DE4229270A1 - Schichtverbund für elektronische Bauelemente - Google Patents
Schichtverbund für elektronische BauelementeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Schichtverbund für elektronische Bauelemente mit
einem eine Oberflächenschicht aus Kupfer oder aus einer Kupferlegierung auf
weisenden Trägerkörper, mit einer aus Aluminium oder aus einer Aluminiumle
gierung bestehenden Bondschicht und mit einer zwischen dem Trägerkörper und
der Bondschicht angeordneten, metallischen Sperrschicht.
Ein derartiger Schichtverbund ist beispielsweise in der DE-C2 33 43 250 be
schrieben. Bei dem bekannten Schichtverbund besteht der Trägerkörper aus einer
CuSn6-Verbindung und ist als Leiterkamm zur Verbindung von elektronischen
Bauelementen mit einer Stromversorgung ausgebildet. Im Bereich der Anschluß
finger des Leiterkamms an die Verbindungsdrahte zu den Halbleiterbauelementen
ist der Trägerkörper mit einer Bondschicht aus einer Aluminium-Silizium-Le
gierung belegt. Zwischen den Schichten des Verbundes muß ein möglichst ge
ringer elektrischer Übergangswiderstand gewährleistet sein. Im Grenzbereich
zwischen den Schichten des Trägerkörpers aus CuSn6 und der Bondschicht aus
AlSi-Legierung kommt es jedoch zu einer Ausbildung intermetallischer Phasen,
die sowohl eine verminderte Haftung- eine Versprödung, im Bereich der Kontakt
flache, eine Erhöhung der Korrosionsanfälligkeit des Schichtverbundes als auch
eine Veränderung seiner elektrischen Eigenschaften verursachen können. Daher
ist bei dem bekannten Schichtverbund zwischen dem Trägerkörper und der Bond
schicht eine Diffusionssperrschicht aus Nickel vorgesehen. Diese Nickelschicht
verhindert zwar die Ausbildung der schädlichen intermetallischen Phasen; es
handelt sich dabei jedoch um ein relativ teures Material, dessen Kosten die
Herstellkosten des Schichtverbundes wesentlich beeinflussen.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde einen Schichtver
bund anzugeben, der einfach und preisgünstig herstellbar ist.
Ausgehend von dem eingangs charakterisierten Schichtverbund wird die Aufgabe
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Sperrschicht aus Eisen oder aus einer
Eisenbasis-Legierung besteht.
Neben dem Erfordernis eines möglichst geringen spezifischen Widerstandes muß
die Sperrschicht auf dem Material des Trägerkörpers und/oder auf demjenigen
der Bondschicht eine gute Haftfestigkeit aufweisen. Weiterhin ist es erforder
lich, daß die Sperrschicht die Ausbildung intermetallischer Verbindungen im
Bereich der Grenzfläche zu dem Material des Trägerkörpers bzw. zu demjenigen
der Bondschicht verhindert, oder auf ein für die mechanischen und elektrischen
Eigenschaften des Schichtverbundes unschädliches Maß begrenzt, und daß die
Sperrschicht selbst eine ausreichende Korrosionsfestigkeit aufweist. Über
raschenderweise hat sich gezeigt, daß eine aus Eisen oder eine aus einer Ei
senbasis-Legierung bestehende Sperrschicht diese Anforderungen erfüllt. Der
Eisengehalt der Sperrschicht begrenzt zuverlässig die Diffusion von Kupfer
innerhalb der Sperrschicht und verhindert oder vermindert dadurch die Ausbil
dung schädlicher intermetallischer Phasen. Eine derartige Schicht aus Eisen
oder aus einer Eisenbasis-Legierung läßt sich aber wesentlich kostengünstiger
herstellen als die bekannten Sperrschichten. Unter einer Eisenbasis-Legierung
wird dabei eine Legierung verstanden, deren Eisengehalt, ausgedrückt in Ge
wichtsprozenten, größer ist als der jedes anderen Legierungsbestandteils.
Bevorzugt wird eine Sperrschicht, die aus Stahl, insbesondere aus Edelstahl
besteht. Das Aufbringen der Stahl-Sperrschicht erfordert keine besonderen
Vorkehrungen hinsichtlich der dabei herrschenden Atmosphäre; sie kann bei
spielsweise an Luft aufgebracht werden. Weiterhin ist Stahl keinen wesent
lichen Preisschwankungen unterworfen.
Als besonders vorteilhaft hat sich eine Zusammensetzung der Sperrschicht er
wiesen, die aus einem ferritischen Stahl besteht der ca. 0,1 Gew.-% Kohlen
stoff und weniger als 0,07 Gew.-% Stickstoff enthält. Eine derartige Sperr
schicht zeichnet sich durch hohe mechanische Festigkeit und chemische Bestän
digkeit aus und sie verhindert zuverlässig die Diffusion von Cu- oder Al-Ionen.
Der erfindungsgemäß hergestellte Schichtverbund wird vorzugsweise durch Auf
walzen der einzelnen Schichten hergestellt. Insbesondere hat es sich auch als
günstig erwiesen, daß die Sperrschicht aufgewalzt werden kann, ohne daß ein
Lösen des Schichtverbundes zu beobachten ist.
Um den durch die Sperrschicht zusätzlich verursachten elektrischen Widerstand
möglichst gering zu halten, wird die Sperrschicht möglichst dünn ausgelegt.
Für die Ausbildung des erfindungsgemäßen Schichtverbundes sind Sperrschichten
geeignet, deren Dicke auf einen Wert zwischen 2 µm und 100 µm eingestellt
ist. Bevorzugt werden Sperrschichten mit einer Dicke zwischen 5 µm und
20 µm.
Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Schichtverbundes ist in der
Zeichnung dargestellt und wird nachfolgend beispielhaft erläutert. In der
Zeichnung zeigt
Fig. 1 einen den erfindungsgemäßen Schichtverbund aufweisenden Leiterkamm in
Draufsicht,
Fig. 2 einen Vertikalschnitt durch den Leiterkamm gemaß Fig. 1 entlang der
Linie A-A und
Fig. 3 eine Ausschnittsvergrößerung X des Leiterkamms aus Fig. 2.
Der in Fig. 1 dargestellte Leiterkamm besteht aus Querstegen 1, die über
stromleitende Verbindungsstege 2 miteinander verbunden sind, sowie aus An
schlußfingern 3, die mit einer Bondschicht 4 versehen sind. Die Querstege 1,
die Verbindungsstege 2 und die Anschlußfinger 3 bestehen aus einer CuSn6-Le
gierung. Die den Bondschichten 4 gegenüberliegenden Anschlußfinger 3, weisen
eine Kontaktschicht 7 auf, die aus galvanisch aufgebrachtem Zinn besteht. Wie
sich aus der Ausschnittsvergrößerung des Bereiches um die Bondschicht 4 anhand
der Fig. 3 ergibt, ist zwischen der Bondschicht 4, die aus einer AlSi0,5-Le
gierung besteht und der Kupferlegierung der Anschlußfinger 3 eine Sperrschicht
5 angeordnet. Die Sperrschicht besteht aus ferritischem Stahl (USt3), die mit
einem Kohlenstoffgehalt von weniger als 0,1 Gew.-% und einem Stickstoffgehalt
von weniger als 0,07 Gew.-% spezifiziert ist. Sowohl die Sperrschicht 5 als
auch die Bondschicht 4 werden auf den Anschlußfingern 3 nach dem Walzplattier
verfahren aufgebracht.
Die Dicke der Sperrschicht 5 beträgt etwa 5 µm, die der Bondschicht 4 etwa
4 µm. Die Dicke des Anschlußfingers 3 aus der CuSn6-Legierung beträgt im
Bereich des Schichtverbundes etwa 750 µm.
Claims (6)
1. Schichtverbund für elektronische Bauelemente mit einem eine Oberflächen
schicht aus Kupfer oder aus einer Kupferlegierung aufweisenden Trägerkör
per, mit einer aus Aluminium oder aus einer Aluminiumlegierung bestehenden
Bondschicht und mit einer zwischen dem Substratkörper und der Bondschicht
angeordneten, metallischen Sperrschicht, dadurch gekennzeichnet, daß die
Sperrschicht (5) aus Eisen oder aus einer Eisenbasislegierung besteht.
2. Schichtverbund nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperr
schicht Stahl enthält.
3. Schichtverbund nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Sperrschicht (5) Edelstahl enthält.
4. Schichtverbund nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke der Sperrschicht (5) einen Wert zwischen 2 µm und
100 µm, vorzugsweise zwischen 5 µm und 20 µm, aufweist.
5. Schichtverbund nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (5) aufgewalzt ist.
6. Schichtverbund nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht (5) aus ferritischem Stahl
(USt3) besteht, der ca. 0,1 Gew.-% Kohlenstoff und weniger als 0,07 Gew.-%
Stickstoff enthält.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924229270 DE4229270A1 (de) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | Schichtverbund für elektronische Bauelemente |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924229270 DE4229270A1 (de) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | Schichtverbund für elektronische Bauelemente |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4229270A1 true DE4229270A1 (de) | 1994-03-03 |
Family
ID=6467043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19924229270 Withdrawn DE4229270A1 (de) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | Schichtverbund für elektronische Bauelemente |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4229270A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015121367A1 (de) * | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Verfahren zur herstellung einer bondbaren beschichtung auf einem trägerband |
-
1992
- 1992-09-02 DE DE19924229270 patent/DE4229270A1/de not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015121367A1 (de) * | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Verfahren zur herstellung einer bondbaren beschichtung auf einem trägerband |
DE102014101882A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung einer bondbaren Beschichtung auf einem Trägerband |
CN105981165A (zh) * | 2014-02-14 | 2016-09-28 | 贺利氏德国有限及两合公司 | 在载条上制造可结合覆层的方法 |
CN105981165B (zh) * | 2014-02-14 | 2018-11-30 | 贺利氏德国有限及两合公司 | 在载条上制造可结合覆层的方法 |
US10211180B2 (en) | 2014-02-14 | 2019-02-19 | Heraeus Deutschland GmbH & Co., KG | Method for producing a bondable coating on a carrier strip |
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