DE3886924D1 - Halbleiterbauelement mit tiefen Source- und Drainerweiterungen sowie Verfahren zu seiner Herstellung. - Google Patents

Halbleiterbauelement mit tiefen Source- und Drainerweiterungen sowie Verfahren zu seiner Herstellung.

Info

Publication number
DE3886924D1
DE3886924D1 DE88303277T DE3886924T DE3886924D1 DE 3886924 D1 DE3886924 D1 DE 3886924D1 DE 88303277 T DE88303277 T DE 88303277T DE 3886924 T DE3886924 T DE 3886924T DE 3886924 D1 DE3886924 D1 DE 3886924D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
production
semiconductor component
drain extensions
deep source
deep
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE88303277T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3886924T2 (de
Inventor
Dora Plus
Ronald Keith Smeltzer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Priority claimed from EP88303277A external-priority patent/EP0337020B1/de
Publication of DE3886924D1 publication Critical patent/DE3886924D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3886924T2 publication Critical patent/DE3886924T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

DE19883886924 1988-04-12 1988-04-12 Halbleiterbauelement mit tiefen Source- und Drainerweiterungen sowie Verfahren zu seiner Herstellung. Expired - Fee Related DE3886924T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP88303277A EP0337020B1 (de) 1987-02-24 1988-04-12 Halbleiterbauelement mit tiefen Source- und Drainerweiterungen sowie Verfahren zu seiner Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3886924D1 true DE3886924D1 (de) 1994-02-17
DE3886924T2 DE3886924T2 (de) 1994-12-08

Family

ID=8200024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19883886924 Expired - Fee Related DE3886924T2 (de) 1988-04-12 1988-04-12 Halbleiterbauelement mit tiefen Source- und Drainerweiterungen sowie Verfahren zu seiner Herstellung.

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3886924T2 (de)

Also Published As

Publication number Publication date
DE3886924T2 (de) 1994-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3766878D1 (de) Prothesenteil sowie verfahren zu seiner herstellung.
DE68924132D1 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zur dessen Herstellung.
DE3682021D1 (de) Polysilizium-mos-transistor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3581797D1 (de) Misfet mit niedrigdotiertem drain und verfahren zu seiner herstellung.
DE3751243D1 (de) Opto-elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE69010893D1 (de) Verfahren zur behandlung von koks sowie löschen desselben.
DE3679087D1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu seiner herstellung.
DE3650323D1 (de) VLSI-Chip und Verfahren zur Herstellung.
DE3685124D1 (de) Integriertes halbleiterschaltungsbauelement und verfahren zu seiner herstellung.
DE3888885D1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung.
DE3881004D1 (de) Verfahren zum herstellen von integrierten cmos-anordnungen mit verringerten gate-laengen.
DE3483709D1 (de) Halbleiterspeicher und verfahren zu seiner herstellung.
DE3686976D1 (de) Bipolares halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung.
DE3681934D1 (de) Integrierter mos-transistor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3580206D1 (de) Bipolarer transistor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3782201D1 (de) Halbleiterphotosensor und verfahren zu dessen herstellung.
DE3579367D1 (de) Halbleiterphotodetektor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3777664D1 (de) Duennschicht-elektrolumineszenz-vorrichtung und verfahren zu deren herstellung.
DE3581417D1 (de) Lateraler bipolarer transistor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3882849D1 (de) Anordnungen mit cmos-isolator-substrat mit niedriger streuung und verfahren zu deren herstellung.
DE3878325D1 (de) Supraleitende spule sowie verfahren zur herstellung.
DE3682959D1 (de) Bipolarer transistor mit heterouebergang und verfahren zu seiner herstellung.
DE58901324D1 (de) Verfahren zur herstellung von solarsilicium.
DE68928193D1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE59108592D1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen, insbesondere von dioden

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de
8370 Indication of lapse of patent is to be deleted
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee