DE4138722A1 - Verfahren zur dosierung und verdampfung von stoffen mit niedrigem dampfdruck - Google Patents
Verfahren zur dosierung und verdampfung von stoffen mit niedrigem dampfdruckInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Stoff- oder
Werkstoffdarstellung.
Stoffumwandlungsprozesse haben eine große Bedeutung bei
technischen Prozessen. Zum Beispiel bei der chemischen
Gasphasenabscheidung (CVD) reagieren gasförmige Reaktions
partner an einer beheizten Abscheidungsunterlage oder auch
direkt in der Gasphase zu festen oder flüssigen Phasen
(Stoffen). In der Regel liegen nicht alle Reaktionspartner
bei Raumtemperatur im gasförmigen Aggregatzustand vor, so
daß in einem vorangehenden Verfahrensschritt die festen
oder flüssigen Reaktionspartner in den gasförmigen Zustand
überführt werden müssen.
Für bei Raumtemperatur flüssige Stoffe ist dieses Problem
gelöst. Nach E. Wolf, D. Selbmann, M. Schönherr, E. Wittig,
S. Kremmer, H. J. Gessner, DDR-Patent 01 54 463 (1982) ist es
möglich, mittels eines strömenden Trägergases, das mit dem
Dampf der Flüssigkeit beladen wird, eine definierte und
zeitlich konstante Dampfmenge zur Reaktion zu bringen.
Dieses Verfahren wird häufig auch für bei Raumtemperatur
feste Stoffe angewendet, so beschrieben bei H. Ymane, H.
Kurosawa, T. Hirai, K. Watanabe, H. Iwasaki, N. Kobayashi,
Y. Muto, J. of Crystal Growth 98 (1989) 860-866, North-
Holland, Amsterdam und F. Schmaderer, R. Huber, H. Oetz
mann, G. Wahl, Metallwissenschaft + Technik, 44. Jahrgang,
Heft 7 (1990). Es erfordert jedoch hohe Beladungstemperatu
ren, da die Dampfdrücke bei festen Stoffen vielfach sehr
niedrig sind.
Neben i.a. niedrigen Verdampfungsmengen und damit verbunde
nen geringen Abscheidungsraten ist bei vielen metallorgani
schen und anorganischen Verbindungen durch die erforderli
chen hohen Beladungstemperaturen keine langzeitstabile
Verdampfung möglich. Die Ursachen dafür sind z. B. bei
metallorganischen Verbindungen ungesättigte Koordinations
sphären, wodurch sie zur Polymerisation im gasförmigen und
festen Zustand neigen oder sie zersetzen sich bei den
Verdampfungstemperaturen. Bei anorganischen Stoffen besteht
häufig die Gefahr der Blockierung der Substanz-Oberfläche
durch Oxidation oder Restfeuchtigkeit im Trägergas, wodurch
die aktive Stoffübergangsfläche sich zeitlich verringert.
Andere Dosierverfahren sind Verneblungsverfahren. Aus einer
Lösung, bestehend aus Lösungsmittel und einem oder mehreren
gelösten Stoffen, wird mittels der Spraytechnik bzw. nach
J. L. Deschauvres, F. Cellier, G. Delabouglise, M. Labeau,
M. Lauglet, J. C. Joubert, J. de Physique, Colloque C5,
supplement au n°5, Tome 50, (1989) und J. Spitz, J. C.
Viguie, F.R.G. Patent 2151809 (1974) durch Ultraschall bei
Normaldruck ein Aerosol erzeugt, das mit Hilfe eines Trä
gergases auf die beheizte Abscheidungsunterlage geleitet
wird, wo die Lösung verdampft und die gelösten Stoffe
reagieren können. Der Mangel dieser Verneblungsverfahren
besteht in der eingeschränkten Anwendbarkeit und einer
komplizierten und technisch aufwendigen Prozeßführung.
Um die gelösten Stoffe bei Atmosphärendruck in die Gasphase
zu überführen, müssen diese entweder einen hohen Sätti
gungsdampfdruck aufweisen bzw. man muß mit geringen Kon
zentrationen bei Verbindungen mit niedrigem Dampfdruck
gegenüber dem Lösungsmittel arbeiten, was einen starken
Ballast für den Prozeß und niedrige Abscheidungsraten
bedeutet. Eine definierte Abscheidung von Schichten hoher
Perfektion mit komplizierter Zusammensetzung ist schwierig
und mit großen Einschränkungen im Durchsatz verbunden, vor
allem dann, wenn die Dampfdrücke der gelösten Stoffe unter
schiedlich groß sind. Gasströmung und Substrattemperatur
müssen genau aufeinander abgestimmt sein, damit alle Reak
tionspartner gasförmig vorliegen und Kondensation vermieden
wird, die zu einem gestörten Schichtwachstum führt. Durch
die Anwendung bei Atmosphärendruck, die bei technisch
vertretbaren Abscheidungsraten die Verwendung von Reak
tionspartnern mit hohem Dampfdruck erfordert, wird der
Einsatz technisch interessanter Verbindungen stark
eingeschränkt.
Das durch Spray-Technik erzeugte Aerosol weist ein ungün
stiges, großes Verteilungsspektrum der Tropfengrößen auf,
wodurch gleichmäßige Schichtdicken nicht möglich sind, bzw.
es ist eine komplizierte Beschichtungstechnik erforderlich.
Ziel der Erfindung ist es, eine zeitlich stabile Dosierung
und Verdampfung schwerflüchtiger oder temperaturempfindli
cher Stoffe mit vorgegebener Zusammensetzung im gasförmigen
Zustand, verbunden mit einem hohen Durchsatz, zu gewährlei
sten und den dazu erforderlichen Aufwand beträchtlich zu
reduzieren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
anzugeben, durch das eine Blockierung der aktiven Oberflä
che fester schwerflüchtiger Stoffe bei ihrer Verdampfung
vermieden, der Einfluß der Temperatur auf die Zersetzung
oder reaktive Umwandlung fester oder flüssiger temperatu
rempfindlicher Stoffe während der Dosierung und Verdampfung
weitgehend reduziert, ein hoher Durchsatz gewährleistet und
gleichzeitig die Dosierung und Verdampfung mit mehreren
Stoffen auf einfache Weise ermöglicht wird.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß aus
einer Lösung, bestehend aus einem Lösungsmittel oder einem
Lösungsmittelgemisch und einem oder mehreren schwerflüchti
gen oder temperaturempfindlichen, d. h. unter Temperaturein
fluß leicht zur reaktiven Umwandlung neigenden festen oder
flüssigen Stoffen, mit oder ohne Trägergas ein Aerosol
hergestellt, dieses kontinuierlich in eine beheizte Zone
zur Überführung des Aerosols in seine gasförmigen Bestand
teile geleitet und die Gasmischung anschließend mit oder
ohne Zumischung weiterer gasförmiger Stoffe zur Beeinflus
sung von Verfahrensparametern, z. B. Erhöhung des Durchsat
zes oder zusätzliche Reaktionspartner kontinuierlich ihrem
Verwendungszweck zugeführt wird. Der Druckbereich liegt
zwischen 0,01 und 200 mbar.
Vorteilhaft ist, die Temperatur der Lösung und damit des
Aerosols gleich der Umgebungstemperatur zu halten, um eine
thermische Belastung der gelösten Stoffe und Kondensation
des Aerosols in den Rohrleitungen beim Transport in die
beheizte Zone zu vermeiden.
Eine Thermostatierung von Lösung und Rohrleitungssystem ist
empfehlenswert, falls das Aerosol bei Temperaturen größer
293 K erzeugt wird, wie es notwendig ist, wenn die Viskosi
tät der Lösung zu hoch ist bzw. bei Arbeiten unterhalb 293 K,
wenn der Dampfdruck der Lösung bei Umgebungstemperatur
zu hoch ist.
Mit diesem Verfahren läßt sich vorteilhaft und auf beson
ders einfache Weise eine genau dosierte gasförmige Mischung
aus mehreren schwerflüchtigen oder temperaturempfindlichen
Stoffen herstellen, was z. B. unabdingbare Voraussetzung
ist, wenn die Gasmischung anschließend zur Herstellung
mehrkomponentiger Festkörper mit definierter Zusammenset
zung durch einen CVD-Prozeß verwendet werden soll. Dabei
muß die Abscheidungsunterlage so angeordnet sein, daß die
gasförmigen Stoffe auf dem Weg dorthin nicht kondensieren.
Dazu kann die Abscheidungsunterlage entweder in der beheiz
ten Zone oder in einer Zone mit separater Heizung liegen.
Bei der Umsetzung der gasförmigen Stoffe im Reaktor ist es
möglich, daß das Lösungsmittel zersetzt wird und an der
Bildung der gewünschten Phase nicht beteiligt ist oder
durch teilweise Reaktion mit dem gelösten Stoff die ge
wünschte Verbindung sich bildet. Es ist auch möglich, daß
es überhaupt nicht reagiert, so daß es durch Rückkondensa
tion nach dem Reaktor wieder zurückgewonnen werden kann.
Da die Verweilzeit der aus dem Aerosol hergestellten Gasmi
schung in der beheizten Zone relativ gering gehalten werden
kann, sind eventuell auftretende geringe Zersetzungser
scheinungen praktisch ohne Einfluß auf die Zusammensetzung
der Gasmischung, so daß für die weitere Verwendung eine
zeitlich stabile Dosierung gewährleistet ist. Durch Ände
rung des Gesamtdruckes, des Trägergaspartialdruckes und der
Sauggeschwindigkeit läßt sich der Durchsatz der Gasmischung
in weiten Grenzen variieren, wodurch das Verfahren für den
weiteren Verwendungszweck besonders ökonomisch eingesetzt
werden kann.
Vorteilhaft läßt sich die Erfindung anwenden, wenn Lösungs
mittel eingesetzt werden, die mit den zu dosierenden Stof
fen leichtflüchtige Komplexe zu bilden vermögen, wodurch
die Temperatur der Überführung des Aerosols in seine gas
förmigen Bestandteile gesenkt werden kann. Besonders zweck
mäßig ist die Verwendung von Benzylalkohol als Lösungs
mittel, weil die sich bildenden Komplexe einen besonders
hohen Dampfdruck besitzen und dadurch hohe Verdampfungsra
ten erzielt werden.
Die Erfindung erlaubt auch die Anwendung organischer Lö
sungsmittel in Gegenwart von Sauerstoff, da durch die
Anwendung im Unterdruck in einem breiten Konzentrationsbe
reich eine Explosionsgefährdung vermieden werden kann.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich beispiels
weise genau dosierte Gasmischungen aus schwerflüchtigen
Metallhalogeniden oder -oxidhalogeniden, aber auch aus
metallorganischen Verbindungen herstellen, die bei den
sonst üblichen Verdampfungs- oder Sublimationstemperaturen
zur Überführung in die Gasphase zur Zersetzung oder Polyme
risation neigen, wodurch eine zeitlich stabile Beladung der
Gasphase unmöglich wird.
Eine Lösung, bestehend aus dem Lösungsmittel Benzylalkohol
und den gelösten Stoffen
Yttrium(III)-tetramethylheptandionat
Barium(II)-tetramethylheptandionat und
Kupfer(II)-tetramethylheptandionat
im Molverhältnis 1:3:2 bei einer Gesamtkonzentration von 0,05 Mole β-Chelate/l Lösungsmittel wird durch Ultraschall bei einem Druck von 6 mbar vernebelt und das Aerosol mit einer Trägergasmenge von 5 l/h Argon in eine beheizte Zone, die aus einem um die Transportrohrleitung außen angeordne ten Widerstandsofen besteht, eingeleitet und die eine Temperatur von 250°C aufweist. Im letzten Drittel der beheizten Zone erfolgt die Zugabe des Reaktionsgases Sauerstoff mit einer Menge von 10 l/h.
Yttrium(III)-tetramethylheptandionat
Barium(II)-tetramethylheptandionat und
Kupfer(II)-tetramethylheptandionat
im Molverhältnis 1:3:2 bei einer Gesamtkonzentration von 0,05 Mole β-Chelate/l Lösungsmittel wird durch Ultraschall bei einem Druck von 6 mbar vernebelt und das Aerosol mit einer Trägergasmenge von 5 l/h Argon in eine beheizte Zone, die aus einem um die Transportrohrleitung außen angeordne ten Widerstandsofen besteht, eingeleitet und die eine Temperatur von 250°C aufweist. Im letzten Drittel der beheizten Zone erfolgt die Zugabe des Reaktionsgases Sauerstoff mit einer Menge von 10 l/h.
Die Reaktion der gasförmigen β-Chelate mit Sauerstoff
erfolgt auf einem MgO-Substrat bei einer Temperatur von
1200 K in einem Kaltwandreaktor.
Die elementanalytische Untersuchung der abgeschiedenen
Schicht ergab eine Elementverteilung
Y:Ba:Cu=1:2:3,
während das Röntgendiagramm neben den Einzeloxiden auch die 123-Phase YBa2Cu3O7 enthielt. Die Abscheidungsrate ist hoch, sie beträgt 0,35 µm/min.
Y:Ba:Cu=1:2:3,
während das Röntgendiagramm neben den Einzeloxiden auch die 123-Phase YBa2Cu3O7 enthielt. Die Abscheidungsrate ist hoch, sie beträgt 0,35 µm/min.
Claims (4)
1. Verfahren zur Dosierung und Verdampfung von Stoffen mit
niedrigem Dampfdruck durch Überführung einer Lösung aus
diesen Stoffen und einem Lösungsmittel oder Lösungs
mittelgemisch in ein Aerosol, dadurch gekennzeichnet,
daß das Aerosol in einem Druckbereich zwischen 0,01 und
200 mbar erzeugt, zur Verdampfung in seine gasförmigen
Bestandteile in eine beheizte Zone geleitet und danach
einem Verarbeitungsprozeß zugeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
Lösungsmittel eingesetzt werden, die mit den zu dosie
renden Stoffen Komplexe höherer Flüchtigkeit bilden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Lösungsmittel Benzylalkohol verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Gasmischung mit Zusatz weiterer gasförmiger Reak
tionspartner für einen CVD-Prozeß verwendet wird.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19914138722 DE4138722C2 (de) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | Verfahren zum Verdampfen eines Stoffes für einen sich anschließenden Verarbeitungsprozeß |
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| DE19914138722 DE4138722C2 (de) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | Verfahren zum Verdampfen eines Stoffes für einen sich anschließenden Verarbeitungsprozeß |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| DE (1) | DE4138722C2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7777059B2 (en) | 2003-12-18 | 2010-08-17 | Basf Se | Copper(I) formate complexes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2151809C3 (de) * | 1970-10-23 | 1974-11-14 | Commissariat A L'energie Atomique, Paris | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer gleichmäßigen dünnen Schicht |
| DD154463A3 (de) * | 1979-06-26 | 1982-03-24 | Erich Wolf | Verfahren und vorrichtung zur dosierung von verdampfbaren stoffen |
-
1991
- 1991-11-21 DE DE19914138722 patent/DE4138722C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2151809C3 (de) * | 1970-10-23 | 1974-11-14 | Commissariat A L'energie Atomique, Paris | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer gleichmäßigen dünnen Schicht |
| DD154463A3 (de) * | 1979-06-26 | 1982-03-24 | Erich Wolf | Verfahren und vorrichtung zur dosierung von verdampfbaren stoffen |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Veröffentlichung von F. Schmaderer, R. Huber, H. Oetzmann, G. Wahl, Metallwissenschaft u. Technik, 44. Jg., H. 7, 1990 * |
| Veröffentlichung von H. Ymane, H. Kurosawa, T. Hirai, K. Watanabe, H. Iwasaki, N. Kobayashi, Y. Muto, J. of Crystal Growth 98, 1989, S. 860-866, Amsterdam * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7777059B2 (en) | 2003-12-18 | 2010-08-17 | Basf Se | Copper(I) formate complexes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4138722C2 (de) | 1994-05-26 |
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