DE4310409A1 - Verfahren und Vorrichtung zur definierten Laserbestrahlung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur definierten LaserbestrahlungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur definierten Laserbestrahlung von Werk
stoffen. Sie ist beispielsweise anwendbar bei der Thermoschock-Laserbehand
lung von Werkstoffproben oder beim Laserbeschuß von Targets bei der
Schichtherstellung mittels Laser-Dampfphasenabscheidung (LPVD).
Bei den bekannten Verfahren der Laserbestrahlung werden die Laserstrahlen im
allgemeinen direkt oder über einen geeigneten Lichtleiter bzw. ein
Lichtleiterbündel auf die Werkstoffoberfläche geführt. Die Einkopplung des
Laserstrahls in eine Vakuumkammer erfolgt je nach Lasertyp über ein
entsprechendes Schauglas, welches einerseits den Zweck der vakuummäßigen
Abdichtung der Vakuumkammer erfüllen und andererseits eine sehr hohe
Transparenz für die Wellenlänge des Lasers aufweisen muß. In den Fällen, wo
der Laserstrahl fokussiert auf die Werkstoffoberfläche auftreffen soll, wird ein
entsprechendes Linsensystem zwischen dem Laser und dem Schauglas bzw.
zwischen Schauglas und Probe angeordnet. Um die maximal zulässige
Leistungsdichte der Gläser beim Einsatz von Hochleistungslasern nicht zu
überschreiten, muß dabei der unfokussierte Laserstrahl das Schauglas
passieren.
In diesen Fällen besteht die akute Gefahr der Verschmutzung des Schauglases
bzw. der Linse, was zur sofortigen Zerstörung dieser kostspieligen optischen
Bauelemente führt. Deshalb werden verschiedenartige Blenden eingesetzt, die
einen möglichen Dampfstrahl von Probenmaterial "abfangen" sollen.
Ein wesentlicher Nachteil dieses Standes der Technik besteht darin, daß es
nicht möglich ist, die tatsächlichen Belastungsparameter am Bestrahlungsobjekt
zu bestimmen. Die bekannten Lösungen gehen vielmehr meist von der Messung
der Laserparameter aus, wie beispielsweise von der Energie bzw. der Leistung
oder der zweidimensionalen Energie bzw. Leistungsdichte im unfokussierten La
serstrahl; eine nichtsimultane Messung der Laserparameter am Bestrahlungsob
jekt ist wegen der hohen Energiedichte im allgemeinen nicht möglich und für
eine exakte Bestimmung der Belastung unter Berücksichtigung einer gewissen
Instabilität von Impulslasern auch nicht sinnvoll.
Ferner muß in den bekannten Fällen, wo ein Werkstoff innerhalb einer Vakuum
kammer bestrahlt wird, der Werkstoff entsprechend zu dem - durch ein spe
zielles Schauglas einfallenden - Laserstrahl in seiner Position ausgerichtet wer
den. Dies ist nicht in jedem Fall möglich, beispielsweise dort nicht, wo man den
Werkstoff innerhalb der Vakuumkammer und ohne Vakuumunterbrechung einer
weiteren gleichzeitigen und/oder nachfolgenden Bearbeitung bzw. Untersuchung
unterziehen will. Aufgrund der geometrischen Bedingungen in einer derartigen
Vakuumkammer, wie z. B. in einem Rasterelektronen- oder Rastertunnelmikro
skop, ist eine einzige Position der Probe, in der sowohl bestrahlt als auch abge
bildet werden kann, im allgemeinen nicht möglich. Die Führung des Laserstrahls
außerhalb und innerhalb der Vakuumkammer über entsprechende Spiegel ist im
allgemeinen nur begrenzt möglich.
Bei den bekannten Verfahren, bei denen Werkstücke außerhalb eines Vakuums
mit Laserstrahlen bearbeitet werden, z. B. beim Trennen, Schweißen oder Polie
ren, werden die Prozeßparameter am Bestrahlungsobjekt mittels indirekter
Verfahren bestimmt. Ausgewertet werden dabei zum Beispiel:
- - das Emissionsspektrum des Materialdampfes bzw. Dampfplasmas (DE-OS 39 08 187)
- - die akustischen Wellen, die vom laserbestrahlten Werkstück emittiert werden (DE-OS 37 05 182),
- - die vom laserbestrahlten Werkstück emittierte Wärmestrahlung (DE-OS 37 26 466),
- - die vom Laserstrahl im Werkstück bewirkte mechanische Stoßwelle (DE-OS 39 35 528),
- - das Absorptionsspektrum und damit der Abschirmeffekt des Materialdampfes bzw. -plasmas,
- - die flächenhafte Detektion der bestrahlten Materialoberfläche mittels einer CCD-Kamera.
Bei diesen bekannten Verfahren wird ein in Folge der Bestrahlung generierter
Effekt ausgewertet und in einen funktionalen Zusammenhang mit den ande
renorts gemessenen Laserparametern gebracht. Eine exakte Bestimmung der
Laserparameter am Belastungsort ist damit nicht möglich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung
zur definierten Laserbestrahlung von Werkstoffen zu schaffen, bei denen eine
simultane und äquivalente Ermittlung der Laserstrahlparameter am Bestrah
lungsobjekt möglich ist.
Die Aufgabe ist nach der Erfindung mit den in den Patentansprüchen dargestell
ten Mitteln gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird aus dem vom Laser generierten La
sergesamtstrahl G auf seinem Weg zum Bestrahlungsobjekt ein Laserteilstrahl M
ausgekoppelt, dessen Strahlenergie maximal 10% des Lasergesamtstrahls G
beträgt. Der Laserteilstrahl M wird zu einer Strahldiagnoseeinrichtung geführt,
wobei für die Führung des Laserteilstrahls M optische Mittel verwendet werden,
deren Parameter identisch mit denen der Strahlführung für den auf das Bestrah
lungsobjekt gerichteten Laserarbeitsstrahl A sind.
In zweckmäßiger Weise wird ein Laserteilstrahl M ausgekoppelt, dessen Lei
stungsdichte zwischen der Nachweisgrenze einerseits und der maximal zulässi
gen Laserleistungsdichte für die Strahldiagnoseeinrichtung andererseits liegt.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß
- a) zwischen dem Laser und dem Bestrahlungsobjekt ein optischer Keil zur Aus kopplung eines Laserteilstrahls M niedriger Energie aus dem vom Laser generier ten Lasergesamtstrahl G angeordnet ist,
- b) nach dem optischen Keil im Strahlgang des ausgekoppelten Laserteilstrahls M eine optische Strahlführungseinrichtung angeordnet ist, welche die gleichen optischen Parameter aufweist, wie sie die Strahlführungseinrichtung für den auf das Bestrahlungsobjekt geführten Laserarbeitsstrahl A besitzt,
- c) am Ende der Strahlführungseinrichtung für den Laserteilstrahl M eine Ein richtung zur Strahldiagnose angeordnet ist.
In vorteilhafter Weise ist als Einrichtung zur Strahldiagnose eine CCD-Kamera
verwendet. Diese kann auf Führungsstangen in Strahlrichtung kontinuierlich ver
schiebbar angeordnet sein.
Gemäß einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung enthält die Strahlfüh
rungseinrichtung für den zum Bestrahlungsobjekt geführten Laserarbeitsstrahl
A einen flexiblen, definiert ausrichtbaren Lichtleiter , vorzugsweise einen
Gradientenlichtleiter.
Der Lichtleiter kann mittels einer Hülse aus einem Hochtemperatur-Werkstoff,
vorzugsweise aus einem temperaturfesten Keramikwerkstoff, vakuumdicht in
eine Vakuumkammer geführt sein, in der sich das Bestrahlungsobjekt befindet,
wobei der Abstand der Hülse von der laserseitigen Stirnfläche sowie vom
Mantel des Lichtleiters so gewählt ist, daß die Laserleistungsdichte an der Hülse
und am Mantel unterhalb der Schädigungsgrenze liegt. Statt dessen kann der
Lichtleiter jedoch auch unter Verwendung einer PTFE-Muffe vakuumdicht in die
Vakuumkammer geführt sein.
Die erfindungsgemäße Lösung zeichnet sich gegenüber dem Stand der Technik
vor allem dadurch aus, daß eine simultane äquivalente Bestimmung der Laser
strahlparameter am Belastungsort möglich ist. Daneben ergibt sich in vorteilhaf
ter Weise die Möglichkeit einer definierten lateralen Probenbestrahlung bei einer
breiten Variation der Bestrahlungsparameter und einer flexiblen Strahlführung.
Die Erfindung ist nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert, das
ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Thermoschock-Laserbehandlung von
Werkstoffproben in einer Vakuumkammer betrifft.
In der zugehörigen Zeichnung zeigen
Fig. 1 ein Lasereinkopplungsmodul in teilweiser Längsschnittdarstellung,
Fig. 2 und 3 Varianten von Strahlführungseinrichtungsteilen.
Das in Fig. 1 dargestellte Laserkopplungsmodul dient zur Laserbestrahlung
eines Bestrahlungsobjekts 1 und ist in der Wandung 2 einer Vakuumkammer va
kuumdicht angeordnet. Das Modul besteht im wesentlichen aus einer ersten
Strahlführungseinrichtung 3 für den Laserarbeitsstrahl A, einer zweiten Strahl
führungseinrichtung 4 und einem optischen Keil 5. Mittels dieses Keils 5 wird
aus dem vom Laser generierten Lasergesamtstrahl G ein Laserteilstrahl M nied
riger Energie ausgekoppelt und über die zweite Strahlführungseinrichtung 4 einer
Einrichtung 6 zur Strahldiagnose, die eine CCD-Kamera ist, zugeführt. Der La
sergesamtstrahl G weist hierbei eine Leistungsdichte von 7 kW/cm2 auf. Die
Leistungsdichte des Laserteilstrahls M beträgt 280 W/cm2 und die des
Laserarbeitsstrahls A 6,44 kW/cm2.
Die CCD-Kamera ist an Führungsstangen 7 angeordnet und kann in Richtung des
Laserteilstrahls M kontinuierlich verschoben werden.
Mit den mittels der CCD-Kamera aus dem LaserteiIstrahl M gewonnenen Infor
mationen ist eine simultane äquivalente Bestimmung der Strahlparameter des
Laserarbeitsstrahls A an der Oberfläche des Bestrahlungsobjektes 1 möglich,
da der Laserarbeitsstrahl A und der Laserteilstrahl M eine identische Energiever
teilungsstruktur besitzen, da diese durch die optisch identischen
Strahlführungseinrichtungen 3; 4 geleitet werden.
Bei der in Fig. 2 dargestellten Teilanordnung einer Strahlführungseinrichtung 3
für den Laserarbeitsstrahl A ist ein flexibler Lichtleiter 8 mittels einer Hülse 9
aus einem hochschmelzenden Keramikwerkstoff in einem Führungsrohr 10 in
der Wandung 2 einer Vakuumkammer vakuumdicht angeordnet. Der Abstand
der Hülse 9 sowie des Mantels 11 von der laserseitigen Stirnfläche des
Lichtleiters ist so gewählt, daß die Leistungsdichte an der Hülse 9 und am
Mantel 11 unterhalb der Schädigungsgrenze liegt.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Anordnung zur vakuumdichten Durchführung des
Lichtleiters 8 für den Laserarbeitsstrahl A durch die Wandung 2 der Vakuum
kammer wird eine PTFE-Muffe 12 verwendet, die sich in einem Flansch 13 be
findet und mittels einer Spannmutter 14 und einer Scheibe 15 an den Mantel 11
des Lichtleiters 8 gepreßt wird.
Durch die Verwendung des Lichtleiters 8 für den Laserarbeitsstrahl A besteht in
vorteilhafter Weise die Möglichkeit einer flexiblen Strahlführung und damit einer
Vervollkommnung der erfindungsgemäß realisierbaren definierten lateralen Pro
benbestrahlung mit breiter Variation der Bestrahlungsparameter.
Claims (8)
1. Verfahren zur definierten Laserbestrahlung von Werkstoffen, beispielsweise bei
der Thermoschock-Laserbehandlung von Werkstoffproben oder beim Laserbeschuß
von Targets zur Schichtherstellung mittels Laser-Dampfphasenabscheidung,
dadurch gekennzeichnet, daß aus dem vom Laser generierten Lasergesamtstrahl G
auf seinem Weg zum Bestrahlungsobjekt ein Laserteilstrahl M ausgekoppelt wird,
dessen Strahlenergie maximal 10% des Lasergesamtstrahls G beträgt und daß der
Laserteilstrahl M zu einer Strahldiagnoseeinrichtung geführt wird, wobei für die
Führung des Laserteilstrahls M optische Mittel verwendet werden, deren Parameter
identisch mit denen der Strahlführung für den auf das Bestrahlungsobjekt
gerichteten Laserarbeitsstrahl A sind.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Laserteilstrahl M
ausgekoppelt wird, dessen Leistungsdichte zwischen der Nachweisgrenze einerseits
und der maximal zulässigen Laserleistungsdichte für die Strahldiagnoseeinrichtung
andererseits liegt.
3. Vorrichtung zur definierten Laserbestrahlung von Werkstoffen, beispielsweise bei
der Thermoschock-Laserbehandlung von Werkstoffproben oder beim Laserbeschuß
von Targets zur Schichtherstellung mittels Laser-Dampfphasenabscheidung,
dadurch gekennzeichnet, daß
- a) zwischen dem Laser und dem Bestrahlungsobjekt ein optischer Keil (5) zur Auskopplung eines Laserteilstrahls M niedriger Energie aus dem vom Laser generierten Lasergesamtstrahl G angeordnet ist,
- b) nach dem optischen Keil (5) im Strahlgang des ausgekoppelten Laserteilstrahls M eine optische Strahlführungseinrichtung (4) angeordnet ist, welche die gleichen optischen Parameter aufweist, wie sie die Strahlführungseinrichtung (3) für den auf das Bestrahlungsobjekt geführten Laserarbeitsstrahl A besitzt,
- c) am Ende der Strahlführungseinrichtung (4) für den Laserteilstrahl M eine Einrichtung (6) zur Strahldiagnose angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zur
Strahldiagnose dienende Einrichtung (6 ) eine CCD-Kamera ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die CCD-Kamera auf
Führungsstangen (7) in Strahlrichtung kontinuierlich verschiebbar angeordnet ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Strahlführungseinrichtung (3) für den zum Bestrahlungsobjekt geführten
Laserarbeitsstrahl A einen flexiblen, definiert ausrichtbaren Lichtleiter (8),
vorzugsweise einen Gradientenlichtleiter, enthält.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtleiter (8)
mittels einer Hülse (9) aus einem Hochtemperatur-Werkstoff, vorzugsweise aus
einem temperaturfesten Keramikwerkstoff, vakuumdicht in eine Vakuumkammer
geführt ist, in der sich das Bestrahlungsobjekt (1) befindet, wobei der Abstand der
Hülse (9) von der laserseitigen Stirnfläche sowie vom Mantel (11) des Lichtleiters
(8) so gewählt ist, daß die Laserleistungsdichte an der Hülse (9) und am Mantel
(11) unterhalb der Schädigungsgrenze liegt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtleiter (8)
unter Verwendung einer PTFE-Muffe (12) vakuumdicht in eine Vakuumkammer
geführt ist, in der sich das Bestrahlungsobjekt (1) befindet.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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