatus for making a radio frequency inlay |
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-
1993
- 1993-09-02 DE DE4329708A patent/DE4329708C2/de not_active Expired - Fee Related
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DE102021113163A1 (de) | 2021-05-20 | 2022-11-24 | F & K Delvotec Bondtechnik Gmbh | Laserbond-Vorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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