DE4123249A1 - Verfahren zum abgleichen von metallischen duennschicht-widerstandsstrukturen - Google Patents
Verfahren zum abgleichen von metallischen duennschicht-widerstandsstrukturenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum exakten
Abgleichen des Widerstandswertes von metallischen
Dünnschicht-Widerstandsstrukturen.
Dünnschichtwiderstände bestehen gewöhnlich aus einer
zwischen zwei Anschlußflächen liegenden mäanderförmigen
Strombahn auf einem isolierenden Substrat, die zum Beispiel
durch Ätzverfahren aus einer zuvor aufgebrachten
Metallschicht herausgeätzt wird. Der Flächenwiderstand
der Metallschichten ist infolge fertigungsbedingter
Schichtdickentoleranzen entsprechenden Streuungen
unterworfen. Zum exakten Abgleich der
Dünnschicht-Widerstände auf einen vorgegebenen Nennwert
ist die mäanderförmige Strombahn deshalb mit elektrischen
Nebenschlüssen versehen, die zum Abgleich des
Widerstandswertes aufgetrennt werden können. Die Struktur
dieser Dünnschichtwiderstände wird mit Hilfe von
Lackmasken durch Atzverfahren in die Metallschichten
geätzt.
Dünnschicht-Widerstände haben vielfältige Anwendungen in
der Technik gefunden. Ein typisches Beispiel sind
elektrische Temperaturmeßelemente auf der Grundlage von
Platin-Dünnschicht-Widerständen, deren Widerstand sich in
wohldefinierter Weise in Abhängigkeit von der Temperatur
ändert. Die Platin-Schichten werden zu diesem Zweck auf
isolierende Substrate aus Glas oder Keramik aufgebracht und
weisen Schichtdicken zwischen 0,5 und 5 µm auf. Diese
Meßwiderstände haben sich wegen ihrer geringen Abmessungen
und geringen Fertigungskosten bewährt.
Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung dünner
Widerstandsschichten als Basis für die Fertigung der
Meßwiderstände ist die Sputtertechnik. Aus den zunächst
homogenen Widerstandsschichten werden die für den
Meßwiderstand benötigten mäanderförmigen Stromlaufbahnen
und Anschlußflächen entweder durch direktes Ausschneiden
mit Hilfe eines Lasers oder durch Ätzverfahren
herausgearbeitet.
Bei Anwendung von Ätzverfahren werden die Metallschichten
zunächst mit einem Photolack beschichtet. Die erforderliche
Widerstandsstruktur wird dann durch eine Maske hindurch
aufbelichtet. Die für die Maskierung nicht benötigten Teile
des Photolacks werden durch die folgende Entwicklung
entfernt. Anschließend werden die Stromlaufbahnen durch
geeignete Ätztechniken wie zum Beispiel naßchemische
Ätzverfahren, Ionenstrahlätzen oder Sputterätzen in die
Metallschichten geätzt. Die Stromlaufbahnen der so
erzeugten Widerstände sind so ausgelegt, daß ihr Widerstand
kleiner als der gewünschte Nennwiderstand des fertigen
Meßwiderstandes ist. Der endgültige Abgleich auf den
Nennwiderstand erfolgt dann durch Messen des tatsächlichen
Widerstandes und Entfernen von dafür vorgesehenen
elektrischen Nebenschlüssen in der Widerstandsstruktur, bis
der Nennwiderstand mit der erforderlichen Toleranz erreicht
ist.
Die Nebenschlüsse werden gewöhnlich mit Hilfe von Lasern
entfernt. Ein großer Nachteil dieses Verfahrens ist die
Tatsache, daß das durch den Laserstrahl aufgeschmolzene
Metall nicht vollständig verdampft, sondern sich zum
Teil zu Schmelzkugeln von 5 bis 10 µm zusammenzieht. Ihr
Durchmesser kann wesentlich größer als die Dicke der
Metallschicht sein. Sie ragen somit über die
Dünnschichtstruktur hinaus und werden auch durch eine
nachfolgend aufgebrachte Korrosions-Schutzschicht aus zum
Beispiel Aluminiumoxid nicht vollständig abgedeckt und
bilden somit bei Anwendung der Meßwiderstände in
aggressiven Medien Ausgangspunkte für
Korrosionserscheinungen.
Ein weiterer Nachteil dieses Verfahrens ist, daß in der
Umgebung der Trennstellen das Widerstandsmaterial
aufschmilzt und rekristallisiert. Dadurch verändert sich
der spezifische Widerstand in der Nähe der Trennstellen und
erschwert einen exakten Abgleich der Widerstandsstruktur.
Die beschriebenen Nachteile können zwar durch
Optimierung der Strahlparameter des Lasers minimiert,
jedoch nicht vollständig vermieden werden. Es ist deshalb
eine Aufgabe der Erfindung, ein Abgleichverfahren für
metallische Dünnschicht-Meßwiderstände zur Verfügung zu
stellen, das ohne einen Laserabgleich der Widerstände
auskommt und damit die Bildung von Schmelzkugeln und
Strukturänderungen durch Umschmelzvorgänge von vornherein
unterbindet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren
zum Abgleichen von metallischen Dünnschicht-
Widerstandsstrukturen gelöst, welches dadurch
gekennzeichnet ist, daß zunächst nach dem Aufbringen der
Metallschicht auf dem isolierenden Substrat der
Flächenwiderstand der Schicht bestimmt, danach die
Lackmaske mit der Struktur des Dünnschichtwiderstandes
aufgebracht wird und vor dem Ätzschritt zum Abgleichen des
Widerstandswertes vorgesehene Lackbrücken der Maske nach
Maßgabe des zuvor ermittelten Flächenwiderstandes und des
gewünschten Widerstandswertes der fertigen Struktur
entfernt und damit im folgenden Ätzschritt die unter den
Lackbrücken liegenden Nebenschlüsse zum Widerstandsabgleich
aufgetrennt werden. Dieses Verfahren eignet sich natürlich
nicht nur zur Korrektur fertigungsbedingter
Schichtdickentoleranzen, sondern auch für die Herstellung
von Dünnschichtwiderständen mit geänderten Sollwerten.
Der Flächenwiderstand der Metallschichten kann indirekt
durch eine Schichtdickenmessung oder in besonders
vorteilhafter Weise durch eine Wägung bestimmt werden.
Die Lackschicht kann mit einem Laser entfernt werden, der
jedoch in seiner Leistung so eingestellt ist, daß er zwar
die Lackschicht verbrennen aber nicht die darunterliegende
Metallschicht aufschmelzen kann.
Nach Entfernung der Lackbrücken wird die
Widerstandsstruktur mit den schon erwähnten Verfahren in
die Metallschicht geätzt. Nach Abschluß dieses
Bearbeitungsschrittes liegt ein fertig abgeglichener
Meßwiderstand vor. Ein weiterer Abgleich ist nicht
erforderlich.
Die mit diesem erfindungsgemäßen Verfahren erzielbaren
Toleranzen für den Nennwiderstand hängen von dem
eingesetzten Meßverfahren für den Flächenwiderstand der
Metall-Beschichtung ab. Grundsätzlich sind alle direkten
und indirekten Meßverfahren anwendbar. So kann der
Flächenwiderstand zum Beispiel direkt mit Hilfe eines
Vierpunkt-Flächenwiderstandsmeßgerätes bestimmt oder
indirekt über die Messung der Schichtdicke ermittelt
werden. Geeignete Schichtdickenmeßverfahren sind lokale
Verfahren wie Messungen mit einem Betascop oder mit einem
Abtaststift oder integrale Verfahren wie zum Beispiel die
Wägung der aufgebrachten Schicht.
Die Erfindung wird nun an Hand eines Beispieles näher
erläutert. Es zeigen
Fig. 1 Draufsicht auf eine mit einer Lackmaske
versehenen Platin-Schicht
Fig. 2 Lackmaske von Fig. 1 mit entfernten Lackbrücken
zum Widerstandsabgleich
Fig. 3 Fertige Widerstandsstruktur nach dem Ätzvorgang
und nach Entfernen der Lackmaske.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf ein isolierendes Substrat
(1), das mit einer Metallschicht (2) beschichtet ist. Auf
der Metallschicht befindet sich die schon mit der
Widerstandsstruktur belichtete und entwickelte
Photolackschicht (3). Die Lackschicht zeigt die Struktur
des späteren Dünnschichtwiderstandes mit den beiden
Anschlußflächen (4, 4′) und der eigentlichen mänderförmigen
Widerstandsbahn mit den Lackbrücken (5) bis (15) zum
Erzeugen der elektrischen Nebenschlüsse. Diese
Nebenschlüsse garantieren, daß der nicht abgeglichene
Widerstand unter dem des Nennwiderstandes liegt.
Der Flächenwiderstand der Metallschicht wird schon vor dem
Aufbringen der Photolackschicht gemessen. Nach Maßgabe
dieser Messung und des gewünschten Widerstandes sind in
Fig. 2 die Lackbrücken (8) bis (10) mit einem Laser
durchtrennt worden, ohne die darunterliegende Metallschicht
selbst aufzuschmelzen.
In Fig. 3 ist die fertige Widerstandsstruktur nach Abschluß
des Ätzschrittes und nach Entfernen der Lackmaske gezeigt.
Die auf diese Art und Weise gefertigten Dünnschicht-
Widerstände sind frei von Schmelzkugeln und Aufschmelzungen
der Metallschicht mit den damit verbundenen Struktur- und
Widerstandsänderungen. Das erfindungsgemäße Verfahren zum
Abgleichen von Dünnschichtwiderständen liefert daher eng
tolerierte Widerstände, die wegen des Fehlens von
Schmelzkugeln durch entsprechende Schutzschichten
hervorragend gegen Korrosion geschützt werden können.
Claims (4)
1. Verfahren zum Abgleichen von metallischen
Dünnschicht-Widerstandsstrukturen auf einem
isolierenden Substrat, die aus einer zwischen zwei
Anschlußflächen liegenden mäanderförmigen Strombahn
mit elektrischen Nebenschlüssen zum exakten
Widerstandsabgleich bestehen und mit Hilfe von
Lackmasken, welche zur Erzeugung der Nebenschlüsse
mit entsprechenden Lackbrücken versehen sind, durch
Ätzverfahren in Metallschichten geätzt werden, deren
Flächenwiderstand infolge fertigungsbedingter
Schichtdickentoleranzen entsprechenden Streuungen
unterworfen ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß zunächst der Flächenwiderstand der Metallschichten
bestimmt, danach die Lackmaske mit der Struktur des
Dünnschichtwiderstandes aufgebracht wird und vor dem
Ätzschritt die Lackbrücken der Maske nach Maßgabe des
zuvor ermittelten Flächenwiderstandes und des
gewünschten Widerstandswertes der fertigen Struktur
entfernt und damit im folgenden Ätzschritt die unter
den Lackbrücken liegenden Nebenschlüsse zum
Widerstandsabgleich aufgetrennt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Flächenwiderstand der Metall-Schicht
indirekt durch eine Schichtdickenmessung bestimmt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Flächenwiderstand der Metall-Schicht indirekt
durch eine Wägung bestimmt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Lackbrücken mit Hilfe eines Lasers entfernt
werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914123249 DE4123249C2 (de) | 1991-07-13 | 1991-07-13 | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von abgeglichenen metallischen Dünnschicht-Widerstandsstrukturen |
Applications Claiming Priority (1)
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DE19914123249 DE4123249C2 (de) | 1991-07-13 | 1991-07-13 | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von abgeglichenen metallischen Dünnschicht-Widerstandsstrukturen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE4123249A1 true DE4123249A1 (de) | 1993-01-28 |
DE4123249C2 DE4123249C2 (de) | 1993-10-14 |
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Family Applications (1)
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DE19914123249 Expired - Fee Related DE4123249C2 (de) | 1991-07-13 | 1991-07-13 | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von abgeglichenen metallischen Dünnschicht-Widerstandsstrukturen |
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Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4123249C2 (de) |
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CN103493153A (zh) * | 2011-02-25 | 2014-01-01 | Abb股份公司 | 具有高电压比的电阻分压器 |
US9299484B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-03-29 | Abb Ag | Resistive structure and resistive voltage divider arrangement |
CN103493153B (zh) * | 2011-02-25 | 2017-02-15 | Abb股份公司 | 具有高电压比的电阻分压器 |
US9583242B2 (en) | 2011-02-25 | 2017-02-28 | Abb Ag | Resistive voltage divider with high voltage ratio |
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Legal Events
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: MANNESMANN AG, 4000 DUESSELDORF, DE |
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D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: HARTMANN & BRAUN AG, 60487 FRANKFURT, DE |
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