DE4025171A1 - Verfahren zur detektion oder ueberpruefung von in einem koerper verdeckt verlaufenden strompfaden sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens - Google Patents
Verfahren zur detektion oder ueberpruefung von in einem koerper verdeckt verlaufenden strompfaden sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrensInfo
- Publication number
- DE4025171A1 DE4025171A1 DE19904025171 DE4025171A DE4025171A1 DE 4025171 A1 DE4025171 A1 DE 4025171A1 DE 19904025171 DE19904025171 DE 19904025171 DE 4025171 A DE4025171 A DE 4025171A DE 4025171 A1 DE4025171 A1 DE 4025171A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- magneto
- layer
- optical
- current paths
- magnetization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Detektion oder
Überprüfung von in einem Körper verdeckt und gegenüber einer
freien Oberfläche isoliert verlaufenden Strompfaden, die bei
Stromführung an dieser Oberfläche ein Magnetfeld vorbestimmter
Feldstärke hervorrufen. Die Erfindung betrifft ferner eine Vor
richtung zur Durchführung des Verfahrens.
Verfahren mit den
vorstehend genannten Merkmalen gehen z. B. aus der Veröffent
lichung "Siemens Forsch.- u. Entwickl. Ber.", Band 14 (1985),
Nr. 4, Seiten 216 bis 222 hervor.
Für Schaltungsstrukturen der Elektronik wie z. B. für (hoch) in
tegrierte Schaltungen, für Platinen oder für Leistungshalblei
ter wie z. B. Thyristoren ist eine statische oder dynamische
Fehlersuche erwünscht. Hierzu ist es von Vorteil, wenn man die
Lage und die Funktionstüchtigkeit der einzelnen Strompfade
innerhalb dieser Körper (Bauteile) überprüfen bzw. kontrollie
ren kann.
Generell ist es bekannt, verdeckte Strompfade in einem Körper
dadurch zu orten, daß man in das bei Stromdurchgang von ihnen
erzeugte Magnetfeld Pulver mit ferromagnetischen Partikeln ein
bringt, die sich unter Einfluß dieses Feldes entsprechend den
Feldlinien ordnen. Ein derartiges Verfahren ist jedoch für in
tegrierte Schaltungen kaum anwendbar, da die dort erzeugten
Magnetfelder im allgemeinen für eine Ordnung der ferromagneti
schen Partikel zu geringe Feldstärken haben und da ferner wegen
der Mikrostrukturierung der einzelnen Strompfade auch keine
hinreichend genaue Auflösung zu erreichen ist. Für hochinte
grierte Schaltungen wurden deshalb besondere Prüf- bzw. Meß
methoden entwickelt, bei denen als Meßsonden mechanische
Spitzen oder Elektronenstrahlen oder Laserstrahlen dienen (vgl.
die eingangs genannte Veröffentlichung sowie die dort genannte
Sekundärliteratur, insbesondere "NTG-Fachberichte Nr. 87",
1985, Seiten 110 bis 115). Bei einem Einsatz von mechanischen
Spitzen wird jedoch der zu untersuchende Körper (Prüfling) be
schädigt oder eventuell sogar zerstört. Eine zerstörungsfreie
Prüfung mit einer Elektronenstrahlsonde ist verhältnismäßig
aufwendig, da hier der Prüfling nur im Vakuum untersucht werden
kann. Bei einer Messung einer induzierten Stromverteilung in
Halbleiterbauelementen mittels eines Laserrastermikroskops er
folgt eine Trennung von Elektron-Loch-Paaren an pn-Übergangs
schichten. Zur Überprüfung metallischer Leiterbahnen, z. B. in
Platinen, ist dieses Verfahren aber nicht geeignet.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, das Verfah
ren mit den eingangs genannten Merkmalen dahingehend auszuge
stalten, daß mit ihm eine Detektion bzw. Überprüfung von Strom
pfaden in einem Prüfling, ohne Eingriffe an diesem vornehmen zu
müssen, bequem durchzuführen ist, wobei eine eindeutige Aussage
über die Lage und Funktionsfähigkeit der einzelnen Strompfade
in dem Prüfling gewonnen werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
- a) an der freien Oberfläche des zu prüfenden Körpers eine dünne
Schicht aus einem Material angeordnet wird, das
- - magnetooptische Eigenschaften besitzt,
- - eine magnetische Anisotropie mit einer vorbestimmten Lage der leichten Richtung der Magnetisierung aufweist und
- - in der leichten Richtung der Magnetisierung eine von der Magnetfeldstärke abhängige Magnetisierungskurve in Form einer bistabilen Hysteresiskurve zeigt, die zwei Kurven äste mit hinreichend hoher Steilheit hat, so daß die Feld stärke des von den stromführenden Strompfaden in der magnetooptischen Schicht erzeugten Magnetfeldes größer als das 0,3fache des für eine Ummagnetisierung der magnetooptischen Schicht erforderlichen Intervalls der Magnetfeldstärke längs jedem der Kurvenäste ist,
- b) die magnetooptische Schicht in ein magnetisches Hintergrund feld mit solcher Feldstärke eingebracht wird, daß bei Strom losigkeit der Strompfade noch keine Ummagnetisierung, jedoch bei deren Stromführung eine Ummagnetisierung längs einem der Kurvenäste erfolgt, sowie
- c) der den magnetooptischen Drehwinkel beeinflussende Magneti sierungszustand in der magnetooptischen Schicht als Kon trastbild mittels einer entsprechenden magnetooptischen Einrichtung sichtbar gemacht wird.
Bei der Erfindung wird die Tatsache ausgenutzt, daß in einem
Prüfling aus dem Gebiet der Elektrik oder Elektronik verdeckt
verlaufende Strompfade bei Stromführung eine vom Ort (x, y, z)
abhängige Stromverteilung I (x, y, z) erzeugen, der eine ent
sprechende Magnetfeldverteilung H (x, y, z) zugeordnet ist.
Diese Magnetfeldverteilung wird mittels eines Hintergrundfeldes
auf einen vorbestimmten Feldstärkebereich angehoben. In dieses
so überlagerte magnetische Gesamtfeld wird nun erfindungsgemäß
eine dünne magnetooptische Schicht mit besonderer magnetischer
Anisotropie eingebracht. Deren magnetooptische Eigenschaften
führen dann zu entsprechenden Änderungen des magnetooptischen
Drehwinkels für polarisiertes Licht und somit zu Kontrastände
rungen bei Betrachtung der Schicht mit einer entsprechenden
magnetooptischen Bildeinrichtung. Das Kontrastbild läßt somit
vorteilhaft eine Aussage über die Stromverhältnisse in den
einzelnen Strompfaden zu. Durch das Vorsehen eines magnetischen
Hintergrundfeldes wird vorteilhaft die Anzahl der für das Ver
fahren verwendbaren Schichtmaterialien erheblich erweitert.
Dann braucht nämlich das von den Strompfaden hervorgerufene
Magnetfeld nicht größer als die Koerzitivfeldstärke Hc des
Schichtmaterials zu sein, um eine Ummagnetisierung der Schicht
im Bereich eines Strompfades hervorzurufen. Da die Feldstärken
der strominduzierten Magnetfelder im allgemeinen unter 100 A/m
liegen, können bei dem erfindungsgemäßen Verfahren vorteilhaft
auch Schichtmaterialien mit deutlich höherer Koerzitivfeldstär
ke Hc vorgesehen werden. Das heißt, es ist insbesondere möglich,
mittels des Hintergrundfeldes ein vorgegebenes Schichtmaterial
an die geforderte Feldsensitivität bzw. den Feldstärkebereich
anzupassen.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfah
rens ist dadurch gekennzeichnet, daß die auf einem optisch
transparenten Substrat aufgebrachte magnetooptische Schicht an
den zu untersuchenden Körper im Bereich der zu detektierenden
Strompfade angesetzt und in das Hintergrundfeld vorbestimmter
Feldstärke eines ring- oder zylinderförmigen Magneten einge
bracht ist, daß eine Bestrahlung der Schicht in diesem Be
reich mit polarisiertem Laser-Licht durch das Substrat hin
durch vorgesehen ist und daß die magnetooptische Einrichtung
zur Sichtbarmachung des Kontrastbildes der Schicht ein Kerr-
Mikroskop enthält.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
sind den entsprechenden Unteransprüchen zu entnehmen.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird nachfolgend auf die
schematische Zeichnung Bezug genommen, in deren Fig. 1 eine
Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
angedeutet ist. Fig. 2 zeigt eine Magnetisierungskurve einer
für das Verfahren nach der Erfindung geeigneten magnetoopti
schen Schicht. In Fig. 3 ist diese Magnetisierungskurve bei
Überlagerung eines externen magnetischen Hintergrundfeldes wie
dergegeben. Aus Fig. 4 sind diese Schicht sowie die in ihr
hervorgerufenen Magnetisierungsverhältnisse bei Anwendung
eines magnetischen Hintergrundfeldes ersichtlich. Fig. 5
zeigt die Magnetfeldverteilung, die zu den Magnetisierungs
verhältnissen gemäß Fig. 4 führt. Aus Fig. 6 ist eine ent
sprechende Magnetfeldverteilung ohne Hintergrundfeld ersicht
lich. In Fig. 7 ist ein von einer magnetooptischen Schicht zu
gewinnendes Kontrastbild unter Zugrundelegung der in den Fig. 4
und 5 gezeigten Strom- und Feldverhältnisse dargestellt.
In den Figuren sind sich entsprechende Teile mit denselben
Bezugszeichen versehen.
Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt eines nachfolgend als "Prüfling"
bezeichneten Körpers 2, beispielsweise eines IC-Bausteins oder
einer Platine, als Schnitt im Bereich von mehreren zu überprü
fenden Strompfaden 3. Über diese Strompfade sei ein Strom der
Stärke I geführt, wobei die Stromführungsrichtung aus der Zei
chenebene heraus jeweils durch einen Punkt und in die Zeichen
ebene hinein durch ein Kreuz veranschaulicht ist. Die Strom
stärke I kann z. B. etwa 0,1 bis 1 mA betragen. Aufgrund des
Stromes in den Strompfaden 3 wird dann um diese herum ein orts
abhängiges Magnetfeld Hs erzeugt, dessen Feldlinien mit f be
zeichnet sind. Die Strompfade 3 sind von der Oberfläche 2a des
Prüflings 2 um einen Abstand a entfernt. An der Oberfläche 2a
und zwischen den Strompfaden 3 besteht der Prüfling 2 aus elek
trisch isolierendem Material. Der Abstand a sollte aus Gründen
einer hohen Empfindlichkeit und hohen Ortsauflösung möglichst
klein sein und liegt z. B. in der Größenordnung von 100 nm bis
1 µm. Auf der Oberfläche 2a befindet sich eine dünne Schicht 4
mit besonderen magnetischen und magnetooptischen Eigenschaften.
Die Dicke der Schicht 4 wird im allgemeinen zwischen 10 nm und
1 µm gewählt.
Die Schicht 4 wird entweder direkt auf dem Prüfling 3 aufge
bracht oder befindet sich gemäß dem dargestellten Ausführungs
beispiel auf einem optisch transparenten Substrat 5. Gegebenen
falls ist auch die Schicht 4 optisch transparent, beispiels
weise aufgrund entsprechender Materialwahl oder aufgrund einer
geringen Schichtdicke. Um eine optimale laterale Auflösung der
Strompfade 3 zu gewährleisten, sollte der Abstand a der Schicht
4 von den Strompfaden kleiner sein als die minimale Entfer
nung e zweier benachbarter Strompfade. Die Schicht 4 soll sich
außerdem in einem magnetischen Feld Hh befinden. Hierbei kann
es sich insbesondere um ein magnetisches Gleichfeld handeln.
Gegebenenfalls läßt sich aber auch ein langsam veränderliches
Magnetfeld vorsehen. Das für das Ausführungsbeispiel angenom
mene Gleichfeld wird z. B. durch eine ring- oder zylinderförmige
Magnetspule 6 erzeugt. Dieses Feld soll im allgemeinen in Nor
malenrichtung bezüglich der Oberfläche 2a ausgerichtet sein.
Das Feld Hh ist demnach als ein das Feld Hs der Strompfade 3
überlagerndes Hintergrundfeld (Bias-Feld) anzusehen und soll
eine vorbestimmte Feldstärke haben. Durch die Überlagerung der
beiden Magnetfelder Hs und Hh ergibt sich dann ein magnetisches
Gesamtfeld H.
Das somit die Schicht 4 durchsetzende magnetische Gesamtfeld H
erzeugt dort eine Magnetisierung, die aufgrund der magnetoopti
schen Eigenschaften des Materials der Schicht zu einer Änderung
des Drehwinkels für polarisiertes Licht führt. Zur Auswertung
bzw. zur Erzeugung eines Bildkontrastes der Schicht wird nun
der polare Kerr-Effekt ausgenutzt, der die bezüglich der
Schichtoberfläche senkrechte Magnetisierungskomponente berück
sichtigt. Dies hat zur Folge, daß ein Umklappen der Magnetisie
rungsrichtung in der Schicht 4 in eine Intensitätsvariation
umgewandelt wird. Ein entsprechendes Bildverarbeitungssystem
setzt somit eine Lichtquelle 7 mit einer in Abhängigkeit von
dem für die Schicht 4 verwendeten Material gewählten Wellen
länge voraus. Als eine entsprechende Lichtquelle kann insbeson
dere ein Laser dienen. Dessen Licht 8 gelangt über einen Pola
risator 9 auf einen Strahlteiler 10 und wird dort auf die
Schicht 4 abgelenkt, wobei es noch in einem Linsensystem 11
gebündelt wird. Das von der Schicht 4 zurückgeworfene und ge
gebenenfalls aufgrund des magnetooptischen Kerr-Effektes in
seiner Polarisationsebene gedrehte Licht 8′ durchläuft dann
wiederum den Strahlteiler 10, einen Analysator 12 sowie ein
Linsensystem 13 und gelangt dann in eine nachgeordnete bild
erzeugende Vorrichtung 14, beispielsweise eine CCD-Kamera
eines Polarisationsmikroskops, wo es in Form eines Kontrast
bildes 15 der Schicht 4 sichtbar zu machen ist. Die Schicht
4 wird deshalb auch als "Bildschicht" bezeichnet.
Im Hinblick darauf, den mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zu
untersuchenden Bereich in dem Prüfling 2 optisch lokalisieren
zu können, sollte die Bildschicht 4 hinreichend transparent
hinsichtlich der Wellenlänge des eingesetzten Lichtes sein. Ge
gebenenfalls ist es auch möglich, zur Lokalisierung des zu un
tersuchenden Bereiches ein Licht einer anderen Wellenlänge zu
verwenden als zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfah
rens. Falls aufgrund der Materialwahl eine hinreichende Trans
parenz der Bildschicht 4 für das zur Lokalisierung des zu un
tersuchenden Bereiches eingesetzten Lichtes nicht zu gewähr
leisten ist, kann man in der Bildschicht 4 auch an einer zu dem
zu detektierenden Ort benachbarten Stelle ein Fenster vorsehen
und dazu die relative Lage des jeweils untersuchten Bereiches
bestimmen.
Bei der in der Figur schematisch dargestellten Vorrichtung zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird also die
Drehung der Polarisationsebene von polarisiertem Licht aufgrund
des (magneto-optischen) Kerr-Effektes ausgenutzt. Das hierbei
eingesetzte Mikroskop wird deshalb häufig auch als Kerr-Mikros
kop bezeichnet. Dem Kerr-Mikroskop kann für das erfindungsge
gemäße Verfahren vorteilhaft ein Bildprozessor zugeordnet sein.
Der Aufbau und die Funktionsweise eines entsprechenden Mikros
kopes sind beispielsweise in Veröffentlichungen der Firma
E. Leitz GmbH, D-6330 Wetzlar (DE) beschrieben (vgl. z. B. die
Anleitung zu "Orthoplan-Pol" - Großes Polarisationsmikroskop -
oder die Broschüre "Polarisationsmikroskopie" - Grundlagen,
Instrumente, Anwendungen - Verfasser: W.J.Patzelt, 1985). Mit
einer derartigen magneto-optischen Einrichtung lassen sich
vorteilhaft zumindest große Teile der freien Oberfläche der
Bildschicht 4 auf einmal beobachten.
Selbstverständlich sind auch andere magneto-optische Einrich
tungen zur Ermittlung der Lage und Funktionsfähigkeit der ein
zelnen Strompfade in dem zu untersuchenden Körper 2 geeignet,
bei denen z. B. der Faraday-Effekt unter Ausbildung einer zu
sätzlichen Reflexionsschicht auf dem Körper ausgenutzt wird.
Hierbei kann z. B. ein über einen Polarisator geführter Laser
strahl geringer Intensität eingesetzt werden.
Die für das erfindungsgemäße Verfahren geeigneten Materialien
der Bildschicht 4 müssen eine Reihe von Grundvoraussetzungen
erfüllen bzw. magnetische Eigenschaften aufweisen, deren
wichtigsten nachfolgend aufgelistet sind:
- 1) Das Material muß ausgeprägte magnetooptische Eigenschaften besitzen. Das heißt, es soll für polarisiertes Licht 8, insbe sondere eines Lasers, einen hinreichend großen Kerr-Dreh winkel bei gleichzeitig guter Reflektivität aufweisen.
- 2) Ferner muß das Material eine ausgeprägte magnetische Aniso tropie zeigen. Das heißt, die Achse der sogenannten "leichten" Magnetisierung soll in eine Vorzugsrichtung bezüglich der Oberfläche 2a des Prüflings 2 weisen, auf der die dünne Bildschicht 4 aus dem magnetooptischen Material aufgebracht wird. Die Vorzugsrichtung kann dabei gemäß der nachfolgend angenommenen Möglichkeit senkrecht zur Oberfläche 2a verlau fen. Daneben kann auch eine Lage der leichten Richtung pa rallel zur Oberfläche 2a des Prüflings 2 in der Ebene der Bildschicht 4, eine sogenannte "in-plane"-Lage, vorgesehen werden. Eine senkrechte Lage der leichten Richtung ist je doch im Hinblick auf eine möglichst vollständige Erfassung der Strompfade 3 von besonderem Vorteil.
- 3) Außerdem muß das Material in der genannten Vorzugsrichtung eine von der Feldstärke eines Magnetfeldes abhängige Magne tisierungskurve in Form einer bistabilen Hysteresisschleife zeigen, die zwei Kurvenäste mit weitgehend linearer Abhän gigkeit der Magnetisierung von einem Magnetfeld aufweist (vgl. auch die später erläuterte Fig. 2). Die Steilheit dieser Kurvenäste soll dabei möglichst groß sein, d. h., die Hysteresiskurve soll eine ausgeprägte Rechteckform be sitzen.
Die genannten Grundvoraussetzungen können mit bekannten me
tallischen Materialien wie z. B. mit den ferrimagnetischen Le
gierungen GdCo, TbFeCo, YbTbFeCo oder GdTbFeCo (vgl. z. B.
EP-A-03 36 237) erfüllt werden. Daneben sind auch nicht-metalli
sche Legierungen, beispielsweise spezielle magnetische Granate
wie (Bi, Ga)3Fe5O12 oder (Y, Bi)3Fe5O12 (vgl. z. B. "Thin Solid
Films", 1984, Vol. 114, Seiten 187 bis 219, insbesondere Seite
188) geeignet. Dabei liegt im allgemeinen die Dicke der aufzu
bringenden Bildschicht 4 für metallische Materialien zwischen
10 und 200 nm, sowie für nicht-metallische Materialien zwischen
50 nm und 1 µm.
Die geforderten magnetischen und magnetooptischen Eigenschaften
sind auch mit Bildschichten 4 zu realisieren, die als Mehr
schichtsysteme, sogenannte "Multilayer", mit einer Dicke in der
genannten Größenordnung ausgebildet werden. Derartige Mehrla
gensysteme sind allgemein bekannt (vgl. z. B. EP-A-03 41 521).
Beispiele hierfür wären alternierende Pd/Co-, Pt/Co- oder
V/Co-Filme. Auch magnetische Granate kommen für solche Mehrla
gensysteme in Frage.
Die Materialien mit den geforderten Eigenschaften werden ent
weder direkt auf der Oberfläche 2a des Prüflings 2 oder auf
dem speziellen Substrat 5 nach bekannten Verfahren aufgebracht,
wobei die vorbestimmte Lage der leichten Richtung der Magneti
sierung, insbesondere senkrecht zur Schichtebene, eingestellt
wird.
Die genannten Grundvoraussetzungen können beispielsweise mit
einer V-Co-Legierung mit einem V-Gehalt zwischen 10 und
30 Atom-%, vorzugsweise von etwa 20 Atom-%, erfüllt werden. Aus
diesem Material wird als Einzelschicht oder Mehrlagenschicht
mittels eines an sich bekannten Verfahrens des Ionenstrahlsput
terns die Bildschicht 4 hergestellt. Entsprechend hergestellte
Schichten weisen nämlich neben einer ausgeprägten senkrechten
magnetischen Anisotropie eine hohe Remanenz sowie eine vorbe
stimmte Koerzitivfeldstärke Hc (jeweils in der senkrechten Vor
zugsrichtung) auf. Die Remanenz dieses Materials kann Werte bis
über 90%, insbesondere über 95% des Wertes der Sättigungs
magnetisierung zeigen. Die sich in der genannten Vorzugsrich
tung ergebende Hysteresiskurve einer solchen V-Co-Legierungs
schicht ist in dem Diagramm der Fig. 2 als durchgezogene
Linie wiedergegeben.
In diesem Diagramm sind auf der Abszisse die Feldstärke eines
Magnetfeldes H und auf der Ordinate die Magnetisierung M (je
weils in willkürlichen Einheiten) eingetragen. Für die senk
rechte magnetische Feldstärkekomponente ergibt sich der durch
durchgezogene Linien wiedergegebene, mit H⟂ bezeichnete Kur
venverlauf. Die zu dieser senkrecht verlaufenden Feldstärke
komponente gehörende Magnetisierung M wird in erster Linie für
eine Auswertung der in der Schicht 4 herrschenden momentanen
Magnetisierungsverhältnisse bzw. zur Erzeugung eines entspre
chenden Bildkontrastes mittels des polaren Kerr-Effektes her
angezogen.
Wie aus dem Diagramm der Figur hervorgeht, ist die Remanenz des
Materials aufgrund der ausgeprägten Rechteckform der mit H⟂ be
zeichneten Hysteresiskurve nur unwesentlich kleiner als die
Sättigungsinduktion des Materials. In dem Diagramm ist ferner
in dem dargestellten Magnetfeldbereich der ungefähre Verlauf
der Magnetisierungskurve ersichtlich, der sich bei einem
Magnetfeld parallel zur Schichtoberfläche ergibt. Diese Kurve
ist mit H,, bezeichnet und durch eine gestrichelte Linie veran
schaulicht. Diese Kurve gibt also die Magnetisierung in der
Schichtebene wieder.
Die von einem Strompfad 3 des Prüflings 2 in der Bildschicht
4 hervorgerufene Stärke des Magnetfeldes Hs ist im allgemeinen
zu gering bzw. die Koerzitivfeldstärke Hc zu hoch, um über den
linearen Bereich einer der beiden mit k1 bzw. k2 bezeichneten
Kurvenäste der Magnetisierungskurve M eine Ummagnetisierung in
der Schicht 4 bewirken zu können. Deshalb ist erfindungsgemäß
ein in die Vorzugsrichtung weisendes, in der Schicht 4 bei
spielsweise zumindest weitgehend konstantes Hintergrundfeld
Hh vorgesehen, das zu einer vorbestimmten Verschiebung der
Hysteresiskurve in Abszissenrichtung führt. Eine derartige
Verschiebung der Hysteresiskurve aus Fig. 2 ist in Fig. 3 in
entsprechender Darstellung wiedergegeben. Dabei ist angenommen,
daß das Hintergrundfeld Hh parallel zur Flächennormalen und da
mit zu der Richtung der senkrechten Komponente des Feldes Hs
der Strompfade gerichtet ist. Dies führt zu einer Verschiebung
der Hysteresiskurve und damit des Koordinatenursprungs 0 gegen
über Fig. 2 in positiver Abszissenrichtung. Die Größe der
Feldstärke des Hintergrundfeldes wird dabei erfindungsgemäß so
gewählt, daß bei Stromlosigkeit der Strompfade 3 und somit bei
fehlendem Magnetfeld Hs die Ordinate die Magnetisierungskurve
noch in dem unteren, weitgehend waagrechten Kurventeil in der
Nähe des Fußpunktes des Anstiegs des Kurvenastes k1 schneidet.
Außerdem muß das Hintergrundfeld Hh so bemessen sein, daß das
von den Strompfaden 3 bei Stromführung erzeugte Magnetfeld Hs
möglichst zu einer völligen Ummagnetisierung der magnetoopti
schen Bildschicht 4 im Bereich des jeweiligen Strompfades
führt. Das heißt, auf der Magnetisierungskurve M⟂ wird dann aufgrund
des Magnetfeldes Hs der Kurvenast k1 bis in den oberen Bereich
der Sättigung durchlaufen. Das für eine derartige Ummagnetisie
rung erforderliche Magnetfeldintervall ist in der Figur mit ΔHu
bezeichnet. Es sollte im allgemeinen kleiner sein als das strom
induzierte Feld Hs; d. h.: ΔHu < Hs. Diese Beziehung ist bei
hinreichender Steilheit ΔM⟂/ΔH des Kurvenastes k1 ohne weiteres
zu gewährleisten. Entsprechende Materialien sind insbesondere
aus der magnetooptischen Speichertechnik bekannt. Vorteilhaft
können dann bereits kleine Magnetfelder Hs eine Ummagnetisie
rung in der Bildschicht 4 bewirken.
Um einen hinreichenden Kontrast zu erzeugen, kann es in Ab
hängigkeit von dem gewählten Material der Bildschicht 4 ge
gebenenfalls auch ausreichen, daß das Magnetfeld Hs zu einer
Ummagnetisierung führt, bei der nur ein Teil des Kurvenastes k1
durchlaufen wird. Es ist in diesem Fall davon auszugehen, daß
Hs mindestens das 0,3fache von ΔHu betragen muß. Das heißt, bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren ist auf alle Fälle zu fordern,
daß gilt: Hs<0,3 · ΔHu.
Abweichend von dem für die Magnetisierungsverhältnisse gemäß
Fig. 3 angenommenen Hintergrundfeld Hh ist eine Ummagneti
sierung der Bildschicht 4 auch längs des Kurvenastes k2 mög
lich. Hierzu muß lediglich ein entgegengesetzt gerichtetes
Hintergrundfeld vorgesehen werden. Der Kontrast wird dann an
den Orten erzeugt, an denen die senkrechte Komponente von Hs
und damit I entgegengesetztes Vorzeichen haben. Man startet dann
mit einem anderen Vorzeichen der Magnetisierung in der Bild
schicht.
Das sich bei Einhaltung der vorstehend erläuterten Feldstärke
verhältnisse ergebende Bild der Magnetisierungsrichtungen ist
in Fig. 4 angedeutet. Diese Figur gibt schematisch einen
Schnitt durch ein Teilstück der in Fig. 1 gezeigten Bild
schicht 4 vergrößert wieder. In der Figur sind für zwei von
antiparallel verlaufenden Strömen +I und -I durchflossene
Strompfade 3a und 3b einzelne, sich bei der Magnetisierung
gemäß Fig. 3 einstellende Richtungen der Magnetisierung durch
gepfeilte Linien m und m′ dargestellt. Die unterschiedlichen
Magnetisierungsrichtungen führen zu entsprechenden Änderungen
des Kerr-Drehwinkels für polarisiertes Laserlicht und folglich
zu entsprechenden Änderungen des Kontrastes eines mit einem
Kerr-Mikroskop zu erzeugenden Bildes.
Die zugehörenden magnetischen Feldstärkeverhältnisse H⟂, in
senkrechter Richtung bezüglich der Oberfläche 2a des Prüflings
2 sind aus dem Diagramm der Fig. 5 ersichtlich. In diesem Dia
gramm sind jeweils in willkürlichen Einheiten auf der Abszisse
die örtliche Position x bezüglich einer Mittellinie zwischen
den Strompfaden 3a und 3b und auf der Ordinate die Feldstärke
komponente H⟂ aufgetragen. Diese Feldstärkekomponente H⟂ setzt
sich dabei aus der entsprechenden Komponente des von den Strom
pfaden 3a und 3b bei Stromdurchgang erzeugten Magnetfeldes Hs
und aus dem entsprechend gerichteten magnetischen Hintergrund
feld Hh zusammen. Ferner ist in dem Diagramm durch gestrichelte
Linien die Koerzitivfeldstärke Hc (ebenfalls in senkrechter
Richtung) des Materials der Bildschicht 4 angegeben. Wie aus
dem Diagramm hervorgeht, überschreitet die Feldstärke H⟂ im
Bereich zwischen den Strompfaden 3a und 3b den Wert Hc der
Koerzitivfeldstärke, so daß dort eine Ummagnetisierung der
Bildschicht 4 möglich ist. Geht man z. B. davon aus, daß vor dem
Einschalten des Stromes I die Schicht 4 so magnetisiert war,
daß in ihr homogen die Magnetisierungsrichtung in Richtung der
Normalen auf der Oberfläche nach unten weist, dann wird durch
Anlegen eines Stromes I durch die Strompfade 3a und 3b eine
teilweise Ummagnetisierung in die Gegenrichtung bewirkt (vgl.
auch Fig. 4). Die Ummagnetisierung bzw. die Magnetisierungs
verteilung in der Schicht 4 spiegelt also die Lage und die
Funktionsfähigkeit der einzelnen Strompfade wieder.
Fig. 6 zeigt als Diagramm in Fig. 5 entsprechender Darstel
lung den Kurvenverlauf der magnetischen Feldstärke H⟂ = Hs,
der sich bei fehlendem Hintergrundfeld Hh ergibt. Wie bei einem
Vergleich der Diagramme der Fig. 5 und 6 erkennbar ist, wird
mit dem erfindungsgemäßen Verfahren vorteilhaft auch eine Strom
pfadabbildung für Materialien von magnetooptischen Bildschich
ten ermöglicht, deren Koerzitivfeldstärke Hc größer als die von
den Strompfaden hervorgerufene Feldstärke Hs ist.
Das sich für die gewählten Magnetisierungsverhältnisse gemäß
Fig. 4 ergebende Kontrastbild ist in Fig. 7 als Aufsicht
durch ein Kerr-Mikroskop schematisch veranschaulicht. In der
Figur ist dabei jede Kontraständerung einem einzelnen Strom
pfad (3a bzw. 3b) zuordbar. Eine Kontraständerung ist nämlich
abhängig von der in der Bildschicht 4 hervorgerufenen Magne
tisierungsänderung und damit von den Stromverhältnissen in den
Strompfaden. Das heißt, mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen
sich vorteilhaft Strompfade auf ihre Stromtragfähigkeit hin
überprüfen.
Abweichend von dem für die Fig. 4 und 5 angenommenen Aus
führungsbeispiel können für die Strompfade 3a und 3b auch an
dere, beispielsweise gleiche Stromflußrichtungen vorgesehen
werden. Das von den Strompfaden hervorgerufene Magnetfeld zeigt
dann einen gegebenenfalls gegenüber Fig. 5 entsprechend ge
änderten Verlauf.
Neben der für das Ausführungsbeispiel gewählten Lage der leich
ten Richtung (Achse) der Magnetisierung (Vorzugsrichtung) senk
recht zur Oberfläche der Bildschicht 4 sind für das erfindungs
gemäße Verfahren auch Materialien geeignet, deren leichte Achse
in paralleler Richtung bezüglich der Schichtoberfläche liegt.
Entsprechende Materialien mit den geforderten weichmagnetischen
Eigenschaften sind allgemein bekannt. Ein Beispiel hierfür sind
spezielle NiFe-Legierungen mit einem gemittelten Fe-Gehalt zwi
schen 15 und 25 Atom-% wie z. B. "Permalloy". Derartige Legierun
gen werden im allgemeinen durch RF-Sputtern hergestellt.
Darüber hinaus braucht bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die
als Einzelschicht oder als Mehrlagenschicht ausgebildete Bild
schicht 4 nicht unbedingt unmittelbar an der freien Oberfläche
2a des Prüflings 2 angeordnet zu sein. Im Hinblick auf eine
Vergrößerung des Kerr-Winkels kann gegebenenfalls zwischen der
Schicht 4 und der Oberfläche 2a noch eine dünne Schicht aus
einem reflektierenden Material (Reflexionsschicht) wie z. B. aus
Cu-Al oder Au vorgesehen werden. Ferner ist es günstig, wenn
man die freie Oberfläche der Schicht 4 noch mit einer Anti
reflexschicht aus einem dielektrischen Material überzieht, um
so eine Erhöhung des Kontrastes bei der magnetooptischen Er
mittlung des Magnetisierungszustandes der Schicht 4 zu errei
chen. Hierfür geeignete Materialien sind z. B. ZnS, AlN oder
Si3N4.
Claims (7)
1. Verfahren zur Detektion oder Überprüfung von in einem Kör
per verdeckt und gegenüber einer freien Oberfläche isoliert
verlaufenden Strompfaden, die bei Stromführung an dieser Ober
fläche ein Magnetfeld vorbestimmter Feldstärke hervorrufen,
dadurch gekennzeichnet, daß
- a) an der freien Oberfläche (2a) des zu prüfenden Körpers (2)
eine dünne Schicht (4) aus einem Material angeordnet wird,
das
- - magnetooptische Eigenschaften besitzt,
- - eine magnetische Anisotropie mit einer vorbestimmten Lage der leichten Richtung der Magnetisierung aufweist und
- - in der leichten Richtung der Magnetisierung eine von der Magnetfeldstärke abhängige Magnetisierungskurve (M⟂) in Form einer bistabilen Hysteresiskurve zeigt, die zwei Kurvenäste (k1, k2) mit hinreichend hoher Steilheit (ΔM⟂/ΔH) hat, so daß die Feldstärke des von den stromfüh renden Strompfaden (3; 3a, 3b) in der magnetooptischen Schicht (4) erzeugten Magnetfeldes (Hs) größer als das 0,3fache des für eine Ummagnetisierung der magnetoopti schen Schicht (4) erforderlichen Intervalls (ΔHu) der Magnetfeldstärke (H) längs jedem der Kurvenäste (k1, k2) ist,
- b) die magnetooptische Schicht (4) in ein magnetisches Hinter grundfeld (Hh) mit solcher Feldstärke eingebracht wird, daß bei Strom der Strompfade (3, 3a, 3b) noch keine Ummagneti sierung, jedoch bei deren Stromführung eine Ummagnetisierung längs einem der Kurvenäste (k1 oder k2) erfolgt, sowie
- c) der den magnetooptischen Drehwinkel beeinflussende Magne tisierungszustand (m, m′) in der magnetooptischen Schicht (4) als Kontrastbild (15) mittels einer entsprechenden magnetooptischen Einrichtung (14) sichtbar gemacht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß für die magnetooptische Schicht (4) ein
magnetisch anisotropes Material vorgesehen wird, dessen leich
te Richtung der Magnetisierung senkrecht bezüglich der Ober
fläche (2a) des Körpers (2) verläuft.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß ein Abstand (a) zwischen der
magnetooptischen Schicht (4) und den zu detektierenden Strom
pfaden (3, 3a, 3b) vorgesehen wird, der kleiner als die mini
male Entfernung (e) zweier benachbarter Strompfade ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß zu einer optischen Lokali
sierung eines aus dem zu untersuchenden Körper (2) ausgewählten
Bereichs zu detektierender Strompfade (3, 3a, 3b) für die
magnetooptische Schicht (4) ein bezüglich einer vorbestimmten
Wellenlänge des Lichtes (8) einer Lichtquelle (7) optisch hin
reichend transparentes Material vorgesehen wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß zu einer optischen Lokali
sierung eines aus dem zu untersuchenden Körper (2) ausgewählten
Bereichs zu detektierender Strompfade (3, 3a, 3b) die magneto
optische Schicht (4) mit einem bezüglich einer vorbestimmten
Wellenlänge des Lichtes (8) einer Lichtquelle optisch hinrei
chend transparenten Fenster an einer Stelle versehen wird, die
benachbart zu dem ausgewählten Bereich zu detektierender Strom
pfade (3, 3a, 3b) liegt.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß zu der optischen Lokalisierung
ein Licht mit einer ersten Wellenlänge und zu der Ausbildung
des Kontrastbildes (15) mittels der entsprechenden magnetoopti
schen Einrichtung (14) ein Licht (8) einer zweiten Wellenlänge
vorgesehen wird.
7. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der
Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeich
net, daß die auf einem optisch transparenten Substrat (5)
aufgebrachte magnetooptische Schicht (4) an den zu untersuchen
den Körper (2) im Bereich der zu detektierenden Strompfade (3,
3a, 3b) angesetzt und in das Hintergrundfeld (Hh) vorbestimmter
Feldstärke eines ring- oder zylinderförmigen Magneten (6) ein
gebracht ist, daß eine Bestrahlung der Schicht in diesem Be
reich mit polarisiertem Laser-Licht (8) durch das Substrat (5)
hindurch vorgesehen ist, und daß die magnetooptische Einrich
tung zur Sichtbarmachung des Kontrastbildes (15) der Schicht
(4) ein Kerr-Mikroskop (14) enthält.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904025171 DE4025171A1 (de) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Verfahren zur detektion oder ueberpruefung von in einem koerper verdeckt verlaufenden strompfaden sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904025171 DE4025171A1 (de) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Verfahren zur detektion oder ueberpruefung von in einem koerper verdeckt verlaufenden strompfaden sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4025171A1 true DE4025171A1 (de) | 1992-02-13 |
Family
ID=6411878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904025171 Withdrawn DE4025171A1 (de) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Verfahren zur detektion oder ueberpruefung von in einem koerper verdeckt verlaufenden strompfaden sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4025171A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004025937A1 (de) * | 2004-05-27 | 2005-12-22 | Giesecke & Devrient Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung von magnetichen Eigenschaften von Objekten |
-
1990
- 1990-08-08 DE DE19904025171 patent/DE4025171A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004025937A1 (de) * | 2004-05-27 | 2005-12-22 | Giesecke & Devrient Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung von magnetichen Eigenschaften von Objekten |
US7821259B2 (en) | 2004-05-27 | 2010-10-26 | Giesecke & Devrient Gmbh | Device and method for examining magnetic characteristics of objects |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0030041B1 (de) | Messwandler zum Messen eines insbesondere von einem Messstrom erzeugten Magnetfeldes | |
DE69233139T2 (de) | Magnetowiderstandseffekt-Element und Magnetowiderstandseffekt-Fühler | |
EP0898706B1 (de) | Gerät zur höchstempfindlichen magnetischen detektion von analyten | |
DE3423958C2 (de) | ||
DE69631411T2 (de) | Squidmagnetometer und zerstörungsfreies Prüfgerät | |
DE102005047413A1 (de) | Magnetoresistives Sensorelement und Konzept zum Herstellen und Testen desselben | |
WO2007096318A1 (de) | Sensoreinrichtung zur erfassung einer magnetfeldgrösse | |
DE10017374A1 (de) | Magnetische Koppeleinrichtung und deren Verwendung | |
DE69738282T2 (de) | Detektionsgerät für magnetische Substanze in minimaler Menge in untersuchten langen Gegenständen | |
DE69432967T2 (de) | Magnetfeldsonde in Dünnschichtechnik | |
DE4027049C2 (de) | Verfahren zum flächenhaften Überprüfen von Strompfaden in einem elektronischen oder elektrischen Bauteil | |
DE4021359A1 (de) | Verfahren zur detektion von in einem koerper verdeckt verlaufenden strompfaden sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens | |
DE4025171A1 (de) | Verfahren zur detektion oder ueberpruefung von in einem koerper verdeckt verlaufenden strompfaden sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens | |
DE19742366C1 (de) | Einrichtung mit magnetoresistivem Sensorelement und zugeordneter Magnetisierungsvorrichtung | |
WO2005116942A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur untersuchung von megnetischen eigenschaften von objekten | |
DE19819470B4 (de) | Verfahren zum potentialfreien Messen von Strömen durch die Aufzeichnung des von ihnen verursachten Magnetfeldes sowie Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens | |
DE19743335C1 (de) | Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung ihrer einen großen magnetoresistiven Effekt zeigenden Brückenelemente | |
DE3323197A1 (de) | Magnetfeldsensor und einen magnetfeldsensor enthaltender postitionssensor | |
DE4221385A1 (de) | Verkapseltes Bauelement zur potentialfreien Strommessung | |
DE3014459A1 (de) | Abgeschirmter magnetoresistiver sensor zum abtasten von informationsspuren eines magnetischen aufzeichungstraegers | |
EP2023131B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur zerstörungsfreien Prüfung eines Objektes, das Materialanteile enthält, die magnetisch und elektrisch leitend sind | |
DE19816218A1 (de) | SQUID-Sensor mit geringer SQUID-Induktivität und starker magnetischer Kopplung mit einer integrierten Einkoppelspule mit großer Induktivität | |
DE4016639A1 (de) | Verfahren zur ueberpruefung von verdeckten strompfaden in einem koerper sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens | |
DE4333225A1 (de) | Meßanordnung für Messungen an großflächigen magnetischen Körpern | |
DE10352856B4 (de) | Anordnung zur Ankopplung eines rf-SQUID an einen Tankschwingkreis sowie Verwendung der Anordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |