DE4030551A1 - Verfahren zur herstellung von silicium-einkristallen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von silicium-einkristallenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur
Herstellung eines Silicium-Einkristalls nach der
Czochralski-Methode (im Folgenden als Cz-Methode be
zeichnet).
Bei der Herstellung eines Silicium-Einkristalls nach der
Cz-Methode ist es allgemeine Praxis, daß in einen Tiegel
gefüllte Rohstoffe, beispielsweise in einer Kammer,
mittels einer Heizquelle erhitzt und geschmolzen werden
und dann ein Impfkristall in diese flüssige Schmelze
getaucht und unter Drehung nach oben gezogen wird, wobei
ein Silicium-Einkristall am unteren Ende des Impf
kristalls wächst.
In dem Fall, in dem eine integrierte Halbleiter-Schal
tung unter Verwendung eines Silicium-Einkristalls her
gestellt wird, ist es erforderlich, um das Substrat mit
der passenden elektrischen Leitfähigkeit auszustatten,
daß dieses eine angemessene Menge an Dotierungsmitteln
wie Antimon (Sb), Phosphor (P) und Bor (B) enthält.
Außerdem sollte in dem Substrat des Silicium-Einkri
stalls eine angemessene Menge Sauerstoff enthalten sein,
um einen sogenannten Gettering-Effekt im Kristallgitter
(Intrinsic Gettering, IG-Effekt) zu gewinnen. "Getter
ing" bezeichnet ein Verfahren, das schädliche Verunrei
nigungen, z. B. Schwermetalle, aus den Bereichen eines
Plättchens (Wafers) entfernt, aus denen die Bauelemente
gefertigt werden. "Wafer" bezeichnet ein scheibenförmi
ges Substrat. IG bedient sich der Defekte, die mit der
Abscheidung von Sauerstoff im Inneren des Wafers ver
bunden sind, als Einfang-Zentren für die schädlichen
Verunreinigungen (S.M. Sze, "VLSI Technology", § 1.5.1., McGraw Hill, 1983). Aus diesem Grunde ist, wenn der
Silicium-Einkristall als Substrat eingesetzt wird,
Sauerstoff einer angemessenen und gleichmäßigen Konzen
tration erforderlich. zu diesem Zweck wird die Sauer
stoff-Konzentration in der flüssigen Schmelze der Roh
stoffe in dem Tiegel gesteuert.
Der Sauerstoff, der der flüssigen Schmelze von der Ober
fläche des Quarz-Tiegels durch den Kontakt zwischen
beiden zugeführt wird, wird durch die zwangsweise
Konvektion der flüssigen Schmelze infolge der Rotation
des Tiegels und die Wärmekonvektion der flüssigen
Schmelze aufgrund von Temperaturdifferenzen derselben in
dem Tiegel bewegt. Während dieser Bewegung wird der
Sauerstoff nicht nur von der Flüssigkeitsoberfläche in
Form von Siliciummonoxid (SiO) verdampft, sondern er
wird auch zu der Wachstums-Oberfläche des Silicium-
Einkristalls transportiert und in diese hinein aufge
nommen.
Als ein Verfahren zur Steuerung der in den Silicium-Ein
kristall hinein aufgenommenen Sauerstoff-Konzentration
offenbaren die JP-OSen 57-27 996 (27 996/1982) und
57-1 35 796 (1 35 796/1982), unter Hinweis auf die Beziehung
zwischen der Rotationsgeschwindigkeit des Tiegels und
der Sauerstoff-Konzentration in dem Silicium-Einkri
stall, die Rotationsgeschwindigkeit des Tiegels in Rela
tion zu der Menge der flüssigen Silicium-Schmelze zu
ändern und dadurch die Relativ-Geschwindigkeit des
Quarz-Tiegels und des geschmolzenen flüssigen Siliciums
zu ändern, was eine erzwungene Konvektion der flüssigen
Silicium-Schmelze zur Folge hat. Auf diese Weise wird es
möglich, die Dicke einer Grenzschicht einzustellen, wo
der Sauerstoff aufgrund der erzwungenen Konvektion der
flüssigen Schmelze in der Oberfläche des Quarz-Tiegels
diffundiert ist. Die JP-OS 62-1 53 191 (1 53 191/1987)
offenbart ein anderes Verfahren, bei dem die Berührungs
fläche zwischen dem Quarz-Tiegel und der flüssigen Sili
cium-Schmelze und die Temperatur der flüssigen Silicium-
Schmelze verändert werden. Während nach diesem letzteren
Verfahren im einzelnen das Versorgungs-Verhältnis einer
Mehrzahl Heizquellen, die im Umfang der Seitenwandungen
des Tiegels angeordnet sind, mit elektrischer Energie
eingestellt wird und demnach ein Teil der Rohstoffe in
dem Tiegel im festen Zustand gehalten werden, wird der
Silicium-Einkristall wachsen gelassen.
Zur Erzeugung eines Silicium-Einkristall-Substrats, das
bei einer Erhöhung des Grades der Integration von inte
grierten Halbleiter-Schaltungen präzise verarbeitet
werden kann, hat man in neuerer Zeit Sb als Dotierungs
mittel eingesetzt, das dem Silicium-Einkristall-Substrat
in vielen Fällen zugesetzt werden soll. Es ist jedoch
ein Problem dahingehend aufgetaucht, daß die Sauerstoff-
Konzentration in dem mit Sb dotierten Silicium-Einkri
stall niedriger ist als die in dem Silicium-Einkristall
ohne Dotierungsmittel oder in dem Silicium-Einkristall
mit anderen Dotierungsmitteln, beispielsweise B und P,
so daß es schwierig ist, die Sauerstoff-Konzentration in
dem Silicium-Einkristall genügend hoch
(15 × 1017 Atome/cm3 oder mehr) zu machen, um mit Hilfe
der oben beschriebenen Methode der Steuerung der Sauer
stoff-Konzentration den IG-Effekt zu erzielen.
Dies beruht auf der Eigenschaft, daß der Dampfdruck des
Diantimontrioxids (Sb2O3), das infolge der Addition des
Sb gebildet wird, höher ist als derjenige des SiO, so
daß Sb2O3 leicht von der Oberfläche der flüssigen Sili
cium-Schmelze verdampft wird. Dieses Problem läßt sich
in keinem Fall durch die im Vorstehenden beschriebene
Methode der Steuerung der Sauerstoff-Konzentration
lösen.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben die
folgende Überlegung angestellt:
Bei der Cz-Methode wird die flüssige Silicium-Schmelze
vermittels einer den Tiegel umgebenden Graphit-Heiz
quelle erhitzt, und eine Strömung, wie sie durch den
Pfeil in Fig. 1 bezeichnet ist, wird im Inneren der
flüssigen Silicium-Schmelze gemeinsam erzeugt durch die
zwangsweise Konvektion, die aus der Rotation des Tiegels
resultiert, und die Wärme-Konvektion, die aus der Tempe
ratur-Differenz herrührt. Das heißt, die Konvektion im
Inneren des Tiegels erfolgt in der Weise, daß die
flüssige Silicium-Schmelze mit einer hohen Sauerstoff-
Konzentration von der Seite einer Umfangs-Seitenwand des
Tiegels her der Oberfläche der flüssigen Silicium-
Schmelze zugeführt werden kann. In dem Fall, in dem Sb
der flüssigen Silicium-Schmelze zugesetzt wird, wirkt
hier ein Teil des zugesetzten Sb auf den von der Ober
fläche des Quarz-Tiegels zugeführten Sauerstoff ein und
wird in Oxide wie Sb2O3 umgewandelt. Da Sb2O3 einen
ähnlichen Dampfdruck wie Sb, jedoch einen höheren Dampf
druck als das von der Oberfläche des Quarz-Tiegels zuge
führte SiO besitzt, wird die Menge des von der Ober
fläche der flüssigen Silicium-Scmelze verdampften Sauer
stoffs größer als in dem Fall, in dem kein Sb zugesetzt
wird.
Demgemäß gibt in dem Fall, in dem Sb zugesetzt wird, bei
dem Verfahren, bei dem die flüssige Silicium-Schmelze
der Wachtumszone des Einkristalls durch die oben be
schriebene Konvention zugeführt wird, die flüssige
Silicium-Schmelze Sb2O3 durch Verdampfen an ihrer Ober
fläche ab, und auf diese Weise wird die Sauerstoff-
Konzentration in dem Silicium-Einkristall reduziert.
Bei dem konventionellen Verfahren, bei dem die Rota
tionsgeschwindigkeit verändert wird, und dem Verfahren,
bei dem die Berührungsfläche zwischen dem Quarz-Tiegel
und der flüssigen Silicium-Schmelze und die Temperatur
des geschmolzenen flüssigen Siliciums verändert werden,
gibt es keinen grundlegenden Unterschied bei den zustän
den der Konvektion, und die flüssige Silicium-Schmelze,
aus der Sb2O3 verdampft worden ist, wird der Wachtums
zone des Silicium-Einkristalls zugeführt, so daß die
Sauerstoff-Konzentration in dem Silicium-Einkristall bei
einer Erhöhung der Konzentration des Sb gesenkt wird. Es
ist jedoch bekannt, daß die Sauerstoff-Konzentration in
einem Teil erhöht wird, wo der Tiegel mit der flüssigen
Silicium-Schmelze in Berührung gebracht wird. Wenn dem
zufolge die Konvektion in der flüssigen Silicium-
Schmelze so gesteuert wird, daß die flüssige Silicium-
Schmelze mit einer hohen Sauerstoff-Konzentration im
Boden-Teil des Tiegels der Wachtumszone des Silicium-
Einkristalls im oberen Teil des Tiegels zugeführt werden
kann, ohne dabei die Oberfläche der flüssigen Silicium-
Schmelze zu passieren, wo die heftige Verdampfung statt
findet, kann die Sauerstoff-Konzentration in dem Sili
cium-Einkristall erhöht werden.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkri
stalls gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch
gekennzeichnet, daß dann, wenn eine zylindrische Trenn
wand in eine flüssige Silicium-Schmelze taucht und die
flüssige Silicium-Schmelze auf der Innenseite der Trenn
wand aus dem Tiegel hochgezogen wird, um den Silicium-
Einkristall zu erzeugen, die Sauerstoff-Konzentration in
dem Silicium-Einkristall dadurch gesteuert wird, daß der
Abstand zwischen dem unteren Ende der Trennwand und dem
Boden des Tiegels verändert wird. Konkret gesprochen,
in dem Fall, in dem die Sauerstoff-Konzentration in dem
hochzuziehenden Silicium-Einkristall erhöht wird, wird
der Abstand verkleinert, während in dem Fall, in dem die
Sauerstoff-Konzentration in dem hochzuziehenden Sili
cium-Einkristall erniedrigt wird, der Abstand vergrößert
wird. Außerdem kann zusätzlich Antimon (Sb) als Dotier
stoff in den Tiegel gegeben werde.
Wenn die Trennwand in der flüssigen Silicium-Schmelze
angeordnet ist, so wird hinsichtlich der Konvektion im
Inneren der Trennwand eine aufsteigende Strömung, die
von der Wärmekonvektion herrührt, verstärkt, und dadurch
wird das geschmolzene flüssige Silicium mit einem hohen
Sauerstoff-Gehalt in einem bodennahen Teil des Tiegels
vorzugsweise der Silicium-Einkristall-Ziehzone zuge
führt, ohne eine Oberfläche des geschmolzenen flüssigen
Siliciums zu passieren wo Sb2O3 kräftig verdampft wird.
Weiterhin ist es für die flüssige Silicium-Schmelze
außerhalb der Trennwand schwierig, sich mit der flüssi
gen Silicium-Schmelze im Inneren der Trennwand zu durch
mischen, und demgemäß ist die Temperatur der flüssigen
Silicium-Schmelze außerhalb der Trennwand höher als die
jenige der Silicium-Schmelze im Inneren der Trennwand,
da das Erhitzen mittels einer Graphit-Heizquelle von
außen her erfolgt. Als Folge davon wird die Menge des
Sauerstoffs, die aus dem Tiegel oder der Trennwand her
ausgelöst wird, erhöht, wodurch eine flüssige Silicium-
Schmelze mit einer hohen Sauerstoff-Konzentration gebil
det wird. Und die flüssige Silicium-Schmelze mit der
hohen Sauerstoff-Konzentration wird allmählich dem
Inneren der Trennwand zugeführt, während der Silicium-
Einkristall hochgezogen wird. Wie im Vorstehenden be
schrieben wurde, führt das Anbringen der zylindrischen
Trennwand zu der Möglichkeit einer Steigerung der Sauer
stoff-Konzentration in dem Silicium-Einkristall vermit
tels eines synergistischen Effekts der Verstärkung der
aufsteigenden Strömung, der aus der Wärmekonvektion im
Inneren der Trennwand und der Zufuhr von flüssigem
geschmolzenen Silicium mit einer hohen Sauerstoff-Kon
zentration resultiert.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
verfügbar zu machen, das in der Lage ist, die Sauer
stoff-Konzentration in dem Silicium-Einkristall in
einfacher Weise zu steuern.
Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
verfügbar zu machen, das in der Lage ist, auch in dem
Fall, in dem Antimon (Sb) als Dotierungsstoff zugesetzt
wurde, einen Silicium-Einkristall mit einer hohen Sauer
stoff-Konzentration zu erzeugen.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
verfügbar zu machen, das in der Lage ist, einen Sili
cium-Einkristall mit einer hohen Sauerstoff-Konzentra
tion zu erzeugen, die genügt, um den IG-Effekt zu er
zielen.
Es ist noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfin
dung, ein Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkri
stallen verfügbar zu machen, das in der Lage ist, einen
Silicium-Einkristall zu erzeugen, der als Substrat zur
Verwendung in einer integrierten Halbleiter-Schaltung
optimal ist.
Die vorstehenden und weitere Aufgaben und Merkmale der
vorliegenden Erfindung werden mit größerer Vollständig
keit aus der folgenden ausführlichen Beschreibung in
Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen deutlich.
Fig. 1 zeigt ein Diagramm, in dem die Konvektion einer
Schmelze aus flüssigem Silicium im Inneren eines Tiegels
gemäß dem herkömmlichen Verfahren dargestellt ist;
Fig. 2 zeigt einen schematischen Längsschnitt, der eine
Arbeitsbedingung der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 3 und Fig. 4 zeigen schematische perspektivische
Darstellungen, in denen andere bevorzugte Ausführungs
formen eines Steuerrings dargestellt sind, der als
Trennwand in einem Verfahren der vorliegenden Erfindung
verwendet wird;
Fig. 5 und Fig. 6 zeigen schematische Längsschnitte zur
Veranschaulichung einer Methode zum Halten des Steuer
rings;
Fig. 7 zeigt ein Diagramm, in dem die Konvektion einer
Schmelze aus flüssigem Silicium im Inneren eines Tiegels
gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt ist;
Fig. 8 zeigt eine graphische Darstellung des Zusammen
hangs zwischen dem Hochzieh-Verhältnis eines Silicium-
Einkristalls und der Sauerstoff-Konzentration in dem
Silicium-Einkristall; und
Fig. 9 zeigt eine graphische Darstellung des Zusammen
hangs zwischen dem spezifischen Widerstand und der
Sauerstoff-Konzentration in dem Silicium-Einkristall.
Die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die
Zeichnungen erläutert.
In Fig. 2 bezeichnet die Bezugszahl 1 eine Kammer, die
auf ein festgelegtes Vakuum eingestellt ist. Ein Tiegel
2 ist im Zentrum im Inneren der Kammer 1 angeordnet.
Eine Graphit-Heizquelle 3 ist außerhalb des Tiegels 2
angeordnet, und ein wärmezurückhaltendes Bauelement 4
ist konzentrisch zwischen der Graphit-Heizquelle 3 bzw.
der Kammer 1 angebracht. Der Tiegel 2 hat eine Doppel
bauweise, bei der ein äußerer Tiegel 2b aus Graphit um
den äußeren Umfang eines inneren Tiegels 2a aus Quarz
herum angeordnet ist. Das obere Ende einer tragenden
Welle 2c, das durch einen Boden-Teil der Kammer 1 hin
durchgeführt ist, ist mit dem Zentrum des Boden-Teils
des Tiegels 2 in solcher Weise verbunden, daß der Tiegel
2 mittels der tragenden Welle 2c unter Drehung aufwärts
und abwärts bewegt werden kann. Ein Aufbewahrungsgefäß
(nicht eingezeichnet) für ein Dotierungsmittel ist ober
halb des Tiegels 2 angebracht, so daß das Sb-Dotierungs
mittel durch Öffnen einer Bodenklappe des Aufbewahrungs
gefäßes mit Hilfe eines Schaltgeräts (nicht eingezeich
net) in den Tiegel eingebracht werden kann. Außerdem ist
der Tiegel 2 mit einer flüssigen Silicium-Schmelze 5
gefüllt, die dadurch erhalten wird, daß polykristallines
Silicium mit Hilfe der Graphit-Heizquelle 3 erhitzt
wird. Ein Schutzzylinder 1a zum Schutz des Silicium-
Einkristalls, der auch als Zuführungsrohr für das Gas
der umgebenden Atmosphäre in die Gaskammer 1 dient, ist
im Zentrum der oberen Wandung der Kammer 1 errichtet.
Oberhalb des Schutzzylinders ist ein Mechanismus zur
Rotation und Aufwärts-Abwärts-Bewegung (nicht einge
zeichnet) vorgesehen, mit dem das obere Ende einer Hebe
achse 6 gekoppelt ist. Ein von einer Aufspannvorrichtung
gehaltener Impfkristall 7 hängt vom oberen Ende der
Hebachse 6 nach unten. Der Impfkristall 7 wird, nach dem
er in die flüssige Silicium-Schmelze 5 im Inneren des
Tiegels 8 eingetaucht worden ist, unter Rotation ange
hoben, so daß ein Silicium-Einkristall 8 am unteren Ende
des Impfkristalls 7 zum Wachsen gebracht wird.
Ein die Sauerstoff-Konzentration steuernder Ring 10 als
zylindrische Trennwand, gebildet aus einem hitzebestän
digen Bauelement wie Quarz und Keramik und mit den
folgenden Werten des Außen-Durchmessers und der Dicke
wird in die flüssige Silicium-Schmelze 5 außerhalb des
Silicium-Einkristalls 8 eingetaucht, so daß ein geeigne
ter Abstand zwischen seinem unteren Ende und der inneren
Oberfläche des inneren Tiegels 2a besteht und sein
oberer Rand über die Oberfläche der flüssigen Silicium-
Schmelze 5 hervorsteht. Die flüssige Silicium-Schmelze 5
wird mit Hilfe des Steuerrings 10 in eine äußere flüssi-
ge Silicium-Schmelze 5a und eine innere flüssige Sili
cium-Schmelze 5b unterteilt.
Es ist wünschenswert, daß der äußere Durchmesser des
Steuerrings 10 60 bis 90%, vorzugsweise etwa 75%, des
äußeren Durchmessers des inneren Tiegels 2a beträgt.
Wenn der äußere Durchmesser des Steuerrings 10, relativ
zu dem äußeren Durchmessers des inneren Tiegels 2a, zu
klein ist, besteht die Möglichkeit, daß die innere
flüssige Silicium-Schmelze 5b, d. h. die flüssige Sili
cium-Schmelze innerhalb der Wachtums-Zone des Silicium-
Einkristalls 8, Temperaturschwankungen unterliegt, was
für das Hochziehen des Silicium-Einkristalls 8 ohne
Stattfinden einer Versetzung nachteilig ist; wenn der
äußere Durchmesser des Steuerrings 10, relativ zu dem
äußeren Durchmessers des inneren Tiegels 2a, zu groß
ist, wird die Menge Sauerstoff, die von der Oberfläche
der inneren flüssigen Silicium-Schmelze 5b verdampft,
größer, und damit wird es schwierig, die Sauerstoff-
Konzentration in der inneren flüssigen Silicium-Schmelze
5b auf einen Wert zu steigern, der für den IG-Effekt
benötigt wird. Daneben ist es wünschenswert, daß die
Dicke des Steuerrings 10 5 bis 20 mm, vorzugsweise 7
bis 8 mm, beträgt. Wenn nämlich die Dicke des Steuer
rings 10 zu klein ist, wird der Steuerring durch die
flüssige Silicium-Schmelze 5 verformt, und die Tempera
turverteilung in der inneren flüssigen Silicium-Schmelze
5b wird auf konzentrischen Kreisen ungleichmäßig,
während dann, wenn die Dicke des Steuerrings 10 zu groß
ist, die Möglichkeit besteht, daß die innere flüssige
Silicium-Schmelze 5b Temperaturschwankungen unterliegt,
was für das Hochziehen des Silicium-Einkristalls 8 ohne
Stattfinden einer Versetzung nachteilig ist.
Was die Form des Steuerrings 10 betrifft, so ist dessen
oberer Teil zylindrisch, und ein sich an den oberen Teil
anschließender Teil kann in Richtung auf das untere Ende
hin einen zunehmenden oder abnehmenden Durchmesser
haben, wie dies in Fig. 3 oder Fig. 4 dargestellt ist.
Der zylindrische Steuerring ist nicht auf ein einziges
Exemplar beschränkt, sondern mehrere Steuerringe können
auf konzentrischen Kreisen angeordnet sein, um die
Sauerstoff-Konzentration in dem Einkristall zu steuern.
Methoden der Halterung des Steuerrings 10 mit dem geeig
neten Abstand von der inneren Oberfläche des Tiegels 2,
wie sie in den Fig. 5 und 6 dargestellt sind, werden
bedacht. Der Steuerring 10, der mittels der folgenden
Methoden an seinem oberen Teil gehalten wird, wird in
die in dem Tiegel 2 befindliche flüssige Silicium-
Schmelze 5 eingetaucht. Bei der in Fig. 5 dargestellten
Methode werden L-förmige Spannvorrichtungen 10a, 10b aus
Graphit so auf einer Kante des Tiegels 2 befestigt, daß
ihre langen Seiten der Oberfläche der flüssigen Sili
cium-Schmelze 5 gegenüber liegen und ihre kurzen Seiten
in Richtung auf die flüssige Silicium-Schmelze 5 weisen,
wobei der Steuerring 10 mittels der End-Teile der kurzen
Seiten aufgehängt ist. Bei der in Fig. 6 dargestellten
Methode wird der Steuerring 10 an seinem unteren Ende
mit einer Mehrzahl von Bein-Teilen 10c versehen, wie
dies in Fig. 6 dargestellt ist, wobei der Steuerring 10
auf der Bodenoberfläche des Tiegels 2 steht, wobei der
geeignete Abstand mittels der Bein-Teile 10c gebildet
wird.
Im Betrieb wird der Tiegel 2 zunächst mit polykristalli
nem Silicium als Rohstoff beschickt; dieses wird dann
mit Hilfe der Graphit-Heizquelle 3 geschmolzen. Dann
wird der Impfkristall 7 in die flüssige Silicium-
Schmelze eingetaucht und unter Drehen angehoben wodurch
das Wachstum des Silicium-Einkristalls eingeleitet wird.
Wenn zu diesem Zeitpunkt der Abstand zwischen der
inneren Boden-Oberfläche des Tiegels 2 klein ist, wird
der Grad der Vermischung der äußeren flüssigen Silicium-
Schmelze 5a mit der inneren flüssigen Silicium-Schmelze
5b reduziert. Dementsprechend wird die Temperatur der
äußeren flüssigen Silicium-Schmelze 5a, die sich näher
an der Graphit-Heizquelle befindet, höher als diejenige
der inneren flüssigen Silicium-Schmelze 5b beim Wachsen
des Silicium-Einkristalls 8, und somit wird das Maß der
Auflösung des inneren Tiegels 2a und des Steuerrings 10
erhöht, wodurch eine flüssige Silicium-Schmelze mit
hohem Sauerstoff-Gehalt gebildet wird. Sowie der Sili
cium-Einkristall 8 aus der inneren flüssigen Silicium-
Schmelze 5b hochgezogen wird, strömt die äußere flüssige
Silicium-Schmelze 5a, die eine hohe Temperatur und einen
hohen Sauerstoff-Gehalt besitzt, zu der inneren flüssi
gen Silicium-Schmelze 5b mit niedriger Temperatur. Was
die Temperatur-Verteilung in der inneren flüssigen Sili
cium-Schmelze 5b betrifft, so ist die Temperatur im
unteren Teil hoch, während sie im oberen Teil niedrig
ist aufgrund des synergistischen Effekts des Erhitzens
mittels der Graphit-Heizquelle 3 durch den äußeren
Tiegel 2b hindurch und diesen Zufluß, und damit wird
eine von der Wärmekonvektion herrührende aufsteigende
Strömung verstärkt, wodurch eine Konvektion entsteht,
wie sie in Fig. 7 dargestellt ist. Diese Konvektion
spielt eine Rolle bei der Versorgung der Wachstums-Zone
des Silicium-Einkristalls mit der flüssigen Silicium-
Schmelze, die eine hohe Sauerstoff-Konzentration hat, im
Boden-Teil des Tiegels 2, ohne Sauerstoff von der Ober
fläche der flüssigen Silicium-Schmelze zu verdampfen,
wodurch die Sauerstoff-Konzentration in dem Silicium-
Einkristall 8 erhöht wird. Dementsprechend kann selbst
in dem Fall, in dem Sb als Dotierungsstoff zugesetzt
wird, die Sauerstoff-Konzentration in dem Silicium-
Einkristall 8 auf einen Wert erhöht werden, der genügt,
um den IG-Effekt zu erzielen.
Wenn im Gegensatz dazu der Abstand zwischen dem Steuer
ring 10 und der inneren Bodenoberfläche des Tiegels 2
groß ist, wird der Grad der Vermischung der äußeren
flüssigen Silicium-Schmelze 5a mit der inneren flüssigen
Silicium-Schmelze 5b gesteigert. Demzufolge wird nicht
nur die von der Wärmekonvektion im Inneren des Steuer
rings 10 herrührende Aufwärtsströmung geschwächt,
sondern auch die Sauerstoff-Konzentration in der flüssi
gen Silicium-Schmelze, die vom Bereich außerhalb des
Steuerrings 10 zugeführt wird, ist vermindert, und damit
wird die Sauerstoff-Konzentration in dem Silicium-Ein
kristall 8 gesenkt. Insbesondere in dem Fall, in dem Sb
als Dotierungsstoff zugesetzt wird, steigt die Menge an
Sauerstoff, der als Sb2O3 verdampft wird, und damit wird
die Sauerstoff-Konzentration in dem Silicium-Einkristall
noch weiter erniedrigt.
Der Silicium-Einkristall mit Sb als zugesetztem Dotier
stoff wurde mit 16 × 1017 Atomen/cm3 als gewünschtem
Wert der Sauerstoff-Konzentration in dem Silicium-Ein
kristall 8 hergestellt unter Verwendung einer Apparatur
(Durchmesser des Tiegels 2: 5,08 cm (2 inch)), wie sie
in Fig. 2 dargestellt ist.
Der Druck in der Kammer wurde auf 13,3 mbar (10 Torr)
eingestellt, und der Silicium-Einkristall mit einem
Durchmesser von 15,24 cm (6 inches) wurde mit einer
Geschwindigkeit von 1,0 mm/min hochgezogen, wobei der
Tiegel 2 mit 10 Umdrehungen/min und der Impfkristall
gegenläufig dazu mit 20 Umdrehungen/min rotierten.
Außerdem wurde der zylindrische Steuerring 10 aus Quarz
mit einem Durchmesser von 300 mm und einer Dicke von
8 mm in die flüssige Silicium-Schmelze 5 in Abständen
von 5 mm bzw. 15 mm von der inneren Oberfläche des
Bodens des Tiegels 2 eingetaucht. Als Ergebnis wurde
eine Verteilung des spezifischen Widerstandes des
Silicium-Einkristalls 8 in Längsrichtung aufgrund der
ausgewogenen Verdampfung und Abscheidung des Sb-Dotie
rungsstoffes im Bereich von 0,015 ± 0,001 Ω × cm gehalten.
Fig. 8 zeigt den Zusammenhang zwischen dem Hochzieh-
Verhältnis (das Verhältnis des Abstandes vom Seitenend-
Teil des Impfkristalls 7 zu der Gesamtlänge des Sili
cium-Einkristalls 8) und der Sauerstoff-Konzentration in
dem Silicium-Einkristall 8 in dem Fall, in dem der
spezifische Widerstand konstant gemacht worden war
(0,015 Ω × cm). Die Ordinatenachse bezeichnet die Sauer
stoff-Konzentration, und die Abszissenachse bezeichnet
das Hochzieh-Verhältnis des Silicium-Einkristalls 8. In
der graphischen Darstellung bezeichnen die Symbole die
Ergebnisse in dem Fall, in dem der Abstand zwischen dem
Steuerring 10 und der inneren Oberfläche des Bodens des
Tiegels auf 5 mm eingestellt wurde; die Symbole ⊗ be
zeichnen die Ergebnisse in dem Fall, in dem dieser
Abstand auf 15 mm eingestellt wurde, und die Symbole
bezeichnen die Ergebnisse in dem Fall, in dem der
Steuerring 10 nicht verwendet wurde. Wie aus dieser
graphischen Darstellung hervorgeht, wurde in den Fällen,
in denen der Steuerring 10 eingesetzt wurde, ein Sili
cium-Einkristall 8 mit einem hohen Sauerstoff-Gehalt
erhalten, der den angestrebten Wert der Sauerstoff-Kon
zentration (16 × 1017 Atome/cm3) übersteigt.
In Fig. 9 wird außerdem der Zusammenhang zwischen dem
spezifischen Widerstand und der Sauerstoff-Konzentration
in dem Silicium-Einkristall 8 dargestellt. Die Ordina
tenachse bezeichnet die Sauerstoff-Konzentration, und
die Abszissenachse bezeichnet den spezifischen Wider
stand. Die Symbole ∎ bezeichnen die Ergebnisse in dem
Fall, in dem der Steuerring 10 nicht verwendet wurde
(dem konventionellen Verfahren), und die Symbole ∎ be
zeichnen die Ergebnisse in dem Fall, in dem der
Steuerring 10 eingesetzt wurde und der Abstand zwischen
dem Steuerring 10 und der inneren Oberfläche des Tiegels
auf 15 mm eingestellt wurde (dem Verfahren der vor
liegenden Erfindung). Die Messungen werden in der Lage
durchgeführt, wo die ursprüngliche Menge der flüssigen
Silicium-Schmelze 45 kg ausmacht und das Hochzieh-Ver
hältnis 33% beträgt.
Als Ergebnis kann in dem Fall, in dem der Abstand auf
15 mm eingestellt wird, der angestrebte Wert der
Sauerstoff-Konzentration gleichmäßig in der axialen
Richtung des Silicium-Einkristalls 8 erhalten werden,
und somit läßt sich der IG-Effekt erzielen.
Wie im Vorstehenden beschrieben ist, kann in dem Verfah
ren gemäß der vorliegenden Erfindung die Sauerstoff-
Konzentration in dem Silicium-Einkristall 8 in einfacher
Weise durch Eintauchen des Steuerrings 10 als zylindri
sche Trennwand in die flüssige Silicium-Schmelze 5
erhöht oder erniedrigt werden, wodurch die Sauerstoff-
Konzentration in der äußeren flüssigen Silicium-Schmelze
5a der Wachstums-Zone des Siliciumchlorid-Einkristalls
zugeführt wird.
Im übrigen bedarf es keiner besonderen Erwähnung, daß
trotz des Zusatzes von Antimon (Sb) als Dotierungsstoff
in der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform
das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung auch auf
den Fall angewandt werden kann, wo der Silicium-Ein
kristall ohne den Zusatz von Dotierungsstoffen gezogen
wird.
Claims (17)
1. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls,
bei dem der Silicium-Einkristall aus einer flüssigen
Silicium-Schmelze in einem Tiegel im Inneren einer in
die flüssige Silicium-Schmelze tauchenden zylindrischen
Trennwand hochgezogen wird, dadurch gekennzeichnet, daß
die Trennwand nicht so weit eingetaucht wird, daß sie
mit dem Boden des Tiegels in Berührung gelangt, und daß
der Abstand zwischen dem unteren Ende der Trennwand und
dem Boden des Tiegels verändert wird, um die Sauerstoff-
Konzentration in dem Silicium-Einkristall während des
Hochziehens zu steuern.
2. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in dem
Fall, in dem die Sauerstoff-Konzentration in dem hochzu
ziehenden Silicium-Einkristall erhöht werden soll, der
Abstand verkleinert wird, während in dem Fall, in dem
die Sauerstoff-Konzentration in dem hochzuziehenden
Silicium-Einkristall erniedrigt werden soll, der Abstand
vergrößert wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trenn
wand ein hitzebeständiges Bauelement aus Quarz oder
Keramik ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiegel
aus einem inneren Tiegel aus Quarz und einem äußeren
Tiegel aus Graphit besteht.
5. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der äußere
Durchmesser der Trennwand 60 bis 90% des äußeren Durch
messers des inneren Tiegels beträgt.
6. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der äußere
Durchmesser der Trennwand 75% des äußeren Durchmessers
des inneren Tiegels beträgt.
7. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke
der Trennwand 5 bis 20 mm beträgt.
8. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke
der Trennwand 7 bis 8 mm beträgt.
9. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls,
bei dem der Silicium-Einkristall aus einer ein Dotie
rungsmittel enthaltenden flüssigen Silicium-Schmelze in
einem Tiegel im Inneren einer in die flüssige Silicium-
Schmelze tauchenden zylindrischen Trennwand hochgezogen
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennwand nicht so
weit eingetaucht wird, daß sie mit dem Boden des Tiegels
in Berührung gelangt, und daß der Abstand zwischen dem
unteren Ende der Trennwand und dem Boden des Tiegels
verändert wird, um die Sauerstoff-Konzentration in dem
Silicium-Einkristall während des Hochziehens zu steuern.
10. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß in dem
Fall, in dem die Sauerstoff-Konzentration in dem hochzu
ziehenden Silicium-Einkristall erhöht werden soll, der
Abstand verkleinert wird, während in dem Fall, in dem
die Sauerstoff-Konzentration in dem hochzuziehenden
Silicium-Einkristall erniedrigt werden soll, der Abstand
vergrößert wird.
11. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotie
rungsstoff Antimon (Sb) ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Trenn
wand ein hitzebeständiges Bauelement aus Quarz oder
Keramik ist.
13. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiegel
aus einem inneren Tiegel aus Quarz und einem äußeren
Tiegel aus Graphit besteht.
14. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der äußere
Durchmesser der Trennwand 60 bis 90% des äußeren Durch
messers des inneren Tiegels beträgt.
15. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der äußere
Durchmesser der Trennwand 75% des äußeren Durchmessers
des inneren Tiegels beträgt.
16. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke
der Trennwand 5 bis 20 mm beträgt.
17. Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls
nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke
der Trennwand 7 bis 8 mm beträgt.
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
US (2) | US5392729A (de) |
JP (1) | JP2813592B2 (de) |
DE (1) | DE4030551A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4123336A1 (de) * | 1991-07-15 | 1993-01-21 | Leybold Ag | Kristallziehverfahren und vorrichtung zu seiner durchfuehrung |
US8864906B2 (en) | 2005-04-26 | 2014-10-21 | Sumco Techxiv Kabushiki Kaisha | Method for producing silicon wafer |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69428302T2 (de) * | 1993-03-29 | 2002-07-04 | Japan Res Dev Corp | Regulierung der Sauerstoffkonzentration in einem Einkristall, der aus einer ein Gruppe V Element enthaltenden Schmelze gezogenen wird. |
EP0733726A3 (de) * | 1995-03-24 | 1997-05-02 | Koji Izunome | Züchtung von Silizium-Einkristall mit einer einheitlichen Verteilung der Dotierung in der Längs- oder Radialrichtung |
KR100831044B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2008-05-21 | 주식회사 실트론 | 고품질 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치, 그 장치를 이용한성장방법 |
TW201012978A (en) * | 2008-08-27 | 2010-04-01 | Bp Corp North America Inc | Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification |
KR101057100B1 (ko) | 2010-10-05 | 2011-08-17 | (주)기술과가치 | 혼합 효율이 개선된 내부 도가니 및 이를 포함하는 단결정 실리콘 잉곳 제조장치 |
JP6001664B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-10-05 | 京セラ株式会社 | 坩堝、結晶成長装置および結晶成長方法 |
US10415151B1 (en) | 2014-03-27 | 2019-09-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Apparatus for controlling heat flow within a silicon melt |
FR3045073A1 (fr) * | 2015-12-14 | 2017-06-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un lingot en materiau semi-conducteur enrichi en oxygene et four de cristallisation |
CN116084008B (zh) * | 2023-04-10 | 2023-06-30 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 一种单晶硅拉制用降氧保护装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5727996A (en) * | 1980-06-26 | 1982-02-15 | Ibm | Manufacture of single crystal |
JPS57135796A (en) * | 1980-12-29 | 1982-08-21 | Monsanto Co | Method of adjusting oxygen concentration and distribution in silicon growing by czochralski method |
JPS62153191A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶引き上げ装置 |
JPS62197397A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の製造法 |
EP0140509B1 (de) * | 1983-08-26 | 1988-10-26 | Sumitomo Electric Industries Limited | LEC-Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung eines Einkristalls von Halbleiterverbindung |
JPS6476992A (en) * | 1987-06-08 | 1989-03-23 | Mitsubishi Metal Corp | Apparatus for growing single crystal |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4350557A (en) * | 1974-06-14 | 1982-09-21 | Ferrofluidics Corporation | Method for circumferential dimension measuring and control in crystal rod pulling |
GB1499925A (en) * | 1975-07-25 | 1978-02-01 | Tangye Ltd | Hydraulic jack |
US4235848A (en) * | 1978-06-15 | 1980-11-25 | Apilat Vitaly Y | Apparatus for pulling single crystal from melt on a seed |
JPS5669298A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-10 | Nec Corp | Method of growing single crystal of semiconductor |
GB2084046B (en) * | 1980-08-27 | 1984-07-25 | Secr Defence | Method and apparatus for crystal growth |
JPS5832100A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
JPS58140392A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | シリコン単結晶引上方法およびその装置 |
DE3316547C2 (de) * | 1983-05-06 | 1985-05-30 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Kalter Tiegel für das Erschmelzen nichtmetallischer anorganischer Verbindungen |
JPS61227986A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶シリコン棒の製造方法 |
JPS6379790A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | Toshiba Corp | 結晶引上げ装置 |
JPS63215587A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の製造方法 |
JPS63294758A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 水中油滴型乳化調味料 |
CA1306407C (en) * | 1987-06-08 | 1992-08-18 | Michio Kida | Apparatus for growing crystals of semiconductor materials |
JP2559235B2 (ja) * | 1987-08-07 | 1996-12-04 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン単結晶引上装置用石英ルツボ |
JPH01294588A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-28 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法およびその装置 |
JP2832470B2 (ja) * | 1989-10-06 | 1998-12-09 | 株式会社スリーボンド | ネジ継手部用表面硬化性シリコーンシール材組成物 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1255849A patent/JP2813592B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-26 US US07/588,171 patent/US5392729A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-27 DE DE4030551A patent/DE4030551A1/de active Granted
-
1994
- 1994-10-28 US US08/330,785 patent/US5471949A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5727996A (en) * | 1980-06-26 | 1982-02-15 | Ibm | Manufacture of single crystal |
JPS57135796A (en) * | 1980-12-29 | 1982-08-21 | Monsanto Co | Method of adjusting oxygen concentration and distribution in silicon growing by czochralski method |
EP0140509B1 (de) * | 1983-08-26 | 1988-10-26 | Sumitomo Electric Industries Limited | LEC-Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung eines Einkristalls von Halbleiterverbindung |
JPS62153191A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶引き上げ装置 |
JPS62197397A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の製造法 |
JPS6476992A (en) * | 1987-06-08 | 1989-03-23 | Mitsubishi Metal Corp | Apparatus for growing single crystal |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4123336A1 (de) * | 1991-07-15 | 1993-01-21 | Leybold Ag | Kristallziehverfahren und vorrichtung zu seiner durchfuehrung |
US5292486A (en) * | 1991-07-15 | 1994-03-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Crystal pulling method and apparatus for the practice thereof |
US8864906B2 (en) | 2005-04-26 | 2014-10-21 | Sumco Techxiv Kabushiki Kaisha | Method for producing silicon wafer |
DE112006001092B4 (de) | 2005-04-26 | 2020-01-16 | Sumco Techxiv K.K. | Herstellungsverfahren für Siliciumwafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5471949A (en) | 1995-12-05 |
US5392729A (en) | 1995-02-28 |
JPH03115188A (ja) | 1991-05-16 |
JP2813592B2 (ja) | 1998-10-22 |
DE4030551C2 (de) | 1992-12-17 |
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