DE4113111A1 - Vakuum-signaldurchfuehrung - Google Patents

Vakuum-signaldurchfuehrung

Info

Publication number
DE4113111A1
DE4113111A1 DE19914113111 DE4113111A DE4113111A1 DE 4113111 A1 DE4113111 A1 DE 4113111A1 DE 19914113111 DE19914113111 DE 19914113111 DE 4113111 A DE4113111 A DE 4113111A DE 4113111 A1 DE4113111 A1 DE 4113111A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
vacuum
circuit board
chamber
vacuum signal
printed circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19914113111
Other languages
English (en)
Inventor
Burkhard Prof Dr Lischke
Peter Dr Schaeffer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19914113111 priority Critical patent/DE4113111A1/de
Priority to PCT/DE1992/000281 priority patent/WO1992019007A1/de
Publication of DE4113111A1 publication Critical patent/DE4113111A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B17/00Insulators or insulating bodies characterised by their form
    • H01B17/26Lead-in insulators; Lead-through insulators
    • H01B17/30Sealing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

Aus Microelectronic Engineering 9 (1989) S. 199-203 ist ein als Kammsondenprojektor bezeichnetes Lithographiegerät bekannt, dessen elektronenoptische Säule eine Steuereinheit zur Er­ zeugung einer Vielzahl individuell austastbarer Elektronen­ sonden enthält. Diese in Microelectronic Engineering 9 (1989) S. 205-208 beschriebene Steuereinheit besteht aus einer eine linienförmige Anordnung von bis zu 1024 Durchtrittsöffnungen aufweisenden Aperturblende und einer Ablenkplatte mit einer der Anzahl der erzeugten Elektronensonden entsprechenden An­ zahl von Mikrokondensatoren. Die am Rand einer rechteckförmigen Durchtrittsöffnung überhängend angeordneten Mikrokondensatoren haben die Aufgabe, die einzelnen Elektronensonden innerhalb individuell vorgebbarer Zeitintervalle auf eine Blende abzu­ lenken und dadurch auszutasten.
Die zum Betrieb der Ablenkplatte erforderlichen Signale müssen von der Ansteuerelektronik durch eine Kammerwand ins Vakuum geleitet und an die Kontaktstellen der Mikrokondensatoren herangeführt werden. Dies bereitet erhebliche Schwierigkeiten, da die Ablenkplatte eine Fläche von nur etwa 100 cm2 aufweist und die elektronenoptischen Komponenten des Kammsonden­ projektors die Zuleitung der mehr als 1000 Signale behindern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einfach aufge­ baute Vakuumdurchführung anzugeben, mit deren Hilfe man eine große Anzahl von Signalen auf engstem Raum in eine evakuierte Kammer leiten kann. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vakuum-Signaldurchführung mit den in Patentanspruch 1 an­ gegebenen Merkmalen gelöst.
Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil besteht insbesondere darin, daß die in einem Kammsondenprojektor vorhandene Ablenk­ platte in einfacher Weise mit den für die Austastung der Elektronensonden erforderlichen Ablenksignalen angesteuert werden kann.
Die abhängigen Ansprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen der im folgenden anhand der Zeichnungen erläuterten Erfindung. Hierbei zeigen
Fig. 1 den schematischen Aufbau der bekannten Ablenkplatte
Fig. 2 bis 4 Ausführungsbeispiele erfindungsgemäßer Vakuum- Signaldurchführungen.
Wie eingangs erläutert, dient die in Fig. 1 schematisch darge­ stellte Ablenkplatte eines Kammsondenprojektors der individuellen Austastung der mit Hilfe einer Aperturblende erzeugten Elektronen­ sonden PE, PE′. Die in einer evakuierten Kammer angeordnete Ablenkplatte besteht aus einer eine schlitzförmige Durchtritts­ öffnung S aufweisenden Siliziumscheibe SB und bis zu 1024 Ablenkelementen MK, MK′, deren Kontaktstellen MP, MP′ jeweils mit der die Austastsignale erzeugenden Ansteuerelektronik ver­ bunden werden müssen. Da die Ablenkplatte eine Fläche von nur etwa 100 cm2 besitzt, bereitet es erhebliche Schwierigkeiten, die Austastsignale durch die Kammerwand ins Vakuum zu leiten und an die den Ablenkelementen MK, MK′ zugeordneten Kontakt­ stellen MP, MP′ heranzuführen.
Zur Durchleitung der für den Betrieb der Ablenkelemente MK, MK′ erforderlichen Austastsignale in die Kammer kann man ins­ besondere das in Fig. 2 im Aufriß (Fig. 2a), in Draufsicht (Fig. 2b) und in Seitenansicht (Fig. 2c) dargestellte Bauteil verwenden. Es besteht aus einer Leiterplatte LP, einem die Leiterplatte LP allseitig umschließenden Gießteil GT und einem Vakuumflansch FL, der mit Hilfe der in Fig. 2a dargestellten Schrauben SR an der Kammerwand KW befestigt ist. Da sich auf gedruckten Leiterplatten selbst bei Anwendung konventioneller Herstellungsverfahren mehr als 1000 Leiterbahnen LB auf einer Breite von etwa 10 cm erzeugen lassen, besitzt die erfindungs­ gemäße Vakuumdurchführung einen äußerst kompakten und mechanisch stabilen Aufbau. Außerdem bietet sich die Möglich­ keit, den Verlauf der Leiterbahnen LB der Struktur des zu kontaktierenden Objektes in optimaler Weise anzupassen, insbe­ sondere die Leiterbahnen LB im Bereich der Kammerwand KW zu bündeln und in der Nähe der Ablenkelemente MK wieder auf­ zufächern. Anstelle der in bekannten Technologien ausgeführten Leiterplatte LP (Epoxie-Substrat, Dickschichttechnik auf Keramik, Metallkernleiterplatte usw.) kann man auch eine Viel­ schichtplatine als Signaldurchführung verwenden, wodurch sich die Anzahl der Leiterbahnen LB bei unveränderter Größe der Vakuumdurchführung nochmals deutlich erhöhen läßt.
Bei den bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen erfolgt die Vakuumabdichtung durch Eingießen der Leiterplatte LP oder Vielschichtplatine in einen entsprechend präparierten Vakuum­ flansch FL. Wie die Fig. 3 zeigt, kann man die Vakuum­ dichtigkeit auch durch flächiges Anpressen von in einer Nut der Kammerwand KW liegenden Dichtringen DR, DR′ bzw. durch An­ bringen eines Dichtprofils in Gießtechnik an der Ober- und Unterseite der Leiterplatte LP erzielen. Das Dichtprofil ist hierbei vorteilhafterweise ebenfalls mit einer Nut zur Aufnahme eines Dichtrings ausgestattet.
Die Leiterplatte und die Vielschichtplatine müssen nicht not­ wendigerweise in eine Öffnung der Kammerwand KW eingepaßt werden (s. Fig. 2b). Bei Verwendung von Dichtringen DR, DR′ oder Dichtprofilen ist vielmehr die in Fig. 4 dargestellte Konstruktion zu empfehlen, wo die Leiterplatte LP die Kammer in einen oberen und einen unteren Teil trennt und allseitig über die Kammerwand KW hinausragt.
Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. So kann man die Erfindung überall dort einsetzen, wo eine große Anzahl von Signalen auf engstem Raum in eine Vakuumapparatur geführt werden müssen.

Claims (5)

1. Vakuum-Signaldurchführung, gekennzeichnet durch eine in eine evakuierte Kammer hineinragende und vakuumdicht gehalterte Leiterplatte (LP) oder Vielschichtplatine.
2. Vakuum-Signaldurchführung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte (LP) oder Vielschichtplatine in einen an der Kammer befestigten Flansch (FL) eingegossen ist.
3. Vakuum-Signaldurchführung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte (LP) oder Vielschichtplatine zwischen einem ersten und einem zweiten Kammerteil angeordnet und durch flächig angepreßte Dichtringe (DR, DR′) vakuumdicht gehaltert ist.
4. Vakuum-Signaldurchführung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte (LP) oder Vielschichtplatine zwischen einem ersten und einem zweiten Kammerteil angeordnet und durch ein Dichtprofil vakuumdicht gehaltert ist.
5. Vakuum-Signaldurchführung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Dichtprofil einen Nut zur Aufnahme eines Dichtrings (DR) aufweist.
DE19914113111 1991-04-22 1991-04-22 Vakuum-signaldurchfuehrung Withdrawn DE4113111A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19914113111 DE4113111A1 (de) 1991-04-22 1991-04-22 Vakuum-signaldurchfuehrung
PCT/DE1992/000281 WO1992019007A1 (de) 1991-04-22 1992-04-08 Vakuum-signaldurchführung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19914113111 DE4113111A1 (de) 1991-04-22 1991-04-22 Vakuum-signaldurchfuehrung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4113111A1 true DE4113111A1 (de) 1992-10-29

Family

ID=6430111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19914113111 Withdrawn DE4113111A1 (de) 1991-04-22 1991-04-22 Vakuum-signaldurchfuehrung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE4113111A1 (de)
WO (1) WO1992019007A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10310070A1 (de) * 2003-03-07 2004-05-06 Siemens Ag Vakuumdurchführung
US10559408B2 (en) 2016-12-27 2020-02-11 Asml Netherlands B.V. Feedthrough device and signal conductor path arrangement

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2734018A1 (de) 2012-11-19 2014-05-21 Particle Physics Inside Products B.V. Elektrische vakuumkompatible Durchführungsstruktur und Detektoranordnung mit solch einer Durchführungsstruktur

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2819165A1 (de) * 1978-05-02 1979-11-15 Siemens Ag Rasterelektronenmikroskop
JPH02211391A (ja) * 1989-02-08 1990-08-22 Mitsubishi Electric Corp 真空装置
US4982055A (en) * 1989-11-29 1991-01-01 Three E. Laboratories Inc. Sealed electrical feedthrough device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10310070A1 (de) * 2003-03-07 2004-05-06 Siemens Ag Vakuumdurchführung
US10559408B2 (en) 2016-12-27 2020-02-11 Asml Netherlands B.V. Feedthrough device and signal conductor path arrangement
US10916362B2 (en) 2016-12-27 2021-02-09 Asml Netherlands B.V. Feedthrough device and signal conductor path arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
WO1992019007A1 (de) 1992-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4115890C2 (de) Elektronenemittierendes Bauelement
DE2642674A1 (de) Elektronenstrahl-wiedergabeeinrichtung
EP0359018A2 (de) Lithographiegerät zur Strukturierung eines Objektes
EP0941642A1 (de) Sockel für eine intregrierte schaltung
EP0941644A1 (de) Elektronischer schaltkreis mit einem hockfrequenzbedämpfenden schirmgehäuse
DE749574C (de) Elektrostatische Ablenkeinrichtung fuer Kathodenstrahlroehren mit vier um den gleichen Strahlabschnitt angeordneten Ablenkplatten
DE4113111A1 (de) Vakuum-signaldurchfuehrung
DE3825935A1 (de) Elektromagnetisches proportionalventil mit eingebautem verstaerker
DE2016737A1 (de) Elektronenröhre
DE69727301T2 (de) Driftzelle
DE3433491A1 (de) Vorrichtung zum befestigen an einer vakuumbearbeitungskammer fuer lokalisierte vakuumbearbeitung eines werkstuecks
DE1953659C3 (de) Ionenquelle für die Zerstäubung mit langsamen Ionen
EP0360906A1 (de) Röntgenbildverstärker
EP0047827A1 (de) Vorrichtung zur Halterung von Bauelementen auf einer Leiterplatte
EP3803367B1 (de) Ionentransportvorrichtung, ionenmobilitätsspektrometer und ionentrichter
DE19609234A1 (de) Röhrensysteme und Herstellungsverfahren hierzu
EP0160821B1 (de) Vorrichtung zur Auslese eines zweidimensionalen Ladungsbildes mittels eines Arrays
DE3529041A1 (de) Flache, hochaufloesende bildanzeigevorrichtung
DE2259577C3 (de) Kontaktfederanordnung für Massekontakt bei Trägern für elektronische Schaltungen
DE2904814B2 (de) Feldemissions-Elektronenstrahlerzeugungssystem
DE3741124C2 (de) Elektronenstrahl-Nanolithographiesystem mit multiplexansteuerbarer Vielstrahlelektronenquelle aus MIM (Metall-Isolator-Metall)-Dünnschichtkathoden
DE4435043B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Miniaturlinse
DE2339883C3 (de) Breitbandiger Leistungsverstärker für Mikrowellen
EP0183916B1 (de) Kontaktierung einer auf einem Substrat angeordneten Mikrowellenschaltung
DE2204522B2 (de) Schalttastatur

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee