DE4129403A1 - Abbildungssystem fuer strahlung geladener teilchen mit spiegelkorrektor - Google Patents
Abbildungssystem fuer strahlung geladener teilchen mit spiegelkorrektorInfo
- Publication number
- DE4129403A1 DE4129403A1 DE4129403A DE4129403A DE4129403A1 DE 4129403 A1 DE4129403 A1 DE 4129403A1 DE 4129403 A DE4129403 A DE 4129403A DE 4129403 A DE4129403 A DE 4129403A DE 4129403 A1 DE4129403 A1 DE 4129403A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- imaging system
- deflector
- plane
- planes
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 43
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Abbildungssystem für Strahlung
geladener Teilchen, insbesondere in einem Teilchenstrahl
mikroskop nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die Erzeugung von ionen- oder elektronenoptischen Abbildungs
systemen, die bezüglich ihrer chromatischen Aberration
korrigiert sind, ist verglichen mit der Lichtoptik kompli
ziert. Denn die zur Abbildung verwendeten magnetischen Rund
linsen weisen immer positive Farbfehler auf. Eine Korrektur
solcher Abbildungssysteme dürch Hintereinanderschaltung
mehrerer Linsen ist daher nicht möglich.
Aus Optik, Band 85, Seite 19, 1990 ist es bekannt,
Öffnungsfehler eines elektronenoptischen Systems durch zwei
magnetische Doubletsysteme und einem auf jedes Doublet
folgenden magnetischen Hexapolelement zu korrigieren. Zwar
ist es grundsätzlich auch möglich, durch Oktupole und
kombinierte elektrisch-magnetische Quadrupolelemente eine
gleichzeitige Korrektur von Öffnungs- und Farbfehlern zu
erzielen, jedoch sind dann sehr hohe Anforderungen an die
Stabilität der Quadrupolfelder sowie an die Justierung der
Multipole, zu stellen.
Außerdem ist es auch bekannt, den Farb- und Öffnungsfehler
gleichzeitig durch Verwendung elektrostatischer Spiegel zu
korrigieren, da Farb- und Öffnungsfehler von elektrostati
schen Spiegeln negativ sein können. Ein entsprechendes Abbil
dungssystem ist beispielsweise in Journal of Applied Physics,
Band 67, 6027, (1990) beschrieben. Für solche Spiegelkorrek
tive ist ein Strahlumlenker erforderlich, der den vom Objek
tiv kommenden Elektronenstrahl zum Spiegel umlenkt, und den
am Spiegel reflektierten Elektronenstrahl zum Beobachtungs
strahlengang lenkt. Magnetische Strahlumlenker verursachen in
der Regel selbst Fehler 2. Ordnung, da sie nicht rotations
symmetrisch sind. Zur Vermeidung dieser zusätzlichen Fehler
ist in der zitierten Literaturstelle vorgeschlagen, daß die
Umlenkung in Zwischenbildebenen erfolgen soll. Insgesamt wird
hier ein System benötigt, daß aus drei Umlenkern mit jeweils
zwischengeschalteten Relaylinsensystemen besteht, so daß das
ganze Abbildungssystem sehr komplex und aufwendig ist.
Aus Optik Band 87, Seite 1, 1991 ist ein Spiegelkorrektiv
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bekannt, bei dem ein
einziger 90°-Umlenker mit fünf Sektoren unterschiedlicher
Magnetfeldstärke vorgesehen ist. Die Symmetrieebenen des
Umlenkers sind jeweils zugleich auch Zwischenbildebenen. Der
Spiegel selbst ist in der Bildebene einer zweiten Kathoden
linse angeordnet, die hinter einer außerhalb des Umlenkers
liegenden Beugungsebene angeordnet ist. Hier verbleiben nach
dem zweimaligen Durchgang des Elektronenstrahls durch den
Umlenker die Fehler zweiter Ordnung des Umlenkers.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Ab
bildungssystem nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 dahin
gehend zu verbessern, daß sich bei einfacher Konstruktion die
chromatischen Abbildungsfehler korrigieren lassen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der
Spiegel konjugiert zu den beiden Symmetrieebenen des
Umlenkers angeordnet ist und die beiden Symmetrieebenen im
Abbildungsmaßstab 1:1 ineinander abbildet.
Da beim erfindungsgemäßen Abbildungssystem der Spiegel die
beiden Symmetrieebenen aufeinander mit dem Abbildungsmaßstab
1:1 abbildet und gleichzeitig beide Symmetrieebenen in den
Spiegel abgebildet sind und somit die in den Spiegel ein
fallenden und aus dem Spiegel austretenden Teilchenbahnen
symmetrisch zur optischen Achse des Spiegels und im Umlenker
symmetrisch oder antisymmetrisch zu den Symmetrieebenen ver
laufen, verschwinden die Fehler zweiter Ordnung und die Dis
persion nach dem zweiten Durchgang durch den Umlenker. Es
verbleiben daher lediglich die negativen Farb- und Öffnungs
fehler des Spiegels. Diese können nun so eingestellt werden,
daß die Farb- und Öffnungsfehler anderer im Strahlengang
befindlicher Elemente, z. B. Linsen oder Multipole, kompen
siert sind. Der Strahlumlenker sollte also den Teilchenstrahl
auf dem Weg zum Spiegel und auf dem Weg vom Spiegel zur zwei
ten Ebene jeweils um betragsmäßig gleiche Winkel ablenken.
Für die Abbildung der Symmetrieebenen in den Spiegel kann
zwischen dem Umlenker und dem Spiegel ein verdrehungsfreies
Magnetlinsensystem angeordnet sein. Durch Variation der
Linsenerregung und der Spiegelspannung lassen sich dann Farb-
und Öffnungsfehler über einen weiten Bereich variieren.
Besonders vorzuziehen ist jedoch eine gleichzeitig als
elektrostatisches Spiegel-Linsensystem wirkende Elektroden
anordnung mit einem in der Nähe einer Beugungsebene angeord
neten magnetischen Hexapolelement. Ein solches elektrostati
sches Spiegel-Linsensystem ist verdrehungsfrei, und die Farbund Öffnungsfehler sind dann außerdem unabhängig voneinander
einstellbar.
Die Symmetrieebenen des Umlenkers sollten die optische Achse
der elektrostatischen Spiegel-Linsenkombination oder des
Magnetlinsensystems im halben Ablenkwinkel schneiden.
Vorzugsweise sind die Symmetrieebenen des Umlenkers zur
Zwischenbildebene oder Beugungsebene eines Objektivs
konjugierte Ebenen.
Das erfindungsgemäße Abbildungssystem ist Reflexions-, Trans
missions- und Rasterelektronenmikroskopen sowie mit Ein
schränkungen auch in Ionenstrahlgeräten vorteilhaft einsetz
bar. Bei den elektronenmikroskopischen Anwendungen sind
speziell der Energiebereich unter 100 keV besonders bevor
zugt.
Der Ablenkwinkel des Strahlumlenkers sollte 90° betragen,
damit die optische Achse vor und hinter dem Ablenker, wie aus
Stabilitätsgründen bei Elektronenmikroskopen üblich, vertikal
verlaufen kann.
Ein solcher Ablenker mit einer vierzähligen Symmetrie der
Polschuhanordnung in Ebenen senkrecht zum Magnetfeld kann
gleichzeitig auch zur Trennung von Beleuchtungs- und
Beobachtungsstrahlengang bei Aufbeleuchtung dienen.
Vorzugsweise erzeugt der Strahlumlenker ein äußeres Magnet
feld zur Richtungsaufspaltung der Teilchenbahnen und minde
stens ein zweites Magnetfeld. Die Felder sind dann so einge
stellt, daß der Umlenker gleichzeitig wie eine Feldlinse die
Zwischenbildebenen der im Strahlengang befindlichen Linsen
stigmatisch ineinander abbildet.
Ein Umlenker mit zwei Magnetfeldern, die gleichgerichtet,
jedoch vom Betrag unterschiedlich sind, und dessen
Symmetrieebenen zur Beugungsebene eines Objektivs konjugiert
sind, ist für Rasterelektronenmikroskope gut geeignet.
Solche aus zwei Segmenten bestehenden Umlenker sind sehr
einfach. Die durch Wechselwirkung der nach einem Durchgang
durch den Umlenker noch vorhandenen Dispersionsfehler des
Umlenkers mit den Bildfehlern des Spiegels verursachten
Kombinationsfehler zweiter und dritter Stufe verschwinden für
axiale Strahlen und sind deshalb unschädlich.
Für die Korrektur von Abbildungsfehlern in abbildenden
Systemen, bei denen die Korrektur über ein großes Bildfeld
gewünscht ist, sind Umlenker mit zwei oder drei magnetischen
Ablenkfeldern und zusätzlich überlagerten elektrostatischen
Ablenkfeldern vorzuziehen. Solche Umlenker sind zwar recht
komplex, können dafür aber auch dispersionsfrei sein. Mit
Hilfe eines bereits für einen Durchgang dispersionsfreien
Umlenkers und eines elektrostatischen Spiegels sind Farb- und
Öffnungsfehler eines Objektivs über ein großes Bildfeld kor
rigierbar.
Die Ein- und Austrittsflächen des äußeren magnetischen Feldes
sollten senkrecht zur optischen Achse liegende Ebenen bzw.
Flächen bilden, die groß gegen die Querschnittsfläche des
Teilchenstrahles sind, weil sonst Randquadrupole auftreten,
die die hin- und rücklaufenden Elektronen unterschiedlich
ablenken. Außerdem werden andere störende Einflüsse des
Randfeldes vermieden, und die in einer Ebene liegenden
Teilchenbahnen mit gleichem Eintrittswinkel beschreiben im
äußeren Feld Bahnen mit gleichem Krümmungsradius. Aus den
selben Gründen sollten bei Umlenkern mit zwei oder mehr
Magnetfeldern die Ein- und Austrittsflächen der inneren
Magnetfelder parallel zu den Ein- und Austrittsflächen des
äußeren Ablenkfeldes liegen.
Im folgenden werden Einzelheiten der Erfindung anhand der
Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen:
Fig. 1 den schematischen Strahlengang eines erfindungs
gemäßen Abbildungssystems für ein Rasterelektronen
mikroskop;
Fig. 2a eine Draufsicht auf den Strahlumlenker aus Fig. 1;
Fig. 2b eine Darstellung der fundamentalen Strahlengänge
bezüglich der optischen Achse des Strahlumlenkers
aus Fig. 2a;
Fig. 3a einen Schnitt durch eine elektrostatische Spiegel
linsenkombination mit vier Elektroden;
Fig. 3b ein Diagramm des Achsenpotentials und der elek
trischen Feldstärke der Spiegellinsenkombination
aus Fig. 3a;
Fig. 3c ein Diagramm der Fundamentalstrahlengänge in der
elektrostatischen Spiegellinsenanordnung aus Fig.
3a bei vier verschiedenen Potentialkombinationen;
Fig. 4 den schematischen Strahlengang eines zweiten Aus
führungsbeispiels für ein abbildendes Elektronen
mikroskop;
Fig. 5a einen Schnitt durch eine zweite elektrostatische
Spiegel-Linsenkombination mit sechs Elektroden, und
Fig. 6 ein Diagramm der Fundamentalstrahlengänge in der
Spiegel-Linsenkombination aus Fig. 5a.
Das Rasterelektronenmikroskop nach der Fig. 1 enthält eine
Elektronenquelle mit einer Crossover-Ebene (1), und eine Konden
sorlinse (2), die die Crossover-Ebene (1) entlang der opti
schen Achse (4) abbildet. Diese Elektronen treten in einer
ersten Eintrittsebene (3a) in einen Strahlumlenker (3) ein.
Der Strahlumlenker (3) hat einen quadratischen Querschnitt
und besteht aus äußeren Polschuhen (3e) und inneren Polschu
hen (3f). Zwischen den äußeren Polschuhen (3e) besteht ein
äußeres Magnetfeld (B1), und zwischen den inneren Polschuhen
(3f) besteht ein inneres Magnetfeld (B2). Beide Magnetfelder
sind senkrecht zur Zeichenebene ausgerichtet, wobei das äuße
re Magnetfeld (B1) stärker ist, als das innere Magnetfeld
(B2). Die Diagonalebenen (3g, 3h) sind somit Symmetrieebenen
des Umlenkers (3). Die Beträge der beiden Magnettelder (B1,
B2) sind gerade so eingestellt, daß der Umlenker (3) die
optische Achse (9) um 90° in Richtung aüf einen Spiegel (5)
ablenkt, und daß die hintere Zwischenbildebene (6) der Kon
densorlinse (2) stigmatisch in eine Zwischenbildebene (7)
zwischen dem Spiegel (5) und dem Umlenker (3) abgebildet ist.
Desweiteren ist in der Zwischenbildebene (6) der Kondensor
linse eine Feldlinse (13) angeordnet, die die hintere Beu
gungsebene (15) der Kondensorlinse (2) in die Diagonalebene
(3g) des Umlenkers abbildet.
Ein Linsensystem (5a, 5b) bildet die Diagonalebene (3g) des
Umlenkers (3) in den elektrostatischen Spiegel (5) ab. Der
Spiegel (5) und das Linsensystem (8a, 8b) wirken zusammen als
ein Autokollimationssystem und bilden die Diagonalebene (3g)
in die Diagonalebene (3h) mit dem Abbildungsmaßstab 1:1 ab.
Dadurch sind die in den Spiegel (5) einfallenden und austre
tenden Elektronenbahnen symmetrisch zur optischen Achse (11)
des Spiegelarmes.
Da der Spiegel zusammen mit dem Linsensystem (8a, 8b) rota
tionssymmetrisch ist, verursachen sie keinen Fehler 2. Ord
nung, und die Dispersion und Fehler 2. Ordnung des nicht
rotationssymmetrischen Umlenkers (3) heben sich aufgrund der
Symmetrie der Strahlengänge im Umlenker (3) nach zweimaligem
Durchgang auf.
In der Austrittsebene (3c) des Umlenkers treten die Elektro
nen entlang einer optischen Achse (12) aus, die koaxial zur
optischen Achse (4) der in den Umlenker (3) eintretenden
Elektronen ist. Das System aus Umlenker (3), Linsensystem
(8a, b) und Spiegel (5) bildet die Zwischenbildebene (6) der
Kondensorlinse (2) in die Zwischenbildebene (9) im Abbil
dungsmaßstab 1:1 ab. Ein Objektiv (10) bildet das hier ent
stehende Bild der Crossover-Ebene (1) verkleinert mit der
Zwischenvergrößerung V auf ein Objekt (16) ab. Ein nicht
dargestelltes Abtastsystem dient desweiteren zur Abtastung
des Objektes (16). In der objektivseitigen Zwischenbildebene
(9) ist eine weitere Feldlinse (17) angeordnet, die die
Symmetrieebenen (3g, 3h) in die vom Objekt (16) abgewandte
Beugungsebene des Objektivs (10) abbildet.
Die Ein- und Austrittsebenen (3a, 3b, 3c, 3d) des äußeren
magnetischen Feldes (B1) sind Ebenen senkrecht zu der je
weiligen optischen Achse (4, 11, 12), so daß störende Ein
flüsse des Randfeldes vermieden sind. Die Ein- und Austritts
ebenen (3i, 3k, 3l, 3m) des inneren Ablenkfeldes (B2) sind zu
den jeweils zugehörigen Ein-Austrittsebenen (3a, 3b, 3c, 3d)
des äußeren Feldes (B1) parallel.
Durch geeignete Wahl der Erregung des Linsensystems (8a, b)
und der Spannungen des elektrostatischen Spiegels (5) läßt
sich der negative Farbfehler dieser Kombination aus Spiegel
und Linsen über einen weiten Bereich derart variieren, daß
der positive Farbfehler der Objektivlinse (10) kompensiert ist.
Die verbleibende sphärische Aberration läßt sich dann einfach
durch ein in der Beugungsebene (7) zwischen den Linsen (8a,
b) und zur optischen Achse (11) zentriert angeordnetes magne
tisches Hexapolelement (18) einstellen. Dieses wird zweifach
durchlaufen und wirkt daher wie das in der eingangs zitierten
Literaturstelle beschriebene Hexapoldouplet. Dadurch ist die
Kathode (1) ohne Farb- und Öffnungsfehler auf das Objekt (16)
abgebildet. Das System aus Linsen (5a, b) und Spiegel (5)
kann auch durch die elektrostatischen Spiegel-Linsenkombina
tionen aus Fig. 3a oder Fig. 5a ersetzt sein.
In der Fig. 2a ist der Strahlumlenker (3) in einer zur
Zeichenebene der Fig. 1 senkrechten Schnittebene
dargestellt. Er besteht aus einem oberen Polschuh (31) und
einem unteren Polschuh (32). In jeden der Polschuhe sind eine
innere rechteckförmige Nute (33) und eine äußere
rechteckförmige Nute (34) eingefräst. In diesen beiden Nuten
(33, 34) sind die Erregerspulen (35, 36) des Umlenkers
aufgenommen. Die äußere Spüle (35) ist relativ stark erregt,
und erzeugt im Bereich zwischen den beiden Nuten (33, 34) das
äußere magnetische Umlenkfeld mit der Stärke (B1). Die inne
ren Spulen (36) sind schwächer und entgegengesetzt zu den
äußeren Spulen (35) erregt. Dadurch entsteht in einem inneren
Bereich innerhalb der Nute (33) zwischen den beiden Polschu
hen (31) und (32) das schwächere innere magnetische Ablenk
feld mit der Induktion (B2). Die Pfeile zwischen den beiden
Polschuhen (31) und (32) stellen die Feldlinien der beiden
magnetischen Umlenkfelder (B1, B2) dar, wobei der Abstand der
Pfeile die Feldstärke symbolisiert.
In der Fig. 2b ist der Verlauf der Fundamentalbahnen relativ
zur optischen Achse dargestellt, d. h., die in der Fig. 1
innerhalb des Umlenkers (3) jeweils um 90° abgelenkten
optischen Achsen sind in der Fig. 2b als Gerade darge
stellt. Die Zwischenbildebenen vor, und hinter dem Umlenker
sind mit (C1) und (C2) bezeichnet, d. h. für ein Elektron, das
in der Fig. 1 aus der Kathode (1) austritt bezeichnet (C1)
die Bildebene (6) der Kondensorlinse und (C2) die Bildebene
(19) zwischen Umlenker (3) und Spiegel (5). Die Feldbahnen
in der Zeichen-Ebene von Fig. 1 sind mit (xγ) und die Feld
bahnen in der zur Zeichen-Ebene der Fig. 1 senkrechten yz-
Ebene sind mit (yδ) bezeichnet. In der Mitte des durch die
beiden Umlenkfelder (B1, B2) gekennzeichneten Umlenkers
schneiden beide Feldbahnen (xγ, yδ) die optische Achse (z).
Die Aperturbahnen für ein sich in der Zeichenebene von Fig. 1
ausbreitendes Elektron ist mit (xa) bezeichnet. Ein entlang
einer xα-Bahn fliegendes Elektron erfährt beim Eintritt in
das äußere Magnetfeld (B1) aufgrund seiner senkrecht zur
optischen Achse (14) liegenden Geschwindigkeitskomponente
eine Kraft in Richtung auf die optische Achse (4). Dadurch
erfährt das Elektron eine Ablenkung hin zur optischen Achse
(4). Im inneren Magnetfeld (B2) erfährt dann das entlang der
xα-Bahn fliegende Elektron eine Ablenkung weg von der opti
schen Achse. Daher entfernt sich die xα-Bahn im weiteren
Verlauf zunächst von der optischen Achse, um dann im Bereich
der Symmetrieebene (3g) parallel zur optischen Achse zu ver
laufen. Hinter der Symmetrieebene (3g) nähert sich dann die
xα-Bahn wieder der optischen Achse an, und schneidet die
optische Achse (11) im Spiegelstrahlengang im Bereich der
Zwischenbildebene (C2).
Die in einer zur Zeichenebene der Fig. 1 senkrechten Ebene
verlaufende yβ Apertur-Bahn erfährt im äußeren Magnetfeld
(B1) eine Beschleunigung in x-Richtung. Diese Geschwindig
keitskomponente bewirkt zusammen mit dem Streufeld (37)
(siehe Fig. 2a) beim Übergang vom äußeren Magnetfeld (B1)
ins innere Magnetfeld (B2) eine Brechung zur optischen Achse
(4) hin. Daher verläuft die yβ-Bahn im Bereich des inneren
Magnetfeldes (B2) parallel zur optischen Achse. Beim Übergang
vom inneren Magnetfeld (B2) zum äußeren Magnetfeld (B1) er
fährt die yβ-Bahn eine weitere Brechung zur optischen Achse
(11) hin. Wichtig ist, daß in den Bereichen (40, 41) außer
halb des Umlenkers die xα-Bahn und die yβ-Bahn im gleichen
Winkel die optischen Achsen (4, 11) in den Zwischenbildebenen
(C1, C2) schneiden. Denn dies bedeutet, daß die Zwischenbild
ebene (C1) stigmatisch und verzeichnungsfrei im Maßstab 1:1
in die Zwischenbildebene (C2) abgebildet wird.
Die in der Fig. 3a im Schnitt dargestellte elektrostatische
Spiegellinsenkombination (60), die anstelle des Spiegels (5)
und der Linse (5a, 5b) in Fig. 1 einsetzbar ist, besteht aus
vier Elektroden (61, 62, 63, 64). Die optische Achse (z)
weist in Richtung auf den hier nicht dargestellten Strahlum
lenker. Die Elektroden (61, 62, 63, 64) liegen auf den
elektrischen Potentialen (Φ1, Φ2, Φ3, Φ4). Das Potential (Φ4)
der dem Strahlumlenker zugewandten Elektrode (64) entspricht
der kinetischen Energie der einfallenden Elektronen.
In der Fig. 3b ist die Energie (66) eines sich entlang der
optischen Achse (z) ausbreitenden Elektrons in der Spiegel
linsenkombination (60) dargestellt. Der Verlauf der kineti
schen Energie (66) bezieht sich dabei auf ein Elektron, das
eine Energie von 10 keV hat, und die Elektrodenpotentiale den
in der Tabelle 1 angegebenen Werten entsprechen.
In der Fig. 3c sind die (xα, yβ)-Bahnen und die (xγ, yδ)-
Bahnen eines 10 kV-Elektrons bei drei unterschiedlichen Ein
stellungen der Potentiale (Φ1, Φ2, Φ3, Φ4) eingezeichnet. Die
durchgezogenen Bahnen gehören zu der in Tabelle 1 angegebenen
Potentialeinstellung. Bei einer Einstellung der Spannungen
gemäß der Tabelle 2 ergeben sich die gestrichelt dargestell
ten Bahnen und bei einer Einstellung nach Tabelle 3 die
strichpunktierten Bahnen. Aus den in den Tabellen 1-3 ange
gebenen Werten für die chromatische Aberration (Cc) erkennt
man, daß sich der negative Farbfehler der elektrostatischen
Spiegellinsenkombination (60) über einen großen Bereich durch
Änderung der an den Elektroden anliegenden Potentialen ein
stellen läßt. Die Fehlerkoeffizienten (Cc) der chromatischen
und (Cö) der sphärischen Aberation beziehen sich dabei auf
die Objektebene bei der ebenfalls in den Tabellen angegebenen
Zwischenvergrößerungen (V).
Die sich entlang der γ- und δ-Bahnen ausbreitenden Elek
tronen schneiden die optische Achse (z) bei allen Potential
einstellungen an der selben Stelle (zo) und breiten sich
anschließend auf einer zur Einfallsbahn bezüglich der opti
schen Achse (z) spiegelsymmetrischen Bahn aus. Die sich ent
lang der α-, β-Bahnen ausbreitenden Elektronen werden am Ende
der α-, β-Bahnen in sich selbst reflektiert. Die α-, β-Bahnen
schneiden die optische Achse (z) an der mit (z1) gekennzeich
neten Stelle. An dieser Stelle liegt eine virtuelle Zwischen
bildebene vor. Die γ- und δ-Bahnen schneiden die optische
Achse bei z = 180 mm. Hier liegt eine Beugungsebene vor, die
beim Gesamtsystem mit den Symmetrieebenen (3g, 3h) des
Umlenkers zusammenfällt.
Das Abbildungssystem in Fig. 4 hat einen dispersionsfreien
Umlenker (80). Der Umlenker besteht aus äußeren Polschuhen
(81) und inneren Polschuhen (82). Das Magnetfeld (B4) zwi
schen den inneren Polschuhen (82) ist betragsmäßig doppelt so
groß, wie das Magnetfeld (B3) zwischen den äußeren Polschuhen
(81). Die Richtung beider Magnetfelder (B3, B4) ist senkrecht
zur Zeichenebene. Zwischen den inneren und den äußeren Pol
schuhen befindet sich ein Raum (83), der vorzugsweise magnet
feldfrei ist. Hier könnte prinzipiell auch noch ein drittes
magnetisches Umlenkfeld eingeschaltet sein.
Dem inneren Magnetfeld (B4) sind elektrische Felder (E) über
lagert, die jeweils radial zur jeweiligen optischen Achse
(85a-c) ausgerichtet sind. Zur Erzeugung der elektrischen
Felder sind Elektroden (84a-e) vorgesehen. Die den optischen
Achsen (85a-c) zugewandten Elektrodenflächen haben die Form
von Zylindermänteln. Die an den Elektroden angelegte Spannung
ist gerade so gewählt, daß die magnetische Ablenkung der
Elektronenbahnen im inneren Magnetfeld (B4) ungefähr zur
Hälfte kompensiert ist. Dadurch wird erreicht, daß die Abbil
dung durch den Umlenker bereits beim einfachen Durchgang
dispersionsfrei ist.
Der Umlenker (80) ist im Bereich der optischen Achse (85a)
symmetrisch zur Diagonalebene (80g) und in den Bereichen der
optischen Achsen (85b) und (85c) symmetrische zur zweiten
Diagonalebene (50h).
Der Umlenker lenkt die entlang der optischen Achsen (85a-c)
einfallenden Elektronen bei jedem Durchgang jeweils um 90
Grad ab. Dabei ist beleuchtungsseitig die Zwischenbildebene
(57) einer nicht dargestellten Kondensorlinse in die
Diagonalebene (80h) abgebildet. Eine vor einem Objektiv (90)
angeordnete Feldlinse (91) bildet die Diagonalebene (80h) in
die hintere Beugungsebene (90a) des Objektivs (90) ab.
Gleichzeitig bildet die Feldlinse (91) die Beugungsebene
(90 a) des Objektivs (90) in die Diagonalebene (80g) ab.
Analog zur Fig. 1 ist diese Diagonalebene (50g) über den
Spiegel (93) in die zweite Diagonalebene (50h) abgebildet,
wobei ein Zwischenbild der Diagonalebenen (80g, 80h) im
Spiegel (93) liegt. Ein Projektiv (94) erzeugt ein reelles
Abbild des Objektes (92) in der Ebene (95). Der Umlenker
selbst bildet die Zwischenbildebenen (86, 58, 89) stigmatisch
und verzeichnungsfrei aufeinander ab.
Zur Einstellung der Brechkraft des Umlenkers (80) in der zur
Zeichenebene senkrechten Richtung kann an die Elektroden
(84a-c) noch ein konstantes Offset-Potential angelegt sein.
Dadurch wird ein Quadrupolfeld erzeugt, das senkrecht zur
Zeichenebene zusätzlich fokussierend oder defokussierend
wirkt, je nachdem ob ein positives oder negatives Offset-
Potential angelegt ist. Der Wert des Offset-Potentials (rela
tiv zum Potential der Polschuhe (81, 82)) ist sogewählt, daß
der Umlenker (50) in der Zeichenebene und in der zur Zeichen
ebene senkrechten Richtung dieselbe Brechkraft hat.
Da die beobachtungsseitigen Strahlengänge im Bereich der
optischen Achsen (85a, 85b) symmetrisch zu einer der Diago
nalebenen (80g, 80h) verlaufen, heben sich die Fehler 2.
Ordnung des Umlenkers (80) nach zweimaligem Durchgang gerade
wieder auf. Der negative Farbfehler des Spiegels (93) ist
gerade so eingestellt, daß der positive Farbfehler des Objek
tivs (90) kompensiert ist. Der gemeinsame Öffnungsfehler von
Objektiv (90) und Spiegel (93) ist durch einen magnetischen
Hexapol (96) kompensiert. Der Hexapol (96) ist dazu in einer
zur Beugungsebene (90a) konjugierten Ebene (90b) angeordnet.
Das Objekt (92) ist somit ohne Farb- und Öffnungsfehler ver
größert in die Ebene (95) abgebildet.
Da jeder einzelne Durchgang durch den Umlenker (80) disper
sionsfrei ist, können auch keine Kombinationsfehler zwischen
der Dispersion und dem Farb- oder Öffnungsfehler des Spiegels
(93) auftreten. Daher ist das Abbildungssystem auch für ein
großes Bildfeld bezüglich Farb- und Öffnungsfehler korri
giert.
Es ist noch zu bemerken, daß nicht unbedingt die Beugungs
ebene (90a) in die Diagonalebenen (50g, h) und in den Spiegel
(93) abgebildet sein muß. Es ist vielmehr auch möglich, eine
Zwischenbildebene in die Diagonalebenen abzubilden. Es ent
steht dann ein reelles Zwischenbild des Objektes (92) im
Spiegel (93). Der Hexapol muß dann so angeordnet sein, daß er
wieder in einer Beugungsebene liegt. Aufgrund der vertausch
ten Bahnen ist dabei ein elektrostatischer Hexapol zu verwen
den.
Das System aus Linsen (97a, b) und Spiegel (93) besteht
vorzugsweise aus einem elektrostatischen Spiegel-Linsensystem
(98), das anhand der Fig. 5a und 5b beschrieben ist.
Das elektrostatische Spiegel-Linsensystem aus Fig. 5a hat
sechs Elektroden (101 bis 106). Durch geeignete Wahl der
Potentiale an den sechs Elektroden lassen sich die Abbil
dungseigenschaften sowohl auf unterschiedliche Abstände der
Zwischenbild- und Beugungsebenen einstellen, als auch der
Farbfehler und die Steigung der α-Bahn im Inneren der Spie
gel-Linsenkombination. In einem Hohlraum der Elektrode (103)
ist ein magnetischer Hexapol (107) zur Einstellung des
Öffnungsfehlers angeordnet. Das Hexapolfeld wirkt durch die
Wandung der Elektrode (103) hindurch. In der Fig. 5a ist zur
Vereinfachung nur eine Hälfte der Spiegel-Linsenkombination
(100) dargestellt. Die Elektroden (101-106) selbst sind je
weils rotationssymmetrisch zur optischen Achse (z).
In der Fig. 5b sind die (xα, yβ) und die (xγ, yb)-Bahnen für
10 keV-Elektronen bei den in den Tabellen 4-5 angegebenen
Potentialen (Φ1) bis (Φ6) angegeben. Elektronen auf den (α,
β)-Bahnen werden jeweils an der Stelle (Zo) in sich selbst
reflektiert, während Elektronen auf den (γ, δ)-Bahnen auf
einer zur z-Achse spiegelsymmetrischen (γ, δ)-Bahn umgelenkt
werden.
Wie die Tabellen 4-8 zeigen, läßt sich der Farbfehler (Cc) der
Spiegel-Linsenkombination über einen großen Bereich variie
ren. Durch Variation des Potentials (Φ5), das in den Tabellen
4-8 fest ist und geeigneter Anpassung der Potentiale (Φ1 bis
Φ4), läßt sich auch noch die Lage der bei (z2) vorliegenden
Beugungsebene variieren. Der magnetische Hexapol zur
Einstellung des Öffnungsfehlers ist in der Nähe der bei (z3)
vorliegenden Beugungsebene angeordnet.
Die in den Tabellen 4-8 angegebenen Werte für den Öffnungs
fehler (Cö) und den Farbfehler (Cc) beziehen sich auf eine
Objektebene bei der ebenfalls in den Tabellen angegebenen
Zwischenvergrößerung. Das System aus Strahlumlenker und elek
trostatischer Spiegel-Linsenkombination erlaubt daher die
gleichzeitige Korrektur von Farb- und Öffnungsfehlern bei
unterschiedlichen Objektiverregungen und daraus resultieren
den unterschiedlichen Zwischenvergrößerungen.
Tabelle 1:
Φ₁ = - 4,243 kV
Φ₂ = +15,847 kV
Φ₃ = + 3,212 kV
Φ₄ = +10 kV
Φ₂ = +15,847 kV
Φ₃ = + 3,212 kV
Φ₄ = +10 kV
Cc = -10 mm
Cö = 1,39 mm
V = 10
Cö = 1,39 mm
V = 10
Tabelle 2:
Φ₁ = - 2,411 kV
Φ₂ = + 8,929 kV
Φ₃ = + 2,351 kV
Φ₄ = +10 kV
Φ₂ = + 8,929 kV
Φ₃ = + 2,351 kV
Φ₄ = +10 kV
Cc = -20 mm
Cö = + 2,36 mm
V = 10
Cö = + 2,36 mm
V = 10
Tabelle 3:
Φ₁ = - 1,112 kV
Φ₂ = + 4,091 kV
Φ₃ = + 2,087 kV
Φ₄ = +10 kV
Φ₂ = + 4,091 kV
Φ₃ = + 2,087 kV
Φ₄ = +10 kV
Cc = -50 mm
Cö = + 4,54 mm
V = 10
Cö = + 4,54 mm
V = 10
Tabelle 4:
Φ₁ = - 1,382 kV
Φ₂ = + 4,946 kV
Φ₃ = + 0,732 kV
Φ₄ = + 8,127 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Φ₂ = + 4,946 kV
Φ₃ = + 0,732 kV
Φ₄ = + 8,127 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Cc = -6,4 mm
Cö = -0,1 mm
V = 23,9
Cö = -0,1 mm
V = 23,9
Tabelle 5:
Φ₁ = - 1,856 kV
Φ₂ = + 6,686 kV
Φ₃ = + 0,807 kV
Φ₄ = + 8,127 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Φ₂ = + 6,686 kV
Φ₃ = + 0,807 kV
Φ₄ = + 8,127 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Cc = -13,5 mm
Cö = - 0,9 mm
V = 13,3
Cö = - 0,9 mm
V = 13,3
Tabelle 6:
Φ₁ = - 3,124 kV
Φ₂ = +11,316 kV
Φ₃ = + 1,132 kV
Φ₄ = + 8,127 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Φ₂ = +11,316 kV
Φ₃ = + 1,132 kV
Φ₄ = + 8,127 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Cc = -50 mm
Cö = -32,8 mm
V = 4,6
Cö = -32,8 mm
V = 4,6
Tabelle 7:
Φ₁ = - 5,716 kV
Φ₂ = +22,236 kV
Φ₃ = + 2,104 kV
Φ₄ = + 8,126 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Φ₂ = +22,236 kV
Φ₃ = + 2,104 kV
Φ₄ = + 8,126 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Cc = -2 mm
Cö = -0,2 mm
V = 13,3
Cö = -0,2 mm
V = 13,3
Tabelle 8:
Φ₁ = - 0,708 kV
Φ₂ = + 2,505 kV
Φ₃ = + 0,732 kV
Φ₄ = + 8,127 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Φ₂ = + 2,505 kV
Φ₃ = + 0,732 kV
Φ₄ = + 8,127 kV
Φ₅ = + 1,553 kV
Φ₆ = +10 kV
Cc = -50 mm
Cö = - 2,4 mm
V = 13,3
Cö = - 2,4 mm
V = 13,3
Claims (14)
1. Abbildungssystem für Strahlung geladener Teilchen
insbesondere in einem Teilchenstrahlenmikroskop, mit
einem im Strahlengang angeordneten Umlenker, der in einem
ersten Bereich symmetrisch zu einer ersten Symmetrieebene
und mindestens in einem zweiten Bereich symmetrisch zu
einer zweiten Symmetrieebene ist, und einem hinter dem
Umlenker angeordneten elektrostatischen Spiegel, dadurch
gekennzeichnet, daß der elektrostatische Spiegel (5; 60;
93; 100) konjugiert zu den beiden Symmetrieebenen (3g,
3h; 50g, 50h) des Umlenkers (3; 50) angeordnet ist und
die beiden Symmetrieebenen (3g, 3h; 80g, 50h) im
Abbildungsmaßstab 1:1 aufeinander abgebildet sind.
2. Abbildungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der elektrostatische Spiegel (5; 93) eine
elektrostatische Spiegel-Linsenkombination (60; 98; 100)
ist oder zwischen dem Umlenker (3; 80) und dem elektro
statischen Spiegel (5; 93) ein Magnetlinsensystem (5a,
5b; 97a, 97b) angeordnet ist.
3. Abbildungssystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Umlenker (3; 80) den Teilchenstrahl bei jedem
Durchgang jeweils um betragsmäßig gleiche Ablenkwinkel
ablenkt.
4. Abbildungssystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Symmetrieebenen (3g, 3h; 80g, 80h) die optische
Achse (11, 99b) der elektrostatischen Spiegel-
Linsenkombination (15; 98) oder des Magnetlinsensystems
(8a, 8b; 97a, 97b) im halben Ablenkwinkel schneiden.
5. Abbildungssystem nach einem der Ansprüche 2-4, dadurch
gekennzeichnet, daß der Umlenkwinkel jeweils 90° beträgt.
6. Abbildungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß im Strahlumlenker (3; 50) ein erstes äußeres
magnetisches (B1; B3) und mindestens ein zweites
magnetisches Ablenkfeld (B2; B4) erzeugt sind.
7. Abbildungssystem nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Eintritts- und Austrittsebenen (3a, 3b, 3c, 3d)
des äußeren magnetischen Feldes (B1; B3) jeweils
senkrecht zur optischen Ein-Ausfallsachse (4, 11, 12;
99a-d) liegende ebene Flächen bilden.
8. Abbildungssystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Eintritts- und Austrittsflächen (3i, 3k, 3l, 3m)
des zweiten magnetischen Ablenkfeldes (B2; H4) parallel
zu den Ein- und Austrittsflächen (3a, 3b, 3c, 3d) des
äußeren magnetischen Ablenkfeldes (B1; H3) sind.
9. Abbildungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Symmetrieebenen (3g, 3h;
80g, 80h) zu Zwischenbildebenen oder zur Beugungsebene
(15; 90a) eines Objektivs (2; 90) konjugierte Ebenen
sind.
10. Abbildungssystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß genau zwei gleichgerichtete magnetische Ablenkfelder
(B1, B2) erzeugt sind, und daß die Symmetrieebenen (3g,
3h) zur Beugungsebene (15) eines Objektivs (2)
konjugierte Ebenen sind.
11. Abbildungssystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß im Strahlumlenker (80) mindestens zwei magnetische
Ablenkfelder (B3, B4) und zusätzliche elektrostatische
Ablenkfelder (E) erzeugt sind.
12. Abbildungssystem nach einem der Ansprüche 1-11, dadurch
gekennzeichnet, daß in einer zur Beugungsebene (15; 90a)
eines Objektivs (2; 90) konjugierten Ebene (7; 90b) ein
Hexapolelement (18; 96) angeordnet ist.
13. Abbildungssystem nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß das elektrostatische Spiegellinsensystem
(60) mindestens vier Elektroden (61-64) hat.
14. Abbildungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Strahlumlenker (80) gleichzeitig zur Trennung von
Beleuchtungs- (85c) und Beobachtungsstrahlengang (85a)
dient.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4129403A DE4129403A1 (de) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | Abbildungssystem fuer strahlung geladener teilchen mit spiegelkorrektor |
DE59206009T DE59206009D1 (de) | 1991-09-04 | 1992-08-25 | Abbildungssystem für Strahlung geladener Teilchen mit Spiegelkorrektor |
EP92114441A EP0530640B1 (de) | 1991-09-04 | 1992-08-25 | Abbildungssystem für Strahlung geladener Teilchen mit Spiegelkorrektor |
JP23552692A JP3269575B2 (ja) | 1991-09-04 | 1992-09-03 | 鏡補正器を有する、荷電素粒子ビーム用結像系 |
US07/940,844 US5319207A (en) | 1991-09-04 | 1992-09-04 | Imaging system for charged particles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4129403A DE4129403A1 (de) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | Abbildungssystem fuer strahlung geladener teilchen mit spiegelkorrektor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4129403A1 true DE4129403A1 (de) | 1993-03-11 |
Family
ID=6439844
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4129403A Withdrawn DE4129403A1 (de) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | Abbildungssystem fuer strahlung geladener teilchen mit spiegelkorrektor |
DE59206009T Expired - Lifetime DE59206009D1 (de) | 1991-09-04 | 1992-08-25 | Abbildungssystem für Strahlung geladener Teilchen mit Spiegelkorrektor |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59206009T Expired - Lifetime DE59206009D1 (de) | 1991-09-04 | 1992-08-25 | Abbildungssystem für Strahlung geladener Teilchen mit Spiegelkorrektor |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5319207A (de) |
EP (1) | EP0530640B1 (de) |
JP (1) | JP3269575B2 (de) |
DE (2) | DE4129403A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10235981B4 (de) * | 2002-08-06 | 2008-07-17 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenoptische Vorrichtung und Elektronenmikroskop |
DE102012013593A1 (de) * | 2012-07-07 | 2014-01-09 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls |
US9773635B2 (en) | 2012-07-07 | 2017-09-26 | Lilas Gmbh | Device for producing an electron beam |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4310559A1 (de) * | 1993-03-26 | 1994-09-29 | Zeiss Carl Fa | Abbildendes Elektronenenergiefilter |
JP3658034B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | 画像観察光学系及び撮像光学系 |
DE19543652C1 (de) * | 1995-11-23 | 1997-01-09 | Focus Gmbh | Reflexionselektronenmikroskop |
DE19746785A1 (de) | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlgerät mit Energiefilter |
JP2000098293A (ja) | 1998-06-19 | 2000-04-07 | Canon Inc | 画像観察装置 |
US6555818B1 (en) * | 1999-06-16 | 2003-04-29 | Jeol Ltd. | Transmission electron microscope |
AU6062000A (en) * | 1999-07-02 | 2001-01-22 | Michael Mauck | Method and apparatus for simultaneously depositing and observing materials on a target |
US6633034B1 (en) * | 2000-05-04 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for imaging a specimen using low profile electron detector for charged particle beam imaging apparatus including electrostatic mirrors |
DE10107910A1 (de) * | 2001-02-20 | 2002-08-22 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlsystem mit einem Spiegelkorrektor |
US7022987B2 (en) | 2001-02-20 | 2006-04-04 | Carl Zeiss Nis Gmbh | Particle-optical arrangements and particle-optical systems |
US7432514B2 (en) | 2002-03-26 | 2008-10-07 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for surface potential reflection electron mask lithography |
US6878937B1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-04-12 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Prism array for electron beam inspection and defect review |
US7816655B1 (en) * | 2004-05-21 | 2010-10-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Reflective electron patterning device and method of using same |
US6943360B1 (en) | 2004-07-12 | 2005-09-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Twisted-compensated low-energy electron microscope |
US7009177B1 (en) | 2004-12-07 | 2006-03-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and method for tilted particle-beam illumination |
US7394069B1 (en) | 2005-08-30 | 2008-07-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Large-field scanning of charged particles |
US7348566B2 (en) * | 2006-02-28 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Aberration-correcting cathode lens microscopy instrument |
US7453062B2 (en) * | 2006-02-28 | 2008-11-18 | International Business Machines Corporation | Energy-filtering cathode lens microscopy instrument |
US7566873B1 (en) | 2006-11-17 | 2009-07-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High-resolution, low-distortion and high-efficiency optical coupling in detection system of electron beam apparatus |
RU2362234C1 (ru) | 2007-10-03 | 2009-07-20 | Вячеслав Данилович Саченко | Корпускулярно-оптическая система формирования изображения (варианты) |
JP2009094020A (ja) | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Topcon Corp | 荷電粒子ビーム反射装置と電子顕微鏡 |
JP5250350B2 (ja) | 2008-09-12 | 2013-07-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
DE102009016861A1 (de) | 2009-04-08 | 2010-10-21 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Teilchenstrahlmikroskop |
US8129693B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-03-06 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Charged particle beam column and method of operating same |
DE102009044989A1 (de) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Funnemann, Dietmar, Dr. | Bildgebender Energiefilter für elektrisch geladene Teilchen sowie Spektroskop mit einem solchen |
DE102009052392A1 (de) * | 2009-11-09 | 2011-12-15 | Carl Zeiss Nts Gmbh | SACP-Verfahren und teilchenoptisches System zur Ausführung eines solchen Verfahrens |
US9355818B2 (en) * | 2010-05-28 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corporation | Reflection electron beam projection lithography using an ExB separator |
US8183526B1 (en) * | 2011-02-11 | 2012-05-22 | Electron Optica | Mirror monochromator for charged particle beam apparatus |
US8334508B1 (en) * | 2011-02-22 | 2012-12-18 | Electron Optica, Inc. | Mirror energy filter for electron beam apparatus |
US8729466B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-05-20 | Electron Optica, Inc. | Aberration-corrected and energy-filtered low energy electron microscope with monochromatic dual beam illumination |
JP5493029B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2014-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
US9595417B2 (en) * | 2014-12-22 | 2017-03-14 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | High resolution charged particle beam device and method of operating the same |
WO2016132487A1 (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-25 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線応用装置、及び、収差補正器 |
US9349566B1 (en) * | 2015-08-17 | 2016-05-24 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, beam deflector device and methods of operating thereof |
US9472373B1 (en) * | 2015-08-17 | 2016-10-18 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Beam separator device, charged particle beam device and methods of operating thereof |
DE112016006484B4 (de) | 2016-03-31 | 2022-02-03 | Hitachi, Ltd. | Ladungsträgerstrahlvorrichtung sowie Steuerverfahren |
NL2017213B1 (en) | 2016-07-22 | 2018-01-30 | Univ Delft Tech | Aberration correcting device for an electron microscope and an electron microscope comprising such a device |
CN112904048B (zh) * | 2021-03-06 | 2022-03-01 | 苏州青云瑞晶生物科技有限公司 | 一种透射电镜样品中心位置的调节方法 |
DE102021212978A1 (de) | 2021-11-18 | 2023-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Bildgebung mit einem Rasterelektronenmikroskop sowie Rasterelektronenmikroskop zur Durchführung des Verfahrens |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3532699A1 (de) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 | Zeiss Carl Fa | Elektronenenergiefilter vom omega-typ |
-
1991
- 1991-09-04 DE DE4129403A patent/DE4129403A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-08-25 EP EP92114441A patent/EP0530640B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-25 DE DE59206009T patent/DE59206009D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-03 JP JP23552692A patent/JP3269575B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-04 US US07/940,844 patent/US5319207A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10235981B4 (de) * | 2002-08-06 | 2008-07-17 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenoptische Vorrichtung und Elektronenmikroskop |
DE10235981B9 (de) * | 2002-08-06 | 2009-01-22 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenoptische Vorrichtung und Elektronenmikroskop |
DE102012013593A1 (de) * | 2012-07-07 | 2014-01-09 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls |
US9773635B2 (en) | 2012-07-07 | 2017-09-26 | Lilas Gmbh | Device for producing an electron beam |
DE102012013593B4 (de) | 2012-07-07 | 2021-10-14 | Lilas Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0530640A1 (de) | 1993-03-10 |
JPH05205687A (ja) | 1993-08-13 |
JP3269575B2 (ja) | 2002-03-25 |
US5319207A (en) | 1994-06-07 |
EP0530640B1 (de) | 1996-04-17 |
DE59206009D1 (de) | 1996-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4129403A1 (de) | Abbildungssystem fuer strahlung geladener teilchen mit spiegelkorrektor | |
EP0373399B1 (de) | Abbildender Korrektor vom Wien-Typ für Elektronenmikroskope | |
DE112014003890B4 (de) | Mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung | |
DE69027602T2 (de) | Energiefilter für Ladungsträgervorrichtung | |
DE911878C (de) | Magnetische Elektronenlinse, insbesondere fuer Elektronenmikroskope | |
WO2002067286A2 (de) | Teilchenstrahlsystem mit einem spiegelkorrektor | |
DE4310559A1 (de) | Abbildendes Elektronenenergiefilter | |
DE102006011615A1 (de) | Phasenkontrast-Elektronenmikroskop | |
DE69920182T2 (de) | Korpuskularstrahloptisches gerät mit auger-elektronendetektion | |
DE102007024353B4 (de) | Monochromator und Strahlquelle mit Monochromator | |
EP0967630B1 (de) | Elektronenmikroskop mit einem abbildenden magnetischen Energiefilter | |
DE102007058443A1 (de) | Korrektor für axialen und außeraxialen Strahlengang | |
DE19633496A1 (de) | Monchromator für die Elektronenoptik, insbesondere Elketronenmikroskopie | |
DE102007049816B3 (de) | Korrektor | |
DE102020123567A1 (de) | Vielzahl-Teilchenstrahl-System mit Kontrast-Korrektur-Linsen-System | |
EP0911860B1 (de) | Teilchenstrahlgerät mit Energiefilter | |
EP1124251B1 (de) | Elektronenerergiefilter mit magnetischen Umlenkbereichen | |
WO2004042770A2 (de) | Bildgebender energiefilter für elektrisch geladene teilchen und verwendung des bildgebenden energiefilters | |
EP2224464A1 (de) | Korpuskulares optisches bilderzeugungssystem | |
DE10235981B4 (de) | Teilchenoptische Vorrichtung und Elektronenmikroskop | |
DE69501533T2 (de) | Partikel-optisches instrument mit einer ablenkeinheit für sekundärelektronen | |
DE10217507A1 (de) | Anordnung zur Abbildung des von einer Probe gepulst emittierten Teilchenensembles auf einem Detektor | |
EP2466613B1 (de) | Korrektor | |
DE60037071T2 (de) | Magentischer Energiefilter | |
DE102005031537B4 (de) | Abbildender Energiefilter für geladene Teilchen, insbesondere Elektronen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |