DE3879651D1 - Ladungsverschiebeanordnung mit senkung der ausgangsverschiebespannung und verfahren zu ihrer herstellung. - Google Patents
Ladungsverschiebeanordnung mit senkung der ausgangsverschiebespannung und verfahren zu ihrer herstellung.Info
- Publication number
- DE3879651D1 DE3879651D1 DE8888403249T DE3879651T DE3879651D1 DE 3879651 D1 DE3879651 D1 DE 3879651D1 DE 8888403249 T DE8888403249 T DE 8888403249T DE 3879651 T DE3879651 T DE 3879651T DE 3879651 D1 DE3879651 D1 DE 3879651D1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- shifting
- reduction
- production
- output
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76833—Buried channel CCD
- H01L29/76841—Two-Phase CCD
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8717880A FR2625041B1 (fr) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | Dispositif de transfert de charges a abaissement de potentiel de transfert en sortie, et procede de fabrication de ce dispositif |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3879651D1 true DE3879651D1 (de) | 1993-04-29 |
DE3879651T2 DE3879651T2 (de) | 1993-08-19 |
Family
ID=9358130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8888403249T Expired - Fee Related DE3879651T2 (de) | 1987-12-22 | 1988-12-20 | Ladungsverschiebeanordnung mit senkung der ausgangsverschiebespannung und verfahren zu ihrer herstellung. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4873562A (de) |
EP (1) | EP0322303B1 (de) |
JP (1) | JPH022644A (de) |
DE (1) | DE3879651T2 (de) |
FR (1) | FR2625041B1 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2645323B1 (fr) * | 1989-03-28 | 1992-11-27 | Thomson Composants Militaires | Registres de lecture du type a transfert de charges a grande dynamique de sortie |
JPH0327539A (ja) * | 1989-06-25 | 1991-02-05 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
JP2509740B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1996-06-26 | 株式会社東芝 | 電荷転送装置 |
NL9000297A (nl) * | 1990-02-08 | 1991-09-02 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde inrichting. |
EP0485125B1 (de) * | 1990-11-09 | 1996-07-10 | Matsushita Electronics Corporation | Ladungsträgeranordnung, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verfahren zu ihrer Steuerung |
KR940010932B1 (ko) * | 1991-12-23 | 1994-11-19 | 금성일렉트론주식회사 | Ccd영상소자 제조방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3796932A (en) * | 1971-06-28 | 1974-03-12 | Bell Telephone Labor Inc | Charge coupled devices employing nonuniform concentrations of immobile charge along the information channel |
US3852799A (en) * | 1973-04-27 | 1974-12-03 | Bell Telephone Labor Inc | Buried channel charge coupled apparatus |
US4158209A (en) * | 1977-08-02 | 1979-06-12 | Rca Corporation | CCD comb filters |
US4206371A (en) * | 1978-10-27 | 1980-06-03 | Rca Corporation | CCD with differently doped substrate regions beneath a common electrode |
US4580155A (en) * | 1982-12-21 | 1986-04-01 | Northern Telecom Limited | Deep depletion CCD imager |
JPS59132669A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-30 | Sony Corp | 電荷転送装置 |
US4625322A (en) * | 1983-11-18 | 1986-11-25 | Hitachi, Ltd. | Charge coupled device provided with automatic bias-voltage setting means |
JPS61187368A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
JPH06105560B2 (ja) * | 1985-09-17 | 1994-12-21 | 沖電気工業株式会社 | 電荷移送装置 |
US4807037A (en) * | 1987-03-06 | 1989-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Low noise CCD image sensor having a plurality of horizontal CCD registers |
-
1987
- 1987-12-22 FR FR8717880A patent/FR2625041B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-12-20 EP EP88403249A patent/EP0322303B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-20 DE DE8888403249T patent/DE3879651T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-21 US US07/287,887 patent/US4873562A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-22 JP JP63324686A patent/JPH022644A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0322303A1 (de) | 1989-06-28 |
DE3879651T2 (de) | 1993-08-19 |
US4873562A (en) | 1989-10-10 |
FR2625041A1 (fr) | 1989-06-23 |
FR2625041B1 (fr) | 1990-04-20 |
JPH022644A (ja) | 1990-01-08 |
EP0322303B1 (de) | 1993-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3578019D1 (de) | Einrichtung mit veraenderlicher spalte und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3878326T2 (de) | Kunstlunge der membranart und verfahren zu ihrer verwendung. | |
DE3678857D1 (de) | Keramikverbundkoerper und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3874275T2 (de) | Kollektoren und verfahren zu ihrer herstellung und ihrer verwendung. | |
DE3888217T2 (de) | Supraleitende Zusammensetzungen und Verfahren zu deren Herstellung. | |
DE3878475D1 (de) | Organopolysiloxanemulsion und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3863408D1 (de) | Dimethylsilyl-substituierte benzoylchloride und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE68911142T2 (de) | Olefinoligomere mit schmierungseigenschaften und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3580783D1 (de) | Polyester und verfahren zu dessen herstellung. | |
DE3850632T2 (de) | Supraleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE68905844T2 (de) | Thermochromische reissverschlussteile und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3878880D1 (de) | Metall-keramik-verbindung und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3880860D1 (de) | Halbleiterspeicheranordnung und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3762886D1 (de) | Aluminiumlegierung, verfahren zu ihrer herstellung und verwendung dieser legierung. | |
DE3879651T2 (de) | Ladungsverschiebeanordnung mit senkung der ausgangsverschiebespannung und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3881568T2 (de) | Supraleiter und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE3764019D1 (de) | Graphit-einlagerungsverbindungen und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3762128D1 (de) | Polymerisierbare beta-glycerophospholipide und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3879719D1 (de) | Halbleiterspeicheranordnung und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE68903390D1 (de) | Ladungstransferspeicher und verfahren zur herstellung desselben. | |
DE3674733D1 (de) | Vernetzbare polycyclische polycarbonatoligomere und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3777178D1 (de) | Voltazelle und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3765239D1 (de) | Acetylketendialkylacetale und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE3781692T2 (de) | Hochspannungstransformator und verfahren zu seiner herstellung. | |
DE3574719D1 (de) | Azopigmente und verfahren zu ihrer herstellung. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ATMEL GRENOBLE, SAINT EGREVE, FR |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |