DE4222423C2 - Lichtempfindliche Masse - Google Patents

Lichtempfindliche Masse

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine lichtempfindliche Masse, welche ein Polysilanfilm-Muster zu bilden vermag.
Ein Polysilan ist ein organisches Polymer, das eine Si- Si-Kette als Rückgrat besitzt und Halbleitereigenschaften zeigt.
Von einem Polysilan ist bekannt, daß es bereits von sich aus einer Zersetzung oder Quervernetzungs-Reaktion unter Lichteinwirkung, z. B. Elektronenstrahl und Röntgen­ strahlung, unterliegt und seine Löslichkeit in einem Lösungsmittel ändert. Aus diesem Grunde hat das Polysilan eine große Beachtung als organisches Halbleitermaterial gefunden, das alleine ein Muster bei Belichtung und Entwicklung auf der Basis obengenannter Eigenschaften zu bilden vermag. Wird das Polysilan jedoch zur alleinigen Bildung eines Musters benutzt, besitzt das resultierende Muster eine unzureichende Querschnittsform und unzureichende Auflösung.
Die vorliegende Erfindung ist unter Beachtung oben­ genannter Situation entwickelt worden und hat die Aufgabe, eine lichtempfindliche Masse bereitzustellen, die ein Polysilan-Muster hervorragender Querschnittsform und Auflösung zu bilden vermag.
Die obengenannte Aufgabe der vorliegenden Erfindung kann durch eine lichtempfindliche Masse gelöst werden, die aus ein Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten der Formel (1)
worin bedeuten: R1 und R2 unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder nicht substituierte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, eine substituierte oder nicht substituierte Arylgruppe mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen oder eine substituierte oder nicht substituierte Aralkylgruppe mit 7 bis 22 Kohlenstoffatomen,
und einer Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure liefert, wobei diese Verbindung unter Sulfoniumsalzen, Iodoniumsalzen, Nitrobenzylverbindungen und Naphthochinon­ diazidverbindungen der folgenden Formel (2) ausgewählt ist:
Formel (2)
Wenn ein Prozeß der Musterbildung mit Belichtung und Entwicklung unter geeigneten Bedingungen auf eine lichtempfindliche Masse der vorliegenden Erfindung angewendet wird, dann kann ein Polysilanfilm-Muster gebildet werden, das eine nahezu rechtwinkelige Querschnittsform und eine hohe Auflösung, definiert durch Linien und Zwischenräume im Submikron-Bereich, besitzt.
Wenn, entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform, ein aromatischer Ring, der durch eine Hydroxylgruppe oder eine Gruppe zur Erzeugung einer Hydroxylgruppe substituiert ist, in eine Seitenkette des Polysilans der lichtempfindlichen Masse der vorliegenden Erfindung eingeführt wird, dann kann im Prozeß der Musterbildung eine Entwicklung unter Verwendung alkalischer Lösung benutzt werden.
Die Erfindung wird unten detailliert beschrieben. Eine lichtempfindliche Masse gemäß der Erfindung enthält als Hauptkomponente ein Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten nach Formel (1) und eine als Lieferant für eine Photosäure bezeichnete und unter Lichteinwirkung eine Säure liefernde Verbindung gemäß der obigen Definition als lichtempfindliche Komponente.
Das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1) besitzt eine Si-Si-Bindung als Rückgrat-Kette. Jede der Seitenketten R1 und R2 stellt unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder nicht substituierte Alkylgruppe, eine substituierte oder nicht substituierte Arylgruppe oder eine substituierte oder nicht substituierte Aralkylgruppe dar. Ein durchschnittliches Molekulargewicht des Polysilans gemäß der Erfindung liegt bevorzugt in einem Bereich von etwa 1.000 bis 500.000. Wenn das mittlere Molekulargewicht unter 1.000 liegt, wird die Löslichkeitsrate der lichtempfindlichen Masse in der für den Prozeß der Musterbildung verwendeten Entwicklungslösung übermässig hoch. Wenn andererseits, das mittlere Molekulargewicht über 500.000 liegt, wird die Synthesezeit für das Polysilan lang. Zusätzlich kann sich die Empfindlichkeit der lichtempfindlichen Masse verringern.
Spezielle Beispiele des Polysilans sind unten aufgelistet.
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Entsprechend der Erfindung enthält das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1) in wenigstens einer der Gruppen R1 und R2 bevorzugt einen aromatischen Ring, der durch mindestens eine Hydroxylgruppe oder mindestens eine Gruppe (z. B. eine Alkoxylgruppe oder eine Siloxylgruppe) zur Erzeugung einer Hydroxylgruppe an mindestens einer der Seitenketten substituiert ist. Noch spezifischer, dieses Polysilan ist ein Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten (1), in denen mindestens eine der Gruppen R1 und R2 eine Arylgruppe darstellt, die durch eine Hydroxylgruppe, eine substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe oder eine substituierte oder nicht substituierte Siloxylgruppe substituiert ist, oder in denen mindestens eine der Gruppen R1 und R2 eine Aralkylgruppe darstellt, die einen aromatischen Ring enthält, der durch eine Hydroxylgruppe, eine substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe oder durch eine substituierte oder nicht substituierte Siloxylgruppe substituiert ist.
Das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1) kann aus einem Polysilan bestehen, in dem mindestens eine der Gruppen R1 und R2 eine Aryl- oder Aralkylgruppe darstellt, wobei mindestens zwei benachbarte Positionen am aromatischen Ring durch Alkoxylgruppen substituiert sind, worin mindestens zwei Alkoxylgruppen unter Ringbildung miteinander verbunden sind. Das Polysilan kann auch ein Copolymer sein, bestehend aus mindestens zwei verschiedenen wiederkehrenden Einheiten.
Es ist auch möglich, anstelle des Polysilans mit den wiederkehrenden Einheiten (1) mindestens zwei Arten von Polysilanen zu verwenden, wie eine Mischung, bestehend aus einem Polysilan mit einem aromatischen Ring, in dem mindestens eine der Gruppen R1 und R2 durch eine Hydroxyl­ gruppe substituiert ist, und einem weiteren Polysilan mit einem aromatischen Ring, in dem mindestens eine der Gruppen R1 und R2 durch eine substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe oder eine substituierte oder nicht substituierte Siloxylgruppe substituiert ist.
Spezielle Beispiele für Polysilane, in denen mindestens eine Seitenkette einen aromatischen Ring besitzt, der durch eine Alkoxylgruppe substituiert ist, und spezielle Beispiele für Polysilane, in denen mindestens eine Seitenkette einen aromatischen Ring besitzt, der durch eine Siloxylgruppe substituiert ist, sind unten aufgelistet. Diese Polysilane werden bevorzugt, weil sie bei Belichtung und Entwicklung Hydroxylgruppen bilden und weil sich die Masse der Erfindung in alkalischer Lösung entwickeln läßt. Insbesondere wird ein Polysilan bevorzugt, dessen Seitenkette einen aromatischen Ring besitzt, der durch eine Siloxylgruppe substituiert ist, weil dessen Synthese einfach durchzuführen ist.
(Polysilane in denen die Seitenketten aromatische Ringe besitzen, die durch Alkoxylgruppen substituiert sind)
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
(Polysilane, in denen die Seitenketten aromatische Ringe besitzen, die durch Siloxylgruppen substituiert sind)
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Auf der einen Seite ist der Lieferant für die Photosäure, die als lichtempfindliche Komponente dient, in der lichtemp­ findlichen Masse eine Verbindung, die unter Lichteinwirkung zerfällt und eine Säure freisetzt, wobei diese Verbindung unter Sulfoniumsalzen, Iodoniumsalzen, Nitrobenzylverbindun­ gen und Naphthochinondiazidverbindungen der oben dargestell­ ten Formel (2) ausgewählt ist. Spezielle Beispiele für einen Lieferanten für eine Photosäure sind unten aufgelistet. Ein Sulfoniumsalz wird in der Praxis besonders bevorzugt.
Eine lichtempfindliche Masse gemäß der Erfindung kann durch Auflösen eines Polysilans mit wiederkehrenden Einheiten (1) und einem Lieferanten für die Photosäure, wie oben beschrieben, in einem geeigneten Lösungsmittel hergestellt werden. Beispiele für das Lösungsmittel sind Toluol, Xylol, Dimethylformamid, Dimethylacetamid und ein Lösungsmittel aus der Cellosolve-Serie. In diesem Fall werden etwa 0,01 bis 30 Gewichtsteile, bevorzugter 0,5 bis 5 Gewichtsteile, des Lieferanten für die Photosäure mit 100 Gewichtsteilen des Polysilans, aus folgenden Gründen, gemischt. Wenn die Menge an Lieferant für die Photosäure geringer als 0,01 Gewichtsteilen ist, wird die Reaktion zwischen der Säure, die unter Belichtung erzeugt wird, und dem Polysilan unzureichend. Wenn die Menge des Lieferanten für die Photosäure 30 Gewichtsteile überschreitet, werden die Lagerungsbeständigkeit der lichtempfindlichen Masse und die Halbleitereigenschaften eines resultierenden Polysilanfilm- Musters ungünstig beeinflußt.
Die Funktion der lichtempfindlichen Masse der Erfindung wird in bezug auf ein Musterbildungs-Prozeß mittels dieser lichtempfindlichen Masse beschrieben.
Mit der hergestellten lichtempfindlichen Masse wird durch Spinnbeschichten auf ein Substrat, wie ein Silizium- Mikroplättchen, aufgetragen und der so gebildete Film wird dann bei etwa 70°C bis 120°C vorgetrocknet, um Lösungsmittel bis zu einem gewissen Grad zu verdampfen, wobei sich eine Schicht aus der lichtempfindlichen Masse bildet. Diese Schicht wird tiefem UV-Licht, einem KrF Exzimer Laserlicht, einem Elektronenstrahl, Röntgen­ strahlung oder ähnlichem ausgesetzt. Nach der Belichtung wird der resultierende Film bei etwa 90°C bis 130°C nach Bedarf festgebacken.
Während der obengenannten Belichtung wird der Lieferant für die Photosäure im belichteten Bereich der licht­ empfindlichen Masse unter Freisetzung einer Säure zersetzt. Diese Säure dient als Katalysator, um die Si-Si- Kette des Polysilan-Rückgrats mit den wiederkehrenden Einheiten (1) zu spalten, wobei sein Molekulargewicht reduziert wird. Danach wird fertiggebacken, um das Molekulargewicht des Polysilans weiter zu reduzieren. Die weitere Entwicklung der fertiggebackenen oder hartgetrockneten Schicht des lichtempfindlichen Materials wird mit einem organischen Lösungsmittel, auf der Basis eines alkoholhaltigen Lösungsmittels als Entwicklungs­ lösung, durchgeführt und die entwickelte Schicht wird gewaschen. Zu diesem Zeitpunkt, da das Molekulargewicht des Polysilans im belichteten Bereich der Schicht reduziert ist, besitzt dieser Bereich eine hohe Löslichkeit in der Entwicklungslösung. Nur der belichtete Bereich wird bei dieser Entwicklung entfernt, der nicht belichtete Bereich bleibt zurück. Die lichtempfindliche Masse, gemäß der vorliegenden Erfindung, zeigt positive lichtempfindliche Eigenschaften, so daß ein Polysilanfilm mit dem gewünschten Muster erhalten wird.
Bei der lichtempfindlichen Masse der Erfindung läßt sich nach dem oben genannten Prozeß leicht ein Polysilanfilm- Muster herstellen. Im Vergleich zur herkömmlichen Methode, worin ein Polysilan allein benutzt wird, wird insbesondere das Molekulargewicht des Polysilans im belichteten Bereich durch das Verhalten des Lieferanten für die Photosäure stark reduziert, und die Löslichkeit des belichteten Bereichs in der Entwicklungslösung kann erhöht werden. Aus diesem Grunde besitzt das resultierende Muster eine exakte Form (insbesondere eine Querschnittsform) und seine Auflösung kann verbessert sein.
Mit der lichtempfindlichen Masse der Erfindung kann die Auflösung des resultierenden Musters weiter verbessert werden, wenn als Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1), ein solches benutzt wird, bei dem, in mindestens einer der Seitenketten in R1 und R2 ein aromatischer Ring enthalten ist, der durch eine Hydroxylgruppe, eine Alkoxylgruppe oder eine Siloxylgruppe substituiert ist.
Wenn das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1) einen aromatischen Ring an einer Seitenkette besitzt, der durch eine Hydroxylgruppe substituiert ist, kann die Spaltung der Si-Si-Kette des Rückgrats während der Belichtung erleichtert werden, um das Molekulargewicht des Polysilans weiter zu reduzieren, wobei ein feineres Muster erhalten wird. Dieses Polysilan zeigt Alkali-Löslichkeit, bedingt durch eine Hydroxylgruppe (z. B. eine phenolische Hydroxylgruppe), die direkt an einen aromatischen Ring gebunden ist. Aus diesem Grunde kann während der Entwicklung eine wäßrige Alkalilösung verwendet werden und das resultierende Muster besitzt eine höhere Auflösung. Wenn das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1) einen aromatischen Ring an mindestens einer Seitenkette besitzt, der durch eine Alkoxyl- oder eine Siloxylgruppe substituiert ist, tritt, zusätzlich zur Abnahme des Molekulargewichtes nach der Belichtung, eine andere Reaktion ein. Wenn eine Harttrocknung unter Anwesenheit einer durch Belichtung erzeugten Säure durchgeführt wird, wird die Alkoxylgruppe oder Siloxylgruppe, die am aromatischen Ring der Seitenkette des Polysilans gebunden ist, zu einer Hydroxylgruppe umgewandelt. In diesem Fall wird im belichteten Bereich der lichtempfindlichen Masse eine Hydroxylgruppe (z. B. eine phenolische Hydroxylgruppe) gebildet, die direkt am aromatischen Ring der Seitenkette des Polysilans gebunden ist. Neben der Tatsache, daß zur Entwicklung eine wäßrige alkalische Lösung benutzt werden kann, kann daher die Differenz in der Löslichkeit zwischen belichteten und nicht belichtete n Bereich der lichtempfindlichen Masse in der wäßrigen alkalischen Lösung erhöht werden, um die Auflösung des resultierenden Musters stark zu verbessern.
Eine Masse, die ein Kohlenstoffpolymer, wie ein alkalilösliches Polymer und einen Lieferanten für die Photosäure enthält, der in der Erfindung verwendet werden kann, ist als lichtempfindliche Masse zur Bildung eines Mikromusters, wie eines Photoresist-Musters, bekannt. Auch in dieser Masse wird der Lieferant für die Photosäure unter Lichteinwirkung zersetzt, wobei eine Säure freigesetzt wird. Diese Säure greift das Polymer auf Kohlenstoffbasis an, wobei sie die Löslichkeit der Masse in der Entwicklungslösung ändert. In dieser Masse besitzt das Polymer auf Kohlenstoffbasis eine hohe Absorptionsfähigkeit bei Belichtung mit einem UV-Strahl einer Wellenlänge von 200 nm oder kleiner, und insbesondere bei Belichtung mit ArF-Exzimer-Laserlicht (193 nm) auf der Basis der C-C- Bindungs-Kette des Rückgrats. Dieses Polymer besitzt eine geringe Durchlässigkeit in diesem Wellenlängenbereich. Daher verläuft die Zersetzung des Lieferanten für die Photosäure unzureichend, wenn die Belichtung dieser Masse bei einem UV-Licht von etwa 200 nm durchgeführt wird, und die Masse besitzt eine niedrige Empfindlichkeit.
Im Gegensatz dazu wird in der lichtempfindlichen Masse der vorliegenden Erfindung die UV-Absorption des Polysilans, auf der Basis der Si-Si-Bindungskette als Rückgrat, zu längerer Wellenlänge verschoben (im Bereich von etwa 150 bis 200 nm), als der Absorptionsbereich der C-C-Bindung. Wenn die Masse der vorliegenden Erfindung mit UV-Licht einer Wellenlänge von etwa 200 nm belichtet wird, besitzt sie eine hohe Durchlässigkeit und die Zersetzung des Lieferanten für die Photosäure verläuft ausreichend. Auf diese Weise besitzt die lichtempfindliche Masse der vorliegenden Erfindung eine sehr hohe Empfindlichkeit, wenn eine Belichtung mit kurzwelliger UV-Strahlung von etwa 250 nm oder kleiner, insbesondere mit einem ArF Exzimer Laser, erfolgt.
Die vorliegende Erfindung wird anhand von Beispielen detailliert beschrieben. Diese Beispiele sollen das Verständnis der vorliegenden Erfindung erleichtern, ohne sie einzuschränken.
Beispiele 1-5
Polysilane und Lieferanten für die Photosäure wurden in einem geeigneten Lösungsmittel, entsprechend den Zusammensetzungen nach Tabelle 1 (siehe unten) gemischt, um lichtempfindliche Masseproben der vorliegenden Erfindung herzustellen.
Vergleichsbeispiele 1 und 2
Polysilane, wie in Tabelle 1 dargestellt, wurden als Vergleichsbeispiele hergestellt. In diesen Beispielen wurde zu den jeweiligen Polysilanen kein Lieferant für die Photosäure hinzugefügt.
Table 1
1: trapezförmig; 2: rechtwinkelig; 3: rechtwinkelig; 4: rechtwinkelig; 5: rechtwinkelig; 6: dreieckig; 7: dreieckig
*1: Eine Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure freisetzt
*2: Einheit: mJ/cm2 für Belichtung mit KrF-Exzimer- Laserlicht (Beispiele 1, 3 und 4 und Vergleichsbeispiel 1) µC/cm2 für Belichtung mit Elektronenstrahl (Beispiele 2 und 5 und Vergleichsbeispiel 2)
*3: Entwicklungslösung:
α... Isopropanol/Cyclohexan (Mischung im Gewichtsverhältnis von 1 : 1)
β... TMAH (2,38 Gewichtsprozent einer wässrigen Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid)
Muster wurden gebildet, indem die lichtempfindlichen Massenproben der Beispiele 1-5 und die Polysilanproben der Vergleichsbeispiele 1 und 2, gemäß den Bedingungen (Tabelle 1), wie Beschichtung, Belichtung (KrF-Exzimer- Laser einer Wellenlänge von 248 nm oder Elektronenstrahl), Harttrocknung und Entwicklungsbedingungen, benutzt wurden. Belichtungsgröße (Empfindlichkeiten) aller Proben, an Auflösungen und Querschnittsformen der resultierenden Muster sind ebenfalls in Tabelle 1 zusammengefasst.
Die chemischen Formeln der Verbindungen, die durch Symbole in Tabelle 1 dargestellt sind, werden in Tabelle A dargestellt.
Tabelle A
Tabelle A (Fortsetz.)
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Tabelle A (Fortsetz.)
Wie aus den Ergebnissen der Tabelle 1 hervorgeht, besitzen die lichtempfindlichen Massen gemäß der Erfindung, die jeweils ein Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten (1) und einen Lieferanten für die Photosäure enthalten, höhere Empfindlichkeiten als die Proben, die nur Polysilane der Vergleichsbeispiele enthalten, wenn Belichtung mit KrF- Exzimer-Laserlicht oder einem Elektronenstrahl erfolgt. Bei Belichtung und Entwicklung dieser Massen besitzen die gebildeten Muster eine hervorragende Auflösung und Querschnittsform.
Beispiele 6-10
Polysilane und Lieferanten für die Photosäure wurden in einem geeigneten Lösungsmittel nach den Zusammensetzungen in Tabelle 2 (unten) gemischt, um lichtempfindliche Massen gemäß der Erfindung herzustellen.
Vergleichsbeispiel 3
Polyvinylphenol und ein Lieferant für die Photosäure wurden in einem geeigneten Lösungsmittel nach der Zusammensetzung in Tabelle 2 gemischt, um eine lichtempfindliche Masse herzustellen. Dieses Vergleichsbeispiel ist ein System, das ein Polymer auf Kohlenstoffbasis enthält.
Die Muster wurden gebildet, indem die lichtempfindlichen Massenproben der Beispiele 6 bis 10 und des Vergleichs­ beispiels 3 verwendet wurden, gemäß den Bedingungen (Tabelle 2), wie Beschichtung, Belichtung (ArF-Exzimer- Laser einer Wellenlänge von 192 nm), Harttrocknung und Entwicklungsbedingungen.
Belichtungsmengen (Empfindlichkeiten) aller Proben und die Auflösungen und Querschnittsformen der resultierenden Muster sind ebenfalls in Tabelle 2 zusammengefasst.
Die chemischen Formeln der Verbindungen, die durch Symbole in Tabelle 2 dargestellt sind, sind in Tabelle B dargestellt.
Table 2
Tabelle B
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Tabelle B (Fortsetz.)
Wie aus Tabelle 2 ersichtlich, besitzen die lichtempfindlichen Massen, die jeweils ein Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten (1) und einen Lieferanten für die Photosäure enthalten, höhere Empfindlichkeiten als die lichtempfindliche Masse, das das Polymer auf Kohlenstoffbasis, entsprechend dem Vergleichsbeispiel, enthält. Dies gilt für den Fall, wo mit ArF-Exzimer- Laserlicht belichtet wird. Zusätzlich besitzen die Muster, die durch Belichtung und Entwicklung der erfindungsgemäßen Massen erhalten wurden, eine hervorragende Auflösung.

Claims (12)

1. Lichtempfindliche Masse mit einem Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten der Formel (1)
worin bedeuten: R1 und R2 unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder nicht substituierte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, eine substituierte oder nicht substituierte Arylgruppe mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen oder eine substituierte oder nicht substituierte Aralkylgruppe mit 7 bis 22 Kohlenstoffatomen,
und einer Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure liefert, wobei diese Verbindung unter Sulfoniumsalzen, Iodoniumsalzen, Nitrobenzylverbindungen und Naphthochinon­ diazidverbindungen der folgenden Formel (2) ausgewählt ist:
Formel (2):
2. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2 eine Arylgruppe darstellt, die durch mindestens eine Hydroxygruppe substituiert ist.
3. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2 eine Arylgruppe darstellt, die durch mindestens eine substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe substituiert ist.
4. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2 eine Arylgruppe darstellt, die durch mindestens eine substituierte oder nicht substituierte Siloxylgruppe substituiert ist.
5. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2 eine Aralkylgruppe darstellt, die einen aromatischen Ring enthält, der durch mindestens eine Hydroxylgruppe substituiert ist.
6. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2 eine Aralkylgruppe darstellt, die einen aromatischen Ring enthält, der durch mindestens eine substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe substituiert ist.
7. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2 eine Aralkylgruppe darstellt, die einen aromatischen Ring enthält, der durch mindestens eine substituierte oder nicht substituierte Siloxylgruppe substituiert ist.
8. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polysilan aus folgender Mischung besteht: aus einem Polysilan, in dem wenigstens eine der Gruppen R1 und R2 einen aromatischen Ring enthält, der durch eine Hydroxylgruppe substituiert ist, und einem Polysilan, in dem wenigstens eine der Gruppen R1 und R2 einen aromatischen Ring enthält, der durch eine substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe oder durch eine substituierte oder nicht substituierte Siloxylgruppe substituiert ist.
9. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich das durchschnittliche Molekular­ gewicht des Polysilans in einem Bereich von ungefähr 1.000 bis 500.000 bewegt.
10. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung, die unter Lichtein­ wirkung eine Säure erzeugt, eine 1,2-Naphthochinondiazid-4- sulfonatverbindung ist.
11. Lichtempfindliche Masse nach einem der Ansprüche 1, 3, 4, 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß etwa 0,01 bis 30 Gewichtsteile der Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure erzeugt, mit 100 Gewichtsteilen des Polysilans gemischt sind.
12. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß etwa 0,5 bis 5 Gewichtsteile der Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure erzeugt, mit 100 Gewichtsteilen des Polysilans gemischt sind.
DE4222423A 1991-07-08 1992-07-08 Lichtempfindliche Masse Expired - Lifetime DE4222423C2 (de)

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