DE4109619C1 - - Google Patents

Info

Publication number
DE4109619C1
DE4109619C1 DE4109619A DE4109619A DE4109619C1 DE 4109619 C1 DE4109619 C1 DE 4109619C1 DE 4109619 A DE4109619 A DE 4109619A DE 4109619 A DE4109619 A DE 4109619A DE 4109619 C1 DE4109619 C1 DE 4109619C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
projections
permanent magnets
hollow electrode
hollow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE4109619A
Other languages
English (en)
Inventor
Michael Dr. 6480 Waechtersbach De Geisler
Michael 8756 Kahl De Jung
Rudolf 6367 Karben De Koetter-Faulhaber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG filed Critical Leybold AG
Priority to DE4109619A priority Critical patent/DE4109619C1/de
Priority to US07/728,258 priority patent/US5113790A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE4109619C1 publication Critical patent/DE4109619C1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32596—Hollow cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten in einer durch Hochfrequenz angeregten Plasmaentladung zwischen zwei durch eine Hochfrequenzquelle versorgten Elektroden, von denen die erste als Hohlelektrode ausgebildet ist und die zweite ein Substrat tragende Elektrode dem Hohlraum der ersten Elektrode vorgelagert und an dieser vorbeibewegbar ist, wobei zumindest die Hohlelektrode von einer Dunkelraumabschirmung umgeben ist und in Richtung der zweiten Elektrode zeigende Ränder aufweist, zwischen denen Vorsprünge vorgesehen sind, die auf dem gleichen Potential liegen wie die erste Elektrode.
Üblicherweise enthalten Vorrichtungen zur Plasmabehandlung von Substraten mittels Hochfrequenz zwei Elektroden, von denen die eine durch die Vakuumkammer und/oder durch den Substrathalter gebildet wird, die beide aus metallischen Werkstoffen bestehen. Es ist bekannt, daß sich dabei jeweils an derjenigen Elektrode eine gegenüber dem Plasma überwiegend negative Spannung ausbildet, die in bezug auf die als Gegenelektrode wirkenden Oberflächen die kleinere wirksame Oberfläche aufweist. Die negativ vorgespannte Elektrode wird daher auch hier regelmäßig als "Kathode" bezeichnet.
Bei Verwendung eines plattenförmigen Substrathalters, der mit der Vakuumkammer auf gleichem Potential liegt und damit einerseits die eine Elektrode darstellt, bildet sich andererseits bei Verwendung einer plattenförmigen, dem Substrathalter gegenüberliegenden Elektrode aufgrund der hierdurch notwendigerweise vorgegebenen Flächenverhältnisse an der zuletzt genannten Elektrode das negative Potential aus. Dadurch wird auf dieser Elektrode (=Kathode) befindliches Material (=Target) zerstäubt und auf dem Substrat niedergeschlagen. Will man in einer solchen Vorrichtung die Substrate ätzen, so müssen Substrate und Target sinngemäß vertauscht werden.
Bei Verwendung von Gleichspannung ist die Polarität der Elektroden durch ihre Verbindung mit dem jeweiligen Pol der Gleichspannungsquelle zwingend vorgegeben. Durch die DE-OS 21 15 590 ist es beispielsweise bekannt, eine Hohlkathode mit einem in Richtung auf den Substratträger vorspringenden Rand zu verwenden, um die Gleichmäßigkeit der Schichtdickenverteilung zu verbessern. Dieser vorspringende Rand führt aber bei Verwendung von Gleichspannung nicht zu einer Umkehrung der Polarität.
Durch die DE-PS 22 41 229 ist eine Vorrichtung bekannt, bei der durch Verwendung von Hochfrequenz erreicht wird, daß die hohle Elektrode wegen ihres Randes relativ zu der dem Hohlraum unmittelbar zugekehrten Oberfläche der anderen Elektrode (des Substrathalters) die größere Oberfläche aufweist und hierdurch die Funktion einer Anode erhält, so daß also gewissermaßen eine Umkehrung der Verhältnisse bezüglich der Vorspannung erfolgt. Dies läßt sich vereinfacht so beschreiben, daß bei ausreichend geringem Abstand zwischen dieser Elektrode und dem Rand der Hohlelektrode (Spalt S); der Rand der Hohlelektrode einen Entladungsraum eingrenzt, in Relation zu welchem die außerhalb liegenden metallischen Teile der Vorrichtung keine Elektrodenfunktion mehr ausüben, so daß die Verhältnisse ausschließlich durch die einander zugekehrten Oberflächenteile der Hohlelektrode einerseits und dem Substrathalter andererseits bestimmt werden. Man kann dies als "Randeffekt" bezeichnen.
Es ist bereits ein Beschichtungsverfahren der eingangs aufgeführten Art bekannt (US-PS 47 67 641), bei dem die Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht bzw. die der plasmabehandelten Substratoberfläche von der zwischen Plasma und Substratoberfläche ausgebildeten Substratvorspannung (self bias) abhängt. Bei der Herstellung streßarmer Quarzschichten ist eine Spannung von deutlich weniger als ca. 600 V nötig. Bei der Herstellung von Kohlenstoffschichten sollte die Substratvorspannung (self bias) jedoch größer sein als ca. 600 V.
Demgemäß besteht die Erfindungsaufgabe darin, eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten in einer durch Hochfrequenz angeregten Plasmaentladung zwischen zwei durch eine Hochfrequenzquelle versorgten Elektroden, von denen die erste als Hohlelektrode ausgebildet ist, derart zu gestalten, daß der Parameter der Vorspannung (self bias) unabhängig von anderen Parametern wie Radiofrequenz, Leistung und Druck auf einfache Weise einstellbar ist.
Gelöst wird die Aufgabe erfindungsgemäß dadurch, daß zwischen den zwischen dem Rand liegenden Vorsprüngen weitere Mittel vorgesehen sind, mit denen die Substratvorspannung (self bias) unabhängig von der Entladungsgeometrie, dem Entladungsdruck und der Hochfrequenzleistung einstellbar ist. Hierdurch wird durch ein transversales Magnetfeld (H<100 KA/m) die Beweglichkeit der Elektronen verringert und die der Ionen, die durch das Magnetfeld praktisch nicht beeinflußt werden, in gewissem Ausmaß angenähert. Dies hat zur Folge, daß die Plasmarandschichtspannung an der Kathode und also damit die Substratvorspannung verringert wird. Dieser Effekt ist abhängig von der Magnetfeldstärke, so daß in überraschend einfacher Weise die Substratvorspannung unabhängig von anderen Parametern einstellbar ist. Ferner kann hierdurch auf einfache Weise eine Steigerung der Aufstäubungsgeschwindigkeit nm/sec erreicht werden. In vorteilhafter Weise können auch die Magnete je nach Arbeitsprozeß unterschiedliche Feldstärke aufweisen. Ferner wird hierdurch eine Vergleichmäßigung des Plasmas in y-Richtung bzw. in Längsrichtung der Vorsprünge erzielt. Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann in vorteilhafter Weise als Hohlanode und auch als Hohlkathode eingesetzt werden. Für letzteres wird hierzu der Abstand zwischen der unteren Seite der Elektrode und der Gegenelektrode entsprechend verändert. In diesem Fall bewirken die Magnete, daß das Plasma dichter und homogener wird.
Ferner ist es vorteilhaft, daß jeweils zwischen zwei parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Vorsprüngen mindestens ein Permanentmagnet vorgesehen ist.
Eine zusätzliche Möglichkeit ist gemäß einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung, daß sich die parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Vorsprünge und Permanentmagnete zwischen aufrecht stehenden Seitenteilen bzw. Wänden der Elektrode, insbesondere der Hohlelektrode erstrecken.
Gemäß einem besonderen Merkmal der erfindungsgemäßen Lösung ist schließlich vorgesehen, daß die parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Vorsprünge und die parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Permanentmagnete an die aufrecht stehenden Seitenteile bzw. Wände der Hohlelektrode anschließen und daß die Permanentmagnete eine geringere Höhe als die aufrecht stehenden Vorsprünge und/oder Seitenteile der Hohlelektrode aufweisen. Hierdurch wird mit einfachen baulichen Mitteln die Gasführung und somit der Gasaustausch in beiden Richtungen wesentlich verbessert.
Es besteht auch die Möglichkeit, daß die aufrecht stehenden Permanentmagnete und/oder die aufrecht stehenden Seitenteile bzw. Wände der Hohlelektrode jeweils gleich hoch sind.
Von besonderer Bedeutung ist für die vorliegende Erfindung, daß die Permanentmagnete auf einem oder mehreren Jochen angeordnet sind und die Polung des jeweils benachbarten Permanentmagneten gleichsinnig N/S N/S oder vorzugsweise gegensinnig N/S S/N ist.
Im Zusammenhang mit dieser Anordnung ist es von Vorteil, daß mehrere untereinander vorzugsweise gegensinnig gepolte Permanentmagnete paarweise angeordnet sind und daß die Elektrode, insbesondere die Hohlelektrode zur Aufnahme der Permanentmagnete als Rechteckelektrode ausgebildet und in ein Aufstäubungsmagnetron integriert ist.
Abhängig von Gasart und Arbeitsdruck kann es ferner vorteilhaft sein, daß der Abstand zwischen jeweils zwei Vorsprüngen und/oder zwischen jeweils zwei Permanentmagneten zwischen 1,5 mm und 150 mm, insbesondere zwischen 15 mm und 25 mm groß ist. Vorteilhaft ist es ferner, daß der Abstand zwischen jeweils einem Vorsprung und einem benachbarten Permanentmagnet zwischen 0 mm und 80 mm, insbesondere zwischen3 mm und 8 mm groß ist. Durch die unterschiedlichen Höhen der Vorsprünge mit Bezug auf die Permanentmagnete hat man bei höheren Drücken den Vorteil, in dem Bereich der Vorsprünge eine Plasmastabilisierung herbeizuführen. Ferner wird dadurch erreicht, daß sich bei niederen Drücken das Plasma aus diesem Raum, d. h. aus dem Bereich der Vorsprünge bzw. des Hohlraums, zurückzieht, so daß das Plasma nur noch den Hohlraum zwischen den je einen Permanentmagneten aufnehmenden Vorsprüngen ausfüllt. Hierdurch werden also innerhalb der Gesamthohlelektrode mehrere kleinere Hohlelektroden gebildet. Es hängt dabei entscheidend vom Druck ab, welcher der einzelnen Hohlräume vom Plasma als Elektrodenfläche benutzt bzw. ausgefüllt wird. Insgesamt kann die Hohlelektrode in einem größeren Parameterbereich betrieben werden. Soll beispielsweise bei einem Beschichtungsverfahren SiO₂ abgeschieden werden, so kann hierzu die entsprechende Substratvorspannung gewählt werden, ohne daß die Entladungsgeometrie verändert werden muß; es ist lediglich notwendig, Magnetfelder unterschiedlicher Stärke bis zum Grenzfall mit einer Feldstärke Null einzusetzen.
Eine zusätzliche Möglichkeit ist gemäß einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung, daß der Flächeninhalt der ersten Elektrode durch Vorsprünge und/oder durch Permanentmagnete veränderbar ist.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist es vorteilhaft, daß die Abstände zwischen den Vorsprüngen und/oder den Permanentmagneten veränderbar sind.
Durch die vorteilhafte labyrinthartige Anordnung der einzelnen Vorsprünge und der dazwischen liegenden, eine unterschiedliche Höhe aufweisenden Permanentmagnete wird auch die Gasführung verbessert.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist es vorteilhaft, daß zumindest Teile der Hohlelektrode aus Sintermetall hergestellt sind.
Vorteilhaft ist auch, daß zumindest beide Elektroden von je einer Dunkelraumabschirmung umgeben sind und die Hohlelektrode einen in Richtung der zweiten Elektrode zeigenden Rand sowie zwischen den Rändern liegende Vorsprünge aufweist, die auf dem gleichen Potential liegen wie die erste Elektrode.
Weitere Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprüchen, in der Beschreibung und in den Figuren beschrieben bzw. dargestellt, wobei bemerkt wird, daß alle Einzelmerkmale und alle Kombinationen von Einzelmerkmalen erfindungswesentlich sind.
In den Figuren ist die Erfindung an einer Ausführungsform beispielsweise dargestellt, ohne auf diese Ausführungsform beschränkt zu sein. Es zeigt
Fig. 1 einen vertikalen Axialschnitt durch eine vollständige Vorrichtung für den Durchlauf plattenförmiger Substrathalter und eine Hohlelektrode,
Fig. 2 einen Teilquerschnitt durch die erfindungsgemäße Hohlelektrode mit paarweise angeordneten Permanentmagneten.
In Fig. 1 ist eine Vakuumkammer 1 dargestellt, die über einen Saugstutzen 2 auf einen für PCVD-Prozesse üblichen Druck evakuierbar ist. In die Decke der Vakuumkammer 1 ist eine Hohlelektrode (Elektrode) 3 eingesetzt, die über eine elektrisch leitende Tragvorrichtung 4 und einen Kondensator 5 und ein hier nicht gezeigtes Anpassungsnetzwerk mit einer Hochfrequenzquelle 6 verbunden ist. Unterhalb der Hohlelektrode 3 befindet sich eine zweite, ein Substrat 7 tragende Elektrode 8, die einen der Substrathalter bildet. Die Hohlelektrode 3 besitzt auf ihrem gesamten, im Beispiel rechteckigen Umfang einen in Richtung auf die Elektrode 8 vorgezogenen und auf gleichem Potential wie die Hohlelektrode 3 liegenden Rand 9, der gegenüber der auf Masse liegenden Abschirmung 15 allseitig einen Dunkelraumspalt "S1" von z. B. 2 mm und gegenüber der Elektrode 8 einen Spalt S2 bildet. Der Rand 9 kann durch einen zweiten in der Zeichnung nicht dargestellten Rand ergänzt werden.
Die Flächeninhalte der als Gegenelektrode (Elektrode 8) zu Elektrode 3 wirkenden Metallflächen lassen sich verändern, indem man Teile bzw. Vorsprünge 12 einsetzt. Sie sind über in der Zeichnung nicht dargestellte Befestigungselemente gesichert.
Das Potential, das sich zwischen dem Plasma und der Elektrode 8 in der Position 8a einstellt, bestimmt die Energie, mit der die positiven Ionen in Richtung der Substrate 7 beschleunigt werden, das heißt, das Schichtwachstum wird wesentlich davon beeinflußt, mit welcher Energie die Ionen auf das Substrat 7 aufprallen. Durch den vorteilhaften Einbau des Fortsatzes 15′ des Randes 15 kann die Ionenenergie unabhängig von anderen Parametern beeinflußt werden. Bisher ließ sich die Ionenenergie nur dadurch wesentlich beeinflussen, daß man die Hochfrequenzleistung veränderte. Um beispielsweise die Ionenenergie bei gleichbleibendem Entladungsdruck zu verringern, wurde die Radiofrequenzleistung herabgesetzt. Dadurch wurden auch Abscheidegeschwindigkeit und Produktivität kleiner und infolge dessen in vielen Fällen auch die Qualität der Beschichtung.
Ferner ist es besonders vorteilhaft, wenn ebenfalls der Rand 15 der Dunkelraumabschirmung 14 durch den Fortsatz 15′ verlängert wird. Hierdurch wird sichergestellt, daß das Plasma keine unerwünschte Gegenelektrode findet und nur an Stellen brennt, die erwünscht sind.
Die Hohlelektrode 3 umschließt infolgedessen einen Hohlraum 10, dessen innere Oberfläche 11 durch Vorsprünge 12 vergrößert ist, die durch parallel verlaufende aufrecht stehende Rippen gebildet werden (siehe auch Fig. 2). Für den Abstand dieser Vorsprünge 12 gilt, daß dieser wesentlich größer sein muß als der Dunkelraumabstand bei dem angewandten Vakuum. Bei einem Vakuum von ca. 2×10⁻² mbar kann der Abstand der Vorsprünge untereinander und vom Rand 9 ca. 20 mm betragen. Die Höhe der Vorsprünge ist hierbei nicht beschränkt, sie sollte jedoch im Interesse einer guten Homogenität der Beschichtung im Bereich des Substrats 7 nicht kleiner sein als etwa die Hälfte der Höhe des Randes 9; das Optimum der Vorsprungshöhe ist abhängig von Arbeitsdruck und Gaszusammensetzung. Diese Verhältnisse sind in Fig. 1 etwa maßstäblich dargestellt.
Die untere umlaufende, rechteckige Kante des Randes 9 weist einen Abstand S₁ zum Rand 15 auf, dieser Spalt stellt die Öffnung der Hohlelektrode 3 dar.
Die Hohlelektrode 3 ist mit Ausnahme der unteren Öffnung allseitig von der quaderförmigen Dunkelraumabschirmung 14 umgeben, deren Rand 15 durch die Ränder 15′ ergänzt sein kann. Der Ein- und Austritt der nicht verbrauchten Reaktionsprodukte der zugeführten Gase erfolgt über die Spalte S₁ und/oder über bestimmte Gasversorgungsvorrichtungen, die in Rand 15 eingebaut sind (vgl. Fig. 1).
Die Dunkelraumabschirmung 14 ist über eine weitere Tragvorrichtung 16 mit der Vakuumkammer 1 elektrisch leitend verbunden und liegt infolgedessen mit der Vakuumkammer 1 auf Massepotential.
Am jeweils rechten und linken Ende ist die Vakuumkammer 1 mit je einer hier nicht dargestellten Vakuumschleuse verbunden, durch die die als Substrathalter dienenden Elektroden 8 sequentiell in die Anlage eingeführt und aus dieser wieder herausgeführt werden. Die Elektrode 8 ist auf ihrem Weg in zwei weitere Positionen 8a und 8b gestrichelt dargestellt.
Wie aus dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 hervorgeht, besteht die Hohlelektrode 3 aus einem einteiligen bzw. mehrteiligen weichmagnetischen Joch 36 sowie aus den Rändern 9 und einem Bodenteil 37, auf dem das Joch 36 angeordnet ist.
Zwischen dem vorderen, in der Zeichnung nicht dargestellten und dem hinteren Rand 9 erstrecken sich zahlreiche, auf dem Joch 36 aufrecht stehend angeordnete Vorsprünge 12, die endseitig gegen die gegenüberliegenden Ränder 9 anstoßen.
In Fig. 2 sind weniger Vorsprünge 12 dargestellt als im Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1. Die Anzahl der Vorsprünge 12 hängt von dem Leistungseinsatz bzw. von der Größe der Hohlelektrode 3 und vom Arbeitsdruck sowie der Gaszusammensetzung ab.
Wie aus Fig. 1 und 2 hervorgeht, sind die Vorsprünge 12 etwas kleiner ausgebildet als der Rand 9 der Hohlelektrode 3. Zwischen den zwischen den Rändern 9 liegenden Vorsprüngen 12 sind Permanentmagnete 34 vorgesehen, mit denen die Substratvorspannung (self bias) unabhängig von der Entladungsgeometrie, dem Entladungsdruck und der Hochfrequenzleistung einstellbar ist. Die einzelnen parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Vorsprünge 12 weisen eine größere Höhe als die Permanentmagnete 34 auf.
Die Polung des jeweils benachbarten Permanentmagnetes 34 kann gleichsinnig N/S N/S (vgl. Fig. 2) oder vorzugsweise jedoch gegensinnig N/S S/N sein. Ferner ist es möglich, daß mehrere untereinander gleichsinnig angeordnete Permanentmagnete 34 paarweise angeordnet sind.
Der typische Abstand zwischen jeweils zwei Vorsprüngen 12 und/oder zwischen jeweils zwei Permanentmagneten 34 beträgt zwischen 15 mm und 25 mm, insbesondere 20 mm, wobei der Abstand zwischen jeweils einem Vorsprung 12 und einem benachbarten Permanentmagnet 34 zwischen 3 mm und 8 mm, insbesondere 5 mm groß sein kann.
Da die Hohlelektrode 3 als Rechteckelektrode ausgebildet ist, weisen die einzelnen Permanentmagnete 34 jeweils einen Anfang und ein Ende auf, welches gegen den entsprechenden Rand 9 der Hohlelektrode 3 anstößt.
In einer Versuchsreihe wurde die Wirkung der Magnete auf die selfbias-Substratspannung demonstriert. Dabei wurde die Stärke der Magnete variiert. Die Polung der Magnete war wie in Fig. 2 gezeigt. Bei diesen Versuchen wurde mit einer Acetylenatmosphäre bei einem Entladungsdruck von 1,5 Pa und einer Hochfrequenzleistung von 750 Watt (=1,8 Watt/cm² Kathodenfläche) gearbeitet. Es wurden jeweils Siliziumplatten mit einer 100 nm dicken Schicht aus amorphem hydrogeniertem Kohlenstoff (a-C : H) abgeschieden. Solche Schichten finden Anwendung z. B. bei der Schutzbeschichtung von Dünnfilmmagnetspeicherplatten mit besonders hoher Speicherdichte.
Das Ergebnis des Versuchs ist in folgender Tabelle dargestellt:
Quellfeldstärke der Magnete in KA/m
Hochfrequenzsubstratvorspannung in KV
0
1,0
130 0,75
215 0,35
In allen Fällen war die Gleichmäßigkeit der Aufstäubung besser als ±2%. Es stellte sich heraus, daß die Gleichmäßigkeit der Schichtdickenverteilung bei Verwendung der Magnete nur dann erhalten werden kann, wenn die Magnete in Verbindung mit den Elektrodenvorsprüngen 12 verwendet werden.
Damit ist erwiesen, daß durch die erfindungsgemäße Anordnung die Substratvorspannung (self bias) in weiten Grenzen geändert und die Aufstäubungsgeschwindigkeit nm/sec mit dem Faktor 1,7 zusätzlich vermindert bzw. gesteigert werden kann, ohne daß die Entladungsgeometrie, der Entladungsdruck sowie die rf-Leistung verändert werden muß.
Bezugszeichenliste
 1 Vakuumkammer
 2 Saugstutzen
 3 1. Elektrode = Hohlelektrode
 4 Tragvorrichtung
 5 Kondensator
 6 Hochfrequenzquelle
 7 Substrat
 8 2. Elektrode
 8a Position der 2. Elektrode
 8b Position der 2. Elektrode
 9 Rand bzw. Wand bzw. Seitenteile
10 Hohlraum
11 Oberfläche
12 Vorsprung
13 Gaszufuhrleitung
14 Dunkelraumabschirmung
15 Rand
15′ Fortsatz des Randes 15
16 Tragvorrichtung
34 Mittel = Permanentmagnet
36 Joch
37 Bodenteil
Definitionen:
Substratvorspannung = Selfbias bedeutet:
Gleichspannungsanteil der hochfrequenz modulierten Spannung zwischen positiver Säule der Glimmentladung und der Substratoberfläche (hier: 13,56 MHz, aber Frequenzen zwischen etwa 0,5 MHz und 100 MHz möglich).
PCVD Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition.
PVD Physikalisches Aufdampfen oder Aufstäuben.
Die Herstellung derartiger Schichten erfolgt u. a. durch sogenannte reaktive Prozesse, bei denen auf dem Substrat die chemische Reaktion erfolgt.

Claims (17)

1. Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten in einer durch Hochfrequenz angeregten Plasmaentladung zwischen zwei durch eine Hochfrequenzquelle versorgten Elektroden (3, 8), von denen die erste als Hohlelektrode (3) ausgebildet ist und die zweite, ein Substrat (7) tragende Elektrode (8) dem Hohlraum (10) der ersten Elektrode (3) vorgelagert und an dieser vorbeibewegbar ist, wobei zumindest die Hohlelektrode (3) von einer Dunkelraumabschirmung (14) umgeben ist und in Richtung der zweiten Elektrode (8) zeigenden Ränder (9, 15) aufweist, zwischen den Vorsprünge (12) vorgesehen sind, die auf dem gleichen Potential wie die erste Elektrode (3) liegen, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den zwischen den Rändern (9) liegenden Vorsprüngen (12) weitere Mittel (34) vorgesehen sind, mit denen die Substratvorspannung (self bias) unabhängig von der Entladungsgeometrie, dem Entladungsdruck und der Hochfrequenzleistung einstellbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den zwischen den Rändern (9) liegenden Vorsprüngen (12) Permanentmagnete vorgesehen sind, mit denen die Substratvorspannung (self bias) unabhängig von der Entladungsgeometrie, dem Entladungsdruck und der Hochfrequenzleistung einstellbar ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils zwischen zwei parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Vorsprüngen (12) mindestens ein Permanentmagnet (34) vorgesehen ist.
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Vorsprünge (12) und die Permanentmagnete (34) sich zwischen aufrecht stehenden Seitenteilen bzw. Wänden (9) der Elektrode, insbesondere der Hohlelektrode (3) erstrecken.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sich die parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Vorsprünge (12) und die parallel verlaufenden, aufrecht stehenden Permanentmagnete (34) an die aufrecht stehenden Seitenteile bzw. Wände (9) der Hohlelektrode (3) anschließen.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Permanentmagnete (34) eine geringere Höhe als die aufrecht stehenden Vorsprünge (12) und/oder Seitenteile bzw. Wände (9) der Hohlelektrode (3) aufweisen.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die aufrecht stehenden Permanentmagnete (34) und/oder die aufrecht stehenden Seitenteile (9) der Hohlelektrode (3) jeweils gleich hoch sind.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Permanentmagnete (34) auf einem oder mehreren Jochs (36) angeordnet sind.
9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Polung des jeweils benachbarten Permanentmagnetes (34) gleichsinnig N/S N/S oder gegensinnig N/S S/N ist.
10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere untereinander gegensinnig gepolte Permanentmagnete (34) paarweise angeordnet sind.
11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode, insbesondere die Hohlelektrode (3), zur Aufnahme der Permanentmagnete (34) als Rechteckelektrode ausgebildet und in ein Aufstäubungsmagnetron integriert ist.
12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen jeweils zwei Vorsprüngen (12) und/oder zwischen jeweils zwei Permanentmagneten (34) zwischen 1,5 mm und 150 mm, insbesondere zwischen 15 mm und 25 mm groß ist.
13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen jeweils einem Vorsprung (12) und einem benachbarten Permanentmagnet (34) zwischen 0 mm und 80 mm, insbesondere zwischen 3 mm und 8 mm groß ist.
14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Flächeninhalt der ersten Elektrode (3) durch Vorsprünge (12) und/oder durch Permanentmagnete (34) veränderbar ist.
15. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstände zwischen den Vorsprüngen (12) und/oder den Permanentmagneten (34) veränderbar sind.
16. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest Teile der Hohlelektrode (3) aus Sintermetall hergestellt sind.
17. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest beide Elektroden (3, 8) von je einer Dunkelraumabschirmung umgeben (14) sind und die Hohlelektrode einen in Richtung der zweiten Elektrode (8) zeigenden Rand sowie zwischen den Rändern (9) liegende Vorsprünge (12) aufweist, die auf dem gleichen Potential liegen wie die erste Elektrode (3).
DE4109619A 1991-03-23 1991-03-23 Expired - Lifetime DE4109619C1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4109619A DE4109619C1 (de) 1991-03-23 1991-03-23
US07/728,258 US5113790A (en) 1991-03-23 1991-07-11 Apparatus for the plasma treatment of substrates

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4109619A DE4109619C1 (de) 1991-03-23 1991-03-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4109619C1 true DE4109619C1 (de) 1992-08-06

Family

ID=6428065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4109619A Expired - Lifetime DE4109619C1 (de) 1991-03-23 1991-03-23

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5113790A (de)
DE (1) DE4109619C1 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0607787A2 (de) * 1993-01-19 1994-07-27 Leybold Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen von Substraten
DE19532100A1 (de) * 1995-08-30 1997-03-06 Leybold Ag Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten
DE4301189C2 (de) * 1993-01-19 2000-12-14 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
WO2002056338A2 (de) * 2001-01-16 2002-07-18 Forschungs- Und Applikationslabor Plasmatechnik Gmbh Dresden Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate
DE102007019718B3 (de) * 2007-04-26 2008-11-13 Vtd Vakuumtechnik Dresden Gmbh Großflächige Plasmaquelle für die Plasmapolymerisation und Verfahren zum Betreiben der Plasmaquelle
WO2009059640A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Applied Materials Inc., A Corporation Of The State Of Delaware Electrode arrangement with movable shield
DE102009018912A1 (de) 2009-04-28 2010-11-18 Leybold Optics Gmbh Verfahren zur Erzeugung eines Plasmastrahls sowie Plasmaquelle
US8698400B2 (en) 2009-04-28 2014-04-15 Leybold Optics Gmbh Method for producing a plasma beam and plasma source
WO2017077106A1 (de) 2015-11-05 2017-05-11 Bühler Alzenau Gmbh Vorrichtung und verfahren zur vakuumbeschichtung

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248219B1 (en) * 1986-06-23 2001-06-19 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Process and apparatus for sputter etching or sputter coating
US5330578A (en) * 1991-03-12 1994-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus
CH687111A5 (de) * 1992-05-26 1996-09-13 Balzers Hochvakuum Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens.
IL107827A0 (en) * 1992-12-08 1994-04-12 Hughes Aircraft Co Plasma pressure control assembly
US5647911A (en) * 1993-12-14 1997-07-15 Sony Corporation Gas diffuser plate assembly and RF electrode
US5556474A (en) * 1993-12-14 1996-09-17 Nissin Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus
US5567255A (en) * 1994-10-13 1996-10-22 Integrated Process Equipment Corp. Solid annular gas discharge electrode
WO1996031997A1 (fr) * 1995-04-07 1996-10-10 Seiko Epson Corporation Equipement de traitement de surface
US6462394B1 (en) 1995-12-26 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Device configured to avoid threshold voltage shift in a dielectric film
US7067442B1 (en) * 1995-12-26 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Method to avoid threshold voltage shift in thicker dielectric films
DE69719108D1 (de) * 1996-05-02 2003-03-27 Tokyo Electron Ltd Plasmabehandlungsgerät
US6000360A (en) * 1996-07-03 1999-12-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US6112695A (en) 1996-10-08 2000-09-05 Nano Scale Surface Systems, Inc. Apparatus for plasma deposition of a thin film onto the interior surface of a container
US6267074B1 (en) * 1997-02-24 2001-07-31 Foi Corporation Plasma treatment systems
US6066826A (en) * 1998-03-16 2000-05-23 Yializis; Angelo Apparatus for plasma treatment of moving webs
EP1067433A1 (de) * 1999-07-07 2001-01-10 Eastman Kodak Company Hocheffiziente Plasmabehandlung von Papier
US6149985A (en) * 1999-07-07 2000-11-21 Eastman Kodak Company High-efficiency plasma treatment of imaging supports
DE10060002B4 (de) * 1999-12-07 2016-01-28 Komatsu Ltd. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung
JP2001267305A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6603121B2 (en) 2000-05-19 2003-08-05 Eastman Kodak Company High-efficiency plasma treatment of paper
US6887341B2 (en) * 2001-11-13 2005-05-03 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus for spatial control of dissociation and ionization
US7316761B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for uniformly etching a dielectric layer
JP2007191792A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Atto Co Ltd ガス分離型シャワーヘッド
DE102006022799A1 (de) * 2006-05-10 2007-11-15 Forschungs- Und Applikationslabor Plasmatechnik Gmbh Dresden Vorrichtung zur plasmagestützten chemischen Oberflächenbehandlung von Substraten im Vakuum
FR2912864B1 (fr) * 2007-02-15 2009-07-31 H E F Soc Par Actions Simplifi Dispositif pour generer un plasma froid dans une enceinte sous vide et utilisation du dispositif pour des traitements thermochimiques
US20100225234A1 (en) * 2007-09-04 2010-09-09 Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research Hollow-cathode plasma generator
EA020763B9 (ru) 2008-08-04 2015-05-29 Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. Источник плазмы и способы нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы
DK2251454T3 (da) 2009-05-13 2014-10-13 Sio2 Medical Products Inc Coating og inspektion af beholder
US7985188B2 (en) * 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
KR101693673B1 (ko) * 2010-06-23 2017-01-09 주성엔지니어링(주) 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
DE102010060762B4 (de) * 2010-11-24 2019-05-23 Meyer Burger (Germany) Gmbh Plasmabearbeitungsvorrichtung
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
CN103930595A (zh) 2011-11-11 2014-07-16 Sio2医药产品公司 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
EP2920567B1 (de) 2012-11-16 2020-08-19 SiO2 Medical Products, Inc. Verfahren und vorrichtung zur erkennung von schnellen sperrbeschichtungsintegritätseigenschaften
WO2014085348A2 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
KR102211788B1 (ko) 2013-03-11 2021-02-04 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 코팅된 패키징
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
EP3122917B1 (de) 2014-03-28 2020-05-06 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatische beschichtungen für kunststoffbehälter
JP6284825B2 (ja) * 2014-05-19 2018-02-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN107852805B (zh) 2014-12-05 2020-10-16 Agc玻璃欧洲公司 空心阴极等离子体源
KR102365939B1 (ko) 2014-12-05 2022-02-22 에이지씨 플랫 글래스 노스 아메리카, 인코퍼레이티드 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스 및 박막 코팅의 증착과 표면의 개질을 위해 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스의 사용 방법
KR20180048694A (ko) 2015-08-18 2018-05-10 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 산소 전달률이 낮은, 의약품 및 다른 제품의 포장용기
US9721765B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US9721764B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source
ES2941558T3 (es) * 2018-04-17 2023-05-23 Tata Steel Nederland Tech Bv Aparato de limpieza con plasma

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2115590A1 (en) * 1971-03-31 1972-10-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim
DE2241229A1 (de) * 1972-08-22 1974-03-07 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung
US4767641A (en) * 1986-03-04 1988-08-30 Leybold-Heraeus Gmbh Plasma treatment apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4328258A (en) * 1977-12-05 1982-05-04 Plasma Physics Corp. Method of forming semiconducting materials and barriers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2115590A1 (en) * 1971-03-31 1972-10-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim
DE2241229A1 (de) * 1972-08-22 1974-03-07 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung
US4767641A (en) * 1986-03-04 1988-08-30 Leybold-Heraeus Gmbh Plasma treatment apparatus

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0607787A2 (de) * 1993-01-19 1994-07-27 Leybold Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen von Substraten
DE4301189C2 (de) * 1993-01-19 2000-12-14 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
DE19532100A1 (de) * 1995-08-30 1997-03-06 Leybold Ag Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten
WO2002056338A2 (de) * 2001-01-16 2002-07-18 Forschungs- Und Applikationslabor Plasmatechnik Gmbh Dresden Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate
WO2002056338A3 (de) * 2001-01-16 2003-04-17 Forsch Applikationslabor Plasm Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate
DE102007019718B3 (de) * 2007-04-26 2008-11-13 Vtd Vakuumtechnik Dresden Gmbh Großflächige Plasmaquelle für die Plasmapolymerisation und Verfahren zum Betreiben der Plasmaquelle
WO2009059640A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Applied Materials Inc., A Corporation Of The State Of Delaware Electrode arrangement with movable shield
US8398775B2 (en) 2007-11-08 2013-03-19 Applied Materials, Inc. Electrode and arrangement with movable shield
DE102009018912A1 (de) 2009-04-28 2010-11-18 Leybold Optics Gmbh Verfahren zur Erzeugung eines Plasmastrahls sowie Plasmaquelle
US8698400B2 (en) 2009-04-28 2014-04-15 Leybold Optics Gmbh Method for producing a plasma beam and plasma source
WO2017077106A1 (de) 2015-11-05 2017-05-11 Bühler Alzenau Gmbh Vorrichtung und verfahren zur vakuumbeschichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US5113790A (en) 1992-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4109619C1 (de)
EP0205028B1 (de) Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
EP0235770B1 (de) Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten in einer durch Hochfrequenz angeregten Plasmaentladung
DE4025396A1 (de) Einrichtung fuer die herstellung eines plasmas
EP0003020B1 (de) Hochfrequenz-Zerstäubungsvorrichtung
EP0755461B1 (de) Verfahren und einrichtung für die ionengestützte vakuumbeschichtung
DE3726006C2 (de)
DE68915014T2 (de) Gerät zur Bildung dünner Schichten und durch Mikrowellen-Zerstäubung arbeitende Ionenquelle.
DE4039930A1 (de) Vorrichtung fuer plasmabehandlung
DE3821207A1 (de) Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
DE3331707A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern
DE2513216A1 (de) Verfahren zur beschichtung eines substrats
EP0021140A1 (de) Ionenquelle in einer Vakuumkammer und Verfahren zum Betrieb derselben
EP0089382B1 (de) Plasmareaktor und seine Anwendung beim Ätzen und Beschichten von Substraten
DE3706698C2 (de) Verfahren und Anordnung zum Zerstäuben eines Materials mittels Hochfrequenz
DE4230291C2 (de) Mikrowellenunterstützte Zerstäubungsanordnung
DE2208032A1 (de) Zerstäubungsvorrichtung
EP0090067B1 (de) Reaktor für das reaktive Ionenätzen und Ätzverfahren
DE4233895C2 (de) Vorrichtung zur Behandlung von durch einen Wickelmechanismus bewegten bahnförmigen Materialien mittels eines reaktiven bzw. nichtreaktiven, durch Hochfrequenz- oder Pulsentladung erzeugten Niederdruckplasmas
DE2241229C2 (de) Vorrichtung zum Ätzen von Substraten durch eine Glimmentladung
DE1515309A1 (de) Verfahren zum Herstellen gleichfoermiger duenner Schichten hoher Guete aus dielektrischem Material durch Kathodenzerstaeubung und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE2454413C2 (de)
DE2115590A1 (en) Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim
DE3241391A1 (de) Hochfrequenz-aetztisch mit elektrisch vorgespanntem einfassungteil
DE2314284A1 (de) Ionenzerstaeuber-vakuumpumpe

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of patent without earlier publication of application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee