DE4133770C2

DE4133770C2 - Positiv photoempfindliche Zusammensetzung

Info

Publication number: DE4133770C2
Application number: DE4133770A
Authority: DE
Inventors: Shinji Kishimura; Hitoshi Nagata; Teruhiko Kumada; Shigeru Kubota; Hiroshi Koezuka
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1990-10-12
Filing date: 1991-10-11
Publication date: 1996-07-11
Anticipated expiration: 2011-10-12
Also published as: DE4133770A1; KR920008536A; JPH04149445A; KR950001723B1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf positiv photoempfindliche Zusammensetzungen, die als Resiste zur Verwendung bei der Herstellung von integrierten Halblei terschaltungen benutzt werden können.

Wie allgemein bekannt ist, hat sich der Integrationsgrad von integrierten Halbleiterschaltungen binnen 3 Jahren auf das vierfache erhöht. Beispielsweise wird ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (im folgenden als DRAM bezeichnet) mit einer Speicherkapazität von 4 Megabit derzeit in vollem Umfang hergestellt, und die Entwicklung von DRAM von 16 Megabit hat ebenfalls begonnen.

Die Anforderungen an die für die Herstellung solcher integrierten Schaltungen unverzichtbare Photolithographie haben sich Jahr für Jahr erhöht. Beispielsweise wird für die Herstellung des DRAM von 4 Megabit eine Lithographie auf dem 0,8-µm-Niveau benötigt. Mit wachsendem Integrationsgrad erfordert der 16-Megabit-DRAM eine Lithographie auf dem 0,5-µm- Niveau, und ein 64-Megabit-DRAM erfordert eine Lithographie auf dem 0,3-µm-Niveau. Daher ist die Entwicklung von Resisten erforderlich, die zusammen mit Lithographieverfahren mit einer Auflösungsgrenze von nicht mehr als 0,5 µm verwendet werden können.

Als Resist zur Verwendung bei der Photolithographie ist ein System aus Bisazid als Vernetzungs-Agens und einem zyklischen Gummi bereits bekannt. Dieses bekannte System erfordert jedoch bei der Entwicklung organische Lösungsmittel. Bei diesem bekannten System kommt im Entwicklungsschritt ein Aufquellen vor, und die Bildauflösung ist auf etwa 3 µm begrenzt. Das System ist daher für die Herstellung von Einrichtungen mit höherem Integrationsgrad ungeeignet.

Weiter sind positive Photoresiste, die aus alkalilöslichen Novolakharzen und Naphthochinondiazid-Verbindungen bestehen, bekannt. Dieses bekannte System hat jedoch eine starke Absorption bei 300 nm oder weniger, und Strukturprofile werden durch Nutzung einer kurzen Belichtungswellenlänge von 300 nm oder weniger erheblich beeinträchtigt. Daher muß die Belichtung für dieses System bei einer Wellenlänge von 300 nm oder mehr ausgeführt werden.

Das Auflösungsvermögen hängt, wie in der folgenden Gleichung gezeigt, von der Belichtungswellenlänge ab. Daher ist bei einer Belichtung mit einer Wellenlänge von 300 nm oder mehr das Auflösungsvermögen begrenzt und mit einer Lithographie auf dem 0,5-µm-Niveau unvereinbar.

(hierin ist k eine Konstante, λ die Belichtungswellenlänge und N.A. der Linsendurchmesser.)

Die Röntgenlithographie, die Elektronenstrahllithographie und ähnliche werden als mögliche Verfahren für Lithographien angesehen, die eine höhere Auflösung erbringen können. Die Röntgenlithographie hat jedoch bezüglich der Belichtungs einrichtungen, der Maskenproduktion und der Resistmaterialien zahlreiche Nachteile. Die Elektronenstrahllithographie hat ebenfalls den Nachteil, daß sie bezüglich des Produktions ausstoßes für Massenproduktion ungeeignet ist.

Es ist daher gegenwärtig sehr wünschenswert, einen Resist mit hervorragenden Strukturprofilen zu entwickeln, der im Rahmen einer Lithographie auf dem 0,5-µm-Niveau oder darunter verwendet werden kann, wobei die Belichtung unter Nutzung einer Lichtquelle im tiefen Ultraviolettbereich, wie etwa eines KrF- Excimerlasers (248 nm), eines ArF-Excimerlasers (193 nm) und eines F₂-Excimerlasers (157 nm) erfolgen kann, die höhere Auflösungen ermöglichen.

In jüngster Zeit wurde über verschiedene chemisch verstärkte Resiste als Positivresiste für einen KrF-Excimerlaser berichtet. Ein aus einem Copolymeren von α,α-Dimethylbenzyl methacrylat und α-Methylstyrol und einem Oniumsalz als photochemischem Säurebildner bestehender Resist wird in Polymers in Microlithography ACS Symposium, 412, S. 57-73 (1989) von Itoh et al. beschrieben.

Ein aus einer Verbindung wie Poly(styrol-N(4-t-Butoxycar bonyloxyphenyl)maleimid) und einem Oniumsalz bestehender Resist wird in SPIE, 1086, Seite 357 (1989) von W. Brunsvold et al. beschrieben.

Ein aus Poly(t-Butoxycarbonyloxy-α-Methylstyrol) und 2,6- Dinitrobenzylester als Säurebildner bestehender Resist wird in SPIE 1086, Seite 2 (1989) von T. X. Neenann et al. beschrieben.

Diese chemisch verstärkten Resiste sind sehr hoch empfindliche Resiste, die eine katalytische Reaktion einer Säure, die durch eine Belichtung erzeugt wird, ausnutzen. Die Resiste benötigen daher nur eine kleine Menge von Säuregeneratoren und die optische Absorption der Resiste kann gesenkt werden, wenn Harze mit niedriger Absorption verwendet werden.

Bei diesen herkömmlichen Resisten werden die Hydroxylgruppen alkalilöslicher Harze wie Polyvinylphenol, die die Fähigkeit aufweisen, sich in Alkaliverbindungen zu lösen, vorher durch Auflösungsinhibitorgruppen geschützt. In belichteten Abschnit ten des Resists wird die die Hydroxylgruppe schützende Auflösungsinhibitorgruppe zersetzt und durch die Säure, die aus dem photochemischen Säurebildner erzeugt wird, entfernt. Damit wird das alkalilösliche Harz in Alkaliverbindungen löslich, wodurch positive Muster gebildet werden.

Die beschriebenen herkömmlichen Resiste weisen jedoch nur eine geringe Auflösungsinhibitorwirkung und eine geringe Löslichkeit nach der Belichtung auf. Demnach ist der Unterschied in der Löslichkeit zwischen dem belichteten Abschnitt und dem unbelichteten Abschnitt gering, was zu dem Problem führt, daß eine hinreichende Auflösung nicht erzielt werden kann.

Aus der DE 38 37 438 A1 ist ein strahlungsempfindliches Gemisch bekannt, das aus einem in wäßrig-alkalischer Lösung löslichen Bindemittel, einer bei Bestrahlung eine Säure bildenden Verbindung und einem Malonsäureester als Auflösungsinhibitor des Bindemittels besteht.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine positiv photoempfindliche Zusammensetzung bereitzustellen, die ausgezeichnete Strukturprofile ermöglicht, die unter Nutzung von Strahlung im tiefen Ultraviolettbereich belichtet werden kann, und mit der eine hohe Auflösung von 0,5 µm oder darunter erreicht werden kann.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine positiv photoempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1.

Eine positive lichtempfindliche Zusammensetzung enthält ein alkalilösliches Harz, das in einem Alkalientwickler löslich ist, einen photochemischen Säurebild ner und einen Auflösungsinhibitor.

Der photochemische Säurebildner (säurebildende Substanz) ist eine Verbindung, die durch eine Belichtung eine Säure erzeugt. Der Auflösungsinhibitor ist eine Verbindung zur Verzögerung der Lösung des alkalilöslichen Harzes im Alkalientwickler, wenn kein Licht eingestrahlt wird. Dieser Auflösungsinhibitor wird durch Säureeinwirkung zersetzt und verliert, wenn er zersetzt ist, die Eigenschaft der Auflösungsverzögerung bezüglich des Entwicklers des alkalilöslichen Harzes.

Eine Hauptkomponente des Auflösungsinhibitors ist eine vollständige oder teilweise Esterverbindung mindestens eines Typs einer organischen Säureverbindung der folgenden allgemeinen Formel [1] und einem alkalilöslichen Polymer mit einer phenolischen Hydroxylgruppe

wobei X unter

ausgewählt wird und R¹-R³ einzeln aus der Gruppe Wasserstoff, Alkylgruppen und Allylgruppen ausgewählt sind, und eine vollständige oder teilweise Etherverbindung mindestens eines Typs von Alkohol der folgenden allgemeinen Formel [2] und einem alkalilöslichen Polymer mit einer phenolischen Hydroxylgruppe:

worin R⁴ eine Alkylgruppe ist und R⁵ und R⁶ einzeln aus Alkylgruppen und Allylgruppen ausgewählt werden.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Erläuterung von Ausführungsbei spielen.

Bei dieser Ausführungsform sind R¹-R⁶ vorzugsweise Alkyl gruppen und Allylgruppen mit 1-10 C-Atomen, günstiger mit nicht mehr als 3-Atomen, und am günstigsten sind es Methyl gruppen.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird als alkalilösliches Polymer zur Bildung des Auflösungsinhibitors mindestens eine aus der aus den folgenden Elementen (i-iii) bestehenden Gruppe verwendet:

(i) ein Polyvinylphenol-Derivat der folgenden allgemeinen Formel [3] worin n von 2-20 läuft und R⁷-R¹¹ einzeln aus der Gruppe Wasserstoff, Alkylgruppen, Allylgruppen, und einer Hydroxylgruppe ausgewählt sind, wobei mindestens einer der Reste R⁷-R¹¹ eine Hydroxylgruppe ist,
(ii) ein Novolakharz, der ein Polykondensationsprodukt mindestens eines Typs von Phenolderivaten der folgenden allgemeinen Formel [4] und mindestens eines Typs von Ketonderivat oder Aldehydderivaten der folgenden allgemeinen Formel [5] ist: worin R¹²-R¹⁶ einzeln aus der aus Wasserstoff, Akylgruppen und Allylgruppen bestehenden Gruppe ausgewählt werden und
(iii) ein Poly(N-(p-Hydroxyphenyl)Maleimid)-Derivat der folgenden allgemeinen Formel [6]:

Als alkalilösliches Harz wird vorzugsweise eines mit einer phenolischen Hydroxylgruppe verwendet. Bei einer Schichtdicke von 1 µm und einer beliebigen Belichtungswellenlänge von 150- 300 nm ist die Durchlässigkeit (Transmittanz) vorzugsweise 20% oder mehr. Beispiele eines solchen Harzes sind Novolakharz, Poly(N-(p-Hydroxyphenylmaleimid) und ähnliche. Polyvinylphenol ist besonders günstig. Diese Harze können einzeln, als Mischung oder als Copolymeres verwendet werden.

Der photochemische Säurebildner ist vorzugsweise ein Säurebildner zur Erzeugung einer Säure unter Belichtung mit Licht im Bereich 150-300 nm. Beispiele eines solchen Säurebildners sind Oniumsalze oder Sulfon säureester, wie in Polymeric Materials Sciene and Engineering, Bd. 61, S. 63 (American Chemical Society) durch J.V. Crivello beschrieben, und photoempfindlichen, organischen Halogenverbin dungen o. ä., wie in der Japanischen Patentschrift 54-23574 beschrieben.

Was die Gewichtsanteile des alkalilöslichen Harzes angeht, so ist ein Anteil des photochemischen Säurebildners und des Auf lösungsinhibitors von 0,05-20 Gewichtsteilen des photochemi schen Säurebildners günstig, wobei 0,1-10 Gewichtsteile vorzuziehen sind, und 1-50 Gewichtsteile des Auflösungsinhi bitors sind günstig, wobei 5-30 Gewichtsteile vorzuziehen sind, jeweils bezogen auf 100 Gewichtsteile des alkalilöslichen Harzes.

Die Zusammensetzung wird zum Gebrauch in einem Lösungsmittel gelöst. Das Lösungsmittel unterliegt keinen be sonderen Beschränkungen, solange die Bestandteile der Zusammen setzung darin eine hinreichende Löslichkeit aufweisen und es ausgezeichnete Filmbildungseigenschaften aufweist. Beispiele für solche Lösungsmittel sind Lösungsmittel vom Cellosolve (Ethylenglykolethylether)-Typ wie Methylglykol, Ethylglykol, Methylglykolacetat und Ethylglykolacetat, Esterlösungsmittel wie Butylacetat, Amylacetat, Methylacetat und Ethylacetat, Keton-Lösungsmittel wie Methylisobutylketon, Cyclopentanon und Cyclohexanon, hochgradig polare Lösungsmittel wie Dimethyl formamid und N-Methylpyrrolidon oder alternativ gemischte Lö sungen aus diesen, gemischte Lösungsmittel unter Hinzufügung aromatischer Kohlenwasserstoffe o. ä.

Die Lösungsmittel werden vorzugsweise in einer Menge im Be reich vom 1-20-fachen des Gesamtgewichtes der Festbestandtei le verwendet. Entsprechend einem herkömmlichen Verfahren kann die positive lichtempfindliche Zusammensetzung gemäß der Er findung als Photoresist während der Schritte Bedecken, Belich ten, Nachbelichtungs-Backen (im folgenden als PEB bezeichnet) und Entwickeln verwendet werden.

Als Licht zur Belichtung wird Licht im tiefen Ultraviolettbe reich, zum Beispiel Licht von 254 nm einer Niederdruck-Queck silberlampe als Lichtquelle, oder Licht von 308 nm, 248 nm, 193 nm oder 157 nm von Excimerlasern oder ähnlichem als Lichtquellen verwendet. Das bei der Belichtung verwendete Licht muß kein monochromatisches Licht sein, sondern kann eine breite Vertei lung aufweisen.

Geeignete Bedingungen für das PEB stellen die Benutzung einer Hot-Plate, von Temperaturen von 80-150° Grad Celsius und einer Zeitspanne von etwa 1-10 Minuten dar. Anstelle der Hot- Plate kann auch ein Konvektionsheizer verwendet werden. In diesem Falle wird jedoch im Vergleich zur Nutzung einer Hot- Plate allgemein eine längere Zeitspanne benötigt.

Als Entwickler kann zweckmäßig ein Alkalientwickler verwendet werden. Beispiele dafür enthalten anorganische Alkaliverbin dungen wie Kaliumhydroxid, Natriumcarbonat, Natriumsilicat, Natriummetasilicat und wäßrigen Ammoniak, primäre Amine, wie Ethylamin und n-Propylamin, sekundäre Amine wie Diethylamin und Di-n-Propylamin, tertiäre Amine wie Triethylamin und N,N-Diet hylamin und quaternäre Ammoniumsalze wie Tetramethylammo niumhydroxid, Tetraethylammoniumhydroxid und Trimethyl-Hydro xyethylammoniumhydroxid. Zum Gebrauch können dem Entwickler, wenn erforderlich, Alkohol, oberflächenaktive Substanzen o. ä. zugesetzt werden.

Es ist günstig, die Photoresistlösung und den Entwickler beim Gebrauch zu filtern, um Feststoffe auszuscheiden. Die positive lichtempfindliche Zusammensetzung gemäß der Erfindung enthält ein alkalilösliches Harz, einen photochemischen Säurebildner und einen Auflösungsinhibitor. Die Hydroxylgruppe des alkali löslichen Harzes ist nicht durch eine herkömmliche Auflösungs inhibitorgruppe geschützt, sondern die Auflösung des alkali löslichen Harzes wird durch einen gesonderten Auflösungsin hibitor verzögert. Dieser Auflösungsinhibitor wird durch die Wirkung einer Säure zersetzt und verliert seine auflösungsver zögernde Eigenschaft für das alkalilösliche Harz bezüglich eines Entwicklers. Daher wird mit der Erfindung ein großer Unterschied in der Löslichkeit zwischen einem belichteten Abschnitt und einem unbelichteten Abschnitt erreicht, was zu einer höheren Auflösung führt.

Die positiv lichtempfindliche Verbindung nach der vorliegenden Erfindung weist eine solche hohe Auflösung auf und ist daher bei der Herstellung von sehr hoch integrierten Schaltungen (VLSI-IC) anwendbar. Diese positive lichtempfindliche Zusam mensetzung ist allgemein von Bedeutung für die Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen und für die Maskenproduktion und ebenso als Resist für den Offsetdruck wie für die Herstel lung hoch integrierter Schaltungen.

Im folgenden werden Beispiele einer Musterbildung gezeigt, die unter Nutzung von positiv lichtempfindlichen Zusammensetzungen entsprechend der Erfindung ausgeführt werden.

Beispiele 1-11

Das in der folgenden Formel (I) angegebene Polyvinylphenol (hergestellt durch Maruzen Oil Co., Ltd.; Mn = 2700, Mw = 5100),

photochemische Säurebildner, die in den folgenden Formeln (II) und (III) angegeben sind

und Auflösungsinhibitoren (IV)-(IX) nach Tabelle 1 wurden in Ethyllactat mit der in Tabelle 2 angegebenen Menge gelöst, um Resistlösungen zu gewinnen.

Tabelle 1

Struktur der Auflösungsinhibitoren

Die Auflösungsinhibitoren (IV)-(IX) entsprechen der Formel

wobei R R₁, R₂ oder Wasserstoff ist und

ist; und

ist.

In Tabelle 1 sind die Veresterungsverhältnisse aus dem folgenden Ausdruck abgeleitet:
Veresterungsverhältnis = (Zahl von R₁ und R₂)/(Zahl von R₁ und R₂ + Zahl der Wasserstoffatome).

Das Veretherungsverhältnis kann auf die gleiche Weise gewonnen werden wie oben. Bei der Erfindung sind die Veresterungs- und Veretherungsverhältnisse vorzugsweise im Bereich von 20-100%.

Die Resistlösungen wurden jeweils auf einen Silizium-Wafer durch Drehschleudern (spin-coating) aufgebracht und dann für 60 Sekunden bei 80°C auf einer Hot-Plate vorgebacken, so daß eine Resistschicht von 1 µm erhalten wurde. Diese Resistschicht wurde mittels eines KrF-Excimer-Laser-Steppers (hergestellt von Nikon Co., Ltd.) mit einem Linsendurchmesser N.A. = 0,37 und einer Laser-Wellenlänge von 248 nm belichtet. Dann wurde die be lichtete Resistschicht auf einer Hot-Plate bei 110°C für 90 Sekunden einem PEB ausgesetzt und mit dem Puddle-Verfahren für 30 Sekunden mit einer 2,38%-igen wäßrigen Tetramethyl ammoniumhydroxidlösung entwickelt, so daß Resistmuster erhalten wurden.

Die Empfindlichkeit, die Auflösung und die Querschnittsform von 0,4 µm-Linien- und Raummustern zu diesem Zeitpunkt sind in Tabelle 2 gezeigt. Die Empfindlichkeit entspricht einer Belich tungsenergie, bei der die im belichteten Abschnitt zurückge bliebene Schicht 0 ist, und die Auflösung entspricht der minimalen Strukturabmessung, die durch das Linien- und Raummu ster aufgelöst werden kann.

Referenzbeispiel

Als Referenz-Zusammensetzung wurde unter ähnlichen Bedingungen wie bei denen des Resists im oben beschriebenen Beispiel "PR- 1024" von MacDermid Inc., welches ein Resist vom Naphtochinon- Diazid-Novolakharz-Typ ist, eingesetzt. Das Prüfungsergebnis ist in Tabelle 2 gezeigt.

Beispiel 12

Bei diesem Beispiel wird eine Esterverbindung (X) des R₁ und des im vorangehenden Beispiel gezeigten Novolakharzes als Auf lösungsinhibitor verwendet. Das mittlere Molekulargewicht des verwendeten Novolakharzes ist 600, und das mittlere Vereste rungsverhältnis der Esterverbindung (X) ist 80%.

Diese Esterverbindung (X) wurde als Auflösungsinhibitor in einer Resistlösung in der Kombination und den Mengen nach der Tabelle 2 in einem ähnlichen Verfahren wie bei dem vorigen Bei spiel verwendet, so daß eine Prüfung des Resistmusters ausge führt wurde. Das Ergebnis der Prüfung ist in Tabelle 2 gezeigt.

Beispiel 13

Bei diesem Beispiel wurde ein Novolakharz (XI) als alkalilösli ches Harz verwendet. Das zahlendurchschnittliche Molekularge wicht (Mn) des verwendeten Novolakharzes ist 1200, und das gewichtsdurchschnittliche Molekulargewicht (Mw) ist 7000. Das Zusammensetzungsverhältnis dieses Novolakharzes ist Metacresol:Paracresol = 6 : 4. Dieses Novolakharz wurde als alkalilösliches Harz verwendet, und eine Resiststrukturierungs lösung wurde nach den in Tabelle 2 angegebenen Zusammenset zungen und Mengen präpariert und ein ähnliches Verfahren wie bei den vorigen Beispielen angewendet. Danach wurden die Resistmuster geprüft. Das Ergebnis der Prüfung ist in Tabelle 2 angegeben.

Wie aus den in Tabelle 2 gezeigten Ergebnissen deutlich wird, liefern die positiv lichtempfindlichen Verbindungen entspre chend der Erfindung Resistmaterialien mit höherer Auflösung und ausgezeichneten Strukturprofilen, die zur Erreichung von Auflö sungen auf dem 0,5 µm-Niveau und darunter geeignet sind.

Claims

1. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung mit einem alkalilöslichen Harz, das in einem alkalischen Entwick ler löslich ist,
einem photochemischen Säurebildner, der im wesentlichen mindestens einen Bestandteil aufweist, der aus der Gruppe von Oniumsalzen, Sulfonsäureester und photoempfindlichen Halogenverbindungen ausgewählt ist, und
einem Auflösungsinhibitor, der die Auflösung des alkalilösli chen Harzes in einem alkalischen Entwickler verzögert,
wobei der Auflösungsinhibitor eine Verbindung aufweist, die nicht Teil des alkalilöslichen Harzes ist und durch eine aus dem photochemischen Säuregenerator gebildete Säure zersetzbar ist, und wobei die zersetzte Form des Auflösungsinhibitors die Auflösung des alkalilöslichen Harzes in einem alkalischen Ent wickler nicht verzögert,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Auflösungsinhibitor mindestens eine Verbindung aus der aus einer vollständigen oder teilweisen Esterverbindung und einer vollständigen oder teilweisen Etherverbindung bestehenden Gruppe aufweist,
wobei die vollständige und teilweise Esterverbindung aus min destens einer organischen Säure der folgenden Formel (1) wobei X aus der aus bestehenden Gruppe ausgewählt ist und R¹-R³ einzeln aus der aus Wasserstoff, Alkylgruppen und Allylgruppen bestehenden Gruppe ausgewählt sind,
und einem alkalilöslichen Polymer mit einer phenolischen Hydroxylgruppe gebildet ist, und
die vollständige oder teilweise Etherverbindung aus mindestens einem Alkohol der folgenden Formel (2) wobei R⁴ eine Alkylgruppe ist und R⁵ und R⁶ einzeln aus Alkyl gruppen und Allylgruppen ausgewählt sind,
und einem alkalilöslichen Polymer mit einer phenolischen Hydroxylgruppe gebildet ist.

2. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, worin R¹-R⁶ Alkylgruppen und Allylgruppen mit 1-10 C-Atomen sind.

3. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß R¹-R⁶ Alkylgruppen mit nicht mehr als 3 Kohlenstoffatomen sind.

4. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß R¹-R⁶ Methyl gruppen sind.

5. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalilös liche Polymer des Auflösungsinhibitors mindestens eine aus der aus den folgenden Elementen (i-iii) bestehenden Gruppe ausgewählte Spezies aufweist:

(i) ein durch die folgende allgemeine Formel (3) angegebenes Polyvinylphenol-Derivat wobei n eine ganze Zahl von 2-20 ist, R⁷-R¹¹ einzeln aus der aus Wasserstoff, Alkylgruppen, Allylgruppen und eine Hydroxylgruppe ausgewählten Gruppe ausgewählt sind, wobei min destens einer von R⁷-R¹¹ eine Hydroxylgruppe ist,
(ii) einem Novolakharz, das ein Polykondensationsprodukt min destens eines Typs eines Phenolderivates der folgenden allge meinen Formel (4) und mindestens eines Typs eines Ketonderi vates oder Aldehydderivates der folgenden allgemeinen Formel (5) ist, wobei R¹²-R¹⁶ einzeln aus der aus Wasserstoff, Alkylgruppen und Allylgruppen bestehenden Gruppe ausgewählt sind und
(iii) einem Poly-N-(p-Hydroxyphenyl)Maleimid-Derivat der folgenden allgemeinen Formel (6)

6. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß R⁷-R¹⁶ Alkylgruppen und Allyl gruppen mit 1-10 Kohlenstoffatomen sind.

7. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach einem der An sprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Harz ein Harz mit einer phenolischen Hydroxylgruppe aufweist.

8. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach einem der An sprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet, daß ein 1 µm dicker Film des alkalilöslichen Harzes eine Lichtdurchlässigkeit von minde stens 20% bei einer beliebigen Belichtungswellenlänge im Bereich von 150-300 nm hat.

9. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Harz mit der phenoli schen Hydroxylgruppe aus der aus Novolakharz, Poly-N-(p-Hy droxyphenyl)Maleimid und Polyvinylphenol bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

10. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß der photochemi sche Säurebildner einen Säurebildner aufweist, der eine Säure erzeugt, wenn er Licht im Bereich von 150-300 nm ausgesetzt wird.

11. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1-10, dadurch gekennzeichnet, daß auf 100 Gewichtsteile des alkalilöslichen Harzes 0,05-20 Gewichts teile des photochemischen Säurebildners und 1-50 Gewichts teile des Auflösungsinhibitors vorhanden sind.

12. Positiv lichtempfindliche Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1-11, dadurch gekennzeichnet, daß pro 100 Gewichtsteile des alkali löslichen Harzes, 0,1-10 Gewichtsteile des photochemischen Säurebildners und 5-30 Gewichtsteile des Auflösungsin hibitors vorhanden sind.