DE3922563A1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiter-wafers - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines halbleiter-wafersInfo
- Publication number
- DE3922563A1 DE3922563A1 DE3922563A DE3922563A DE3922563A1 DE 3922563 A1 DE3922563 A1 DE 3922563A1 DE 3922563 A DE3922563 A DE 3922563A DE 3922563 A DE3922563 A DE 3922563A DE 3922563 A1 DE3922563 A1 DE 3922563A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wafer
- abrasives
- wafers
- case
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/124—Preparing bulk and homogeneous wafers by processing the backside of the wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P36/00—Gettering within semiconductor bodies
- H10P36/03—Gettering within semiconductor bodies within silicon bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/024—Defect control-gettering and annealing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/06—Gettering
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173145A JPH0222822A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3922563A1 true DE3922563A1 (de) | 1990-01-18 |
| DE3922563C2 DE3922563C2 (https=) | 1991-11-07 |
Family
ID=15954945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3922563A Granted DE3922563A1 (de) | 1988-07-11 | 1989-07-08 | Verfahren zur herstellung eines halbleiter-wafers |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5051375A (https=) |
| JP (1) | JPH0222822A (https=) |
| DE (1) | DE3922563A1 (https=) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119282926A (zh) * | 2024-11-26 | 2025-01-10 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种石英部件表面热性能的修复方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401319A (en) * | 1992-08-27 | 1995-03-28 | Applied Materials, Inc. | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor |
| JP2719113B2 (ja) * | 1994-05-24 | 1998-02-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶シリコンウェーハの歪付け方法 |
| US5426061A (en) * | 1994-09-06 | 1995-06-20 | Midwest Research Institute | Impurity gettering in semiconductors |
| JP3264367B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2002-03-11 | 信越半導体株式会社 | サンドブラスト処理剤、それを用いて処理されたウェーハ及びその処理方法 |
| US6406923B1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-06-18 | Kobe Precision Inc. | Process for reclaiming wafer substrates |
| JP5907797B2 (ja) * | 2012-05-02 | 2016-04-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2543019A1 (de) * | 1974-09-27 | 1976-04-08 | Lockheed Aircraft Corp | Sandstrahlverfahren und einrichtung zu dessen durchfuehrung |
| DE3804694A1 (de) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | Verfahren zur oberflaechenbearbeitung fuer halbleiter-wafer und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5338593A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-08 | Katsuji Shimizu | Feed for culturing fishes |
| US4525239A (en) * | 1984-04-23 | 1985-06-25 | Hewlett-Packard Company | Extrinsic gettering of GaAs wafers for MESFETS and integrated circuits |
| DE3738344A1 (de) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Anlage zum einfuehren von gitterstoerstellen und verfahren dazu |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP63173145A patent/JPH0222822A/ja active Granted
-
1989
- 1989-07-08 DE DE3922563A patent/DE3922563A1/de active Granted
- 1989-07-10 US US07/377,276 patent/US5051375A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2543019A1 (de) * | 1974-09-27 | 1976-04-08 | Lockheed Aircraft Corp | Sandstrahlverfahren und einrichtung zu dessen durchfuehrung |
| DE3804694A1 (de) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | Verfahren zur oberflaechenbearbeitung fuer halbleiter-wafer und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Hertz, H.: Über die Berührung fester elastischer Körper. In: Journal für die reine und angewandte Mathematik, Bd. 92, 1882, S. 156-171 * |
| Sze, S.M.: "VLSI Technology", McGraw Hill 1983, @ 1.5.1 * |
| Timoshenko, S. und Goodier, J.N.: "Theory of Elasticity", 2. ed., McGraw Hill 1951, S. 366-375 * |
| Zerbst, M.: Relaxationseffekte an Halbleiter-Iso- lator-Grenzflächen. In: Z. Ang. Phys. Bd. 22, S. 30, 1966 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119282926A (zh) * | 2024-11-26 | 2025-01-10 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种石英部件表面热性能的修复方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3922563C2 (https=) | 1991-11-07 |
| JPH0529307B2 (https=) | 1993-04-30 |
| US5051375A (en) | 1991-09-24 |
| JPH0222822A (ja) | 1990-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68910368T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers. | |
| DE69832110T2 (de) | Herstellungsverfahren für eine Prüfnadel für Halbleitergeräte | |
| DE112014001279B4 (de) | Bearbeitungsverfahren einer Silizium-auf-Isolator-Struktur zur Verminderung von Licht-Punkt-Defekten und Oberflächenrauigkeit | |
| DE69801546T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elementes für eine Dünnfilmherstellungsvorrichtung und das Element für diese Vorrichtung | |
| DE69722832T2 (de) | Verfahren zum Transportieren einer dünnen Schicht von einem Anfangssubstrat auf ein Endsubstrat | |
| DE2906470A1 (de) | Halbleitersubstrat und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE3887477T2 (de) | Verfahren zur Obenflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens. | |
| DE2109874C3 (de) | Halbleiterbauelement mit einem monokristallinen Siliziumkörper und Verfahren zum Herstellen | |
| DE112015003941B4 (de) | Verfahren zum Polieren eines Silicium-Wafers | |
| DE19611043B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Siliciumwafers, Verfahren zum Bilden eines Siliciumwafers und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE102013226651A1 (de) | Laserverarbeitungsverfahren und Feinpartikellage-Ausbildungsmittel | |
| DE3217026C2 (https=) | ||
| DE102015224933A1 (de) | Monokristalline Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe | |
| DE1963162A1 (de) | Mehrschichtiges Halbleitersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE3148957C2 (de) | Verfahren zum Herstellen rückseitig oberflächengestörter Halbleiterscheiben | |
| DE10046933A1 (de) | Verfahren zur Politur von Siliciumscheiben | |
| DE3922563A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiter-wafers | |
| EP1129823B1 (de) | Verfahren zur Regenerierung von Halbleiterscheiben | |
| DE60205316T2 (de) | Halbleitersubstrat aus Silizium und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE19823904A1 (de) | Hochebene Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben | |
| EP0012861A1 (de) | Verfahren zum selektiven Feststellen von durch Polieren verursachten Fehlern auf der Oberfläche von Siliziumplättchen | |
| DE112015002612B4 (de) | Verfahren zum Bewerten einer Defektregion eines Halbleitersubstrats | |
| DE102019003002A1 (de) | Waferabdünnungssysteme und verwandte verfahren | |
| DE102014208815A1 (de) | Halbleiterscheibe aus Silizium und Verfahren zu derenHerstellung | |
| DE3016310C2 (https=) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |