DE4135089C2

DE4135089C2 - Vakuumschalter

Info

Publication number: DE4135089C2
Application number: DE4135089A
Authority: DE
Inventors: Robert Leroy Thomas; Natraj Chandrasekar Iyer; Allan John Bamford
Original assignee: Eaton Corp
Current assignee: Eaton Corp
Priority date: 1990-11-19
Filing date: 1991-10-24
Publication date: 2002-07-11
Anticipated expiration: 2011-10-25
Also published as: CA2054058A1; CA2054058C; JPH0684435A; GB2251127A; JP3043876B2; US5120918A; GB9124210D0; GB2251127B; DE4135089A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf Vakuumschalter und dabei ins besondere auf die Ausbildung der Schaltkontakte und von Schutzabschirmungen dieser Schaltkontakte in Vakuumschaltern.

Bekanntermaßen weisen Vakuumschalter ein evakuiertes isolier tes Gehäuse auf, in welchem sich die zwischen einer Offen stellung und einer Schließstellung schaltbaren Schaltkontakte befinden. In der Schließstellung liegen die Schaltkontakte fest aneinander an, und in der Offenstellung sind sie unter Bildung eines Lichtbogenspalts voneinander getrennt.

Aus der US-PS 4 419 551 sind Vakuumschalter bekannt, bei denen die Schaltkontakte aus einer gesinterten Kupfer-Chrom- Legierung bestehen, wobei das Chrom in einer Kupfermatrix dispergiert ist. Die US-PS 4 302 514 beschreibt einen wei teren Vakuumschalter mit Schaltkontakten, die durch gleich förmiges Verteilen zweier Sorten von hochschmelzenden Metall pulvern in einer Kupfermatrix hergestellt sind. Andere ein schlägige Druckschriften sind die US-PS 3 818 163, die US-PS 4 032 301, die US-PS 4 008 081, die US-PS 4 190 753, die US-PS 4 048 117, die US-PS 3 960 554 und die US-PS 4 323 590, die alle verschiedene Ausführungsformen von pulvermetallurgischen Verfahren zur Herstellung von Vakuum schalter-Schaltkontakten betreffen.

Außerdem ist es bekannt, gesinterte Schaltkontakte für Vaku umschalter durch Mischen von Kupferpulver und Chrompulver in unterschiedlichen Mischungsverhältnissen, Pressen und an schließendes Sintern des so erhaltenen kompaktierten Materi als bei einer Temperatur von etwa 1050°C oder oberhalb des Schmelzpunkts von Kupfer liegt, wie in der US-PS 3 960 554 beschrieben ist. Ein pulvermetallurgisches Verfahren zur Her stellung von Schaltkontakten ist in der US-PS 4 766 274 be schrieben.

Aus der DE 25 22 832 A1 ist es prinzipiell bekannt, einen Schaltkontakt für Vakuumschalter zweiteilig auszuführen, wo bei ein Kopfteil aus Kupfer-Chrom hergestellt wird und ein Basisteil aus einem anderen Werkstoff bestehen kann, um die Kosten zu vermindern und/oder die Kontakteigenschaften zu verbessern.

Weiterhin geht aus der US-PS 4 430 536 ein mehrschichtiger Schaltkontakt für Vakuumschalter hervor, bei dem ein erster Kontaktkörperteil aus einer Cu-Fe-Legierung bestehen kann und ein zweiter Kontaktkörperteil aus einem hochleitfähigen Mate rial wie z. B. Kupfer hergestellt ist.

Schließlich ist der US-PS 4 553 003 ein Schaltkontakt für Va kuumschalter zu entnehmen, bei dem ein kontaktierender Kon taktkörperteil aus Kupfer und Chrom hergestellt ist und ein nichtkontaktierender Kontaktkörperteil aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht.

Zum Zwecke des Schutzes des Inneren eines Vakuumschalters vor Erosionsprodukten der Schaltkontakte ist aus der US-PS 4 553 007 des weiteren ein Abschirmkörper bekannt, der aus den gleichen Materialen besteht wie die Schaltkontakte. Dabei finden als Materialien für die Schaltkontakte und auch für den Abschirmkörper Kupfer mit 40 bis 80 Gewichtsprozent und Chrom mit 60 bis 20 Gewichtsprozent Verwendung. Eisen ist da bei nicht vorgesehen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Schaltkontakte und diese umschließende Abschirmungen von Vakuumschaltern so aus zubilden, daß die vorteilhaften Eigenschaften von Kupfer- Chrom-Material, nämlich beispielsweise Trennfähigkeit, dielektrische Festigkeit und Antischweißeigenschaften der Schaltkontakte, weitgehend beibehalten werden, daß aber den noch die Möglichkeit für Kostensenkungen durch Verwendung billiger Ferromaterialpulver im nichtkontaktierenden Bereich der Schaltkontakte und zur Herstellung eines Teils der Abschirmkonstruktion eröffnet wird. Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch die in den Patentansprüchen gekennzeich nete Ausbildung eines Vakuumschalters sowie das ebenfalls in den Patentansprüchen gekennzeichnete Herstellungsverfahren gelöst.

Demgemäß weist ein solcher Vakuumschalter erfindungsgemäß Schaltkontakte auf, deren nichtkontaktierender Kontaktkörper teil aus Kupfer und Eisen hergestellt ist und deren kontak tierende Kontaktkörperschicht aus Kupfer und Chrom besteht, wobei der nichtkontaktierende Kupfer-Eisen-Kontaktkörperteil zwischen etwa 25% und 50% des Kontaktkörpers ausmacht und der kontaktierende Teil den Rest des Kontaktkörpers bildet.

Weiter ist demgemäß bei einem Vakuumschalter ein Abschirmkör per zum Schutz des Inneren des Vakuumschalters gegen die Erosionsprodukte der Schaltkontakte vorgesehen, der aus einer Zusammensetzung von Kupfer, Ferromaterial und X besteht, wobei X Chrom bedeutet und einen Bereich von 0 bis 30% ausmacht, und wobei Fe + X weniger als 60% der Zusammen setzung des Abschirmkörpers ausmacht.

Weitere Vorteile der Erfindung sind die Ausnutzung der ver besserten elektrischen Eigenschaften der unterschiedlichen elektrischen Leitfähigkeiten der verschiedenen Materialien, die in den Schaltkontakten und der Abschirmung Verwendung finden.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der anliegenden Zeich nung beispielsweise näher beschrieben, welche die Anordnung der Schaltkontakte und der Abschirmung im Inneren eines Vaku umschalters zeigt:
Bei der Fertigung von Vakuumschaltern sind bestimmte Kompo nenten von erheblicher Bedeutung, nämlich beispielsweise die Schaltkontaktanordnung und die Schutzabschirmungen.

Die Zeichnung zeigt einen Ausschnitt eines Vakuumschalters 10 mit einem Isoliergehäuse 12, einer darin angeordneten Schalt kontaktanordnung 14 und einer Schutzabschirmung 20. Die Schaltkontakte der Schaltkontaktanordnung 14 weisen jeweils einen nichtkontaktierenden Kontaktkörperteil 16 und einen kontaktierenden Kontaktkörperteil 18 auf. Die im Isolierge häuse angeordnete Schutzabschirmung 20 schützt die Innenwand flächen des Isoliergehäuses 12 gegen Beschädigung durch Lichtbogenerosionsprodukte, die beim Schalten der Schaltkon takte entstehen können.

Die Schaltkontakte dieses Vakuumschalters sind eigentlich Kupfer-Chrom-Schaltkontakte, wobei die Schaltkontakte jedoch einen nichtkontaktierenden Kupfer-Eisen-Kontaktkörperteil 16, der aus Kupfer und Eisen hergestellt ist, und einen als kon taktierende Schicht 18 ausgebildeten Kupfer-Chrom-Kontaktkör perteil aufweisen. Dabei macht der nichtkontaktierende Kupfer-Eisen-Kontaktkörperteil zwischen etwa 25% und 50% des gesamten Kontaktkörpers aus, während der kontaktierende Kupfer-Chrom-Kontaktkörperteil den Rest des Kontaktkörpers bildet. Die Schutzabschirmung 20 zum Schutz der Gehäuseinnen wandflächen des Vakuumschalters vor Erosionsprodukten der Schaltkontakte hat eine Zusammensetzung aus Kupfer, Ferroma terial und X, wobei X Chrom ist und in einem Bereich von 0% bis 30% vorliegt, und wobei Fe + X weniger als 60% der Zu sammensetzung der Abschirmung ausmacht.

Die kontaktierende Schicht aus Kupfer-Chrom macht bei einem solchen Vakuumschalter vorzugsweise etwa 50% der gesamten Dicke des Kontaktkörpers aus.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform enthält die kontaktie rende Schicht außerdem Zusätze von Bi, Li und Mg im Bereich von 1% bis 13%.

Bei einer weiteren Ausführungsform des Vakuumschalters betra gen die Zusammensetzungen der Schaltkontakte im kontaktieren den Kontaktkörperteil Kupfer mit 25% Chrom bis Kupfer mit 25% Chrom und 1,5% Wismut und im nichtkontaktierenden Kontaktkör perteil jeweils Kupfer mit 30% Eisen.

Was die Pulverzusammensetzung betrifft, so beträgt die Zu sammensetzung der Pulvermischung der kontaktierenden Schicht 18 etwa 12 Gewichtsprozent bis 16 Gewichtsprozent Chrom in einer Cu-Cr-X-Pulvermischung mit möglichen Zusätzen von X = Bi, Li, Mg etc. im Bereich von 1 bis 13%. Die Zu sammensetzung im nichtkontaktierenden Kontaktkörperteil be trägt 1 Gewichtsprozent bis 60 Gewichtsprozent Eisen in einer Cu-Fe-Mischung. Bevorzugt werden, wie gesagt, Cu, 25% Cr bzw. Cu, 30% Fe oder Cu, 25% Cr, 1,5% Bi bzw. Cu, 30% Fe im kon taktierenden bzw. nichtkontaktierenden Kontaktkörperteil.

In allen Fällen kann die Cu-Cr-X-Pulvermischung aus vermisch ten Kupfer- und Chrompulvern oder alternativ aus vorlegiertem Cu-Cr-Pulver mit gegebenenfalls zusätzlichen Cr- und X-Pul vern bestehen, wie in der US-PS 4 766 274 beschrieben ist. In allen Fällen können die Cu-, Cr- und X-Pulver durch Zerstäu ben, chemische Reduktion, elektrolytische Bildung oder irgendein anderes Pulverherstellungsverfahren hergestellt, sein. Die Pulvermorphologie kann sphärisch, nadelförmig, unregelmäßig etc. sein.

Das Verfahren zur Herstellung der Schaltkontakte ist folgen dermaßen:

Verfahren 1

1. Schütten der Cu-Fe-Pulvermischung in den Formhohlraum, leichtes Anklopfen zum Nivellieren des Pulvers, Schütten der Cu-Cr-X-Pulvermischung in den Formhohlraum auf die Cu-Fe- Pulvermischung.
2. Anwenden eines Preßdrucks von 5600 bar bis 10600 bar zur Herstellung eines Kontaktkörperrohlings.
3. Sintern in einem Reduktions- oder Vakuumofen im Tempera turbereich von 950°C bis 1250°C während 0,5 bis 10 Stunden.
4. Bearbeiten des Kontaktkörpers.

Verfahren 2

1. Schritte 1 bis 3 wie im Verfahren 1.
2. Isostatisches Pressen des gesinterten Kontaktkörpers im Preßdruckbereich von 3500 bar bis 8800 bar.
3. Erneutes Sintern im Vakuum- oder Reduktionsofen im Tempe raturbereich von 950°C bis 1250°C während 0,25 bis 10 Stun den.
4. Bearbeiten des Kontaktkörpers.

Verfahren 3

1. Schritte 1 bis 3 des Verfahrens 1.
2. Isostatisches Heißpressen im Temperaturbereich von 700°C bis 1080°C mit einem Preßdruck von 700 bar bis 2100 bar wäh rend 0,25 bis 4 Stunden.
3. Bearbeiten des Kontaktkörpers.

Verfahren 4

1. Vorfertigen eines Behälters (Kupfer, Kupferlegierung, Stahl etc.).
2. Einschütten von Cu-Fe-Pulver in den Behälter. Ausnivellie ren durch leichtes Andrücken oder Pressen.
3. Aufschütten von Cu-Cr-Pulver. Ausnivellieren durch leichtes Andrücken oder Pressen.
4. Entgasen des die Pulver enthaltenden Behälters im Tempera turbereich von 125°C bis 400°C.
5. Verschließen des Behälters durch Aufschweißen eines Deckels oder durch Vakuumverschweißen oder anderweitiges Ver schweißen des oberen Behälterendes, Evakuieren des Behälters durch eine Evakuierungsöffnung und Verschließen dieser Öffnung.
6. Heißextrudieren des Behälters im Temperaturbereich von 400°C bis 900°C durch eine entsprechende Ziehform.
7. Entfernen des Behälters und Bearbeiten der Kontaktstücke.

Verfahren 5

1. Schritte 1 bis 5 wie in Verfahren 4.
2. Isostatisches Heißpressen des Behälters im Temperaturbe reich von 700°C bis 1080°C mit einem Preßdruck von 700 bar bis 2100 bar während 0,25 bis 6 Stunden.

Verfahren 6

1. Einsetzen eines vorgefertigten Stücks einer gegossenen Cu- Fe-Legierung in die Form.
2. Aufschütten von Cu-Cr-X-Pulver auf den vorgefertigen Guß körper in der Form.
3. Pressen des Cu-Cr-X-Pulvers im Preßdruckbereich von 3500 bar bis 10600 bar.
4. Sintern im Temperaturbereich von 950°C bis 1100°C.
5. Bearbeiten des erhaltenen Kontaktkörpers.

Verfahren 6A

1. Schritte 1 bis 4 nach Verfahren 6.
2. Nochmaliges Pressen im Druckbereich von 5600 bar bis 8500 bar.
3. Erneutes Sintern.
4. Bearbeiten des Kontaktstücks.

Gemäß der Erfindung ist die Schutzabschirmung 20, die zum Schutz der Innenwandung des Vakuumschalters vor Erosionspro dukten der Schaltkontakte während Schaltvorgängen vorgesehen ist, aus einer Zusammensetzung aus Kupfer, Ferromaterial und X hergestellt, wobei X Chrom im Bereich von 0 bis 30% bedeutet und Fe + X weniger als 60% der Zusammensetzung der Abschirmung ausmacht. Vorzugsweise enthält die Abschirmung Kupfer und 35% Eisen.

Bei einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung der Schutzab schirmung 20 für den Vakuumschalter umfaßt der Herstellungs gang das Schütten einer Cu-Fe-X-Mischung in einen Formhohl raum, das leichte Anklopfen zum Nivellieren des Pulvers, das Anwenden eines Preßdrucks von etwa 5600 bar bis 10600 bar zum Formen des Abschirmkörpers, das Sintern des Abschirmkörpers in einem Reduktions- oder Vakuumofen im Temperaturbereich von etwa 950°C bis 1100°C während 0,5 bis 10 Stunden, und das Bearbeiten und Formen des hohlen Abschirmkörpers.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahren umfassen die Fertigungsschritte zweckmäßigerweise das anfängliche Vor fertigen eines zylindermantels- bzw. zylinderrohrartigen Behälters aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, das Ein schütten von Cu-Fe-X-Pulver, wobei X Chrom in einem Anteil von 1 bis 30% ist und Fe + X weniger als 60% der gesamten Zusammensetzung der Abschirmung ausmacht, das Nivellieren des Pulvers durch leichtes Anklopfen oder Pressen, das Entgasen des das Pulver enthaltenden Behälters im Temperaturbereich von 125°C bis 400°C, das Verschließen des Behälters durch Aufschweißen eines Deckels oder durch Vakuumverschweißen oder sonstiges Verschweißen des oberen Behälterendes, das Evaku ieren des Behälters durch eine Evakuierungsöffnung und Ver schließen dieser Öffnung, das Heißextrudieren des Behälters im Temperaturbereich von 400°C bis 900°C, das Entfernen des Behälters und abschließende Bearbeitung des Abschirmkörpers. Bei einer anderen Ausführungsform des Verfahren wird der Behälter im Temperaturbereich von 700°C bis 1080°C isosta tisch heißgepreßt mit einem Preßdruck zwischen 700 bar und 2100 bar während 0,25 bis 6 Stunden.

Was die Pulverzusammensetzung zur Herstellung der Schutzab schirmung 20 bei allen pulvermetallurgischen Verfahren be trifft, kann die Cu-Fe-Cr-Pulvermischung aus vorgemischten Kupfer- und Chrompulvern, Fe-Pulver und Cu-Pulver, oder alternativ aus vorlegiertem Cu-Cr-Pulver und Cu-Fe-Pulver mit nach Bedarf zusätzlichem Fe-, Cr- und Cu-Pulver zur Herstel lung der fertigen Zusammensetzung bestehen. Das Cu-, Fe-, und Cr-Pulver kann durch Zerstäuben, chemische Reduktion, durch Elektrolyse oder irgendein anders Pulverherstellungsverfahren hergestellt sein. Die Pulvermorphologie kann kugelförmig, nadelförmig, unregelmäßig etc. sein. Für gegossene Abschir mungen kann typischerweise Gußmaterial verwendet werden.

Verschiedene mögliche Herstellungsverfahren zur Fertigung der Abschirmung werden nachstehend angegeben:

Verfahren 1

1. Einschütten der Cu-Fe-X-Pulvermischung in den Formhohlraum und leichtes Anklopfen zum Nivellieren des Pulvers.
2. Ausüben eines Preßdruckes von 5600 bar bis 10600 bar zum Herstellen eines Abschirmkörperrohlings.
3. Sintern in einem Reduktions- oder Vakuumofen im Temperaturbereich von 950°C bis 1100°C während 0,5 bis 10 Stunden.
4. Bearbeiten des Abschirmkörpers durch Ausbohren des Kerns.

Verfahren 2

1. Gleiches Vorgehen wie nach Verfahren 1 mit der Ausnahme, daß im Formhohlraum während des Pressens ein Kern verwendet wird, um einen hohlen rohrförmigen Rohling herzustellen.
2. Sintern in einem Reduktions- oder Vakuumofen im Tempera turbereich von 950°C bis 1100°C während 0,5 bis 10 Stunden.
3. Bearbeiten des Abschirmkörpers.

Verfahren 3

1. Gleiches Vorgehen wie nach Verfahren 1 und 2 mit der Aus nahme, daß ein Gummisack als Formhohlraum verwendet wird und ein kaltes isostatisches Pressen im Druckbereich von 4200 bar bis 8500 bar Anwendung findet.
2. Sintern in einem Reduktions- oder Vakuumofen im Tempera turbereich von 950°C bis 1100°C während 0,5 bis 10 Stunden.
3. Bearbeiten des Abschirmkörpers.

Verfahren 4

1. Verfahrensschritte 1 bis 3 nach Verfahren 1, 2 oder 3.
2. Isostatisches Preßsintern im Druckbereich von 3500 bar bis 8800 bar.
3. Nochmaliges Sintern im Vakuum- oder Reduktionsofen im Temperaturbereich von 950°C bis 1100°C während 0,25 bis 10 Stunden.
4. Bearbeiten des Abschirmkörperrohlings.

Verfahren 5

1. Schritte 1 bis 3 nach Verfahren 1.
2. Isostatisches Heißpressen zwischen 700°C und 1080°C im Druckbereich von 700 bar bis 2100 bar während 0,25 bis 4 Stunden.
3. Bearbeiten des Abschirmkörpers.

Verfahren 6

1. Vorfertigen eines zylindermantel- bzw. zylinderrohrförmi gen Behälters (aus Kupfer, Kupferlegierung, Stahl etc.).
2. Einschütten von Cu-Fe-X-Pulver in den Behälter und Nivel lieren durch leichtes Anklopfen oder Pressen.
3. Entgasen des das Pulver enthaltenden Behälters im Tempera turbereich von 125°C bis 400°C.
4. Verschließen des Behälters durch Aufschweißen eines Deckels oder durch Vakuumverschweißen oder anderweitiges Ver schweißen des oberen Behälterendes, Evakuieren des Behälters durch eine Evakuierungsöffnung und Verschließen dieser Öffnung.
5. Heißextrudieren des Behälters im Temperaturbereich von 400°C bis 900°C durch eine entsprechende Ziehform.
6. Entfernen des Behälters und Bearbeiten des Abschirmkör pers.

Verfahren 7

1. Schritte 1 bis 5 nach Verfahren 4.
2. Isostatisches Heißpressen des Behälters im Temperaturbe reich von 700°C bis 1080°C mit einem Preßdruck von 700 bar bis 7100 bar während 0,25 bis 6 Stunden.
3. Bearbeiten des Abschirmkörpers.

Verfahren 8

1. Herstellen eines vorgefertigten Cu- oder Cu-Fe-Rohrkör pers.
2. Plasma- oder Laserauftragen einer Schicht von Cu-Fe-X auf den Innenumfang des Rohrkörpers.
3. Bearbeiten des Abschirmkörpers.

Verfahren 9

1. Schmelzen einer geeigneten Mischung aus hochreinem Kupfer- und Eisengußwerkstoff unter Verwendung des Vakuuminduktions schmelzverfahrens oder einer anderen Technik.
2. Eingießen der Schmelze in eine Gießform mit mittigem Kern.
3. Freilegen des Gußkörpers durch Ausbrechen der Form.
4. Bearbeiten des Gußkörpers zur Formung des Abschirmkörpers.

Verfahren 10

1. Gießen einer entsprechenden Mischung aus hochreinem Kupfer- und Eisengußwerkstoff unter Verwendung des Vakuumin duktionsschmelzverfahrens oder einer anderen Technik.
2. Eingießen der Schmelze in eine Zentrifugalgießform zum Gießen des Abschirmkörpers.
3. Bearbeiten des Abschirmkörpers.

Die erfindungsgemäße Gestaltung von Kontaktkörper und Ab schirmkörper für Vakuumschalter der in Rede stehenden Bauart führt zu einer beträchtlichen Senkung der Kosten dieser Bau teile und verbessert außerdem die Leistungsfähigkeit und die elektrischen Eigenschaften des Schalters.

Claims

1. Schaltkontakt für Vakuumschalter, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktkörper des Schaltkontakts aus einem nichtkon taktierenden Kontaktkörperteil, der aus Kupfer und Eisen her gestellt ist, und aus einem schichtartigen kontaktierenden Kontaktkörperteil besteht, der aus Kupfer und Chrom herge stellt ist, wobei der nichtkontaktierende Kontaktkörperteil zwischen etwa 25% und 50% des Gesamtkontaktkörpers und der kontaktierende Kontaktkörperteil den Rest des Kontaktkörpers ausmacht.

2. Schaltkontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der kontaktierende Kupfer-Chrom-Kontaktkörperteil etwa 50% der Gesamtdicke des Kontaktkörpers ausmacht.

3. Schaltkontakt nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der kontaktierende Kontaktkörperteil Zusätze von Bi, Li, Mg im Bereich von 1% bis 13% enthält.

4. Schaltkontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung des kontaktierenden Kontaktkörperteils 12 bis 60 Gewichtsprozent Chrom in einer Cu-Cr-X-Pulvermischung, wobei der Zusatz von X im Bereich von 1 bis 13% liegt und X Wismut, Lithium und Magnesium umfaßt, und die Zusammensetzung des nichtkontaktierenden Kontaktkör perteils 1 bis 60 Gewichtsprozent Ferromaterial in einer Cu- Fe-Mischung enthält.

5. Schaltkontakt nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung des kontaktierenden Kontaktkörper teils 25 Gewichtsprozent Chrom, 1,5 Gewichtsprozent Wismut und Restkupfer beträgt, und die Zusammensetzung des nicht kontaktierenden Kontaktkörperteils 30 Gewichtsprozent Eisen und Restkupfer beträgt.

6. Abschirmkörper für Vakuumschalter zum Schutz von dessen Innerem vor Erosionsprodukten der Schaltkontakte, gekenn zeichnet durch eine Zusammensetzung aus Kupfer, Ferromaterial und X, wobei X Chrom im Bereich von 0 bis 30% ist und Fe + X weniger als 60% der Gesamtzusammensetzung des Abschirmkörpers ausmacht.

7. Abschirmkörper nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß er Cu und 35% Fe aufweist.

8. Verfahren zur Herstellung eines Abschirmkörpers für einen Vakuumschalter nach Anspruch 6 oder 7, gekennzeichnet durch folgende Schritte: Schütten einer Cu-Fe-X-Pulvermischung in einen Formhohlraum, leichtes Anklopfen zum Nivellieren des Pulvers, Anwenden eines Preßdrucks im Bereich von etwa 5600 bar bis 10600 bar zum Formen des Abschirmkörpers, Sintern des Abschirmkörpers in einem Reduktions- oder Vakuumofen im Temperaturbereich von etwa 950°C bis 1100°C während 0,5 bis 10 Stunden, und formgebende Bearbeitung zur Fertigstellung des hohlen Abschirmkörpers.

9. Verfahren zur Herstellung eines Abschirmkörpers für einen Vakuumschalter nach Anspruch 6 oder 7, gekennzeichnet durch folgende Schritte: Anfängliches Vorfertigen eines zylinder mantel- bzw. zylinderrohrförmigen Behälters aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, Einschütten von Cu-Fe-X-Pulver in den Behälter, wobei X Chrom im Bereich von 0 bis 30% ist und Fe + X weniger als 60% der gesamten Abschirmkörperzusammen setzung ausmacht, Nivellieren des Pulvers durch leichtes An klopfen oder Pressen, Entgasen des Behälters mit dem darin befindlichen Pulver im Temperaturbereich von 125°C bis 400°C, Verschließen des Behälters durch Aufschweißen eines Deckels oder, Vakuum- oder anderweitiges Verschweißen des oberen Behälterendes, Evakuieren des Behälters durch eine Evakuie rungsöffnung und Verschließen der Öffnung, Heißextrudieren des Behälters im Temperaturbereich von 400°C bis 900°C, Entfernen des Behälters und Bearbeiten des Abschirmkörpers.

10. Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch isostati sches Heißpressen des Behälters im Temperaturbereich von 700°C bis 1050°C mit einem Preßdruck zwischen etwa 700 bar und 2100 bar während 0,25 bis 6 Stunden.

11. Vakuumschalter mit einem Schaltkontakt nach einem der Ansprüche 1 bis 5, der einen nichtkontaktierenden Kupfer- Eisen-Kontaktkörperteil und einen kontaktierenden schicht artigen Kupfer-Chrom-Kontaktkörperteil aufweist, wobei der nichtkontaktierende Kontaktkörperteil zwischen 25% und 50% des gesamten Kontaktkörpers und der kontaktierende Kupfer- Chrom-Kontaktkörperteil des Rest des Kontaktkörpers ausmacht, und mit einem Abschirmkörper zum Schutz des Inneren des Vakuumschalters vor Erosionsprodukten der Schaltkontakte, wobei der Abschirmkörper aus einer Zusammensetzung aus Kupfer, Ferromaterial und X besteht, wobei X Chrom im Bereich von 0% bis 30% ist und Fe + X weniger als 60% der Zusammen setzung des Abschirmkörpers ausmacht.