DE4305038A1 - MOSFET mit Temperaturschutz - Google Patents
MOSFET mit TemperaturschutzInfo
- Publication number
- DE4305038A1 DE4305038A1 DE4305038A DE4305038A DE4305038A1 DE 4305038 A1 DE4305038 A1 DE 4305038A1 DE 4305038 A DE4305038 A DE 4305038A DE 4305038 A DE4305038 A DE 4305038A DE 4305038 A1 DE4305038 A1 DE 4305038A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mosfet
- source
- gate
- inverter
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K2017/0806—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement
- (a) mit einem MOSFET und
- (b) mit einer ersten Einrichtung,
- (c) die mit dem MOSFET thermisch gekoppelt ist,
- (d) die mit dem Gate-Anschluß und dem Source-Anschluß des MOSFET verbunden ist, und
- (e) die einen mindestens einen pn-Übergang aufweisenden Schalter enthält, der bei Erreichen einer ersten Tempe ratur einschaltet, so daß die Gate- und Source-Elektro den des MOSFET miteinander verbunden werden.
Ein solches Halbleiterbauelement ist aus der europäischen
Patentanmeldung EP-A 0 208 970 bekannt. Der pn-Schalter ver
bindet bei Erreichen der kritischen Temperatur die Gate- und
Source-Elektroden des MOSFET, so daß dieser dadurch ge
sperrt wird. Die Schalttemperatur wird mittels geeigneter
Abmessungen und Dotierungen eingestellt. Der Halbleiter
schalter ist thermisch an den MOSFET gekoppelt. Bei Tempe
raturänderungen des MOSFET entsteht ein Temperaturgefälle
zum Halbleiterschalter hin. Bei schnellem Temperaturanstieg,
beispielsweise aufgrund von Stoßstrombelastungen, kommt es
vor, daß der MOSFET bereits die kritische Arbeitstemperatur
erreicht hat, die Temperatur des Halbleiterschalters jedoch
noch unterhalb der Schalttemperatur liegt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den bekannten
MOSFET derart weiterzubilden, daß er auch bei schnell an
steigenden Strömen zuverlässig vor temperaturbedingter
Zerstörung geschützt wird.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß
- (f) durch die erste Einrichtung ein temperaturabhängiges Signal erzeugt wird,
- (g) das Signal einer zweiten Einrichtung zugeführt wird, die zwischen die Gate- und Source-Anschlüsse des MOSFET geschaltet ist,
- (h) durch die zweite Einrichtung die zwischen dem Gate-An schluß und Source-Anschluß des MOSFET anliegenden Span nung verringert wird, wenn eine zweite Temperatur er reicht wird, die niedriger als die erste Temperatur ist.
Ausführungsformen und vorteilhafte Weiterbildungen der Er
findung sind in den Unteransprüchen angegeben. Die Erfin
dung wird nun anhand der in der Zeichnung dargestellten
Figuren näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines erfindungsgemaßen Halb
leiterbauelements,
Fig. 2 die schaltungstechnische Realisierung gemäß einer
ersten Ausführungsform des Halbleiterbauelements
und
Fig. 3 die schaltungstechnische Realisierung einer zweiten
Ausführungsform.
Das in der Fig. 1 gezeigte Halbleiterbauelement enthält
einen MOSFET 1, der ein selbstsperrender n-Kanal-MOSFET vom
Anreicherungstyp mit einer Drain-Elektrode 7, einer Source-
Elektrode 8 und einer Gate-Elektrode 9 ist. Die Gate-Elek
trode 9 ist über einen Vorwiderstand 4 mit einem Steueran
schluß 5 des Halbleiterbauelements verbunden. Der Durchlaß
widerstand seiner Drain-Source-Strecke wird durch die Gate-
Source-Spannung gesteuert. Liegt die Gate-Source-Spannung
unterhalb der Einsatzspannung, ist der MOSFET 1 gesperrt.
Anderenfalls ist er leitend. Wenn dann an die Drain- und
Source-Elektroden des MOSFET 1 eine Spannung angelegt
wird, fließt ein Strom durch seine Drain-Source-Strecke,
durch den der MOSFET 1 erwärmt wird.
Zwischen die Gate- und Source-Elektroden 9 bzw. 8 des
MOSFET 1 ist eine erste Einrichtung 2 geschaltet, die an
den MOSFET 1 thermisch gekoppelt ist. Die Einrichtung 2
enthält einen Schalter mit mindestens einem pn-Übergang,
der einschaltet, wenn der pn-Übergang eine erste Temperatur
T1 erreicht. Gate und Source des MOSFET 1 werden dann mit
einander verbunden, so daß der MOSFET 1 abschaltet. Die am
eingeschalteten pn-Schalter abfallende Spannung muß dabei
geringer sein als die Einsatzspannung des MOSFET 1.
In der Einrichtung 2 sind außerdem Mittel vorhanden, mit
denen ein Signal erzeugt wird, das temperaturabhängig ist.
Dies kann beispielsweise ein Signalspannungspegel sein, der
mit steigender Temperatur ansteigt. Das temperaturabhängi
ge Signal wird an einem Ausgang 6 aus der Einrichtung 2
herausgeführt. Prinzipiell ist es auch möglich, ein strom
gesteuertes temperaturabhängiges Signal hierfür zu verwen
den.
Zwischen die Gate- und Source-Elektroden 9 bzw. 8 des MOS
FET 1 ist eine zweite Einrichtung 3 geschaltet. Die Ein
richtung 3 ist mit dem Ausgang 6 der Einrichtung 2 verbun
den, so daß ihr das von der Einrichtung 2 erzeugte tempera
turabhängige Spannungssignal zugeführt wird. Durch die Ein
richtung 3 wird die zwischen Gate und Source des MOSFET 1
anliegende Spannung verringert, wenn das temperaturabhängi
ge Signal am Anschluß 6 einen Wert erreicht, der einer zwei
ten Temperatur T2 entspricht, die kleiner ist als die erste
Temperatur T1, bei der der Halbleiterschalter der Einrich
tung 2 schaltet. Beispielsweise kann dies dann erfolgen,
wenn der temperaturabhängige Signalpegel ein bestimmtes,
der zweiten Temperatur entsprechendes Potential bezüglich
des Source-Anschlusses 8 erreicht. Dadurch kann ein Strom
pfad zwischen Gate 9 und Source 8 des MOSFET 1 geschaltet
werden, durch den ein Strom über den Steueranschluß 5 und
den Widerstand 4 zum Source-Anschluß 8 gezogen wird, so daß
die Gate-Source-Spannung des MOSFET 1 verringert wird. Da
durch wird der durch die Drain-Source-Strecke des MOSFET 1
fließende Strom verringert, wodurch der Temperaturanstieg
des MOSFET 1 gebremst wird. Dadurch wird verhindert, daß
aufgrund des Temperaturgefälles zwischen dem MOSFET 1 und
der Einrichtung 2 der MOSFET 1 bei einem steilen Anstieg
des Stromes zerstört wird. Der MOSFET 1 kann andererseits
stärker leitend gesteuert werden, da der Sicherheitsabstand
seiner Gate-Source-Spannung vom maximal zulässigen Wert
geringer gewählt werden kann.
In der Fig. 2 ist die schaltungstechnische Realisierung
für die Einrichtungen 2 und 3 gezeigt. Die Einrichtung 2
enthält als Halbleiterschalter einen Thyristor 20, dessen
Anode mit dem Gate-Anschluß 7 des MOSFET 1 und dessen Ka
thode mit dem Source-Anschluß 8 des MOSFET 1 verbunden
sind. Bei Erreichen der ersten Temperatur T1 wird der
Thyristor 20 im wesentlichen durch die anwachsenden Leck
ströme gezündet. Parallel zu den beiden mittleren Zonen
21, 22 des Thyristors 20 ist die Kollektor-Emitter-Strecke
eines Bipolartransistors 23 geschaltet. Zwischen dem Kol
lektor und der Basis des Bipolartransistors 23 liegt eine
Stromquelle 24, die einen stark temperaturabhängigen Strom
liefert. Die Stromquelle 24 kann beispielsweise als eine
Fotodiode realisiert sein, deren Kathode mit dem Kollektor
und deren Anode mit der Basis des Transistors 23 verbunden
ist. Dabei ist eine solche Fotodiode zu verwenden, deren
Sperrstrom temperaturabhängig ist. Die Basis des Transi
stors 22 ist über eine Stromquelle mit dem Source-Anschluß
8 des MOSFET 1 verbunden. Als Stromquelle ist ein n-Kanal-
MOSFET 25 vom Verarmungstyp vorgesehen, dessen Gate- und
Source-Elektroden miteinander verbunden sind. Die Basis
des Transistors 23 ist außerdem mit dem Ausgang 6 der Ein
richtung 2 verbunden. Durch den temperaturbedingt anstei
genden Strom der Stromquelle 24 steigt die am als Stromquel
le geschalteten MOSFET 25 abfallende Spannung. Der Signal
pegel am Anschluß 6 ist demnach temperaturabhängig und
steigt mit wachsender Temperatur. Zweckmäßigerweise sind
die Einrichtungen 2 und 3 jeweils getrennt voneinander
oder gemeinsam monolithisch integriert.
Die Einrichtung 3 enthält eingangsseitig einen Inverter 26,
dem ein weiterer Inverter 27 nachgeschaltet ist, durch den
ein Schaltelement 28 gesteuert wird. Durch das Schaltele
ment 28 wird ein Strompfad zwischen die Gate- und Source-
Anschlüsse des MOSFET 1 geschaltet, durch den die Gate-
Source-Spannung verringert wird.
Der Inverter 26 besteht aus der Reihenschaltung der Drain-
Source-Strecken zweier n-Kanal-MOSFETs 29, 30 vom Verar
mungstyp. Der MOSFET 30 wird vom Ausgang 6 der Einrichtung
2 gesteuert, der MOSFET 29 ist als Stromquelle geschal
tet, indem seine Gate- und Source-Elektroden miteinander
verbunden sind. Die Widerstandswerte der Drain-Source-Strecken
der MOSFETs 29, 30 sind derart im Zusammenhang mit dem
temperaturabhängigen Signal am Ausgang 6 der Einrichtung 2
aufeinander abgestimmt, daß der Inverter dann seinen Schalt
punkt hat, wenn das temperaturabhängige Signal der zweiten
Temperatur entspricht, bei der die Einrichtung 3 aktiv ge
schaltet werden soll. Erfahrungsgemäß liegt der Schaltpunkt
bei einem Spannungspegel von 0,4 V.
Der Inverter 27 enthält als Schalttransistor einen n-Kanal-
MOSFET 32 vom Verarmungstyp, dessen Gate-Elektrode mit dem
Drain-Anschluß des MOSFET 30 verbunden ist. Die Drain-Elek
trode des MOSFET 32 ist über eine Stromquelle mit dem Gate-
Anschluß 7 des MOSFET 1 verbunden. Vorzugsweise wird diese
Stromquelle als n-Kanal-MOSFET 31 vom Verarmungstyp mit ver
bundenen Gate- und Source-Elektroden ausgeführt.
Das Schaltelement 28 enthält als Schalttransistor einen n-
Kanal-MOSFET 33 vom Anreicherungstyp, dessen Gate-Anschluß
mit dem Ausgang des Inverters 27 verbunden ist. Der Drain-
Anschluß des MOSFET 33 ist über zwei MOSFETs 34, 35 mit
der Gate-Elektrode 7 des MOSFET 1 verbunden. Die Gate- und
Drain-Elektroden der MOSFETs 34, 35 sind jeweils miteinan
der verbunden, so daß sie als MOS-Dioden wirken.
Wenn das temperaturabhängige Signal am Ausgang 6 der Ein
richtung 2 den der Schalttemperatur T2 der Einrichtung 3
entsprechenden Signalpegel erreicht, wird das Signal über
die beiden Inverter 26, 27 verstärkt. Dadurch wird der
MOSFET 33 eingeschaltet, so daß ein Strom vom Anschluß 5
über den Vorwiderstand 4 zum Source-Anschluß 8 des MOSFET
1 fließt. Der Strom wird durch die MOSFETs 34, 35 begrenzt.
Die am Vorwiderstand 4 abfallende Spannung verringert die
Gate-Source-Spannung des MOSFET 1, so daß dessen Arbeits
temperatur absinkt. Die Inverter 26, 27 sind derart zu di
mensionieren, daß sie im Vergleich zum eingeschalteten Zu
stand des Schaltelementes 28 einen geringen Strom verbrau
chen. Vorzugsweise kann die Gate-Source-Strecke des MOSFET
1 auch über eine Zenerdiode 36 vor zu großen Eingangsspan
nungen am Anschluß 5 des Halbleiterbauelements geschützt
werden.
Das Halbleiterbauelement der Fig. 3 enthält die bereits
in der Fig. 2 beschriebene Einrichtung 2, die das tempe
raturabhängige Spannungssignal am Ausgang 6 erzeugt. Die
Einrichtung 3 weist aber eine andere Ausführungsform auf.
Sie enthält eingangsseitig zwei Inverter 39, 40, die den
Invertern 26, 27 der Fig. 2 entsprechen. Sie enthält wei
terhin vier mit ihren Drain-Source-Strecken in Reihe ge
schaltete n-Kanal-MOSFETs 45, . . ., 48 vom Anreicherungstyp.
Die MOSFETs 45, . . ., 48 sind als MOS-Dioden geschaltet, in
dem jeweils ihre Gate- und Drain-Elektroden miteinander ver
bunden sind. Der Drain-Anschluß des mit dem Source-Anschluß
8 des MOSFET 1 verbundenen Transistors ist mit einem Inver
ter 42 verbunden. Der Ausgang des Inverters 42 steuert über
einen weiteren Inverter 43 einen n-Kanal-MOSFET 44 vom An
reicherungstyp an, dessen Drain-Source-Strecke zwischen die
Gate- und Source-Elektroden 7, 8 des MOSFET 1 geschaltet
ist. Durch das Zusammenwirken der Elemente 41, 42, 43, 44
wird die Gate-Source-Spannung des MOSFET 1 begrenzt: Ange
nommen, daß das Potential am Eingangsanschluß 5 ansteigt,
wird der Strom durch die Anordnung 41 mit den vier MOS-
Dioden 45, . . ., 48 erhöht, wodurch das Drain-Potential des
MOSFET 45 ansteigt. Die Inverter 42, 43 sorgen für die
Verstärkung des Drain-Potentials des MOSFET 45. Dadurch
wird der MOSFET 44 stark leitend gesteuert, was bewirkt,
daß die an der Diodenanordnung 41 abfallende Spannung so
weit fällt, bis der MOSFET 44 wieder hochohmiger wird. Die
se Regelung sorgt dafür, daß die Gate-Source-Spannung des
MOSFET 1 begrenzt wird.
Parallel zur Drain-Source-Strecke des MOSFET 46 der Anord
nung 41 ist ein weiterer MOSFET 50 geschaltet. Die Gate-
Elektrode des MOSFET 50 wird vom Ausgang des Inverters 40
gesteuert. Wenn nun der Pegel des temperaturabhängigen Si
gnals den der Schalttemperatur T2 der Einrichtung 3 ent
sprechenden Wert erreicht, schalten die Inverter 39, 40, so
daß der MOSFET 50 leitend gesteuert wird. Dadurch wird die
vom MOSFET 46 gebildete MOS-Diode unwirksam. Folglich wird
die Gate-Source-Spannung des MOSFET 1 auf eine geringere
Spannung aufgrund der oben beschriebenen Wirkungsweise der
Elemente 41, . . ., 44 begrenzt. Dies sorgt dafür, daß die Tem
peratur des MOSFET 1 abnimmt. Die Elemente 39, . . ., 43 sind
so dabei zu dimensionieren, daß sie einen im Vergleich zum
eingeschalteten Zustand des MOSFET 44 geringen Strom führen.
Während die in der Fig. 2 gezeigte Ausführungsform der Ein
richtung 3 eine widerstandsartige Kennlinie der Gate-Source-
Spannung des MOSFET 1 für ansteigende Steuerspannungen am
Anschluß 5 aufweist, ergibt sich bei der gemäß Fig. 3 ge
zeigten Ausführungsform für ansteigende Eingangsspannungen
am Anschluß 5 eine steil ansteigende, zenerdiodenähnliche
Kennlinie.
Claims (10)
1. Halbleiterbauelement
- (a) mit einem MOSFET (1) und
- (b) mit einer ersten Einrichtung (2),
- (c) die mit dem MOSFET (1) thermisch gekoppelt ist,
- (d) die mit dem Gate-Anschluß (7) und dem Source-Anschluß (8) des MOSFET (1) verbunden ist, und
- (e) die einen mindestens einen pn-Übergang aufweisenden
Schalter enthält, der bei Erreichen einer ersten Tem
peratur einschaltet, so daß die Gate- und Source-Elek
troden (7, 8) des MOSFET (1) miteinander verbunden
werden,
dadurch gekennzeichnet, daß - (f) durch die erste Einrichtung (2) ein temperaturabhängi ges Signal erzeugt wird,
- (g) das Signal einer zweiten Einrichtung (3) zugeführt wird, die zwischen die Gate- und Source-Anschlüsse (7, 8) des MOSFET (1) geschaltet ist,
- (h) durch die zweite Einrichtung (3) die zwischen dem Gate- Anschluß und Source-Anschluß (7, 8) des MOSFET (1) an liegenden Spannung verringert wird, wenn eine zweite Temperatur erreicht wird, die niedriger als die erste Temperatur ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Einrichtung (3)
einen Inverter (26; 39) und ein steuerbares Spannungsverrin
gerungselement (28; 41, 44) enthält, daß der Schaltpunkt des
Inverters (26; 39) derart eingestellt ist, daß der Inverter
bei einem der zweiten Temperatur entsprechenden Signalpegel
des temperaturabhängigen Signals schaltet, und daß das Span
nungsverringerungselement (28; 41, 44) von einem Ausgangs
signal des Inverters (26; 39) in einen Zustand geringeren
Widerstands gesteuert wird.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Inverter einen er
sten und einen zweiten MOSFET (29, 30) vom Verarmungstyp ent
hält, daß die Drain-Source-Strecken der MOSFETs (29, 30) des
Inverters in Reihe zwischen die Gate- und Source-Anschlüsse
(7, 8) des MOSFET (1) geschaltet sind, daß der Drain-Anschluß
des ersten MOSFET (29) des Inverters mit dem Gate-Anschluß
(7) des MOSFET (1) verbunden ist, daß der Gate- und der
Source-Anschluß des ersten MOSFET (29) des Inverters mit
dem Drain-Anschluß des zweiten MOSFET (30) des Inverters
und mit einem Ausgang des Inverters verbunden sind, und
daß der Gate-Anschluß des zweiten MOSFET (30) des Inverters
von dem temperaturabhängigen Signal gesteuert wird.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2 oder 3, da
durch gekennzeichnet, daß das Span
nungsverringerungselement (28) einen ersten MOSFET (35)
und mindestens einen zweiten MOSFET (33) mit jeweils ver
bundenen Drain- und Source-Anschlüssen enthält, daß die
Drain-Source-Strecken des ersten und zweiten MOSFET (33,
35) des Spannungsverringerungselementes in Reihe zwischen
die Gate- und Source-Anschlüsse (7, 8) des MOSFET (1)
geschaltet sind und daß der Gate-Anschluß des zweiten
MOSFET (33) des Spannungsverringerungselementes über einen
weiteren Inverter (27) mit dem Ausgang des Inverters (26)
verbunden ist.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Zenerdiode (36)
in Sperrichtung zwischen die Gate- und Source-Anschlüsse
(7, 8) des MOSFET (1) geschaltet ist.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2 oder 3, da
durch gekennzeichnet, daß das Span
nungsverringerungselement (41, 44) einen ersten und minde
stens einen zweiten MOSFET (45, 46) mit jeweils verbunde
nen Drain- und Source-Anschlüssen enthält, daß die Drain-
Source-Strecken der ersten und zweiten MOSFETs (45, 46) des
Spannungsverringerungselementes in Reihe zwischen die Gate- und
Source-Anschlüsse (7, 8) des MOSFET (1) geschaltet sind,
daß die Drain-Source-Strecke eines weiteren MOSFET (44)
zwischen die Gate- und Source-Anschlüsse (7, 8) des MOSFET
(1) geschaltet ist, daß der Gate-Anschluß des weiteren
MOSFET (44) des Spannungsverringerungselementes mit dem
Drain-Anschluß und dem Gate-Anschluß des ersten MOSFET (45)
des Spannungsverringerungselementes verbunden ist und daß
parallel zur Drain-Source-Strecke des zweiten MOSFET (46)
des Spannungsverringerungselementes die Drain-Source-Strecke
eines MOSFET (50) geschaltet ist, dessen Gate-Anschluß
über einen weiteren Inverter (40) mit einem Ausgang des
Inverters (39) verbunden ist.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen den Gate-An
schluß des weiteren MOSFET (44) des Spannungsverringerungs
elementes und den Gate- und Drain-Anschlüssen des ersten
MOSFET (45) des Spannungsverringerungselementes mindestens
zwei weitere Inverter (42, 43) mit in Reihe geschalteten
Signalpfaden geschaltet sind.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4 oder 7, da
durch gekennzeichnet, daß die weiteren
Inverter (27, 40, 42, 43) je einen ersten MOSFET vom Anrei
cherungstyp enthalten, daß jeweils der Source-Anschluß des
ersten MOSFET eines der weiteren Inverter mit dem Source-
Anschluß (7) des MOSFET (1) verbunden ist und daß der Drain-
Anschluß des ersten MOSFET eines der weiteren Inverter
über eine Stromquelle mit dem Gate-Anschluß (8) des MOSFET
(1) verbunden ist.
9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die Stromquelle je eines
der weiteren Inverter ein MOSFET vom Verarmungstyp ist, des
sen Gate- und Source-Anschlüsse miteinander verbunden
sind.
10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die
erste und die zweite Einrichtung (2, 3) monolithisch inte
griert sind.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4305038A DE4305038C2 (de) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | MOSFET mit Temperaturschutz |
US08/192,820 US5457419A (en) | 1993-02-18 | 1994-02-07 | MOSFET with temperature protection |
JP04311894A JP3583803B2 (ja) | 1993-02-18 | 1994-02-16 | 半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4305038A DE4305038C2 (de) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | MOSFET mit Temperaturschutz |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4305038A1 true DE4305038A1 (de) | 1994-08-25 |
DE4305038C2 DE4305038C2 (de) | 1998-02-05 |
Family
ID=6480810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4305038A Expired - Fee Related DE4305038C2 (de) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | MOSFET mit Temperaturschutz |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5457419A (de) |
JP (1) | JP3583803B2 (de) |
DE (1) | DE4305038C2 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19522517C1 (de) * | 1995-06-21 | 1996-11-28 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Abschalten eines Leistungs-MOSFET bei Übertemperatur |
DE19522516C1 (de) * | 1995-06-21 | 1997-02-06 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Abschalten eines Leistungs-MOSFET bei Übertemperatur |
US5900775A (en) * | 1996-05-21 | 1999-05-04 | Siemens Aktiengesellschaft | MOSFET with temperature protection |
US5939872A (en) * | 1996-05-22 | 1999-08-17 | U.S. Philips Corporation | Thermal overload protection system providing supply voltage reduction in discrete steps at predetermined temperature thresholds |
US6061221A (en) * | 1996-09-18 | 2000-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Temperature-protected electrical switch component |
EP1345326A2 (de) * | 2002-03-12 | 2003-09-17 | Delphi Technologies, Inc. | Dynamische on-chip-Schaltung zur Steuerung der Stromanstiegsgeschwindigkeit für integrierte MOS-Schaltungen |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4401956A1 (de) * | 1994-01-24 | 1995-07-27 | Siemens Ag | Leistungs-Halbleiterbauelement mit Temperatursensor |
DE19548060A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Siemens Ag | Durch Feldeffekt steuerbares Leistungs-Halbleiterbauelement mit Temperatursensor |
JP3241279B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2001-12-25 | 株式会社日立製作所 | 保護機能付きスイッチ回路 |
DE19821834A1 (de) | 1998-05-15 | 1999-11-25 | Fahrzeugklimaregelung Gmbh | Power-Mos-Transistor |
US7332358B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-02-19 | Potentia Semiconductor Inc. | MOSFET temperature sensing |
JP5499792B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-05-21 | オムロン株式会社 | センサ用出力集積回路およびセンサ装置 |
EP3734244B1 (de) * | 2019-05-02 | 2021-11-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung und verfahren zur steuerung eines leistungshalbleiterschalters |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4698655A (en) * | 1983-09-23 | 1987-10-06 | Motorola, Inc. | Overvoltage and overtemperature protection circuit |
DE4122653A1 (de) * | 1991-07-09 | 1993-01-28 | Daimler Benz Ag | Steuerbare halbleiterschalteinrichtung mit integrierter strombegrenzung und uebertemperaturabschaltung |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3780322A (en) * | 1971-07-15 | 1973-12-18 | Motorola Inc | Minimized temperature coefficient voltage standard means |
US4117505A (en) * | 1976-11-19 | 1978-09-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thyristor with heat sensitive switching characteristics |
US4207481A (en) * | 1977-10-27 | 1980-06-10 | National Semiconductor Corporation | Power IC protection by sensing and limiting thermal gradients |
EP0208970B1 (de) * | 1985-07-09 | 1990-05-23 | Siemens Aktiengesellschaft | MOSFET mit Temperaturschutz |
JPH0693485B2 (ja) * | 1985-11-29 | 1994-11-16 | 日本電装株式会社 | 半導体装置 |
US5025298A (en) * | 1989-08-22 | 1991-06-18 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure with closely coupled substrate temperature sense element |
GB2248738A (en) * | 1990-10-08 | 1992-04-15 | Philips Electronic Associated | A temperature responsive circuit |
US5285346A (en) * | 1991-12-13 | 1994-02-08 | Motorola, Inc. | Current driven control circuit for a power device |
US5272392A (en) * | 1992-12-04 | 1993-12-21 | North American Philips Corporation | Current limited power semiconductor device |
-
1993
- 1993-02-18 DE DE4305038A patent/DE4305038C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-07 US US08/192,820 patent/US5457419A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-16 JP JP04311894A patent/JP3583803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4698655A (en) * | 1983-09-23 | 1987-10-06 | Motorola, Inc. | Overvoltage and overtemperature protection circuit |
DE4122653A1 (de) * | 1991-07-09 | 1993-01-28 | Daimler Benz Ag | Steuerbare halbleiterschalteinrichtung mit integrierter strombegrenzung und uebertemperaturabschaltung |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19522517C1 (de) * | 1995-06-21 | 1996-11-28 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Abschalten eines Leistungs-MOSFET bei Übertemperatur |
DE19522516C1 (de) * | 1995-06-21 | 1997-02-06 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Abschalten eines Leistungs-MOSFET bei Übertemperatur |
US5900775A (en) * | 1996-05-21 | 1999-05-04 | Siemens Aktiengesellschaft | MOSFET with temperature protection |
US5939872A (en) * | 1996-05-22 | 1999-08-17 | U.S. Philips Corporation | Thermal overload protection system providing supply voltage reduction in discrete steps at predetermined temperature thresholds |
US6061221A (en) * | 1996-09-18 | 2000-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Temperature-protected electrical switch component |
EP1345326A2 (de) * | 2002-03-12 | 2003-09-17 | Delphi Technologies, Inc. | Dynamische on-chip-Schaltung zur Steuerung der Stromanstiegsgeschwindigkeit für integrierte MOS-Schaltungen |
EP1345326A3 (de) * | 2002-03-12 | 2005-08-31 | Delphi Technologies, Inc. | Dynamische on-chip-Schaltung zur Steuerung der Stromanstiegsgeschwindigkeit für integrierte MOS-Schaltungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4305038C2 (de) | 1998-02-05 |
JP3583803B2 (ja) | 2004-11-04 |
US5457419A (en) | 1995-10-10 |
JPH06252722A (ja) | 1994-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0108283B1 (de) | Elektronischer Schalter | |
DE69315495T2 (de) | Schutzschaltung gegen Überspannungen für Leistungsbauteil | |
DE69420327T2 (de) | Halbleiter-Leistungsschaltung | |
DE69518049T2 (de) | Schutzschaltung zum Schutz einer Last vor zu hoher Eingangsspannung | |
DE3689445T2 (de) | Schutzschaltung für einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate. | |
DE69309193T2 (de) | Halbleiteranordnung mit isoliertem Gate | |
DE69504451T2 (de) | Schutz gegen elektrostatische Entladungen für integrierte Schaltungen | |
DE102007002377B4 (de) | Integrierte Schaltungsvorrichtung | |
DE69509737T2 (de) | Bidirektionaler Trennschalter für eine Batterie | |
DE102007058740B4 (de) | Schaltungsanordnung mit einer Überstromsicherung | |
DE10046668B4 (de) | Elektrische Lastansteuerungsschaltung mit Schutzeinrichtung | |
DE69025491T2 (de) | Photokopplerapparat zur Verkürzung der Schaltzeiten der Ausgangskontakte | |
DE3886823T2 (de) | Ansteuerung einer Halbleitervorrichtung. | |
WO2003012996A1 (de) | Schalteinrichtung zum schalten bei einer hohen betriebsspannung | |
DE102009007790B3 (de) | Treiberchip zum Treiben einer induktiven Last | |
DE4305038C2 (de) | MOSFET mit Temperaturschutz | |
DE112017003368T5 (de) | Treiberschaltung und leistungsmodul mit derselben | |
EP0766395A2 (de) | Leistungstransistor mit Kurzschlussschutz | |
DE3878655T2 (de) | Dc-ac-brueckenschaltung. | |
DE19619399A1 (de) | Schaltvorrichtung mit einem Leistungs-FET und einer induktiven Last | |
DE3420003A1 (de) | Anordnung zum verhindern uebermaessiger verlustleistung in einer leistungsschalthalbleitervorrichtung | |
DE3445167C2 (de) | ||
DE1613705A1 (de) | Energieantriebsstromkreis | |
DE3741394A1 (de) | Schaltungsanordnung zum schutz vor verpolungsschaeden fuer lastkreise mit einem mos-fet als schalttransistor | |
EP0384937A1 (de) | Schutzschaltung für einen Leistungs-MOSFET |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 23/62 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |