DE3876842T2 - Signalleseschaltung. - Google Patents
Signalleseschaltung.Info
- Publication number
- DE3876842T2 DE3876842T2 DE8888303509T DE3876842T DE3876842T2 DE 3876842 T2 DE3876842 T2 DE 3876842T2 DE 8888303509 T DE8888303509 T DE 8888303509T DE 3876842 T DE3876842 T DE 3876842T DE 3876842 T2 DE3876842 T2 DE 3876842T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- signal
- reading
- reading circuit
- capacitive load
- circuit according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 claims description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 12
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 10
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/1506—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements
- H04N3/1512—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements for MOS image-sensors, e.g. MOS-CCD
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/38—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers two-dimensional, e.g. horizontal and vertical shift registers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/04—Shift registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/7795—Circuitry for generating timing or clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Signalleseschaltung, die ein Signal als eine Spannung durch einen Lesetransistor auf eine Signalleitung ausliest und ausgibt.
- Fig. 1 A ist ein Schaltbild, das ein Beispiel einer konventionellen Signalleseschaltung darstellt. Fig. 1 B ist ein Schaltdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise.
- In Fig. 1 A wird durch Anlegen eines Impulses φt mit H-Pegel während einer vorbestimmten Zeitdauer ein Übertragungstransistor Qt leitend geschaltet, so daß Signale S&sub1;, S&sub2;, S&sub3;, ... aus Sensoren übertragen und jeweils in einem Kondensator Ct akkumulliert werden. In diesem Zustand werden Abtastimpulse φ&sub1;&sub1;, φ&sub1;&sub2;, nacheinander aus einem Schieberegister 102 ausgegeben, um nacheinander Lesetransistoren Q leitend zu schalten, wobei in den Kondensatoren Ct gespeicherte Signale S&sub1;, S&sub2;, S&sub3;, ... auf eine Signalleitung 101 ausgelesen werden. Da jedoch die Signalleitung 101 eine Kapazität Ch aufweist, werden die Signale, die durch Teilung des Speichersignals S&sub1;, S&sub2;, S&sub3;, ... durch die Kapazität des Kondensators Ct und die Kapazität Ch gewonnen werden, auf eine Signalleitung 101 ausgelesen.
- Wie in Fig. 1 B dargestellt, werden die Impulse φS, φ&sub1;, und φ&sub2; in ein Schieberegister 102 eingegeben. Das Schieberegister 102 gibt dann einen Abtastimpuls synchron mit dem Impuls φ&sub1; durch den Startimpuls φS aus.
- Das in die Signalleitung 101 eingelesene Signal wird durch einen Verstärker A ausgegeben. Jedesmal wenn ein Signal ausgegeben wird, wird ein Rücksetztransistor Qr leitend geschaltet, wobei die Signalleitung 101 auf Erdpotential gebracht wird. Der Impuls φ&sub2; der in das Schieberegister 102 eingegeben wird, wird an eine Gate-Elektrode eines Rücksetztransistors Qr gegeben. Die Schaltungselemente und Sensoren, die in Fig. 1 A dargestellt sind, werden auf demselben Halbleitersubstrat gebildet.
- Jedoch summieren sich in dem herkömmlichen Beispiel die Störkomponenten durch die Abtastimpulse φ&sub1;&sub1;, φ&sub1;&sub2;, ... zu dem Signal, welches vom Verstärker A ausgegeben wird. Deshalb kommt es zu Problemen, wenn diese Signalleseschaltung beispielsweise in einem Bildaufnahmegerät eingesetzt wird, in der Art, daß diese Störkomponenten als Störungen mit feststehenden Mustern auftreten. Dieser Punkt wird nun anhand eines Wellenform-Diagramms einer Signalleitungsspannung V&sub0; in Fig. 1 B näher erläutert. Die Signalkomponenten werden der Einfachheit halber in der Wellenform von V&sub0; weggelassen.
- Wenn der Impuls φ&sub2; während einer Zeitdauer Tc zuerst H-Pegel aufweist, wird der Rücksetztransistor Qr leitend geschaltet und die Spannung V&sub0; auf der Signalleitung 101 wird auf Massepotential GND gezogen. Wenn der Impuls φ&sub2; auf den L-Pegel fällt und der Transistor Qr nicht-leitend geschaltet wird, dann wird aufgrund einer vorhandenen Parasitärkapazität CS2 der Anstiegsbetrag des Impulses φ&sub2; kapazitiv durch CS2 und Ch geteilt, so daß die Spannung V&sub0; auf der Signalleitung 101 auf den Massepegel GND absinkt, nur bedingt durch den Pegel, der mit dem Nachlaufbetrag übereinstimmt (Schwingungskomponente b).
- Jedoch ist die Amplitude der Schwingungskomponente b immer konstant, weil sie von der Kapazität CS2 abhängt.
- Wenn als nächstes der Abtastimpuls φ&sub1;&sub1; auf den Transistor QS synchron mit dem Impuls φ&sub1; auf den Transistor QS gegeben wird (für eine Zeitperiode Tt), wird der Anstiegsbetrag des Abtastimpulses φ&sub1;&sub1; aufgrund der vorhandenen Parasitärkapazität Cs des Transistors Qs kapazitiv durch Cs und Ch geteilt, so daß die Spannung V&sub0; auf der Signalleitung 101 nur durch den Pegel des ansteigenden Betrages (Spannung Vr) an steigt. Der Nachlaufbetrag wird ebenfalls kapazitiv geteilt, so daß die Spannung V&sub0; auf Signalleitung 101 nur durch den entsprechenden Pegel auf den ansteigenden Betrag (Spannung Vt) abfällt (Schwingungskomponente a).
- In dieser Weise wird das Sensorsignal S&sub1; durch den Lesetransistor QS auf Leitung 101 ausgelesen und vom Verstärker A ausgegeben. Damit wird der Rücksetztransistor Qr wieder durch den Impuls φ&sub2; leitend geschaltet. In gleicher Weise wie zuvor werden die Sensorsignale S&sub2;, S&sub3;, ... nacheinander ausgegeben.
- Die Abtastimpulse φ&sub1;&sub1;, φ&sub1;&sub2;, ..., die synchron mit den Impulsen φ&sub1; ausgegeben werden, gelangen auf das Gate eines individuellen Lesetransistors QS, so daß nachstehend aufgeführte Probleme auftreten.
- Das heißt, die Parasitärkapazitäten der Lesetransistoren haben gewisse Unterschiede, die durch unterschiedliche Halbleiterherstellprozesse bedingt sind.
- Die Schwingungskomponenten sind deswegen nicht gleichartig. Nehmen wir an, daß eine Abweichung Cs der Kapazitäten Cs besteht, dann wird die Abweichung der Schwingungskomponente
- Δ vn = Cs V φ / (Cs + Ch)
- Nimmt man nun an, daß
- Ch = 5 pF
- Cs = 0.02 pF
- Δ Cs = Cs x 0.01
- Vφ = 5 V,
- dann wird die Abweichung Δvn der Schwingungskomponenten Δ Vn = o.2 mV. Die Abweichung erscheint als Störung mit feststehenden Mustern in vertikaler Richtung auf dem Bild und bewirkt eine verschlechterte Bildqualität.
- Aufgabe der voliegenden Erfindung ist es, eine Signalleseschaltung anzugeben, die das Problem aus den vorgenannten Nachteilen der herkömmlichen Techniken löst.
- Eine andere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Signalleseschaltung anzugeben, die die Störungen mit feststehenden Mustern vermindert.
- Zur Lösung dieser Aufgaben ist gemäß Anspruch 1 eine Signalleseschaltung mit folgenden Merkmalen vorgesehen:
- (a) einer Vielzahl von Signalequellen (S&sub1;, S&sub2;, S&sub3;, ...);
- (b) einer Vielzahl von Akkumuliermitteln (Ct), die jeweils für eine der Signalquellen zur Zwischenspeicherung der Signale aus der Vielzahl von Signalleitungen vorgesehen sind;
- (c) einer Vielzahl von Schaltmitteln (Qs), die jeweils für eines der Akkumuliermittel (Ct) zum Auslesen der in den Akkumuliermitteln (Ct) gespeicherten Signalen vorgesehen sind, wobei ein Anschluß eines jeweiligen der Schaltmittel (QS) mit einem entsprechenden Anschluß der Akkumuliermittel (Ct) verbunden ist;
- (d) einer kapazitiven Last (101), die gemeinsam mit einem Anschluß eines jeden aus der Vielzahl von Schaltmitteln verbunden ist;
- (e) Steuermitteln (101) zur selektiven Aktivierung der Vielzahl von Schaltmitteln, um dadurch die in den Akkumuliermitteln (Ct) gespeicherten Signale sequentiell in die kapazitive Last zu leiten;
- (f) Löschmittel zum Löschen der in die kapazitive Last geleiteten Signale;
- dadurch gekennzeichet, daß die Leseschaltung ferner Lesemittel (103) aufweist zum Auslesen der Signale, die in der kapazitiven Last (101) eine Zeitdauer (Tx) nach der Inaktivierung jedes der Schaltmittel (Qs) durch die Steuermittel (102) bis zur Löschung der kapazitiven Last (101) durch die Löschmittel (Qr) gespeichert sind.
- Wie schon zuvor erwähnt, gibt es eine Abweichung in der Amplitude der Schwingungskomponenten bei der Spannung V&sub0; auf der in Fig. 1B dargestellten Signalleitung aufgrund des Lesetransistors QS. Jedoch ist in Experimenten festgestellt worden, daß die Abweichspannung vr an der ansteigenden Flanke und die Abweichspannung vt an der abfallenden Flanke etwa gleich sind. Damit ist die Spannung V&sub0; auf der Signalleitung 101 vor und nach den Schwingungskomponenten kaum von den Abweichungen der Schwingungskomponenten a betroffen.
- Jedes einzelne Sensorsignal wird von dem Abtastimpuls durch jeden Lesetransistor Qs auf die Signalleitung 101 gelesen. Die Signalkomponenten bleiben so lange bestehen, wie die Signalleitung 101 nicht durch den Rücksetztransistor zurückgesetzt wird. Das heißt, die Signalkomponente existiert auf der Signalleitung 101 während der Zeitdauer Ts im Diagramm.
- Deshalb kann nach dem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel das Signal ohne Beeinflussung durch Abweichungen der Schwingungskomponenten a ausgelesen werden, wenn das Signal auf der Signalleitung 101 ausgewählt und ausgegeben wird, nachdem der Lesetransistor Qs stromlos geschaltet wurde. Da die Amplitude der Schwingungskomponenten b fast konstant sind, kommen keine Störungen mit feststehenden Mustern auf.
- Die obigen Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich genauer aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung und den beigefügten Patentansprüchen unter Bezugnahme auf die anliegende Zeichnung.
- Fig. 1 A ist ein Schaltbild, das ein Beispiel einer herkömmlichen Signalleseschaltung zeigt;
- Fig. 1 B ist ein Zeitablaufdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise dieser Schaltung;
- Fig. 2 A ist ein schematisches Aufbauschaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels einer Signalleseschaltung nach der Erfindung;
- Fig. 2 B ist ein Zeitablaufdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise der in Fig. A dargestellten Schaltung;
- Fig. 3 A ist ein schematisches Aufbauschaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels einer Signalleseschaltung nach der Erfindung;
- Fig. 3 B ist ein Zeitablaufdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise der Fig. 3 A dargestellten Schaltung;
- Fig. 4 ist ein schematisches Aufbauschaltbild eines Bildaufnahmegerätes, das im ersten Ausführungsbeispiel verwendet wird.
- Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung beschrieben.
- Fig. 2 A ist ein schematisches Aufbauschaltbild des ersten Ausführungsbeispiels einer Signalleseschaltung nach der Erfindung.
- Fig. 2 B ist ein Zeitablaufdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise dieser Schaltung.
- Der Aufbau der Übertragungstransistoren Qt, der Akkumulierkondensatoren Ct der Lesetransistoren Qs, des Rückstelltransistors Qr, der Signalleitung 101 und des Schieberegisters 102 entspricht der Fig. 1 A. Die Impulse φ&sub1; und φ&sub2; und die Signalleitungspannung V&sub0; in Fig. 2 B sind ebenfalls so beschaffen, wie anhand Fig. 1 B beschrieben.
- In diesem Ausführungsbeispiel ist ein Abtasthalteglied (S/H)-Glied 103 als Auswahlmittel für die Leitung 101 vorgesehen, das vom Substrat, auf dem die Sensoren gebildet sind, separiert ist. Die Signalleitungsspannung V&sub0;, die nach dem Abtastimpuls auf L-Pegel gefallen ist, wird abgetastet, gehalten und ausgegeben. Das heißt, während der Zeitdauer TS in Fig. 2B wird ein Impuls φsh mit einer Zeitdauer Tx zum S/H-Glied 103 gesandt, bevor es vom Impuls φ&sub2; nach Ablauf der Zeitdauer Tt zurückgesetzt wird, wobei die Signalleitungsspannung V&sub0; zu dieser Zeit gehalten wird. Auf diese Weise kann dem Einfluß durch Störungen mit feststehenden Mustern aufgrund des Transistors Qs zuvorgekommen werden.
- Fig. 3 A ist ein schematisches Aufbauschaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels einer Signalleseschaltung nach der Erfindung, und Fig. 3 B ist ein Zeitablaufdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise der in Fig. 3 A dargestellten Schaltung. Teile und Komponenten, die mit denen des ersten Ausführungsbeispiels übereinstimmen, sind mit gleichen Bezugszeichen versehen.
- Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist das S/H-Glied 103, das aus dem Transistor Qsh gebildet ist, auf dem gleichen Halbleitersubstrat wie die Sensoren angeordnet. Ein invertierter Impuls φ&sub1; eines Impulses φ&sub1; wird auf eine Gate- Elektrode des Transistors Qsh gegeben. Durch Einformen des Transistors Qsh in den Sensor wird die Struktur vereinfacht, und auch die Kosten können gesenkt werden.
- Zuerst wird der Rücksetztransistor Qr durch einen Impuls φhc leitend geschaltet, wobei die Signalleitung 101 auf Massepotential GND (für die Zeitdauer Tc) zurückgesetzt wird. Nach Ablauf der Zeitdauer Tc fällt der Impuls φhc ab, so daß die Signalleitungspannung V&sub0; auf einen Pegel abfällt, der unter dem Massepotential GND liegt, wie schon erwähnt (Schwingungskomponente b).
- Der Impuls φ&sub1; wächst als Reaktion auf die abfallende Flanke des Impulses φhc an. Der Abtastimpuls φ&sub1;&sub1; wird vom Schieberegister 102 in die Gate-Elektrode des Transistors Qs synchron mit der ansteigenden Flanke des Impulses φ&sub1; eingegeben. Gleichzeitig wird wird die Gate-Elektrode des Transistors Qsh auf L-Pegel gesetzt, und der Transistor Qsh ist nichtleitend geschaltet.
- Deshalb wird der Lesetransistor Qs während der Zeitdauer Tt leitend geschaltet, und das Sensorsignal S&sub1; wird ausgelesen, auf die Signalleitung 101 gegeben und auf dieser gehalten.
- Nachfolgend wird der Transistor Qsh leitend geschaltet, nachdem die Periodendauer Tt abgelaufen ist und der Impuls φ&sub1; nachläuft. Das auf der Signalleitung 101 während der Zeitdauer TS existierende Signal wird durch den Verstärker A ausgegeben. Zu dieser Zeit enthält die Signalleitung keine Abweichungen der Schwingungskomponenten, die, wie schon erwähnt, durch die Abtastimpulse φ&sub1;&sub1; bedingt sind.
- Nach Ablauf der Zeitdauer Ts steigt dann der Rücksetzimpuls φhc an, und der Rückstelltransistor Qr wird leitend geschaltet, wobei die Signalleitung 101 zurückgesetzt wird. Die Störungen mit feststehenden Mustern werden ebenfalls mit dieser Struktur eleminiert.
- Obwohl in diesem Ausführungsbeispiel der Rücksetztransistor zur Rücksetzung der Signalleitung 101 verwendet wurde, kann auch ein anderer Rückstelltransistor an einem Signalausgabe-Endgerät vorgesehen werden. Andererseits können anstelle der Impulse &sub1; andere Impulse mit geringerer Breite als die Impulse &sub1; verwendet werden.
- Fig. 4 ist ein schematisches Aufbauschaltbild eines Bildaufnahmegerätes, das im ersten Ausführungsbeispiel verwendet wird.
- In dem Schaltbild wird ein Bildaufnahmeteil 201, das aus Photosensoren besteht, die in Flächenform angeordnet sind, fernsehmäßig durch einen vertikalen Abtastabschnitt 202 und einen horizontalen Abtastabschnitt 203 abgetastet.
- Ein Signalausgang vom horizontalen Abtastabschnitt 203 wird als Standardfernsehsignal durch das S/H-Glied 103 und eine Verarbeitungsschaltung 204 ausgegeben.
- Ansteuerimpulse und dergleichen des vertikalen Abtastabschnittes 202, des horizontalen Abtastabschnittes 203, des Impulse φsh und dergleichen aus dem S/H-Glied 103 werden von einem Treiber 205 versorgt. Der Treiber 205 wird von einer Steuerung 206 gesteuert.
- Der Horizontalabtastabschnitt 203 umfaßt folgende Teile: den Übertragungstransistor Qt, die Kondensatoren Ct, die Lesetransistoren Qs, den Rückstelltransistor Qr, die Signalleitung 101, das Schieberegister 102 und dergleichen gemäß Fig. 2 A.
- Mit dem horizontalen Abtastabschnitt 203 und dem S/H-Glied 103 erhält man das Videosignal ohne Störungen mit stehenden Mustern, wie schon beschrieben, und die Bildqualität kann verbessert werden.
- Wie oben detailliert beschrieben, hat die Signalleseschaltung nach der Erfindung eine einfache Struktur, so daß dort die Auswahlmittel zum Auswählen und Ausgeben des Signals auf die Signalleitung vorgesehen sind, nachdem der Lesetransistor nicht-leitend geschaltet worden ist. Deswegen kann das Signal abgenommen werden, ohne daß es durch Herstellabweichungen oder dergleichen bei den Transistoren beeinflußt wird.
- Wenn die Erfindung beispielsweise im Bildaufnahmegerät verwendet wird, kann demzufolge eine gute Qualität ohne Störungen mit feststehenden Mustern gewonnen werden.
Claims (6)
1. Signalleseschaltung mit:
(a) einer Vielzahl von Signalquellen (S&sub1;, S&sub2;, S&sub3;, ...);
(b) einer Vielzahl von Akkumuliermitteln (Ct), die jeweils
für eine der Signalquellen zur Zwischenspeicherung der
Signale aus der Vielzahl von Signalleitungen vorgesehen
sind;
(c) einer Vielzahl von Schaltmitteln (Qs), die jeweils für
eines der Akkumuliermittel (Ct) zum Auslesen der in den
Akkumuliermitteln (Ct) gespeicherten Signale vorgesehen
sind, wobei ein Anschluß eines jeweiligen Schaltmittels
(Qs) mit einem entsprechenden Anschluß der
Akkumuliermittel (Ct) verbunden ist;
(d) einer kapazitiven Last (101), die gemeinsam mit einem
Anschluß eines jeden aus der Vielzahl von Schaltmitteln
verbunden ist;
(e) Steuermitteln (102) zur selektiven Aktivierung der
Vielzahl von Schaltmitteln, um dadurch die in den
Akkumuliermitteln (Ct) gespeicherten Signale sequentiell in die
kapazitive Last zu leiten;
(f) Löschmitteln zum Löschen der in die kapazitive Last
geleiteten Signale;
dadurch gekennzeichnet, daß die Leseschaltung ferner
Lesemittel (103) aufweist zum Auslesen der Signale, die in der
kapazitiven Last (101) für eine Zeitdauer (Tx) nach der
Inaktivierung jedes der Schaltmittel (Qs) durch die
Steuermittel (102) bis zur Löschung der kapazitiven Last
(101) durch die Löschmittel (Qr) gespeichert sind.
2. Signalleseschaltung nach Anspruch 1, deren
Akkumuliermittel (Ct) Kondensatoren aufweisen.
3. Signalleseschaltung nach Anspruch 1, deren Steuermittel
(102) ein Schieberegister aufweisen.
4. Signalleseschaltung nach Anspruch 1, deren zeitliche
Steuerung zur selektiven Aktivierung der Vielzahl von
Schaltmitteln (Qs) durch die Steuermittel (102) mit der
zeitlichen Steuerung zur Aktivierung der Löschmittel
synchronisiert ist.
5. Signalleseschaltung nach Anspruch 1, deren Lesemittel
(103) Abtast-Speichereinrichtungen enthalten.
6. Signalleseschaltung nach Anspruch 1, die ferner ein
Signalausgabe-Endgerät aufweist, wobei die Lesemittel
(103) Schaltmittel (Qsn) aufweisen, die zwischen der
kapazitiven Last (101) und dem Signalausgabe-Endgerät
angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62104604A JP2603252B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3876842D1 DE3876842D1 (de) | 1993-02-04 |
DE3876842T2 true DE3876842T2 (de) | 1993-07-15 |
Family
ID=14385024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8888303509T Expired - Fee Related DE3876842T2 (de) | 1987-04-30 | 1988-04-19 | Signalleseschaltung. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4914319A (de) |
EP (1) | EP0289191B1 (de) |
JP (1) | JP2603252B2 (de) |
DE (1) | DE3876842T2 (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8900363A (nl) * | 1989-02-15 | 1990-09-03 | Philips Nv | Geintegreerde schakeling. |
EP0385436B1 (de) * | 1989-02-28 | 1996-05-01 | Fujitsu Limited | Fehler absorbierendes System in einem neuronalen Rechner |
US5162912A (en) * | 1989-04-10 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus eliminating noise in an output signal |
US5172249A (en) * | 1989-05-31 | 1992-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus with improved switching to reduce sensor noises |
US5093584A (en) * | 1989-08-30 | 1992-03-03 | International Business Machines Corporation | Self calibrating timing circuit |
US5039879A (en) * | 1990-02-02 | 1991-08-13 | Grumman Aerospace Corp. | Digitally programmable gain normalization circuit |
EP0487332B1 (de) * | 1990-11-22 | 1997-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildaufnahmevorrichtung |
US5164620A (en) * | 1991-11-26 | 1992-11-17 | Kalaf Thomas R | Autonomous gain normalization circuit |
JP3067059B2 (ja) * | 1992-07-09 | 2000-07-17 | シャープ株式会社 | サンプルホールド回路 |
US5589789A (en) | 1993-10-16 | 1996-12-31 | Nec Corporation | Bus driver circuit for high-speed data transmission |
US5883608A (en) * | 1994-12-28 | 1999-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Inverted signal generation circuit for display device, and display apparatus using the same |
US6992714B1 (en) | 1999-05-31 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus having plural pixels arranged two-dimensionally, and selective addition of different pixel color signals to control spatial color arrangement |
JP2007129581A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Canon Inc | 撮像装置及び撮像システム |
WO2010011208A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Thomson Licensing | Method and apparatus for a reconfigurable at-speed test clock generator |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3427475A (en) * | 1965-11-05 | 1969-02-11 | Atomic Energy Commission | High speed commutating system for low level analog signals |
JPS6053945B2 (ja) * | 1977-08-01 | 1985-11-28 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置の駆動方法 |
JPS5919297A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | 電荷結合装置の出力回路 |
JPS59180324A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-13 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS637082A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Nikon Corp | アドレス方式のイメ−ジセンサの制御方法 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62104604A patent/JP2603252B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-04-19 US US07/183,632 patent/US4914319A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-19 EP EP88303509A patent/EP0289191B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-19 DE DE8888303509T patent/DE3876842T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2603252B2 (ja) | 1997-04-23 |
DE3876842D1 (de) | 1993-02-04 |
EP0289191A2 (de) | 1988-11-02 |
JPS63272174A (ja) | 1988-11-09 |
EP0289191A3 (en) | 1989-09-27 |
EP0289191B1 (de) | 1992-12-23 |
US4914319A (en) | 1990-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3876842T2 (de) | Signalleseschaltung. | |
DE69722309T2 (de) | Flachschirmadressierungsverfahren mit bildelementvorladung, steuereinrichtung zur durchführung des verfahrens und anwendung in grossbildschirmen | |
DE2936703C2 (de) | ||
DE69920687T2 (de) | Bildsensor mit erweitertem dynamikbereich | |
DE3013253C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Speicherung und Abgabe von Analog-Signalen | |
EP0027881B1 (de) | Monolithisch integrierter, zweidimensionaler Bildsensor mit einer differenzbildenden Stufe und Verfahren zu dessen Betrieb | |
DE3689707T2 (de) | Photoelektrische Wandlervorrichtung. | |
DE69033613T2 (de) | Fotoelektrischer Umwandler | |
DE69010737T2 (de) | Photoelektrische Wandlungsvorrichtung. | |
DE3106359C2 (de) | ||
DE69719712T2 (de) | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung mit Unterdrückung von statischen Störungen | |
DE69028156T2 (de) | Photoelektrisches Umwandlungsgerät | |
DE69307947T2 (de) | Festkörperbildaufnahmevorrichtung mit elektronischem Verschluss | |
DE3854419T2 (de) | Abtastschaltung. | |
DE69624524T2 (de) | Umschaltungsschaltkreis und Ladungsverschiebeanordnung unter Anwendung derselben | |
DE1774082B2 (de) | Schaltungsanordnung zum ausgleich von zeitfehlern bei farbfernsehsignalen, die von einem vorzugsweise bandfoermigen magnetspeicher abgenommen werden | |
DE69902663T2 (de) | Reduzierung von streifenförmigen störungen in cmos bildsensoren | |
DE69223864T2 (de) | Ladungstransferanordnung | |
EP0107073A2 (de) | Zweidimensionaler Halbleiter-Bildsensor mit einer Anordnung zur Reduzierung des Überstrahlens | |
DE3850076T2 (de) | Zeilensensorapparat. | |
DE68922770T2 (de) | Ladungsinjektionsbauelement mit rauscharmer Ausgabe. | |
DE69027840T2 (de) | Fotoelektrisches Verwandlungsgerät | |
DE68925984T2 (de) | Taktimpulsgeneratoren | |
EP0510408B1 (de) | Photodetektoranordnung | |
DE69731493T2 (de) | Analoger FIFO-Speicher |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |