DE4105025C1 - - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 33
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
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Description
Die Erfindung geht aus von einem Gassensor nach der Gattung des
Hauptanspruchs.
In der europäischen Patentanmeldung 03 23 937 wird ein Gassensor mit
einem Träger beschrieben, auf dem das Sensorelement in Dünn
schicht- oder auch in Dickschichttechnik aufgebracht ist. Als Träger
dient ein Plättchen aus elektrisch isolierendem Material, wie zum
Beispiel Glas, Siliziumoxid oder Keramik. Dieser Träger weist Durch
brüche auf, die so angeordnet sind, daß ein Mittelbereich und ein
Außenbereich ausgebildet sind, die über Stege miteinander verbunden
sind. Auf dem Mittelbereich ist zunächst eine Widerstandsschicht,
die zum Heizen des Sensorelementes dient, aufgebracht. Über dieser
Widerstandsschicht ist eine elektrisch isolierende Schicht abge
schieden. Darauf sind zwei einander gegenüber angeordnete Elektroden
aufgebracht, deren elektrische Verbindung durch eine empfindliche
Schicht hergestellt ist, die über dem Mittelbereich über den
Elektroden abgeschieden ist. Die elektrische Kontaktierung der
Widerstandsschicht und der beiden Elektroden dieses Schichtaufbaus
ist über auf den Stegen abgeschiedenen Leiterbahnen auf den Außen
bereich geführt. Bei dem in dieser Schrift beschriebenen Gassensor
sind die Stege geradlinig ausgebildet. Um eine gute thermische Isola
tion des Mittelbereichs vom Außenbereich des Trägers zu erzielen,
müssen die Stege sehr dünn ausgebildet sein, da sie auch relativ kurz
sind. Die Elektroden des hier beschriebenen Sensorelementes sind als
rechteckige bzw. punktförmige Flächen ausgebildet. Derartige Sensor
elemente sind relativ hochohmig, was sich unvorteilhaft auf den Meß
bereich des Gassensors auswirkt.
Aus der DE 30 19 387 A1 ist ein Dünnschichtgassensor mit einem
Widerstand und einem Heizelement bekannt, wobei das Heizelement auf
der Unterseite des Trägers angeordnet ist.
Der erfindungsgemäße Gassensor mit den kennzeichnenden Merkmalen des
Hauptanspruchs zeichnet sich durch einen besonders einfachen Aufbau
aus. Durch das Aufbringen der mindestens einen Heizvorrichtung auf der
Unterseite des Mittelbereichs des Trägers und das Aufbringen der Elek
troden und der empfindlichen Schicht des Sensorelementes direkt auf
die Oberseite des Mittelbereichs des Trägers vereinfacht sich die
Herstellung des Sensors gegenüber der nach dem Stand der Technik. Die
Wahl des Trägersubstrats selber als elektrisch isolierende Schicht
zwischen Heizvorrichtung und Sensorelement ist besonders vorteilhaft
bei der Verwendung dünner Keramiksubstrate, da hier der Wärmeaustausch
zwischen Vorder- und Rückseite sehr schnell erfolgt. Das Aufbringen
des Sensorelementes direkt auf der Oberseite des Trägersubsttates ist
auch deshalb von Vorteil, da dadurch die Möglichkeit besteht, sowohl
Dickschicht-Sensorelemente, wie zum Beispiel SnO2-Sensorelemente,
als auch Dünnschicht-Sensorelemente, wie zum Beispiel Phthalocya
nin-Sensorelemente, aufzubringen. Die spiralförmige Ausbildung der
Stege um den Mittelbereich bewirkt eine besonders gute thermische
Abkopplung des Mittelbereichs mit der Heizvorrichtung und dem Sensor
element vom Außenbereich. Da die Stege vergleichsweise lang sind,
können diese wesentlich stabiler ausgelegt werden. Die Spiralstruktur
der Stege gewährleistet außerdem, daß der Platzbedarf des Sensors
vergleichsweise gering ist. Die
Ausbildung der Elektroden des Sensorelementes als ineinander
greifende Kammstrukturen ist besonders günstig, da hierdurch eine
Parallelschaltung vieler Widerstandselemente entsteht, wodurch der
Gesamtwiderstand der darüber liegenden Sensorschicht wesentlich
herabgesetzt wird. Der Gesamtwiderstand des Sensorelementes variiert
dadurch bei Adsorption von Schadgasen in einem der Messung gut
zugänglichen Widerstandsbereich.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vor
teilhafte Weiterbildungen des im Hauptanspruch angegebenen Sensors
möglich. Besonders vorteilhaft ist es, die zur exakten Temperatur
regelung erforderlichen Temperatur-Meßwiderstände ebenfalls auf der
Unterseite des Mittelbereichs anzuordnen. Besonders vorteilhaft für
die Herstellung ist es, die Heizvorrichtung in Form von Heizwider
ständen zu realisieren, indem die Heizwiderstände und Temperatur-
Meßwiderstände zunächst als geschlossene Dickschichtfläche gedruckt
werden und anschließend durch Laserschneiden strukturiert werden.
Durch geeignete Wahl der Widerstandsanordnung und Heizregelung läßt
sich vorteilhaft eine homogene Temperaturverteilung auf dem Sensor
element erreichen. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die elek
trische Kontaktierung der auf der Rückseite des Trägers aufge
brachten Widerstände mittels Durchkontaktierungen in dem Träger 10,
beispielsweise in Dickschichttechnik, auf die Oberfläche des Trägers
geführt sind. Dadurch wird eine wesentliche Vereinfachung der Auf
bautechnik erreicht. Durch den erfindungsgemäßen Aufbau wird die
Heizleistung und damit die Verlustleistung der Heizregelung relativ
gering gehalten. Dadurch ist es möglich, daß auch die Heizregelung
mit Leistungsbauelementen und zumindest Teile der Auswerteschaltung
auf dem Träger im Außenbereich aufgebracht sind, was eine vorteil
hafte Platzeinsparung darstellt. Der gesamte oder zumindest teil
weise Aufbau des erfindungsgemäßen Sensors in Dickschicht- und/oder
Dünnschichttechnik ist kostengünstig und gut handhabbar.
Die gute thermische Entkopplung des erfindungsgemäßen Gassensors
ermöglicht die Integration mehrerer, verschiedener Sensorelemente
mit der Auswerteschaltung auf einem Trägersubstrat. Eine gute
thermische Abkopplung der einzelnen Sensorelemente untereinander und
vom Trägersubstrat ist aus thermodynamischen Gründen besonders
wichtig, da die Sensorelemente ihren Widerstandswert bei Adsorption
von Schadgasen, wie zum Beispiel CO, MOx, ändern und zur Verstärkung
dieses Effekts bei erhöhten Temperaturen (ca. 150°C bis 500°C)
betrieben werden.
Von Vorteil ist es, das fertige Sensormodul mit den Sensorelementen
der Heizregelung und der Auswerteschaltung in einem Gehäuse mit
mehreren Teilräumen anzuordnen, so daß die Auswerteschaltung in
einem abgeschlossenen Teil des Gehäuses ruht, während sich jedes
Sensorelement in einem belüfteten Teil des Gehäuses befindet. Beson
ders vorteilhaft hierbei ist es, die zu untersuchende Luft über
Filter zu leiten, die für jedes Sensorelement spezielle Anteile der
zu untersuchenden Luft ausfiltern. Ein in das Gehäuse integrierter
Lüfter mit einem Lüftermotor ist von Vorteil, da er ermöglicht,
einen Gas- bzw. Partikelstrom mit konstanter Geschwindigkeit über
die Sensorelemente zu leiten. Die Integrierbarkeit von Filtern und
gegebenenfalls einem Lüfter mit Lüftermotor ermöglicht eine beson
ders kompakte Bauweise eines Gassensors.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt
und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen die
Fig. 1a und b verschiedene Ausführungsformen eines strukturier
ten Trägers, Fig. 2 den Schnitt durch einen mit Schaltungselementen
versehenen strukturierten Träger, Fig. 3 die Aufsicht auf eine
Elektrodenanordnung eines Sensorelementes und Fig. 4 einen Gas
sensor mit Gehäuse.
In Fig. 1a ist mit 10 ein Träger bezeichnet aus einem elektrisch
isolierenden Material, beispielsweise aus Keramik oder Glas. Der
Träger 10 weist Durchbrüche 14 auf, die so angeordnet sind, daß
jeweils drei Durchbrüche 14 einen Mittelbereich 12 umgeben, der dann
nur noch über Stege 13 mit einem Außenbereich 11 verbunden ist. Die
Durchbrüche 14 sind so dimensioniert und angeordnet, daß die Stege
13 spiralförmig um den Mittelbereich 12 ausgebildet sind. Dadurch
können sehr platzökonomisch lange Haltearme ausgebildet werden, die
eine hohe Stabilität der Struktur und zusätzlich eine effiziente
thermische Isolation des Mittelbereichs 12 vom Außenbereich 11 des
Trägers 10 gewährleisten. Die Durchbrüche 14 können beispielsweise
durch Laserschneiden in den Träger 10 eingebracht sein; es kann sich
dabei um einfache Schnitte handeln wie in Fig. 1b dargestellt oder
aber auch um Herausschneiden von Segmenten des Trägermaterials wie
in Fig. 1a dargestellt. Des weiteren besteht die Möglichkeit, die
Durchbrüche bereits aus der ungesinterten (grünen) Keramik heraus
zustanzen.
In Fig. 2 ist der Schnitt durch einen wie in Fig. 1a strukturier
ten Träger 10 dargestellt, der mit Schaltungselementen entsprechend
der Funktion des Gassensors versehen ist. Auf der Oberseite des
Mittelbereichs 12 des Trägers 10 sind zwei Elektroden 201 und 202
einander gegenüber angeordnet. Darüber ist eine empfindliche Schicht
21 abgeschieden, die die leitende Verbindung zwischen den beiden
Elektroden 201 und 202 herstellt. Auf die Unterseite des Mittel
bereichs 12 ist ein Heizwiderstand 25 und ein Temperatur-Meßwider
stand 26 aufgebracht. Der Mittelbereich 12 ist durch die Durchbrüche
14 vom Außenbereich 11 getrennt und ist nur über die spiralförmig
ausgebildeten Stege 13 mit dem Außenbereich 11 verbunden. Auf der
Ober- und der Unterseite der Stege 13 sind Leiterbahnen 311, 312 bis
auf den Außenbereich 11 hin abgeschieden. Über diese Leiterbahnen
311, 312 sind die beiden Elektroden 201 und 202 sowie der Heizwider
stand 25 und der Temperatur-Meßwiderstand 26 kontaktierbar. Bei dem
in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel eines Gassensors
befinden sich im Außenbereich 11 des Trägers 10 Durchkontaktierungen
32, über die die auf der Unterseite des Mittelbereichs 12 aufge
brachten Schaltungselemente, in diesem Falle die Widerstände 25 und
26, von der Oberseite des Trägers 10 aus elektrisch kontaktierbar
sind. Sowohl die Auswerteschaltung 30 als auch eine in Fig. 2 nicht
dargestellte Heizregelung 35 sind auf die Oberseite des Trägers 10
im Außenbereich 11 aufgebracht. Das Aufbringen der einzelnen Schal
tungselemente auf den Träger 10 entsprechend Fig. 2 kann in Dick
schicht- oder in Dünnschichttechnik erfolgen. So besteht beispiels
weise die Möglichkeit, den Heizwiderstand 25 und den Temperatur-Meß
widerstand 26 zunächst als eine geschlossene Dickschichtwiderstands
fläche auf die Unterseite des Mittelbereichs 12 des Trägers 10 auf
zudrucken und anschließend durch Laserschneiden zu strukturieren.
Für beide Komponenten des eigentlichen Sensorelementes, nämlich die
Elektroden 201 und 202 und die empfindliche Schicht 21 kommt neben
einer Dickschichtrealisierung auch eine Dünnschichtrealisierung in
Frage, da diese Komponenten direkt auf den Träger 10 aufgebracht
werden. Auch die Leiterbahnen 311, 312 können entweder in Dick
schicht- oder ggf. in Dünnschichttechnik realisiert werden. Das
Durchkontaktieren zur elektrischen Verbindung der auf der Unterseite
des Mittelbereichs 12 des Trägers 10 aufgebrachten Widerstände 25
und 26 ist ein Standardverfahren der Dickschichttechnik.
Das Meßprinzip des in Fig. 2 dargestellten Sensors beruht darauf,
daß sich der Gesamtwiderstand der Anordnung der beiden Elektroden
201 und 202 mit der empfindlichen Schicht 21 je nach Menge des von
der empfindlichen Schicht 21 adsorbierten Schadgases ändert. Die zu
untersuchende Luft wird also über die mit dem Sensorelement
behaftete Oberseite des Trägers 10 geleitet. Die Widerstandsänderung
des Sensorelementes wird erfaßt und mit der Auswerteschaltung 30
ausgewertet. Aus thermodynamischen Gründen werden die Sensorelemente
bei erhöhten Temperaturen je nach Art des Schadgases, das detektiert
werden soll, bei Temperaturen von ca. 150°C bis ca. 500°C betrie
ben. Die Beheizung des Sensorelementes erfolgt durch den Heizwider
stand 25 auf der Unterseite des Mittelbereichs 12 des Trägers 10,
kann aber auch durch eine andere Heizvorrichtung erfolgen. Der
Temperatur-Meßwiderstand 26 dient zur exakten Temperaturregelung, da
die Güte des Meßergebnisses entscheidend von einer homogenen Tem
peraturverteilung auf dem Sensorelement abhängt. Durch die erfin
dungsgemäße Struktur der Stege 13 wird eine so gute thermische
Abkopplung des Mittelbereichs 12 vom Außenbereich 11 des Trägers 10
erreicht, daß mehrere, getrennt beheizbare Sensorelement auf
mehreren Mittelbereichen 12 eines Trägers angeordnet werden können
und zur Detektion von unterschiedlichen Schadgasen eingesetzt werden
können. Diese gute thermische Entkopplung ermöglicht auch, die Aus
werteschaltung sowie die Heizregelung mit Leistungsbauelementen auf
dem verbleibenden Teil, dem Außenbereich 11, des Trägers 10 anzu
ordnen.
Fig. 3 zeigt eine vorteilhafte Ausgestaltung der Elektroden 201 und
202. Erfindungsgemäß werden sie als ineinandergreifende Kamm
strukturen ausgebildet, über denen dann die empfindliche Schicht 21
abgeschieden wird. Diese spezielle Ausgestaltung wirkt wie eine
Parallelschaltung von mehreren hochohmigen Widerständen und dient
dazu, den Gesamtwiderstand des Sensorelementes in einen gut meßbaren
Bereich zu verlagern, so daß das Ausmaß von Widerstandsänderungen
exakt erfaßt werden kann.
In Fig. 4 ist mit 50 ein Gehäuse bezeichnet, das mehrere Teilräume
501, 502, 503 und 504 aufweist. Der Träger 10 mit den Sensor
elementen 1 und 2 sowie der Auswerteschaltung 30 und der Heiz
regelung 35 ist so in dem Gehäuse 50 eingebaut, daß in dem abge
schlossenen Teilraum 503 die Auswerteschaltung 30 und die Heiz
regelung 35 angeordnet sind. An diesem abgeschlossenem Teilraum 503
befindet sich ein Anschlußstecker 57 für den Sensor. In zwei Teil
räumen 501 und 502 befindet sich jeweils ein Sensorelement 1 und 2.
Diese Teilräume können mittels eines Lüfters 53, der an einen in
einem vierten Teilraum 504 angeordneten Belüftungsmotor 54 ange
schlossen ist, belüftet werden. Ferner befinden sich in den Außen
wänden der Teilräume 501 und 502 jeweils Filter 51 und 52, die ggf.
eine Aufbereitung der zu untersuchenden Luft vor der Messung vor
nehmen können. Mit dem in das Gehäuse 50 integrierten Lüfter 53 und
Lüftermotor 54 kann ein Gas- bzw. Partikelstrom mit konstanter
Geschwindigkeit über die Sensorelemente 1 und 2 geleitet werden. Der
erfindungsgemäße Gassensor mit einem Gehäuse entsprechend Fig. 4
zeichnet sich durch ein sehr kompaktes Bauvolumen aus.
Claims (10)
1. Gassensor, mit einem plattenförmigen Träger aus einem elektrisch
isolierenden Material, vorzugsweise Keramik, der so mit Durchgangslö
chern versehen ist, daß er mindestens einen Außenbereich und einen
Mittelbereich aufweist, die über Stege miteinander verbunden sind, mit
mindestens einem auf dem mindestens einen Mittelbereich angeordneten
Sensorelement, das zwei einander gegenüber angeordnete Elektroden auf
weist und eine empfindliche Schicht, die die leitende Verbindung zwi
schen den Elektroden herstellt, mit mindestens einer Heizvorrichtung
für das Sensorelement und mit auf den Stegen angeordneten Leiterbahnen
zum elektrischen Anschluß des Sensorelementes und der Heizvorrichtung,
dadurch gekennzeichnet,
- - daß die Stege (13) spiralförmig um den Mittelbereich (12) ausgebil det sind,
- - daß das Sensorelement (1, 2) mit den beiden Elektroden (201, 202) und der empfindlichen Schicht (21) direkt auf die Oberseite des Mittelbereiches (12) aufgebracht ist,
- - daß die beiden Elektroden (201, 202) als ineinandergreifende Kamm strukturen ausgebildet sind
- - und daß die Heizvorrichtung (25) auf die Unterseite des Mittelbe reiches (12) aufgebracht ist.
2. Gassensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
- - daß die Heizvorrichtung (25) durch mindestens einen Heizwiderstand realisiert ist.
3. Gassensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
- - daß mindestens ein Temperatur-Meßwiderstand (26) auf der Unterseite des Mittelbereichs (12) angeordnet ist.
4. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet,
- - daß der Heizwiderstand und/oder der mindestens eine Tempera tur-Meßwiderstand (26) durch in den Träger (10) eingebrachte Durchkontaktierungen (32) von der Oberseite des Trägers (10) elektrisch kontaktierbar sind.
5. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet,
- - daß eine Auswerteschaltung (30) und/oder eine oder mehrere Heiz regelungen (35) auf dem Außenbereich (11) des Trägers (10) ange ordnet sind.
6. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet,
- - daß das Sensorelement (1, 2), der Heizwiderstand, der Tempera tur-Meßwiderstand (26), die Leiterbahnen (311, 312), die Durch kontaktierungen (32), die Auswerteschaltung (30) und die Heiz regelung (35) zumindest teilweise in Dickschichttechnik und/oder in Dünnschichttechnik realisiert sind.
7. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet,
- - daß auf einem Träger (10) mehrere, getrennt beheizbare Sensorelemente (1, 2) auf jeweils einem Mittelbereich (12) angeordnet sind.
8. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet,
- - daß der Träger (10) mit dem mindestens einen Sensorelement (1, 2), der Auswerteschaltung (30) und der Heizregelung (35) in einem Gehäuse (50) mit mehreren Teilräumen (501, 502, 503, 504) angeordnet ist, so daß die Auswerteschaltung (30) und die Heizregelung (35) in einem von der Luftzufuhr abgeschlossenen Teilraum (503) angeordnet ist und das Sensorelement in einem weiteren Teilraum (501, 502) angeordnet ist, der von der zu untersuchenden Luft durchströmt wird.
9. Gassensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
- - daß ein Lüfter (53) mit einem Lüftermotor (54) vorhanden ist, so daß die Luftzufuhr zu dem Sensorelement (1, 2) regelbar ist.
10. Gassensor nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet,
- - daß mindestens ein Filter (51, 52) vorhanden ist, zur Filterung der den Teilraum (501, 502) durchströmenden Luft, in dem das Sensorelement (1, 2) angeordnet ist.
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4105025A DE4105025C1 (de) | 1991-02-19 | 1991-02-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4105025C1 true DE4105025C1 (de) | 1992-07-02 |
Family
ID=6425330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4105025A Expired - Lifetime DE4105025C1 (de) | 1991-02-19 | 1991-02-19 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5211053A (de) |
JP (1) | JP3083622B2 (de) |
DE (1) | DE4105025C1 (de) |
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