DE3917570A1 - Elektrisches keramisches bauelement, insbesondere kaltleiter, mit hoher elektrischer ueberschlagsfestigkeit im elektrodenfreien bereich und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Elektrisches keramisches bauelement, insbesondere kaltleiter, mit hoher elektrischer ueberschlagsfestigkeit im elektrodenfreien bereich und verfahren zu seiner herstellungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektrisches keramisches
Bauelement, insbesondere Kaltleiter, mit hoher elektrischer Über
schlagsfestigkeit im elektrodenfreien Bereich.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung des
keramischen Bauelementes, bei dem Ausgangsmaterialien, insbe
sondere Schwermetalloxide und Dotierungsstoffe, gemischt, ge
mahlen, je nach Verwendung in verschiedene Formen verpreßt
werden und der Preßling danach gesintert und kontaktiert wird.
Keramische Bauelemente im Sinne der Erfindung sind nichtlinea
re Widerstände, also Kaltleiter, Heißleiter (PTC- bzw. NTC-Wi
derstände) und Varistoren. Widerstände der vorgenannten Art wei
sen zum Teil eine unbefriedigende elektrische Überschlagsfestig
keit auf. Beim Betrieb derartiger Widerstände können kurzzeitige
Überspannungen bis ca. 5 kV am Bauelement auftreten, beispiels
weise in stark gestörten Netzen, oder aufgrund von Schaltvorgän
gen. Oft treten in solchen Fällen am Rande der Bauelemente Über
schläge auf, die infolge des Kontaktbrennens, bei dem die Kon
taktierungsschichten verschmoren, das Bauelement gebrauchsun
fähig machen können. Außerdem können die Folgeströme der elek
trischen Entladung andere Bauelemente einer elektronischen
Schaltung in Mitleidenschaft ziehen.
Bisher gab es prinzipiell die Möglichkeit, die elektrische Über
schlagsfestigkeit durch eine Erhöhung der Dicke des Bauelementes
zu vergrößern. In der Praxis ist dies jedoch kein gangbarer Weg,
da sich mit der Dicke des Bauelementes auch wesentliche Eigen
schaften desselben, beispielsweise seine Schaltzeit, sein Wider
stand oder seine elektrische Belastbarkeit ändern.
Es ist schon seit langem bekannt, und für den Fall eines Vari
stors beispielsweise in der US-PS 41 48 135 beschrieben, ein
keramisches Bauelement mit einer isolierenden Schicht zu um
manteln, um Überschläge zu verhindern. Eine derartige Schicht
kann beispielsweise aus einem keramischen Schlicker, oder aus
einem Kunststoff, z. B. einer Silikonpaste bestehen. Nach dem
Sintern, bzw. nach dem Aushärten der Kunststoffschicht sind Um
hüllung und Bauelement fest verbunden.
Jede Umhülltechnik impliziert jedoch notwendig das Auftreten von
Sprüngen in den Materialeigenschaften des umhüllten Bauelemen
tes. Insbesondere können sich die unterschiedlichen Ausdehnungs
koeffizienten und Wärmeleitfähigkeiten des keramischen Bauele
mentes und des bauelemente-fremden Materials nachteilig auswir
ken. Ferner wird bei bestimmten für die Umhüllung verwendeten
Materialien die im Bauelement entstehende Wärme schlecht abge
führt, wodurch die Umhüllung schmelzen kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein
keramisches Bauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung
anzugeben, das aufgrund einer hochohmigen Oberflächenschicht
eine verbesserte elektrische Überschlagsfestigkeit aufweist, das
aber die mit dem Aufbringen einer bauelemente-fremden Schicht
verbundenen Nachteile vermeidet.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist das keramische Bauelement der ein
gangs angegebenen Art dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflä
chenschicht im elektrodenfreien Bereich überdotiert ist.
Das Verfahren der eingangs angegebenen Art zur Herstellung eines
solchen keramischen Bauelementes ist erfindungsgemäß dadurch ge
kennzeichnet, daß der Preßling vor dem Sintern in eine wäßrige
Lösung eines zur Überdotierung vorgesehenen Dotierungsstoffes
getaucht und die überdotierte Oberflächenschicht im Bereich der
Elektroden abgetragen wird.
Der Vorteil der Erfindung liegt darin, daß durch Überdotierung
der Oberflächenschicht des keramischen Bauelementes ein stetiger
Übergang vom elektrisch aktiven Innenbereich zur hoch
ohmigen Oberflächenschicht erfolgt. Dadurch treten keine Sprünge
in den Materialeigenschaften auf, wie es bei jeder Umhülltechnik
der Fall ist.
Für PTC-Widerstände ist es zwar bekannt und wird z. B. in dem
Buch von Heywang, "Amorphe und polykristalline Halbleiter", Ka
pitel 4.2.3 erwähnt, daß es bei zu hoher Konzentration des zur
Grundleitfähigkeit des PTC-Materials notwendigen Dotierungsstof
fes zu einem abrupten Abfall der Leitfähigkeit der Keramik kom
men kann. Diese Erkenntnis wurde bisher aber nicht positiv ge
nutzt. Außerdem muß der zur Überdotierung nach der Erfindung
verwendete Dotierungsstoff keineswegs mit dem für die Grundleit
fähigkeit notwendigen Dotierungsstoff identisch sein. Anderer
seits eignet sich nicht jeder der bekannten Dotierungsstoffe für
eine auf den Randbereich der Keramik beschränkte Überdotierung.
Diffundiert nämlich der dafür eingesetzte Dotierungsstoff zu
rasch, so wird der gesamte PTC-Widerstand hochohmig.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ge
kennzeichnet.
Bei der Herstellung der hochohmigen Randschicht eines PTC-Ele
mentes geht man vorteilhafterweise folgendermaßen vor:
Zunächst werden Mischungen von Bariumkarbonat, Strontium- und
Titanoxyden und anderen Materialien, deren Zusammensetzung die
gewünschten elektrischen Eigenschaften ergeben, gemahlen und
beispielsweise in Scheibenform verpreßt. Diese PTC-Rohlinge aus
Bariumtitanat werden sodann für ca. 1 sec in eine mit Wasser
verdünnte Yttriumchloridlösung getaucht. Während der Tauchphase
wird die wäßrige Lösung vom Bauelement teilweise aufgesaugt.
Nach der Tauchphase ist das Bauelement nach wenigen Sekunden
wieder oberflächlich trocken und kann wie üblich zum Sintern
weitergeleitet werden. Als Alternative zum Tauchbad kann die
Lösung auch mittels feiner Düsen auf den Kaltleiter gespritzt
werden.
Die Dicke der hochohmigen Randschicht kann über die Konzentra
tion der Lösung, die Preßdichte des PTC-Rohlings und die Tauch
zeit eingestellt werden. In den durchgeführten Versuchen hat
sich eine Dicke von etwa 0,2 mm als besonders vorteilhaft heraus
gestellt. Es bietet sich an, für den Prozeß der Überdotierung
das bei der Herstellung von PTC-Elementen übliche Dotierungs
element Yttrium zu verwenden. Es ist jedoch auch möglich, die
hochohmige Randschicht mittels einer Mangansulfatlösung herzu
stellen, jedoch muß deren Konzentration wesentlich niedrigerer
sein als bei Yttriumchlorid, da andernfalls das PTC-Element
insgesamt hochohmig würde.
Die beobachtete Wirkung der Überdotierung beruht auf dem Ein
fluß der Dotierungssubstanzen auf das Kornwachstum im kerami
schen Material während des Sinterprozesses. Tatsächlich haben
Untersuchungen an erfindungsgemäß hergestellten PTC-Elementen
ergeben, daß durch die Überdotierung die Korngröße verringert
wird.
Wird die Überdotierung wie beschrieben durch ein Tauchbad er
zeugt, ist es notwendig, die hochohmige Oberflächenschicht an
den Stirnkontaktschichten durch einen Läppvorgang zu entfernen.
Dies bringt jedoch keinen zusätzlichen Aufwand mit sich, da ein
derartiger Läppvorgang vor dem Kontaktieren des PTC-Elementes
auf jeden Fall zu erfolgen hat. Selbstverständlich ist es auch
möglich, die hochohmige Oberflächenschicht nicht nur im Hinblick
auf Überspannungen, sondern als integrierte Isolationsschicht,
d. h. als Zwischenisolierung beim normalen Betrieb mehrere PTC-
Elemente zu verwenden.
Claims (7)
1. Elektrisches keramisches Bauelement, insbesondere Kaltleiter,
mit hoher elektrischer Überschlagsfestigkeit im elektrodenfreien
Bereich
dadurch gekennzeichnet,
daß die Oberflächenschicht im elektrodenfreien Bereich über
dotiert ist.
2. Keramisches Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine elektrisch wirksame Überdotierung nur in der Oberflä
chenschicht des Bauelementes vorhanden ist, deren Dotierungs
grad in Richtung des Bauelementeinneren abnimmt.
3. Keramisches Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrodenfreie Oberflächenschicht mit Yttrium überdo
tiert ist.
4. Keramisches Bauelement nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke der Oberflächenschicht weniger als etwa 1 mm,
insbesondere 0,2 mm beträgt.
5. Verfahren zur Herstellung des keramischen Bauelementes nach
Anspruch 1, bei dem Ausgangsmaterialien, insbesondere Schwerme
talloxide und Dotierungsstoffe, gemischt, gemahlen, je nach Ver
wendung in verschiedene Formen verpreßt werden, und der Preßling
gesintert und kontaktiert wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Preßling vor dem Sintern in eine wäßrige Lösung eines
zur Überdotierung vorgesehenen Dotierungsstoffes getaucht und
die überdotierte Oberflächenschicht im Bereich der Elektroden
abgetragen wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Dotierungsstoff Yttriumchlorid verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Preßling etwa 1 sec in eine wäßrige Lösung aus Yttrium
chlorid getaucht und nach dem Trocknen zum Sintern weiterge
leitet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893917570 DE3917570A1 (de) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | Elektrisches keramisches bauelement, insbesondere kaltleiter, mit hoher elektrischer ueberschlagsfestigkeit im elektrodenfreien bereich und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19893917570 DE3917570A1 (de) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | Elektrisches keramisches bauelement, insbesondere kaltleiter, mit hoher elektrischer ueberschlagsfestigkeit im elektrodenfreien bereich und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3917570A1 true DE3917570A1 (de) | 1990-12-06 |
Family
ID=6381680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19893917570 Withdrawn DE3917570A1 (de) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | Elektrisches keramisches bauelement, insbesondere kaltleiter, mit hoher elektrischer ueberschlagsfestigkeit im elektrodenfreien bereich und verfahren zu seiner herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3917570A1 (de) |
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- 1989-05-30 DE DE19893917570 patent/DE3917570A1/de not_active Withdrawn
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