DE3927885A1 - Vorrichtung zum erfassen von elektrostatischem oberflaechenpotential - Google Patents
Vorrichtung zum erfassen von elektrostatischem oberflaechenpotentialInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Erfas
sen eines elektrostatischen Oberflächenpotentials und einen
Lesekopf hierfür.
Die Anmelderin hat vorangehend ein Abbildungssystem und ein
Aufzeichnungssystem vorgeschlagen, in denen mit einer Ab
bildungsvorrichtung mit Foto/Foto-Wandlerelementen ein op
tisches Bild mit hoher Auflösung erzeugt wurde und mittels
Foto-Ladungswandlerelementen das optische Bild auf einem
Aufzeichnungsmaterial als latentes Ladungsbild aufgezeich
net wurde. Ferner hat die Anmelderin für das Erfassen der
Verteilung von elektrostatischem Oberflächenpotential eine
Vorrichtung vorgeschlagen, die zum Auslesen des latenten
Ladungsbilds von dem Aufzeichnungsmaterial und damit zum
Erzeugen eines das latente Ladungsbild darstellenden elek
trischen Signals eingesetzt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte
Vorrichtung für das Erfassen von elektrostatischem Oberflä
chenpotential sowie einen verbesserten Lesekopf hierfür zu
schaffen.
Zur Lösung der Aufgabe enthält ein erfindungsgemäßer Lese
kopf einen in einem Lichtweg angeordneten Satz aus doppelt
brechenden Elementen, der eine Eintrittsfläche, durch die
das Licht in den Satz eintritt, und eine Austrittsfläche
hat, durch die das Licht aus dem Satz austritt, wobei die
Doppelbrechungselemente derart gewählt und angeordnet sind,
daß das Licht bei dem Eintreten in den Satz über die Ein
trittsfläche zu einem Normalstrahl und einem extraordinären
Nebenstrahl aufgeteilt wird, die jeweils in dem Satz auf
voneinander verschiedenen Wegen verlaufen und die zusammen
treffen, wenn sie an der Austrittsfläche aus dem Satz aus
treten.
Ferner enthält zur Lösung der Aufgabe eine Vorrichtung zum
Erfassen von Oberflächenpotential an einem Meßobjekt eine
Lichtquelle zur Abgabe von Licht, einen dem Meßobjekt ge
genübergesetzten Lesekopf, der einem von dem Oberflächenpo
tential des Meßobjekts abhängigen elektrischen Feld sowie
dem Licht ausgesetzt ist und der einen Satz von doppelt
brechenden optischen Modulatorschichten zum Modulieren des
Lichts entsprechend dem elektrischen Feld und eine sich
zwischen dem Modulatorschichtensatz und dem Meßobjekt er
streckende dielektrische Spiegelschicht enthält, welche
nach dem Austreten des Lichts aus dem Modulatorschichten
satz das Licht zu dem Modulatorschichtensatz zurückspie
gelt, so daß der Lesekopf das modulierte Licht abgibt, und
eine Vorrichtung zum Umsetzen des modulierten Lichts in ein
entsprechendes elektrisches Signal, wobei die optischen Mo
dulatorschichten derart gewählt und angeordnet sind, daß
das Licht bei dem Eintritt in den Modulatorschichtensatz in
einen Normalstrahl und einen extraordinären Nebenstrahl
aufgeteilt wird, welche jeweils in dem Modulatorschichten
satz auf voneinander verschiedenen Wegen verlaufen und zu
sammentreffen, wenn sie aus dem Modulatorschichtensatz zu
der dielektrischen Spiegelschicht hin austreten.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei
spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 ist eine Darstellung einer Vorrichtung zum Erfassen
von elektrostatischem Oberflächenpotential gemäß ei
nem Ausführungsbeispiel.
Fig. 2 ist eine Darstellung eines Lesekopfs gemäß Fig. 1.
Fig. 3 ist eine Darstellung eines abgewandelten Lesekopfs.
Gemäß Fig. 1 werden von einem Laser 1 Lichtstrahlen abgege
ben, die über eine Linse 2 und einen Polarisator 3 zu einem
Strahlenteiler 4 gelangen. Die Linse 2 setzt die ankommen
den Lichtstrahlen in ausgerichtete Lichtstrahlen mit
gleichförmiger Stärke um. Der Polarisator 3 setzt die aus
gerichteten Lichtstrahlen in linear polarisierte Licht
strahlen um. Die Lichtstrahlen aus dem Polarisator 3 durch
laufen den Strahlenteiler 4 und gelangen dann zu einem Le
sekopf RA. Der Lesekopf RA ist sehr nahe einer nutzbaren
Oberfläche eines zu messenden Objekts bzw. eines Aufzeich
nungsmaterials O gegenübergesetzt. Die nutzbare Oberflä
che des Objekts O trägt ein Potential, dessen Verteilung
Bildinformationen darstellt. D.h., die nutzbare Oberfläche
des Objekts O trägt ein latentes Ladungsbild. Von dem Lese
kopf RA werden die Lichtstrahlen entsprechend dem Potential
an der nutzbaren Oberfläche des Objekts O derart moduliert,
daß die modulierten Lichtstrahlen die Bildinformationen
übertragen. Der Lesekopf RA gibt die modulierten Licht
strahlen zu dem Strahlenteiler 4 zurück ab. Die Lichtstrah
len aus dem Lesekopf RA werden durch den Strahlenteiler 4
über eine Wellenlängenplatte 5 und einen Analysator 6 zu
einem fotoelektrischen Wandler 7 reflektiert. Die Wellen
längenplatte 5 dient zum Einstellen der effektiven Licht
stärke. Der fotoelektrische Wandler 7 setzt die modulierten
Lichtstrahlen in ein entsprechendes elektrisches Signal um,
das die Bildinformationen enthält.
Gemäß Fig. 1 und 2 hat der Lesekopf RA einen Schichtenauf
bau aus einer lichtdurchlässigen Elektrodenschicht Et, op
tischen Modulatorschichten PML1 und PML2 und einer dielek
trischen Spiegelschicht DML. Die optischen Modulatorschich
ten PML1 und PML2 sind zwischen die lichtdurchlässige Elek
trodenschicht Et und die dielektrische Spiegelschicht DML
eingefaßt. Die dielektrische Spiegelschicht DML ist dem
Meßobjekt O gegenübergesetzt, während die transparente
Elektrodenschicht Et von dem Meßobjekt O abgewandt angeord
net ist. Über die transparente Elektrodenschicht Et treten
die Lichtstrahlen aus dem Strahlenteiler 4 in die optischen
Modulatorschichten PML1 und PML2 ein. Die optischen Modula
torschichten PML1 und PML2 bestehen aus einem Material, das
entsprechend einem angelegten elektrischen Feld den Wellen
typ bzw. die Wellenart des Lichts verändert. Ein Beispiel
für das Material der optischen Modulatorschichten PML1 und
PML2 ist ein Einkristall von Lithiumniobat, das den elek
trooptischen Effekt zeigt.
Gemäß den vorstehenden Ausführungen treten die Lichtstrah
len aus dem Strahlenteiler 4 über die transparente Elektro
denschicht in die optischen Modulatorschichten PML1 und
PML2 ein. Die Lichtstrahlen durchlaufen die optischen Modu
latorschichten PML1 und PML2 und erreichen die dielektri
sche Spiegelschicht DML. Danach werden die Lichtstrahlen
durch die dielektrische Spiegelschicht DML reflektiert und
durch die optischen Modulatorschichten PML1 und PML2 sowie
die Elektrodenschicht Et hindurch zu dem Strahlenteiler 4
zuruckgeleitet.
Die optischen Modulatorschichten PML1 und PML2 des Lese
kopfs RA werden durch die dielektrische Spiegelschicht DML
hindurch dem elektrischen Feld ausgesetzt, das von dem an
dem Objekt O ausgebildeten latenten Ladungsbild abhängig
ist. Die transparente Elektrodenschicht Et ist geerdet, um
es zu ermöglichen, die optischen Modulatorschichten PML1
und PML2 dem das Bild darstellenden elektrischen Feld aus
zusetzen. Daher ändert sich der Wellentyp der durch die op
tischen Modulatorschichten PML1 und PML2 durchgelassenen
Lichtstrahlen entsprechend dem elektrischen Feld derart,
daß die Lichtstrahlen die dem latenten Bild entsprechenden
Informationen übertragen. Im einzelnen ändert sich der Wel
lentyp, nämlich der Winkel der Polarisationsebene der
Lichtstrahlen entsprechend der Potentialverteilung des la
tenten Ladungsbilds. Der Analysator 6 ermöglicht es, daß
der fotoelektrische Wandler 7 den Winkel der Polarisations
ebene der Lichtstrahlen zu einer Umsetzung in ein amplitu
denmoduliertes elektrisches Signal erfaßt.
Die optischen Modulatorschichten PML1 und PML2 bestehen aus
dem gleichen doppelt brechenden einachsigen Einkristallen
und haben die gleiche Dicke. Die optischen Modulatorschich
ten PML1 und PML2 sind derart angeordnet, daß ihre jeweili
gen Kristallachsen CA zueinander in bezug auf die Ebene der
Grenzfläche zwischen den Modulatorschichten spiegelsymme
trisch sind.
Gemäß Fig. 2 wird dann, wenn ankommendes Licht P1 durch die
transparente Elektrodenschicht Et hindurch in die optische
Modulatorschicht PML1 eintritt, das Licht in einen Normal
strahl 20 und einen extraordinären Nebenstrahl 30 geteilt,
die voneinander weg verlaufen. Der Normalstrahl 20 verläuft
in der gleichen Richtung wie das ankommende Licht P1, wäh
rend der Nebenstrahl 30 von der Wegrichtung des ankommenden
Lichts P1 abweicht. Nachdem der Normalstrahl 20 und der Ne
benstrahl 30 die optische Modulatorschicht PML1 durchlaufen
haben, treten sie in die optische Modulatorschicht PML2
ein. Wenn der Normalstrahl 20 und der Nebenstrahl 30 in die
optische Modulatorschicht PML2 eintreten, verläuft der Nor
malstrahl 20 ohne Richtungsänderung weiter, während der Ne
benstrahl 30 seine Verlaufsrichtung ändert und zu dem Weg
des Normalstrahls 20 hin verläuft. Nachdem der Normalstrahl
20 und der Nebenstrahl 30 die optische Modulatorschicht
PML2 durchlaufen haben, erreichen sie die dielektrische
Spiegelschicht DML. An der Oberfläche der dielektrische
Spiegelschicht DML treffen der Normalstrahl 20 und der Ne
benstrahl 30 zusammen, so daß sie von der dielektrischen
Spiegelschicht DML gemeinsam reflektiert werden und durch
die optischen Modulatorschichten PML1 und PML2 hindurch je
weils auf ihren Einfallslichtwegen bei dem Auftreffen auf
die dielektrische Spiegelschicht DML zurückgelangen.
Auf diese Weise heben die Doppelbrechungen der optischen
Modulatorschichten PML1 und PML2 einander hinsichtlich des
Wegs des ankommendes Lichts P1 auf, so daß dieses auf der
dielektrischen Spiegelschicht DML genau an einer einzigen
Stelle auftrifft. Dadurch ist eine Abnahme des latenten La
dungsbilds mit hohem Auflösungsvermögen gewährleistet. Im
Gegensatz dazu bewirkt im Falle eines herkömmlichen Lese
kopfs, in dem nur eine optische Modulatorschicht aus einem
doppelt brechenden Einkristall verwendet ist, die Doppel
brechung der einzigen optischen Modulatorschicht eine Ver
setzung zwischen dem Normalstrahl und dem Nebenstrahl an
ihren Auftreffstellen an der dielektrischen Spiegelschicht,
wodurch das Auflösungsvermögen hinsichtlich des aufgenomme
nen Bilds verringert ist.
Mittels einer (nicht gezeigten) geeigneten Abtastvorrich
tung werden die Lichtstrahlen in bezug auf das latente La
dungsbild an dem Objekt O derart versetzt, daß das Ladungs
bild abgetastet wird.
Der Lesekopf RA kann drei oder mehr optische Modulator
schichten enthalten, solange folgende Bedingung erfüllt
ist: Die voneinander getrennten normalen und extraordinären
Strahlen treffen an der Oberfläche der dielektrischen Spie
gelschicht DML zusammen.
Die Fig. 3 zeigt einen abgewandelten Lesekopf RA, in wel
chem die transparente Elektrodenschicht Et zwischen den op
tischen Modulatorschichten PML1 und PML2 liegt. Hinsicht
lich anderer Gesichtspunkte ist der Lesekopf nach Fig. 3
dem Lesekopf nach Fig. 2 gleichartig.
Es ist anzumerken, daß anstelle der vorangehend genannten
Lichtstrahlen auch irgendwelche anderen elektromagnetischen
Energiestrahlen wie Funkwellen, Alphastrahlen, Röntgen
strahlen oder andere radioaktive Energiestrahlen treten
können.
Ein in einem Lichtweg angeordneter Satz von Doppelbre
chungselementen hat eine Eintrittsfläche, über die das
Licht in den Satz eintritt und eine Austrittsfläche, über
die das Licht aus dem Satz austritt. Die Doppelbrechungs
elemente sind derart gewählt und angeordnet, daß das Licht
nach dem Eintreten in den Satz durch die Eintrittsfläche in
einen Normalstrahl und in einen Nebenstrahl geteilt wird,
welche in dem Satz über jeweils voneinander verschiedene
Wege verlaufen und an der Stelle zusamentreffen, an denen
sie durch die Austrittsfläche hindurch austreten.
Claims (4)
1. Lesekopf, gekennzeichnet durch
einen in einem Lichtweg angeordneten Satz aus Doppel
brechungselementen (PML1, PLM2), der eine Eintrittsfläche,
über die das Licht in den Satz eintritt, und eine Aus
trittsfläche hat, über die das Licht aus dem Satz austritt,
wobei die Doppelbrechungselemente derart gestaltet
und angeordnet sind, daß das Licht (P1) nach dem Eintreten
in den Satz über die Eintrittsfläche in einen Normalstrahl
(20) und einen extraordinären Nebenstrahl (30) aufgeteilt
wird, daß der Normalstrahl und der Nebenstrahl in dem Satz
jeweils voneinander verschiedene Wege durchlaufen und daß
der Normalstrahl und der Nebenstrahl an der Stelle
zusammentreffen, an der der Normalstrahl und der Neben
strahl aus dem Satz über die Austrittsfläche austreten.
2. Lesekopf nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen
sich über die Austrittsfläche des Satzes (PML1, PML2) er
streckenden dielektrischen Spiegel (DML).
3. Lesekopf nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daP die Doppelbrechungselemente (PML1, PLM2) überein
andergeschichtet sind und jeweils Doppelbrechungen haben,
die in bezug auf eine dazwischenliegende Grenzfläche zuein
ander spiegelsymmetrisch sind.
4. Vorrichtung zum Erfassen von elektrostatischem Ober
flächenpotential an einem Objekt, gekennzeichnet durch
eine Lichtquelle (1) zur Abgabe von Lichtstrahlen,
einen dem Objekt (O) gegenübergesetzten Lesekopf (RA),
der einem von dem Oberflächenpotential abhängigen elektri schen Feld sowie dem Licht ausgesetzt ist und der einen Satz aus doppelt brechenden optischen Modulatorschichten (PML1, PML2) zum Modulieren des Lichts entsprechend dem elektrischen Feld und eine dielektrische Spiegelschicht (DML) enthält, die zwischen dem Satz von Modulatorschichten und dem Objekt angeordnet ist und die das Licht nach dessen Austreten aus dem Satz von Modulatorschichten zu diesem zu rückspiegelt, wobei der Lesekopf das modulierte Licht ab gibt, und
eine Wandlervorrichtung (7) zum Umsetzen des modulierten Lichts in ein entsprechendes elektrisches Signal,
wobei die optischen Modulatorschichten derart gestaltet und angeordnet sind, daß das Licht nach dem Eintreten in den Modulatorschichtensatz in einen Normalstrahl (20) und einen extraordinären Nebenstrahl (30) aufgeteilt wird, die in dem Modulatorschichtensatz auf jeweils voneinander ver schiedenen Wegen verlaufen und die an einer Stelle zusam mentreffen, an denen sie die dielektrische Spiegelschicht erreichen.
eine Lichtquelle (1) zur Abgabe von Lichtstrahlen,
einen dem Objekt (O) gegenübergesetzten Lesekopf (RA),
der einem von dem Oberflächenpotential abhängigen elektri schen Feld sowie dem Licht ausgesetzt ist und der einen Satz aus doppelt brechenden optischen Modulatorschichten (PML1, PML2) zum Modulieren des Lichts entsprechend dem elektrischen Feld und eine dielektrische Spiegelschicht (DML) enthält, die zwischen dem Satz von Modulatorschichten und dem Objekt angeordnet ist und die das Licht nach dessen Austreten aus dem Satz von Modulatorschichten zu diesem zu rückspiegelt, wobei der Lesekopf das modulierte Licht ab gibt, und
eine Wandlervorrichtung (7) zum Umsetzen des modulierten Lichts in ein entsprechendes elektrisches Signal,
wobei die optischen Modulatorschichten derart gestaltet und angeordnet sind, daß das Licht nach dem Eintreten in den Modulatorschichtensatz in einen Normalstrahl (20) und einen extraordinären Nebenstrahl (30) aufgeteilt wird, die in dem Modulatorschichtensatz auf jeweils voneinander ver schiedenen Wegen verlaufen und die an einer Stelle zusam mentreffen, an denen sie die dielektrische Spiegelschicht erreichen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893927885 DE3927885A1 (de) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | Vorrichtung zum erfassen von elektrostatischem oberflaechenpotential |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893927885 DE3927885A1 (de) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | Vorrichtung zum erfassen von elektrostatischem oberflaechenpotential |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3927885A1 true DE3927885A1 (de) | 1991-02-28 |
Family
ID=6387725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19893927885 Ceased DE3927885A1 (de) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | Vorrichtung zum erfassen von elektrostatischem oberflaechenpotential |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3927885A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4416298A1 (de) * | 1994-05-09 | 1995-11-16 | Abb Research Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Ermittlung einer physikalischen Größe |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE2140439A1 (de) * | 1970-08-28 | 1972-03-02 | Westinghouse Electric Corp | Lichtmodulationssystem fur beliebig polarisiertes Licht |
DE2953632C2 (de) * | 1979-04-24 | 1984-12-06 | Kišinevskij Gosudarstvennyj universitet imeni V.I. Lenina, Kišinev | Elektrooptischer Umformer |
DE3833930A1 (de) * | 1987-10-06 | 1989-04-27 | Murata Manufacturing Co | Sensor zur messung von oberflaechenpotentialen |
-
1989
- 1989-08-23 DE DE19893927885 patent/DE3927885A1/de not_active Ceased
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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