DE4222423C2 - Lichtempfindliche Masse - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine
lichtempfindliche Masse, welche ein Polysilanfilm-Muster
zu bilden vermag.
Ein Polysilan ist ein organisches Polymer, das eine Si-
Si-Kette als Rückgrat besitzt und Halbleitereigenschaften
zeigt.
Von einem Polysilan ist bekannt, daß es bereits von sich
aus einer Zersetzung oder Quervernetzungs-Reaktion unter
Lichteinwirkung, z. B. Elektronenstrahl und Röntgen
strahlung, unterliegt und seine Löslichkeit in einem
Lösungsmittel ändert. Aus diesem Grunde hat das Polysilan
eine große Beachtung als organisches Halbleitermaterial
gefunden, das alleine ein Muster bei Belichtung und
Entwicklung auf der Basis obengenannter Eigenschaften zu
bilden vermag. Wird das Polysilan jedoch zur alleinigen
Bildung eines Musters benutzt, besitzt das resultierende
Muster eine unzureichende Querschnittsform und
unzureichende Auflösung.
Die vorliegende Erfindung ist unter Beachtung oben
genannter Situation entwickelt worden und hat die Aufgabe,
eine lichtempfindliche Masse bereitzustellen, die ein
Polysilan-Muster hervorragender Querschnittsform und
Auflösung zu bilden vermag.
Die obengenannte Aufgabe der vorliegenden Erfindung kann
durch eine lichtempfindliche Masse gelöst werden, die aus
ein Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten der Formel (1)
worin bedeuten: R1 und R2 unabhängig voneinander ein
Wasserstoffatom, eine substituierte oder nicht
substituierte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen,
eine substituierte oder nicht substituierte Arylgruppe
mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen oder eine substituierte
oder nicht substituierte Aralkylgruppe mit 7 bis 22
Kohlenstoffatomen,
und einer Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure liefert, wobei diese Verbindung unter Sulfoniumsalzen, Iodoniumsalzen, Nitrobenzylverbindungen und Naphthochinon diazidverbindungen der folgenden Formel (2) ausgewählt ist:
und einer Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure liefert, wobei diese Verbindung unter Sulfoniumsalzen, Iodoniumsalzen, Nitrobenzylverbindungen und Naphthochinon diazidverbindungen der folgenden Formel (2) ausgewählt ist:
Wenn ein Prozeß der Musterbildung mit Belichtung und
Entwicklung unter geeigneten Bedingungen auf eine
lichtempfindliche Masse der vorliegenden Erfindung
angewendet wird, dann kann ein Polysilanfilm-Muster
gebildet werden, das eine nahezu rechtwinkelige
Querschnittsform und eine hohe Auflösung, definiert durch
Linien und Zwischenräume im Submikron-Bereich, besitzt.
Wenn, entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform,
ein aromatischer Ring, der durch eine Hydroxylgruppe oder
eine Gruppe zur Erzeugung einer Hydroxylgruppe substituiert
ist, in eine Seitenkette des Polysilans der
lichtempfindlichen Masse der vorliegenden Erfindung
eingeführt wird, dann kann im Prozeß der Musterbildung eine
Entwicklung unter Verwendung alkalischer Lösung benutzt
werden.
Die Erfindung wird unten detailliert beschrieben.
Eine lichtempfindliche Masse gemäß der Erfindung enthält
als Hauptkomponente ein Polysilan mit wiederkehrenden
Einheiten nach Formel (1) und eine als Lieferant für eine
Photosäure bezeichnete und unter Lichteinwirkung eine Säure liefernde
Verbindung gemäß der obigen Definition als lichtempfindliche Komponente.
Das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1)
besitzt eine Si-Si-Bindung als Rückgrat-Kette. Jede der
Seitenketten R1 und R2 stellt unabhängig voneinander ein
Wasserstoffatom, eine substituierte oder nicht
substituierte Alkylgruppe, eine substituierte oder nicht
substituierte Arylgruppe oder eine substituierte oder nicht
substituierte Aralkylgruppe dar. Ein durchschnittliches
Molekulargewicht des Polysilans gemäß der Erfindung liegt
bevorzugt in einem Bereich von etwa 1.000 bis 500.000. Wenn
das mittlere Molekulargewicht unter 1.000 liegt, wird die
Löslichkeitsrate der lichtempfindlichen Masse in der für
den Prozeß der Musterbildung verwendeten Entwicklungslösung
übermässig hoch. Wenn andererseits, das mittlere
Molekulargewicht über 500.000 liegt, wird die Synthesezeit
für das Polysilan lang. Zusätzlich kann sich die
Empfindlichkeit der lichtempfindlichen Masse verringern.
Spezielle Beispiele des Polysilans sind unten
aufgelistet.
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Entsprechend der Erfindung enthält das Polysilan mit den
wiederkehrenden Einheiten (1) in wenigstens einer der
Gruppen R1 und R2 bevorzugt einen aromatischen Ring, der
durch mindestens eine Hydroxylgruppe oder mindestens eine
Gruppe (z. B. eine Alkoxylgruppe oder eine Siloxylgruppe)
zur Erzeugung einer Hydroxylgruppe an mindestens einer der
Seitenketten substituiert ist. Noch spezifischer, dieses
Polysilan ist ein Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten
(1), in denen mindestens eine der Gruppen R1 und R2 eine
Arylgruppe darstellt, die durch eine Hydroxylgruppe, eine
substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe oder
eine substituierte oder nicht substituierte Siloxylgruppe
substituiert ist, oder in denen mindestens eine der Gruppen
R1 und R2 eine Aralkylgruppe darstellt, die einen
aromatischen Ring enthält, der durch eine Hydroxylgruppe,
eine substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe
oder durch eine substituierte oder nicht substituierte
Siloxylgruppe substituiert ist.
Das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1) kann
aus einem Polysilan bestehen, in dem mindestens eine der
Gruppen R1 und R2 eine Aryl- oder Aralkylgruppe darstellt,
wobei mindestens zwei benachbarte Positionen am
aromatischen Ring durch Alkoxylgruppen substituiert sind,
worin mindestens zwei Alkoxylgruppen unter Ringbildung
miteinander verbunden sind. Das Polysilan kann auch ein
Copolymer sein, bestehend aus mindestens zwei verschiedenen
wiederkehrenden Einheiten.
Es ist auch möglich, anstelle des Polysilans mit den
wiederkehrenden Einheiten (1) mindestens zwei Arten von
Polysilanen zu verwenden, wie eine Mischung, bestehend aus
einem Polysilan mit einem aromatischen Ring, in dem
mindestens eine der Gruppen R1 und R2 durch eine Hydroxyl
gruppe substituiert ist, und einem weiteren Polysilan mit
einem aromatischen Ring, in dem mindestens eine der Gruppen
R1 und R2 durch eine substituierte oder nicht substituierte
Alkoxylgruppe oder eine substituierte oder nicht
substituierte Siloxylgruppe substituiert ist.
Spezielle Beispiele für Polysilane, in denen mindestens
eine Seitenkette einen aromatischen Ring besitzt, der durch
eine Alkoxylgruppe substituiert ist, und spezielle
Beispiele für Polysilane, in denen mindestens eine
Seitenkette einen aromatischen Ring besitzt, der durch eine
Siloxylgruppe substituiert ist, sind unten aufgelistet.
Diese Polysilane werden bevorzugt, weil sie bei Belichtung
und Entwicklung Hydroxylgruppen bilden und weil sich die
Masse der Erfindung in alkalischer Lösung entwickeln läßt.
Insbesondere wird ein Polysilan bevorzugt, dessen
Seitenkette einen aromatischen Ring besitzt, der durch eine
Siloxylgruppe substituiert ist, weil dessen Synthese
einfach durchzuführen ist.
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Auf der einen Seite ist der Lieferant für die Photosäure,
die als lichtempfindliche Komponente dient, in der lichtemp
findlichen Masse eine Verbindung, die unter Lichteinwirkung
zerfällt und eine Säure freisetzt, wobei diese Verbindung
unter Sulfoniumsalzen, Iodoniumsalzen, Nitrobenzylverbindun
gen und Naphthochinondiazidverbindungen der oben dargestell
ten Formel (2) ausgewählt ist. Spezielle Beispiele für einen
Lieferanten für eine Photosäure sind unten aufgelistet. Ein
Sulfoniumsalz wird in der Praxis besonders bevorzugt.
Eine lichtempfindliche Masse gemäß der Erfindung kann durch
Auflösen eines Polysilans mit wiederkehrenden Einheiten (1)
und einem Lieferanten für die Photosäure, wie oben
beschrieben, in einem geeigneten Lösungsmittel hergestellt
werden. Beispiele für das Lösungsmittel sind Toluol, Xylol,
Dimethylformamid, Dimethylacetamid und ein Lösungsmittel
aus der Cellosolve-Serie. In diesem Fall werden etwa 0,01
bis 30 Gewichtsteile, bevorzugter 0,5 bis 5 Gewichtsteile,
des Lieferanten für die Photosäure mit 100 Gewichtsteilen
des Polysilans, aus folgenden Gründen, gemischt. Wenn die
Menge an Lieferant für die Photosäure geringer als 0,01
Gewichtsteilen ist, wird die Reaktion zwischen der Säure,
die unter Belichtung erzeugt wird, und dem Polysilan
unzureichend. Wenn die Menge des Lieferanten für die
Photosäure 30 Gewichtsteile überschreitet, werden die
Lagerungsbeständigkeit der lichtempfindlichen Masse und die
Halbleitereigenschaften eines resultierenden Polysilanfilm-
Musters ungünstig beeinflußt.
Die Funktion der lichtempfindlichen Masse der Erfindung
wird in bezug auf ein Musterbildungs-Prozeß mittels dieser
lichtempfindlichen Masse beschrieben.
Mit der hergestellten lichtempfindlichen Masse wird durch
Spinnbeschichten auf ein Substrat, wie ein Silizium-
Mikroplättchen, aufgetragen und der so gebildete Film wird
dann bei etwa 70°C bis 120°C vorgetrocknet, um
Lösungsmittel bis zu einem gewissen Grad zu verdampfen,
wobei sich eine Schicht aus der lichtempfindlichen Masse
bildet. Diese Schicht wird tiefem UV-Licht, einem KrF
Exzimer Laserlicht, einem Elektronenstrahl, Röntgen
strahlung oder ähnlichem ausgesetzt. Nach der Belichtung
wird der resultierende Film bei etwa 90°C bis 130°C nach
Bedarf festgebacken.
Während der obengenannten Belichtung wird der Lieferant für
die Photosäure im belichteten Bereich der licht
empfindlichen Masse unter Freisetzung einer Säure
zersetzt. Diese Säure dient als Katalysator, um die Si-Si-
Kette des Polysilan-Rückgrats mit den wiederkehrenden
Einheiten (1) zu spalten, wobei sein Molekulargewicht
reduziert wird. Danach wird fertiggebacken, um das
Molekulargewicht des Polysilans weiter zu reduzieren.
Die weitere Entwicklung der fertiggebackenen oder
hartgetrockneten Schicht des lichtempfindlichen Materials
wird mit einem organischen Lösungsmittel, auf der Basis
eines alkoholhaltigen Lösungsmittels als Entwicklungs
lösung, durchgeführt und die entwickelte Schicht wird
gewaschen. Zu diesem Zeitpunkt, da das Molekulargewicht des
Polysilans im belichteten Bereich der Schicht reduziert
ist, besitzt dieser Bereich eine hohe Löslichkeit in der
Entwicklungslösung. Nur der belichtete Bereich wird bei
dieser Entwicklung entfernt, der nicht belichtete Bereich
bleibt zurück. Die lichtempfindliche Masse, gemäß der
vorliegenden Erfindung, zeigt positive lichtempfindliche
Eigenschaften, so daß ein Polysilanfilm mit dem gewünschten
Muster erhalten wird.
Bei der lichtempfindlichen Masse der Erfindung läßt sich
nach dem oben genannten Prozeß leicht ein Polysilanfilm-
Muster herstellen. Im Vergleich zur herkömmlichen Methode,
worin ein Polysilan allein benutzt wird, wird insbesondere
das Molekulargewicht des Polysilans im belichteten
Bereich durch das Verhalten des Lieferanten für die
Photosäure stark reduziert, und die Löslichkeit des
belichteten Bereichs in der Entwicklungslösung kann erhöht
werden. Aus diesem Grunde besitzt das resultierende Muster
eine exakte Form (insbesondere eine Querschnittsform) und
seine Auflösung kann verbessert sein.
Mit der lichtempfindlichen Masse der Erfindung kann die
Auflösung des resultierenden Musters weiter verbessert
werden, wenn als Polysilan mit den wiederkehrenden
Einheiten (1), ein solches benutzt wird, bei dem, in
mindestens einer der Seitenketten in R1 und R2 ein
aromatischer Ring enthalten ist, der durch eine
Hydroxylgruppe, eine Alkoxylgruppe oder eine Siloxylgruppe
substituiert ist.
Wenn das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1)
einen aromatischen Ring an einer Seitenkette besitzt, der
durch eine Hydroxylgruppe substituiert ist, kann die
Spaltung der Si-Si-Kette des Rückgrats während der
Belichtung erleichtert werden, um das Molekulargewicht des
Polysilans weiter zu reduzieren, wobei ein feineres Muster
erhalten wird. Dieses Polysilan zeigt Alkali-Löslichkeit,
bedingt durch eine Hydroxylgruppe (z. B. eine phenolische
Hydroxylgruppe), die direkt an einen aromatischen Ring
gebunden ist. Aus diesem Grunde kann während der
Entwicklung eine wäßrige Alkalilösung verwendet werden und
das resultierende Muster besitzt eine höhere Auflösung.
Wenn das Polysilan mit den wiederkehrenden Einheiten (1)
einen aromatischen Ring an mindestens einer Seitenkette
besitzt, der durch eine Alkoxyl- oder eine Siloxylgruppe
substituiert ist, tritt, zusätzlich zur Abnahme des
Molekulargewichtes nach der Belichtung, eine andere
Reaktion ein. Wenn eine Harttrocknung unter Anwesenheit
einer durch Belichtung erzeugten Säure durchgeführt wird,
wird die Alkoxylgruppe oder Siloxylgruppe, die am
aromatischen Ring der Seitenkette des Polysilans gebunden
ist, zu einer Hydroxylgruppe umgewandelt. In diesem Fall
wird im belichteten Bereich der lichtempfindlichen
Masse eine Hydroxylgruppe (z. B. eine phenolische
Hydroxylgruppe) gebildet, die direkt am aromatischen Ring
der Seitenkette des Polysilans gebunden ist. Neben der
Tatsache, daß zur Entwicklung eine wäßrige alkalische
Lösung benutzt werden kann, kann daher die Differenz in der
Löslichkeit zwischen belichteten und nicht belichtete n
Bereich der lichtempfindlichen Masse in der wäßrigen
alkalischen Lösung erhöht werden, um die Auflösung des
resultierenden Musters stark zu verbessern.
Eine Masse, die ein Kohlenstoffpolymer, wie ein
alkalilösliches Polymer und einen Lieferanten für die
Photosäure enthält, der in der Erfindung verwendet werden
kann, ist als lichtempfindliche Masse zur Bildung eines
Mikromusters, wie eines Photoresist-Musters, bekannt. Auch
in dieser Masse wird der Lieferant für die Photosäure unter
Lichteinwirkung zersetzt, wobei eine Säure freigesetzt
wird. Diese Säure greift das Polymer auf Kohlenstoffbasis
an, wobei sie die Löslichkeit der Masse in der
Entwicklungslösung ändert. In dieser Masse besitzt das
Polymer auf Kohlenstoffbasis eine hohe Absorptionsfähigkeit
bei Belichtung mit einem UV-Strahl einer Wellenlänge von
200 nm oder kleiner, und insbesondere bei Belichtung mit
ArF-Exzimer-Laserlicht (193 nm) auf der Basis der C-C-
Bindungs-Kette des Rückgrats. Dieses Polymer besitzt eine
geringe Durchlässigkeit in diesem Wellenlängenbereich.
Daher verläuft die Zersetzung des Lieferanten für die
Photosäure unzureichend, wenn die Belichtung dieser Masse
bei einem UV-Licht von etwa 200 nm durchgeführt wird, und
die Masse besitzt eine niedrige Empfindlichkeit.
Im Gegensatz dazu wird in der lichtempfindlichen Masse der
vorliegenden Erfindung die UV-Absorption des Polysilans,
auf der Basis der Si-Si-Bindungskette als Rückgrat, zu
längerer Wellenlänge verschoben (im Bereich von etwa 150
bis 200 nm), als der Absorptionsbereich der C-C-Bindung.
Wenn die Masse der vorliegenden Erfindung mit UV-Licht
einer Wellenlänge von etwa 200 nm belichtet wird, besitzt
sie eine hohe Durchlässigkeit und die Zersetzung des
Lieferanten für die Photosäure verläuft ausreichend. Auf
diese Weise besitzt die lichtempfindliche Masse der
vorliegenden Erfindung eine sehr hohe Empfindlichkeit, wenn
eine Belichtung mit kurzwelliger UV-Strahlung von etwa 250
nm oder kleiner, insbesondere mit einem ArF Exzimer Laser,
erfolgt.
Die vorliegende Erfindung wird anhand von Beispielen
detailliert beschrieben. Diese Beispiele sollen das
Verständnis der vorliegenden Erfindung erleichtern, ohne
sie einzuschränken.
Polysilane und Lieferanten für die Photosäure wurden in
einem geeigneten Lösungsmittel, entsprechend den
Zusammensetzungen nach Tabelle 1 (siehe unten) gemischt, um
lichtempfindliche Masseproben der vorliegenden Erfindung
herzustellen.
Polysilane, wie in Tabelle 1 dargestellt, wurden als
Vergleichsbeispiele hergestellt. In diesen Beispielen wurde
zu den jeweiligen Polysilanen kein Lieferant für die
Photosäure hinzugefügt.
1: trapezförmig; 2: rechtwinkelig; 3: rechtwinkelig;
4: rechtwinkelig; 5: rechtwinkelig; 6: dreieckig; 7:
dreieckig
*1: Eine Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure freisetzt
*2: Einheit: mJ/cm2 für Belichtung mit KrF-Exzimer- Laserlicht (Beispiele 1, 3 und 4 und Vergleichsbeispiel 1) µC/cm2 für Belichtung mit Elektronenstrahl (Beispiele 2 und 5 und Vergleichsbeispiel 2)
*3: Entwicklungslösung:
α... Isopropanol/Cyclohexan (Mischung im Gewichtsverhältnis von 1 : 1)
β... TMAH (2,38 Gewichtsprozent einer wässrigen Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid)
*1: Eine Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure freisetzt
*2: Einheit: mJ/cm2 für Belichtung mit KrF-Exzimer- Laserlicht (Beispiele 1, 3 und 4 und Vergleichsbeispiel 1) µC/cm2 für Belichtung mit Elektronenstrahl (Beispiele 2 und 5 und Vergleichsbeispiel 2)
*3: Entwicklungslösung:
α... Isopropanol/Cyclohexan (Mischung im Gewichtsverhältnis von 1 : 1)
β... TMAH (2,38 Gewichtsprozent einer wässrigen Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid)
Muster wurden gebildet, indem die lichtempfindlichen
Massenproben der Beispiele 1-5 und die Polysilanproben
der Vergleichsbeispiele 1 und 2, gemäß den Bedingungen
(Tabelle 1), wie Beschichtung, Belichtung (KrF-Exzimer-
Laser einer Wellenlänge von 248 nm oder Elektronenstrahl),
Harttrocknung und Entwicklungsbedingungen, benutzt wurden.
Belichtungsgröße (Empfindlichkeiten) aller Proben, an
Auflösungen und Querschnittsformen der resultierenden
Muster sind ebenfalls in Tabelle 1 zusammengefasst.
Die chemischen Formeln der Verbindungen, die durch Symbole
in Tabelle 1 dargestellt sind, werden in Tabelle A
dargestellt.
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Wie aus den Ergebnissen der Tabelle 1 hervorgeht, besitzen
die lichtempfindlichen Massen gemäß der Erfindung, die
jeweils ein Polysilan mit wiederkehrenden Einheiten (1) und
einen Lieferanten für die Photosäure enthalten, höhere
Empfindlichkeiten als die Proben, die nur Polysilane der
Vergleichsbeispiele enthalten, wenn Belichtung mit KrF-
Exzimer-Laserlicht oder einem Elektronenstrahl erfolgt. Bei
Belichtung und Entwicklung dieser Massen besitzen die
gebildeten Muster eine hervorragende Auflösung und
Querschnittsform.
Polysilane und Lieferanten für die Photosäure wurden in
einem geeigneten Lösungsmittel nach den Zusammensetzungen
in Tabelle 2 (unten) gemischt, um lichtempfindliche Massen
gemäß der Erfindung herzustellen.
Polyvinylphenol und ein Lieferant für die Photosäure wurden
in einem geeigneten Lösungsmittel nach der Zusammensetzung
in Tabelle 2 gemischt, um eine lichtempfindliche Masse
herzustellen. Dieses Vergleichsbeispiel ist ein System, das
ein Polymer auf Kohlenstoffbasis enthält.
Die Muster wurden gebildet, indem die lichtempfindlichen
Massenproben der Beispiele 6 bis 10 und des Vergleichs
beispiels 3 verwendet wurden, gemäß den Bedingungen
(Tabelle 2), wie Beschichtung, Belichtung (ArF-Exzimer-
Laser einer Wellenlänge von 192 nm), Harttrocknung und
Entwicklungsbedingungen.
Belichtungsmengen (Empfindlichkeiten) aller Proben und die
Auflösungen und Querschnittsformen der resultierenden
Muster sind ebenfalls in Tabelle 2 zusammengefasst.
Die chemischen Formeln der Verbindungen, die durch Symbole
in Tabelle 2 dargestellt sind, sind in Tabelle B
dargestellt.
Darin stellt n den Grad der Polymerisation dar.
Wie aus Tabelle 2 ersichtlich, besitzen die
lichtempfindlichen Massen, die jeweils ein Polysilan mit
wiederkehrenden Einheiten (1) und einen Lieferanten für die
Photosäure enthalten, höhere Empfindlichkeiten als die
lichtempfindliche Masse, das das Polymer auf
Kohlenstoffbasis, entsprechend dem Vergleichsbeispiel,
enthält. Dies gilt für den Fall, wo mit ArF-Exzimer-
Laserlicht belichtet wird. Zusätzlich besitzen die Muster,
die durch Belichtung und Entwicklung der erfindungsgemäßen
Massen erhalten wurden, eine hervorragende Auflösung.
Claims (12)
1. Lichtempfindliche Masse mit einem Polysilan
mit wiederkehrenden Einheiten der Formel (1)
worin bedeuten: R1 und R2 unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder nicht substituierte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, eine substituierte oder nicht substituierte Arylgruppe mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen oder eine substituierte oder nicht substituierte Aralkylgruppe mit 7 bis 22 Kohlenstoffatomen,
und einer Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure liefert, wobei diese Verbindung unter Sulfoniumsalzen, Iodoniumsalzen, Nitrobenzylverbindungen und Naphthochinon diazidverbindungen der folgenden Formel (2) ausgewählt ist:
Formel (2):
worin bedeuten: R1 und R2 unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder nicht substituierte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, eine substituierte oder nicht substituierte Arylgruppe mit 6 bis 18 Kohlenstoffatomen oder eine substituierte oder nicht substituierte Aralkylgruppe mit 7 bis 22 Kohlenstoffatomen,
und einer Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure liefert, wobei diese Verbindung unter Sulfoniumsalzen, Iodoniumsalzen, Nitrobenzylverbindungen und Naphthochinon diazidverbindungen der folgenden Formel (2) ausgewählt ist:
Formel (2):
2. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2
eine Arylgruppe darstellt, die durch mindestens eine
Hydroxygruppe substituiert ist.
3. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2
eine Arylgruppe darstellt, die durch mindestens eine
substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe
substituiert ist.
4. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2
eine Arylgruppe darstellt, die durch mindestens eine
substituierte oder nicht substituierte Siloxylgruppe
substituiert ist.
5. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2
eine Aralkylgruppe darstellt, die einen aromatischen Ring
enthält, der durch mindestens eine Hydroxylgruppe
substituiert ist.
6. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2
eine Aralkylgruppe darstellt, die einen aromatischen Ring
enthält, der durch mindestens eine substituierte oder
nicht substituierte Alkoxylgruppe substituiert ist.
7. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Gruppen R1 und R2
eine Aralkylgruppe darstellt, die einen aromatischen Ring
enthält, der durch mindestens eine substituierte oder
nicht substituierte Siloxylgruppe substituiert ist.
8. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Polysilan aus folgender Mischung
besteht: aus einem Polysilan, in dem wenigstens eine der
Gruppen R1 und R2 einen aromatischen Ring enthält,
der durch eine Hydroxylgruppe substituiert ist, und einem
Polysilan, in dem wenigstens eine der Gruppen R1 und R2
einen aromatischen Ring enthält, der durch eine
substituierte oder nicht substituierte Alkoxylgruppe oder
durch eine substituierte oder nicht substituierte
Siloxylgruppe substituiert ist.
9. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß sich das durchschnittliche Molekular
gewicht des Polysilans in einem Bereich von ungefähr
1.000 bis 500.000 bewegt.
10. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Verbindung, die unter Lichtein
wirkung eine Säure erzeugt, eine 1,2-Naphthochinondiazid-4-
sulfonatverbindung ist.
11. Lichtempfindliche Masse nach einem der Ansprüche 1, 3, 4,
6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß etwa 0,01 bis 30
Gewichtsteile der Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine
Säure erzeugt, mit 100 Gewichtsteilen des Polysilans gemischt
sind.
12. Lichtempfindliche Masse nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß etwa 0,5 bis 5 Gewichtsteile der
Verbindung, die unter Lichteinwirkung eine Säure erzeugt,
mit 100 Gewichtsteilen des Polysilans gemischt sind.
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