DE19930104C1 - Verfahren zur Herstellung einer Elektrodenanordnung - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Elektrodenanordnung in einem Substrat, bei der einzelne Elektrodenbereiche einen lateralen Abstand und/oder vertikalen Versatz zueinander aufweisen. DOLLAR A Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zumindest eine elektrisch leitfähige Schicht zur Bildung der Elektrodenbereiche auf eine Oberfläche eines Substrates aufgebracht. In einem weiteren Schritt wird ein Prägeelement auf die Oberfläche aufgedrückt, so daß ein lateraler Abstand und/oder vertikaler Versatz zwischen einzelnen Elektrodenbereichen entsteht. Durch nachfolgendes Entfernen des Prägeelementes ist auf diese Weise eine Elektrodenstruktur entstanden, bei der einzelne Elektrodenbereiche durch einen lateralen Abstand und/oder vertikalen Versatz voneinander beabstandet sind. DOLLAR A Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht in überraschend einfacher Weise und sehr kostengünstig die Herstellung von Elektrodenstrukturen im Mikro- und Namometerbereich.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Elektrodenanordnung in einem Substrat, bei der einzelne Elektrodenbereiche einen lateralen Abstand und/oder vertikalen Versatz zueinander aufweisen, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.

Eine derartige Elektrodenanordnung spielt gerade im Bereich der Nanotechnologie, dem Hauptanwendungs­ gebiet des vorliegenden Verfahrens, eine wesentliche Rolle. Die Nanostrukturierung von Elektrodenanordnungen wird beispielsweise zur Herstellung biochemischer Sensoren eingesetzt, mit deren Hilfe impedimetrisch molekulare Bindungsereignisse wie die Hybridisierung einer DNA mit speziellen Oligonukleotiden oder die Bindung von Antikörpern zu Antigenen detektiert werden können.

In einem konkreten Anwendungsfall wird hierbei beispielsweise ein Substrat mit einer interdigitalen Elektrodenanordnung eingesetzt. Die entsprechenden Oligonukleotide bzw. Antigene werden zwischen den Elektroden auf dem Substrat gebunden. Zur elektrischen Erfassung einer durch ein Bindungsereignis hervor­ gerufenen dielektrischen Änderung der durch die gebundenen Stoffe gebildeten Bindungsschicht zwischen den Elektroden muß gewährleistet sein, daß die elektrischen Feldlinien des zwischen den Elektroden vorliegenden elektrischen Feldes überwiegend in dieser Bindungs- bzw. Wechselwirkungsschicht verlaufen. Dies erfordert, daß das Verhältnis des Elektrodenabstandes zur Schichtdicke des Dielektrikums nahe oder kleiner eins ist. Da die Dicke der Bindungsschicht, die sich im vorliegenden Anwendungsbeispiel aus einem Monolayer aus senkrecht zur Oberfläche ausgerichteten Oligonukleo­ tiden bzw. Antigenen zusammensetzt, nur wenige 100 nm beträgt, muß dementsprechend der Elektrodenabstand in derselben oder einer kleineren Dimension gewählt werden.

Zur elektrischen Detektion von molekularen Spezies bzw. molekularen Bindungsereignissen sind potentio­ metrische, kapazitive und impedimetrische Verfahren bekannt. Die EP 0710691 B1 sowie die DE 196 10 115 A1 geben Anwendungsbeispiele hierzu an.

Die Sensitivität dieser Verfahren hängt allerdings entscheidend vom Elektrodenabstand der eingesetzten Meßanordnung ab. Die bisher bei diesen Verfahren verwendeten Elektrodenanordnungen weisen Abstände der Elektroden auf, die wesentlich größer sind als die Dimensionen der nachzuweisenden molekularen Spezies, die als dielektrische Wechselwirkungsschicht zwischen den Elektroden immobilisiert sind.

Zur Verbesserung der Nachweisempfindlichkeit wurde daher auf Verfahren der Mikrostrukturierung über­ gegangen, um Elektrodenstrukturen mit geringeren gegenseitigen Abständen der Elektroden herstellen zu können. So ist beispielsweise aus K. Reimer et al., Sensors & Actuators A46-47 (1995), S. 66-70 bekannt, die erforderlichen feinen Elektrodenstrukturen mit Hilfe der Elektronenstrahl-Lithographie zu erzeugen.

Ein weiteres Verfahren zur Herstellung nano­ strukturierter Elektrodenanordnungen ist aus M. Paeschke, "Dünnfilm Metallelektroden als elektro­ chemische Verstärker und dielektrische Transducer", VDI Fortschrittsberichte Nr. 274, insb. S. 37/38 bekannt. Bei dieser Technik werden die Abstände zwischen den Elektroden nicht lateral auf einem Substrat erzeugt, sondern durch vertikalen Versatz einzelner Elektroden­ bereiche im Substrat. Hierzu wird ein Siliziumwafer mit einem Schichtaufbau bereitgestellt, in den zunächst mittels Photolithographie und einem nachfolgenden Ätzschritt die Strukturen für die Elektroden durch Erzeugung von Bereichen unterschiedlicher Höhe auf der Oberfläche definiert werden. Der Höhenunterschied dieser Bereiche, der dem späteren vertikalen Abstand der Elektroden entspricht, ist durch die Dicke einer durchätzten Isolationsschicht im Schichtaufbau vor­ gegeben. In einem weiteren Schritt wird eine Metal­ lisierungsschicht auf die Oberfläche aufgedampft, die sich auf den Bereichen unterschiedlicher Höhe nieder­ schlägt. Auf diese Weise ergeben sich unterschiedliche Elektrodenbereiche auf unterschiedlichen Ebenen der strukturierten Oberfläche.

Mit diesem vereinfacht dargestellten Verfahren wird ein vertikaler Versatz bzw. ein Abstand zwischen den Elektroden erzeugt, der durch die Schichtdicke des Isolators definiert ist. Die Elektrodenstruktur wird dreidimensional. Eine zusätzliche laterale Struktu­ rierung der Elektrodenbereiche ist nicht erforderlich, so daß die teure Elektronenstrahl-Technologie vermieden werden kann. Das Verfahren erfordert jedoch noch immer einen aufwendigen Herstellungsprozeß mit mehreren Lithographie- und Ätzschritten, der die Kosten für die Elektrodenanordnung erhöht.

Aus der DE 41 07 220 A1 ist ein Dünnfilmsensor zum Nachweis von Gasen bekannt, bei dem muldenförmige Vertiefungen in eine Substratoberfläche geätzt werden, in die die Elektrodenstruktur eingebracht wird. Auf diese Weise kann eine dünne sensitive Schicht im wesentlichen eben auf die mit den Elektroden versehene Substratoberfläche aufgebracht werden.

Die DE 40 13 593 A1 beschreibt einen Dickschicht- Biosensor, der sich aus mehreren Schichten eines geeigneten Keramikmaterials zusammensetzt. Die oberste Schicht weist hierbei mehrere Durchbrüche auf, die jeweils in Dickschicht-Technik aufgebrachte Teil­ elektroden aufnehmen.

Ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Mikroelektroden-Arrays für amperometrische Anwendungen ist der EP 0 653 629 A2 zu entnehmen. Bei diesem Verfahren werden mittels Photoablation Öffnungen in eine dünne Schicht aus isolierendem Material auf einem Substrat eingebracht, durch die die Elektroden zugänglich sind. Die Elektroden können hierbei entweder als Zwischenschicht zwischen der dünnen isolierenden Schicht und dem Substrat ausgebildet sein, oder als elektrisch leitfähige Paste in die Öffnungen der dünnen isolierenden Schicht eingebracht werden.

Die EP 0 585 933 A2 offenbart schließlich eine planare Elektrodenanordnung zur elektrischen Messung biologischer Aktivitäten, bei der ein engmaschiges Elektrodenarray auf einem Substrat eingesetzt wird. Die Elektroden werden über ein Aufdampfverfahren mit nachfolgender Strukturierung durch Photolithographie und eine Ätztechnik erzeugt. Anschließend wird eine isolierende Schicht auf die Elektrodenstruktur aufgebracht und mit Hilfe einer Ätztechnik lokal an den Stellen der jeweiligen Elektroden wieder entfernt.

Auf dem Hauptanwendungsgebiet dieser Art von Sensoren, dem biomedizinischen Bereich, werden jedoch in der Regel Einwegprodukte benötigt. Für derartige Produkte stellen die obigen Herstellungstechniken sehr kostenträchtige Verfahren dar.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren anzugeben, mit dem Elektroden­ strukturen, insbesondere mit Dimensionen im Mikrometer- und Nanometerbereich, auf kostengünstige und einfache Weise realisiert werden können.

Die Aufgabe wird mit dem Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche.

Die vorliegende Erfindung weicht von den gängigen Verfahren der Mikrostrukturierung ab und setzt eine mechanische Strukturierung mit Hilfe eines Präge­ elementes zur Erzeugung der Abstände zwischen den Elektroden ein. Überraschenderweise hat sich hierbei gezeigt, daß sich durch diesen Prägevorgang auf einfache Weise insbesondere Mikro- und Nanostrukturen erzeugen lassen, bei denen einzelne Elektrodenbereiche einen lateralen Abstand und/oder vertikalen Versatz zueinander aufweisen, wie dies beispielsweise hin­ sichtlich des vertikalen Versatzes bei der Anordnung aus M. Paeschke, "Dünnfilm Metallelektroden als elektrochemische Verstärker und dielektrische Transducer", VDI Fortschrittsberichte Nr. 274, insb. S. 37/38 der Fall ist.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zumindest eine elektrisch leitfähige Schicht zur Bildung der Elektrodenbereiche auf eine Oberfläche eines Substrates aufgebracht. In einem weiteren Schritt wird ein Präge­ element auf die Oberfläche aufgedrückt, so daß ein lateraler Abstand und/oder ein vertikaler Versatz zwischen einzelnen Elektrodenbereichen entsteht. Durch nachfolgendes Entfernen des Prägeelementes ist auf diese Weise eine Elektrodenstruktur entstanden, bei der einzelne Elektrodenbereiche durch einen vertikalen Versatz, d. h. einen Versatz in Richtung der Ober­ flächennormalen des Substrates, und/oder lateral durch einen Spalt voneinander beabstandet sind.

Die Größe des Versatzes bzw. Abstandes wird vorzugsweise über den Anpreßdruck des Prägeelementes und/oder die Temperatur des Substrates gesteuert. Es kann jedoch auch ein Stempel als Prägeelement einge­ setzt werden, bei dem die Höhe der Prägestruktur der Größe des zu erzeugenden vertikalen Versatzes ent­ spricht, so daß der Stempel in diesem Fall vollständig aufgedrückt wird.

Die Prägestruktur bzw. Topographie des Präge­ elementes wird hierbei selbstverständlich entsprechend der gewünschten Strukturierung der Elektrodenanordnung gewählt. So wird das Prägeelement in einer einfachen Ausführungsform beispielsweise rechteckige, von der Grundfläche des Prägeelementes hervortretende Plateaus aufweisen, die die Form der Elektrodenbereiche definieren, die nach dem Prägevorgang in einer anderen Ebene liegen sollen als die in der ursprünglichen Ebene verbleibenden Elektrodenbereiche. Liegen diese Plateaus in einer Ebene, so ist der vertikale Versatz einzelner Elektrodenbereiche identisch. Weist das Prägeelement Plateaus unterschiedlicher Höhe auf, so können dadurch in einem einzigen Prägevorgang unterschiedliche Elektrodenabstände realisiert werden.

Zur Erzeugung eines lateralen bzw. horizontalen Abstandes zwischen einzelnen Elektrodenbereichen wird ein geeignet ausgeformter Prägestempel eingesetzt. So können beispielsweise durch eine in Prägerichtung unter einem bestimmten Winkel spitz zulaufende Erhebung (im folgenden als Schneide bezeichnet) der Prägestruktur je nach Eindringtiefe in das Material unterschiedliche Abstände der Elektrodenbereiche erzielt werden. Durch Aufdrücken der Prägestruktur wird die Elektrodenschicht hierbei mit der Schneide durchtrennt, wobei die Form der Schneide, wie beispielsweise der Krümmungsradius der schneidenden Kante oder der die Kante bildende Winkel, und die Eindringtiefe das Ausmaß der Durch­ trennung bestimmen. Kontrollierte Eindringtiefen lassen sich dadurch erzielen, daß die Schneide nur eine bestimmte Höhe über der Grundfläche des Prägeelementes aufweist.

Bei dieser Technik der Erzeugung eines lateralen Abstandes sind die für den Prägevorgang erforderlichen Druck- und Temperaturbereiche identisch oder niedriger als im Falle der Erzeugung eines vertikalen Versatzes, da insgesamt weniger Material fließen muß.

Selbstverständlich ist auch eine Kombination von Prägestrukturen für vertikalen Versatz und laterale Trennung in einem Prägestempel möglich, falls derartige Elektrodenstrukturen erzeugt werden sollen.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird ein Prägeelement mit einer Prägestruktur eingesetzt, bei der die Umrisse der Plateaus eine Interdigitalstruktur definieren, so daß mit der erfindungsgemäßen Technik eine interdigitale Elektrodenanordnung erzeugt werden kann.

Das Prägeelement selbst muß dabei nur einmal, beispielsweise mit üblichen Strukturierungstechniken, wie Elektronenstrahl-Lithographie, hergestellt werden und kann nachfolgend zur Herstellung einer Vielzahl von Elektrodenanordnungen in einer Serienproduktion eingesetzt werden. Außerdem kann durch übliche Strukturierungsverfahren ein Master hergestellt werden, von dem durch Vervielfältigung eine größere Zahl von Prägestempeln abgeformt wird. Dies kann beispielsweise durch Prägen des Masters in geeignet verformbare Schichten (z. B. Polymere) und anschließende Fixierung oder Übertragung der Struktur in härtere Materialien erreicht werden. Dies führt zu einer deutlichen Reduzierung der Fertigungskosten im Vergleich zu den bisher bekannten Herstellungstechnologien für derartige Elektrodenstrukturen.

Mit dem Verfahren lassen sich nichtplanare, drei­ dimensional nanostrukturierte Elektroden mit Höhen­ unterschieden bzw. einem gegenseitigen Versatz oder Abstand von wenigen Nanometern bis in den Mikrometer­ bereich problemlos herstellen. Auch die Herstellung von ebenen Elektrodenstrukturen mit lateralen Abständen im Nanometer- bis Mikrometerbereich ist mit dem Verfahren auf sehr einfache Weise möglich.

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht somit in überraschend einfacher Weise und sehr kostengünstig die Herstellung von Elektrodenstrukturen im Mikro- und Nanometerbereich, so daß dem Einsatz von auf dieser Technologie beruhenden Sensoren als Einmalprodukte im biomedizinischen Bereich nichts mehr im Wege steht.

Es ist nicht erforderlich, daß das Prägeelement direkt mit der leitfähigen Schicht in Berührung kommt. Vielmehr kann auf der leitfähigen Schicht vor Durch­ führung des Prägevorganges eine weitere Schicht oder Schichtfolge aufgebracht werden, beispielsweise eine Isolationsschicht, solange das gewünschte Ergebnis des Prägens noch erzielt wird.

Es versteht sich von selbst, daß die Wahl der Materialien eine Prägung der Struktur zulassen muß. Dies betrifft insbesondere die Härte des Prägeelementes und die Elastizität der zu prägenden Schichten. Dem Fachmann fällt es jedoch nicht schwer geeignete Materialkombinationen zu finden. So lassen sich als Material für das Prägeelement beispielsweise Silizium oder SiO₂ einsetzen, da diese Materialien eine ausreichende Härte und Steifigkeit sowie Temperatur­ beständigkeit aufweisen und sich ein daraus gefertigtes Prägeelement durch eine hohe Lebensdauer auszeichnet.

Weiterhin ist das vorliegende Verfahren nicht auf das Prägen einer einzigen elektrisch leitfähigen Schicht beschränkt. Vielmehr kann ein Multischicht­ system aus abwechselnd elektrisch leitfähigen und isolierenden Schichten auf dem Substrat vorgesehen sein bzw. darauf aufgebracht werden. Hierbei können sowohl für die leitenden als auch für die isolierenden Schichten entsprechend der gewünschten Funktion vollkommen unterschiedliche Materialien eingesetzt werden. Durch den anschließenden Prägevorgang können einzelne Bereiche dieses gesamten Schichtsystems vertikal gegeneinander verschoben werden. So kann beispielsweise auch erreicht werden, daß ein Elektrodenbereich einer anfänglich oben liegenden elektrisch leitfähigen Schicht in Berührung mit einer tiefer liegenden elektrisch leitfähigen Schicht kommt, so daß tiefer liegende Schichtbereiche durch die entstandene Öffnung kontaktiert werden können.

Für den Aufbau der elektrisch leitfähigen Schicht bzw. des Multischichtsystems können prinzipiell alle bekannten Beschichtungstechniken, wie beispielsweise Spin-Coating, PVD, CVD oder Laser-Ablation, eingesetzt werden, die geeignet sind, die verschiedenen Funktio­ nalitäten der einzelnen Schichten zu erzeugen bzw. zu erhalten.

Als Träger für die elektrisch leitfähige Schicht bzw. das Schichtsystem kann beispielsweise ein Substrat aus Kunststoff verwendet werden.

Ebenso kann ein Trägersubstrat beliebiger Härte eingesetzt werden, auf dem vor dem Aufbringen der zumindest einen elektrisch leitfähigen Schicht eine Schicht mit einer geringeren Härte als die des Prägeelementes aufgebracht wird. Die Dicke dieser Schicht muß dabei größer sein als der zu erzeugende vertikale Versatz der Elektrodenbereiche.

Das erfindungsgemäße Verfahren wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnungen nochmals veranschaulicht. Hierbei zeigen:

Fig. 1 ein Beispiel für die Durchführung des Verfahrens an einer Einfachschicht;

Fig. 2 ein Beispiel für die Durchführung des Verfahrens an einem Multischichtsystem; und

Fig. 3 ein Beispiel für unterschiedliche an einem Prägestempel einsetzbare Prägestrukturen.

Fig. 1 zeigt ein Substrat 1 mit einer darauf aufgebrachten elektrisch leitfähigen Schicht 2 zur Bildung der Elektroden. Bei diesem Beispiel wird ein Stempel 3 eingesetzt, der eine Topographie der prägenden Fläche in Form von rechteckigen Plateaus 4 aufweist, die die gleiche Höhe aufweisen. Durch Aufdrücken des Stempels 3 auf die Oberfläche des Substrates 1 mit der elektrisch leitfähigen Schicht 2 wird ein Versatz zwischen einzelnen Bereichen der elektrisch leitfähigen Schicht erzeugt, so daß vertikal gegeneinander versetzte Elektrodenbereiche 2a und 2b entstehen.

Als Substrat 1 wurde im vorliegenden Beispiel ein Substrat aus Polymethmethylacrylat (PMMA) eingesetzt. Selbstverständlich ist es auch möglich, dieses polymere Trägermaterial zunächst auf ein härteres Substrat aufzubringen, beispielsweise mittels Spin-Coating auf einen Siliziumwafer.

Die PMMA-Oberfläche wurde anschließend mit einer 20 nm dicken Schicht 2 aus Silber als zu strukturieren­ der elektrisch leitfähiger Schicht bedampft.

Zur Herstellung des Stempels 3 wurde ein Silizium­ wafer im Submikrometerbereich mittels Elektronenstrahl- Lithographie mit Linien im Abstand von 500 nm bis 2 µm strukturiert.

Dieser Stempel wurde dann mit einem Druck von ca. 100 . 10⁵ Pa und bei einer Temperatur von ca. 200°C durch die Metallisierungsschicht 2 hindurch in die PMMA-Schicht 1 geprägt. Hierdurch wurde die Metall­ schicht an den Kanten der Strukturen 4 des Stempels abgeschert und um ca. 100 nm in die Tiefe versetzt. Je nach Wahl der Parameter Druck und Temperatur kann die Eindringtiefe des Stempels und somit der Versatz der Metallisierungsschicht in die Tiefe gesteuert werden.

Fig. 2 zeigt ein Substrat 1 mit einer darauf aufgebrachten Schichtfolge aus elektrisch leitfähiger erster Schicht 2 zur Bildung erster Elektroden, isolierender Zwischenschicht 5 und elektrisch leit­ fähiger zweiter Schicht 6 zur Bildung von zweiten Elektroden. Bei diesem Beispiel wird ebenfalls ein Stempel 7 eingesetzt, der eine Topographie der prägenden Fläche in Form von rechteckigen Plateaus 8 aufweist, wobei die Plateaus in diesem Fall unter­ schiedliche Höhen aufweisen. Durch Aufdrücken des Stempels 7 auf die Oberfläche des Substrates 1 mit der Schichtfolge wird ein unterschiedlicher Versatz zwischen einzelnen Bereichen der Schichtfolge erzeugt. In diesem Beispiel werden zudem sowohl Bereiche der ersten Elektroden 2a und 2b wie auch Bereiche der zweiten Elektroden 6a und 6b vertikal gegeneinander versetzt, so daß ermöglicht wird, einen geringen Abstand zwischen den ersten und den zweiten Elektroden zu erzeugen.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die dem Prägevorgang unterzogenen Schichten nach Maßgabe der Topographie des Prägeelementes in Richtung der Ober­ flächennormalen der Schichten verschoben, so daß ein Höhenversatz zwischen einzelnen Bereichen der durch die Schichten gebildeten Elektroden entsteht. Dieser Versatz kann über die Topographie bzw. das Profil der prägenden Strukturen (Höhe und Abstand der Strukturen) des Prägeelementes, die Prozeßparameter (Druck, Tempe­ ratur, Zeit, Prägetiefe) und die Materialeigenschaften (Plastizität, Steifigkeit, etc.) sowie die Dicke der verschiedenen Schichten gesteuert werden. In einem Einfachschichtsystem werden auf diese Weise Elektroden gleichen Materials getrennt. In einem Multischicht­ system lassen sich durch Wahl der Materialien auch Kombinationen von verschiedenen Elektrodensystemen erzeugen.

Aus Fig. 3 sind schließlich verschiedene Beispiele für Prägestrukturen gezeigt, die beim erfindungsgemäßen Verfahren allein oder in Kombination eingesetzt werden können. Neben den bereits in den vorangegangenen Beispielen erläuterten Strukturen in Form von rechteckigen Plateaus 4 sind auch spitz zulaufende Formen 9-11 dargestellt. Durch diese schneidenförmigen Erhebungen bzw. Schneiden 9-11 kann ein horizontaler Abstand bzw. eine laterale Trennung zwischen einzelnen Elektrodenbereichen erzeugt werden, der bzw. die von der Form und Eindringtiefe dieser Strukturen in die elektrisch leitfähigen Schichten und das darunterliegende Material abhängt und dadurch gezielt gesteuert werden kann.

Die Wirkung eines Prägevorgangs mit der Schneide 9 ist im unteren Bereich der Figur schematisch dar­ gestellt. In diesem Fall ist auf einem Substrat 1 eine Polymerschicht 12 aufgebracht, die die elektrisch leitfähige Schicht 2 trägt. Durch Einprägen des Stempels 13 mit der Struktur 9 kann ein Spalt 14 definierter Breite in der elektrisch leitfähigen Schicht 2 erzeugt werden, durch den die Elektroden­ bereiche voneinander beabstandet sind.

Ein derartiger Stempel zum Durchtrennen der Elektrodenschichten für die Erzeugung eines lateralen Abstandes kann beispielsweise durch anisotropes Naßätzen von Silizium hergestellt werden. Mit dieser Ätztechnik lassen sich auf einfache Weise spitz zulaufende Formen im Silizium erreichen, die wie ein Schneidewerkzeug wirken und beim Aufprägen die Elektrodenschicht durchtrennen bzw. zerschneiden.

Claims (12)

1. Verfahren zur Herstellung einer Elektroden­ anordnung in einem Substrat (1), bei der einzelne Elektrodenbereiche (2a, 2b, 6a, 6b) einen lateralen Abstand und/oder vertikalen Versatz zueinander aufweisen, wobei zumindest eine elektrisch leitfähige Schicht (2, 6) zur Bildung der Elektrodenbereiche auf eine Oberfläche des Substrates (1) aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß der laterale Abstand und/oder vertikale Versatz zwischen den einzelnen Elektrodenbereichen (2a, 2b, 6a, 6b) nach dem Aufbringen der zumindest einen elektrisch leitfähigen Schicht (2, 6) durch Aufdrücken eines Prägeelementes (3, 7) auf die Oberfläche des Substrates (1) erzeugt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe des Abstandes und/oder Versatzes über den Anpreßdruck des Prägeelementes (3, 7) und/oder die Temperatur des Substrates (1) gesteuert wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe des vertikalen Versatzes über die Höhe einer Prägestruktur des Prägeelementes (3, 7) eingestellt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe des lateralen Abstandes über die Höhe und Form einer Prägestruktur des Präge­ elementes eingestellt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere durch isolierende Zwischenschichten voneinander beabstandete elektrisch leitfähige Schichten (2, 6) zur Bildung der Elektroden­ bereiche auf das Substrat (1) aufgebracht werden.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat (1) aus Kunststoff eingesetzt wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der zumindest einen elektrisch leitfähigen Schicht (2, 6) eine Schicht mit einer geringeren Härte als die des Präge­ elementes auf die Oberfläche des Substrates (1) aufgebracht wird, wobei die Dicke der Schicht größer ist als der zu erzeugende vertikale Versatz der Elektrodenbereiche (2a, 2b, 6a, 6b).

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Prägeelement (3, 7) aus Silizium oder SiO₂ eingesetzt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Prägeelement (3, 7) mit einer Präge­ struktur eingesetzt wird, die Bereiche unter­ schiedlicher Höhe und/oder Form aufweist, so daß die einzelnen Elektrodenbereiche (2a, 2b, 6a, 6b) einen unterschiedlichen vertikalen Versatz und/oder lateralen Abstand zueinander erhalten.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Prägeelement (3, 7) mit einer Präge­ struktur eingesetzt wird, die die Form einer Interdigitalstruktur aufweist.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Prägeelement (3, 7) bei einer Temperatur aufgedrückt wird, die eine plastische Verformung und Auftrennung der elektrisch leitfähigen Schicht (2, 6) erlaubt.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Prägeelement (3, 7) ein vertikaler Versatz und/oder lateraler Abstand der einzelnen Elektrodenbereiche (2a, 2b, 6a, 6b) von weniger als 500 nm erzeugt wird.