DE4107220A1 - Phthalocyaninsensor bei dem die kontaktgebenden flaechen in einer ebene zum substrat angeordnet sind - Google Patents

Phthalocyaninsensor bei dem die kontaktgebenden flaechen in einer ebene zum substrat angeordnet sind

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DE4107220A1
DE4107220A1 DE19914107220 DE4107220A DE4107220A1 DE 4107220 A1 DE4107220 A1 DE 4107220A1 DE 19914107220 DE19914107220 DE 19914107220 DE 4107220 A DE4107220 A DE 4107220A DE 4107220 A1 DE4107220 A1 DE 4107220A1
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Description

Es ist bekannt, auf einem Trägermaterial (1), z. B. Silizium oder Al2O3, Kontaktbahnen in geeigneter geometrischer Struk­ tur aufzubringen, um darauf einen dünnen Film (3), z. B. Phthalocyanin, aufzubringen, welches seine elektrischen Werte in Abhängigkeit physikalischer oder durch Einwirken bestimmter Gase hindert.
Fig. 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau. Um die Ansprechge­ schwindigkeit so aufgebauter Sensoren zu erhöhen wird an­ gestrebt, die sensitiven Schichten so dünn wie möglich zu machen, damit Diffusionsprozesse das Ansprechen nicht ver­ zögern.
Nachteilig hat sich gezeigt, daß die Kontaktgabe an den Kontaktbahnen ungleichmäßig ist und die an den Kontaktkanten beobachtete sehr dünne und rißanfällige Struktur der sensi­ tiven Schicht die elektrischen Eigenschaften der Schicht verschlechtern. Typisch erhöht sich der Sensorwiderstand signifikant, z. B. um Faktor 100.
Erfindungsgemäß löst eine Anordnung nach Fig. 2 dieses Problem, indem im Substratmaterial vor Aufbringungen der Kontaktbahnen eine Einsenkung (5) bevorzugt geätzt wird, in welcher in einem weiteren Arbeitsgang die Kontaktbahn (2) so aufgebaut wird, das sie in der gleichen Ebene mit dem iso­ lierenden Teil des Substrates abschließt. Die darauf aufge­ brachte sensitive Schicht ist vorteilhaft sehr gleichmäßig und unterliegt viel geringeren mechanischen Spannungen. Auch ist vorteilhaft der elektrische Widerstand aus vorgenannten Gründen erheblich geringer.
In der beschriebenen Anwendung war eine dünne Phthalocyanin- Schicht auf einer beheizten Interdigitalstruktur aufzubrin­ gen.
Die erfindungsgemäße Ausführung senkte den Ohmschen Wider­ stand etwa um Faktor 100, erhöhte die Ansprechgeschwindig­ keit um Faktor 3 und setzte das Rauschen um Faktor 3 herab.

Claims (2)

1. Dünnfilmsensor zum Nachweis von Gasen, bestehend aus einem Substrat (1), einer kontaktgebenden Struktur (2) und einer sensitiven Schicht (3), dadurch gekennzeichnet, daß in die kontaktgebende Struktur (2) so in eine Mulde (5) des Substrates eingesenkt ist, daß das Substrat und die kontaktgebende Struktur insgesamt eben ist, wobei die sensitive Schicht aus Blei- oder Kupferphthalocyanin be­ steht.
2. Dünnfilmsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substratoberfläche aus Siliziumdioxid ist, die kontaktgebende Struktur aus Gold ist.
DE19914107220 1990-11-24 1991-03-07 Phthalocyaninsensor bei dem die kontaktgebenden flaechen in einer ebene zum substrat angeordnet sind Withdrawn DE4107220A1 (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4218883C2 (de) * 1992-06-09 1999-05-20 Itvi Inttech Venture Investa Gassensorsystem mit auf Leiterplatte integrierten Gassensoren
DE19930104C1 (de) * 1999-07-01 2001-02-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer Elektrodenanordnung

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