DE4308081A1 - Halbleiterbauelement, insbesondere zur Ionendetektion - Google Patents
Halbleiterbauelement, insbesondere zur IonendetektionInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, insbesondere zur Messung der
Ionenkonzentration. Der kontinuierliche Nachweis von Ionen in Lösungen ist in
zunehmendem Maße in der Umwelt und in der Biomedizin von Interesse. In die
sen Einsatzgebieten besteht die Forderung, verschiedene Ionen qualitativ und
quantitativ zu erfassen. Dabei kommt es insbesondere in der Medizin auf mög
lichst kleine ionensensitive Sensoren an.
Eine Möglichkeit, die diversen Anforderungen beim Nachweis von Ionen zu er
füllen, besteht durch die Anwendung von Feldeffekttransistoren, die durch den
Einsatz von verschiedenen Isolatorschichten ein ionenselektives Verhalten bei
Änderung der Ionenkonzentrationen in Lösungen aufweisen (ISFET). Die Detek
tion der Ionenkonzentration basiert auf der Schwellspannungsverschiebung bei
Änderung der Ionenkonzentration in den Lösungen. Dabei wirken die Ionen über
die Gate-Isolatorfläche auf die Ladungsträgerkonzentration im Kanal des Tran
sistors.
Die entsprechenden Sensitivitäten werden durch ausgewählte Schichtmateria
lien, die auf dem Gateisolator über dem Kanalgebiet des FET′s aufgebracht
werden, eingestellt. In der Biomedizin werden vorrangig organische Schichtma
terialien zum Nachweis von verschiedenen Ionen, Molekülen und Molekülgrup
pen eingesetzt. Anorganische Schichtmaterialien finden vorwiegend in der Mes
sung der Ionenkonzentration, wie Protonen, Kalziumionen oder Natriumionen, in
wäßrigen Medien für die Überwachung in der Umwelt Anwendung.
In allen Anwendungsfällen sind eine hinreichende Langzeitstabilität, eine mini
male Drift und eine einfache mechanisierbare Verkapselung der Sensorelemente
eine elementare Voraussetzung für den Einsatz von ISFET′s als Ionendetekto
ren.
Die Langzeitstabilität und gleichzeitig die Drift werden wesentlich durch die ein
gesetzten Materialien für die ionensensitiven Schichten, die Passivierungs
schichten und die Verkapselung bestimmt.
Durch den Einsatz von chemisch resistenten Materialien als ionensensitive
Schichten wie Al2O3 und Ta2O5 werden ISFET′s realisiert, die einen Einsatz über
mehrere Wochen ermöglichen (H. Kaden, W. Oelsner; VDI-Berichte Nr. 939,
1992).
Für den Einsatz der ISFET′s in wäßrigen Lösungen müssen die Leiterbahnzüge,
die Chipkanten und die Bonddrähte vor dem Lösungsangriff sicher geschützt
werden. Konventionelle Passivierungsschichten, wie PE-SiO2 oder PE-Si3N4, auf
den Leiterbahnen, die mit der Meßlösung in Kontakt kommen, zeigen aufgrund
ihrer relativ großen chemischen Reaktivität eine nur geringe Stabilität und bieten
somit keinen ausreichenden Schutz. Ein guter Schutz wird durch eine Be
schichtung des Sensors mit Polymeren (Verkapselung) erreicht, wobei Epoxid
harz, Polyimid oder Siliconverbindungen eingesetzt werden. Der Beschich
tungsprozeß ist für bekannte Ionensensoren, bei denen die ionensensitive
Schicht auf der Chipvorderseite aufgebracht wird, zur Zeit nur durch aufwendige
Handbeschichtungen möglich. Verbesserungen des Beschichtungsprozesses
durch den Einsatz von Stempeln vereinfachen einerseits diesen Teilprozeß, füh
ren aber andererseits leicht zu einer mechanischen Beschädigung der Isola
toroberfläche.
Eine weitere Verbesserung des Verkapselungsprozesses wird durch die Einfüh
rung von Rückseitenkontakten erreicht, wie in EP 149 330 beschrieben. Durch
diese Technologie wird jedoch die Verdrahtung bei On-Chip-Systemen von Sen
soren mit integrierter Auswerte- oder Steuerelektronik komplizierter.
Durch den Einsatz von fotolithographisch strukturierbaren Polymeren wird der
Verkapselungsprozeß mechanisierbar, aber gleichzeitig aufwendiger (C. Dum
schat; Sensors and Actuators, B2 (1990) 271).
Infolge der Langgzeiteinflüsse durch die Lösungen werden Drifterscheinungen
bei den bekannten Schichtsystemen in der Größenordnung von 0,1 mV/h be
obachtet (Abe, A; IEEE ED 26 (1979)1939).
Technologisch bedingte Differenzen und betriebsbedingte Schwankungen der
Meßergebnisse von ionensensitiven Feldeffekttransistoren können durch Diffe
renzschaltungen kompensiert werden (A. Sibbald: A Chemical-Sensitiv
Integrated-Circuit. The Operational Transducer, Sensors and Actuators, 7
(1985)). Voraussetzung dafür ist ein gleiches Verhalten aller eingesetzten FET′s.
Prozesse, die sich auf die eingesetzten FET′s unterschiedlich auswirken, können
jedoch nicht kompensiert oder korrigiert werden.
Ausgehend von dem oben gewürdigten Stand der Technik liegt der Erfindung
die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement, insbesondere zur Messung
der Ionenkonzentration, bereitzustellen, das sicher gegen Lösungsangriffe ge
schützt ist und eine geringe Drift aufweist. Desweiteren soll ein Verfahren, wel
ches eine wirtschaftliche Herstellung des Halbleiterbauelements ermöglicht, an
gegeben werden.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale der Patentansprüche 1
und 19 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Halbleiter
bauelements sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung basiert auf der Idee, die Detektion durch ein rückseitig angeord
netes abgedünntes Gebiet, das eine ionensensitive Schicht enthält, vorzuneh
men. Die ionensensitive Schicht dient dabei (zusammen mit Elektrolyt und Be
zugselektrode) als Elektrode eines Transistors und/oder einer Diode und/oder
eines Kondensators. Die verbleibenden Elemente des Transistors der Diode
bzw. des Kondensators lassen sich durch eine geeignete, auf der Vorderseite
erzeugte bzw. angeordnete Schichtfolge realisieren.
Eine bevorzugte Ausführungsform besteht darin, daß die ionensensitive Schicht
ein Gate darstellt, die gemeinsam mit einer Bezugselektrode, vermittelt durch
den Elektrolyten, einen Feldeffekttransistor ansteuert (Anspruch 3).
Gemäß Anspruch 5 ist eine vorteilhafte Weiterentwicklung dadurch gegeben, ein
zusätzliches Gate in der vorderseitig angeordneten Schichtfolge zu integrieren,
das über dem gleichen Kanalgebiet positioniert ist. Mit dieser Anordnung wird
eine Steuerung bzw. Korrektur von Betriebsdaten des ISFET möglich.
Wahlweise wird der Transistorkanal über einen zusätzlichen Substratkontakt an
geschlossen, womit eine zusätzliche Steuerung des Transistors ermöglicht wer
den kann (Anspruch 6).
Nach Anspruch 7 bzw. 8 kann die rückseitig angeordnete ionensensitive Schicht
entweder eine rückseitig aufgebrachte Schicht sein oder Bestandteil der vorder
seitig auf dem Substrat oder einer im Substrat erzeugten Schichtfolge sein. Die
Reihenfolge der Realisierung des rückseitig abgedünnten Gebietes und der
ionensensitiven Schicht hängt von der Anordnung der ionensensitiven Schicht
ab. So erfordern die Varianten, bei denen die ionensensitive Schicht Bestandteil
der vorderseitig auf dem Substrat oder einer im Substrat erzeugten Schichtfolge
ist, erst die Realisierung der ionensensitiven Schicht und dann das rückseitige
Abtragen des Substratgebietes (und gegebenenfalls vorderseitig angeordneter
Schichten) bis zur ionensensitiven Schicht.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement kann aus den verschiedensten
Materialsystemen aufgebaut sein. Aufgrund der guten Beherrschbarkeit der Sili
zium Technologie sind jedoch das Silizium-Material sowie darauf aufbauende
Verbindungen von besonderer Bedeutung (Anspruch 10, Anspruch 12).
Das rückseitige Abdünnen eines bestimmten Substrat-Gebietes kann z. B. durch
Ätzen, insbesondere durch naßchemisches Ätzen vorgenommen werden (An
spruch 13).
Zur Realisierung des abzudünnenden Gebiets wird der gesamte Wafer beidseitig
mit einer Schutzschicht abgedeckt - vorzugsweise aus SiO2/Si3N4 in der Si-
Technologie - und durch positionierte Rückseitenbelichtung die Ätzöffnung defi
niert (Anspruch 21).
Gemäß Anspruch 14 können zur Kontrolle des Ätzprozesses, speziell der Ätz
tiefe, Ätzstopschichten eingesetzt werden. Diese Ätzstopschichten können ent
weder im Substrat oder auch in der darüber angeordneten Schichtstruktur
untergebracht sein.
Bei Silizium Wafern ist der Einsatz von SiO2-Schichten als Ätzstop geeignet, wie
in Anspruch 15 aufgeführt. Hierbei ist es insbesondere möglich, eine im Wafer
vergrabene SiO2-Schicht mit dem SIMOX-Verfahren (K. Izumi et. al., Electric
Lett., Vol. 14, p. 593, (1978)) herzustellen (Anspruch 16).
Eine besondere Weiterentwicklung im Zusammenhang mit der SIMOX-Techno
logie ist in Anspruch 17 gekennzeichnet. Eine auf dem Si-Wafer aufgetragene
epitaktische Si-Schicht sorgt zum einen für eine verbesserte Stabilität des erfin
dungsgemäßen Bauelements und zum anderen für eine erhöhte Qualität des
Kanals. Zur Realisierung der Meßbarkeit der Konzentrationen von
verschiedenen Ionen in einer Lösung werden entsprechende sensitive Schichten
auf die Waferrückseite aufgebracht.
Das hier dargestellte Prinzip ermöglicht unter anderem die Anordnung von
ISFETs mit verschiedener qualitativer Ionensensitivität auf einem einzigen Bau
element. Der Aufbau des erfindungsgemäßen Bauelements gestattet weiterhin
die einfache Integration einer Auswerteschaltung in den vorderseitigen Aufbau
(Anspruch 9).
Zur Verkapselung wird der Sensorchip in einen mit einer Öffnung versehenen
Träger eingebracht, verbondet und mit einem chemisch resistenten Polymer so
abgedeckt, daß die Chipvorderseite einschließlich des Trägers geschlossen be
deckt ist und damit nur die Chiprückseite mit der Lösung in Kontakt kommen
kann (Anspruch 19, 20). Das erfindungsgemäße Bauelement läßt sich aufgrund
der geometrischen Anordnungen insbesondere so auslegen, daß alle Kontakt
anschlüsse ausschließlich an der Vorderseite angebracht sind (Anspruch 18).
Mit diesem Sensoraufbau besteht die Möglichkeit, unter optimalem Schutz em
pfindlicher Bauelementbereiche vor Lösungseinfluß eine Erfassung der Ionen
konzentration bei gleichzeitiger Driftkorrektur zu realisieren.
Die wesentlichen Vorteile der Erfindung bestehen darin, daß die geometrische
Anordnung der ionensensitiven Membran und der Kontakte eine einfache und
billige Verkapselung zuläßt, die definierte Chipgebiete vor dem Elektrolytangriff
schützt. Zusätzlich ist über das zweite Gate eine einfache Driftkorrektur möglich.
Weiterhin lassen sich mit der Erfindung kleine Bauelemente zur Ionendetektion,
mit vorderseitig integrierter Auswerteschaltung sowie mit mehreren Sensoren
auf einem Chip, realisieren.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ein bevorzugtes Aus
führungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1-5 Schnittdarstellung, jeweils nach Ausführung einzelner Prozeßschritte,
gemäß des erfindungsgemäßen Verfahrens nach Anspruch 19, zur Realisierung
des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements nach dem Hauptanspruch 1.
Fig. 1 zeigt einen (100)-Siliziumwafer (1), in dem mittels des SlMOX-Verfah
rens als erster Prozeßschritt eine bis 400 nm dicke SiO2-Schicht (2) erzeugt wird.
Zur Verstärkung des über der SiO2-Schicht befindlichen einkristallinen Siliziums
wird wahlweise in einem zweiten Prozeßschritt eine Epitaxieschicht (3) Si aufge
bracht, deren Dicke zwischen 0,5 µm und 2 µm liegt.
Die Verfahrensschritte drei bis fünf werden nachfolgend unter Bezugnahme auf
die Fig. 2 beschrieben.
Im dritten Verfahrensschritt wird durch eine CMOS - kompatible Technologie auf
diesem Aufbau ein Transistor mit einem Polysilizium-Gate (5) erzeugt. Die Dotie
rungen in Source (6) und Drain (7) sind so gewählt, daß der Kanal dieses Tran
sistors homogen vom Gateoxid (4) bis zur SIMOX-SiO2-Schicht (2) ausgebildet
ist.
Die Bereiche (12) stellen prozeßbedingtes Feldoxid (SiO2) dar. Die dotierte Zone
(13) ist vorzugswiese als Ring um die innere Transistorstruktur (4-7) ausgelegt
und dient als Bulkanschluß.
Zur Isolation der leitfähigen Bereiche sind Oxid- (8, 10) und Gläserschichten (11)
(z. B. BPSG (Borphosphorglas), PSG) vorderseitig aufgetragen. Im vierten Ver
fahrensschritt werden nach der Realisierung der erforderlichen Kontakte die
Leiterbahnen (9) aufgebracht. Hierbei kommen Materialien aus temperaturbe
ständigen Metallen wie Wolfram, Titan o. ä. zum Einsatz.
Zur Vorbereitung des Ätzprozesses wird in einem fünften Verfahrensschritt die
Halbleiterstruktur allseitig mit einem geeigneten Siliziumoxid (14)/Siliziumnitrid
(15) Schichtstapel (anorganische Hilfsschicht) umgeben.
In Fig. 3 ist die Anordnung nach dem sechsten Verfahrensschritt dargestellt,
bei dem durch eine positionierte rückseitige Strukturierung der anorganischen
Hilfsschicht das abzudünnende Gebiet (20) freigelegt wird.
Für die Erläuterung der sich anschließenden Prozeßschritte wird auf die Fig. 4
Bezug genommen.
Im siebten Verfahrensschritt wird durch eine anisotrope naßchemische Ätzung,
vorzugsweise mit KOH, TMAH (Tetramethylamoniumhydroxid) oder anderen
geeigneten Ätzmedien, das (100) Silizium bis zur SIMOX-Oxidschicht (2) ent
fernt. Im anschließenden achten Verfahrensschritt wird die Ätzmaske (14/15)
und das SIMOX-SiO2 (2) im Kanal des Transistors beseitigt.
In einem neunten Verfahrensschritt erfolgt das Aufbringen von Isolatorschichten
(21), beispielsweise bestehend aus Siliziumoxid/Siliziumnitrid. Wahlweise kann
im achten Verfahrensschritt das SIMOX-SiO2 im Kanal des Transistors nur teil
weise entfernt werden und/oder der neunte Verfahrensschritt übersprungen
werden.
Die Verfahrensschritte 5 bis 9 können auch in einem früheren Prozeßstadium
durchgeführt werden, das heißt die Kontaktherstellung und Leitbahnrealisierung
können dann nach der Erzeugung der abgedünnten Gebiete erfolgen.
Beim zehnten Verfahrensschritt werden die ionensensitiven Schichten (22), z. B.
Alumosilicatgläser, Ionophore mit Polymeren o. ä., aufgetragen. Im anschließen
den elften Verfahrensschritt erfolgt die Strukturierung der Bondpads und das
Anbringen der Bonddrähte (24). Nach Ausführung des zwölften Verfahrens
schritts, bei dem der vorderseitige Aufbau mit einer Polymer-Passivierung (25)
überzogen wird, ergibt sich das Bauelementbild nach Abb. 4.
Anhand der Fig. 4 ist auch die Funktionsweise des erfindungsgemäßen
Bauelements ersichtlich.
Durch das Abdünnen des Substrats ist die rückseitig angeordnete ionensensi
tive Gateschicht so nahe an den Kanal herangeführt, daß eine ausreichende
Steuerbarkeit, d. h. Ionensensitivität, gewährleistet ist. Diese Anordnung, mit
rückseitiger ionensensitiver Membran und vorderseitig angeordneten Kontakten,
ermöglicht eine vereinfachte und vorteilhafte Verkapselung des Bauelements,
die mit konventionellen ISFETS nicht erreichbar ist.
Fig. 5 zeigt abschließend, wie ein derart strukturierter Sensorchip (30) zur Ver
kapselung in den Träger (28) eingefügt ist, dessen Oberfläche der des Trägers
angepaßt ist. Die Bonddrähte (24) des Sensorchips sind mit Leiterbahnen (26)
auf dem Träger verbunden. Der Träger ist so strukturiert, daß durch eine Poly
merbeschichtung mit Polymiden, Epoxidharzen oder anderen chemisch re
sistenten Materialien (27, 31) der Sensor (30) und der Träger vorderseitig voll
ständig abgedeckt werden. Vorzugsweise ist der Träger so gestaltet, daß seine
Oberfläche mit der Oberfläche des eingepaßten Sensors fluchtet. Damit sind die
Vorderseite des Sensors, die Chipkanten und die Leiterbahnen auf dem Träger
vor dem Einwirken der Lösung geschützt. Der Kontakt des Sensors mit der Lö
sung erfolgt ausschließlich über die Chiprückseite.
Claims (23)
1. Halbleiterbauelement, insbesondere zur Messung von Ionenkonzentratio
nen, bestehend aus einem Substrat und einer vorderseitig darauf ange
ordneten Schichtfolge, wobei das Bauelement eine oder mehrere ionen
sensitive Schichten aufweist,
dadurch gekennzeichnet,
daß die ionensensitiven Schichten und gegebenenfalls weitere Schichtfol
gen rückseitig in einem abgedünnten Gebiet des Substrats angeordnet
sind.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß zusätzlich zur ionensensitiven Schicht eine rückseitig angeordnete
Schichtfolge vorhanden ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens eine ionensensitive Schicht als Gate eines Feldeffekttran
sistors ausgebildet ist.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens eine ionensensitive Schicht als Elektrode eines Konden
sators oder einer Diode ausgebildet ist.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß in der vorderseitig angeordneten Schichtfolge ein zusätzliches Steuer
gate vorgesehen ist, das über dem Kanalgebiet des Feldeffekttransistors
angeordnet ist.
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Transistor über einen zusätzlichen Substratkontakt ansteuerbar ist.
7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens eine ionensensitive Schicht eine rückseitig aufgebrachte
Schicht ist.
8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens eine rückseitig angeordnete ionensensitive Schicht Be
standteil der vorderseitig auf dem Substrat oder eine im Substrat erzeugten
Schichtfolge ist.
9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß in der vorderseitig angeordneten Schichtfolge eine Auswerteschaltung
integriert ist.
10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat aus Silizium, insbesondere (100) Si, besteht.
11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die CMOS-Schaltungstechnik eingesetzt ist.
12. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 5 bis 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß das zusätzliche Steuergate aus Poly-Silizium Material besteht.
13. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat durch Ätzen, insbesondere durch naßchemisches Ätzen,
abgedünnt ist.
14. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß im Substrat oder in der vorderseitigen Schichtstruktur eine Ätzstop
schicht angeordnet ist.
15. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Ätzstop als eine SiO2-Schicht ausgebildet ist.
16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die im Si-Substrat angeordnete SiO2-Schicht mit dem SIMOX-Verfah
ren hergestellt ist.
17. Halbleiterbauelement nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf dem mit dem SIMOX-Verfahren behandelten Substrat vorderseitig
eine Epitaxie-Schicht aufgebracht ist.
18. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktanschlüsse an die elektronischen Elemente ausschließlich
an der Vorderseite angebracht sind.
19. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Halbleiterbauelement in einen Träger eingepaßt ist, der eine Ober
fläche aufweist, die vorzugsweise mit der vorderseitigen Oberfläche des
Halbleiterbauelements fluchtet, und der mit Leiterbahnen beschichtet ist,
die mit den elektrischen Anschlüssen des Halbleiterbauelements leitend
verbunden sind.
20. Halbleiterbauelement nach Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Oberfläche des Halbleiterbauelements und die Oberfläche des
Trägers mit einer oder mehreren Polymerbeschichtungen aus Polyimiden,
Epoxidharz oder anderen chemisch resistenten Materialien vorderseitig
vollständig abgedeckt sind.
21. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach einem der An
sprüche 1 bis 20,
gekennzeichnet durch
folgendende Verfahrensschritte:
- - Erzeugung einer SiO2-Schicht unterhalb der vorderseitigen Oberflä che eines Siliziumwafers mit dem SIMOX-Verfahren,
- - Erzeugung eines Transistors mit Polysiliziumgate durch CMOS- kompatible Technologie,
- - Aufbringen von Leiterbahnmaterialien, bestehend aus temperaturbe ständigen Metallen wie Wolfram und Titan,
- - Abdeckung des gesamten Wafers mit geeigneten Silizium oxid/Siliziumnitrid Schichtstapeln,
- - positionierte rückseitige Strukturierung, bei der das abzudünnende Gebiet freigelegt wird,
- - anisotrope Ätzung des freigelegten Siliziumgebietes, vorzugsweise mit KOH oder TMAH,
- - Entfernung der Rückenseitenätzmaske, vollständiges oder teilweises Entfernen des SIMOX-SiO2 im Kanal des Transistors,
- - wahlweises Aufbringen von Isolatorschichten, beispielsweise beste hend aus Siliziumoxid/Siliziumnitrid,
- - Aufbringen von ionensensitiven Schichten, wie Alumosilicatgläsern und Ionophore mit Polymeren,
- - Strukturierung der Bondpads,
- - Einbringen des Sensors in einen Träger,
- - Anschluß der Bonddrähte des Sensors an die Leiterbahnen auf dem Träger,
- - abschließende Polymerbeschichtung der Vorderseite
22. Verfahren nach Anspruch 21,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine an den SIMOX-Verfahrensprozeß anschließende Si-Epitaxie
durchgeführt wird.
23. Verfahren nach Anspruch 21 oder 22,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Substrat (100)-Silizium verwendet wird.
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