DE3875786T2 - Schutzbekleidung des typs sicxnyozht erhalten durch behandlung mit plasma. - Google Patents

Schutzbekleidung des typs sicxnyozht erhalten durch behandlung mit plasma.

Info

Publication number
DE3875786T2
DE3875786T2 DE8888400974T DE3875786T DE3875786T2 DE 3875786 T2 DE3875786 T2 DE 3875786T2 DE 8888400974 T DE8888400974 T DE 8888400974T DE 3875786 T DE3875786 T DE 3875786T DE 3875786 T2 DE3875786 T2 DE 3875786T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plasma
substrate
precursor gas
process according
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Revoked
Application number
DE8888400974T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3875786D1 (de
Inventor
Claude Bonet
Francois Coeuret
Jean-Marie Gauthier
Sylvie Nowak
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Air Liquide SA
Original Assignee
Air Liquide SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=9350360&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE3875786(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Air Liquide SA filed Critical Air Liquide SA
Publication of DE3875786D1 publication Critical patent/DE3875786D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3875786T2 publication Critical patent/DE3875786T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Revoked legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/308—Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T50/00—Aeronautics or air transport
    • Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Ablagerung von Schutzüberzügen auf transparenten Polymersubstraten durch Plasma, insbesondere für den mechanischen und antistatischen Schutz von Verglasungen, Bildschirmen oder optischen Trägern.
  • In der Automobilindustrie ist es besonders interessant, das Glas, insbesondere für die Scheiben der Scheinwerferoptik, durch weniger schwere und besser an die länglichen und abgerundeten Formen von Automobilzubehör angepaßte Polymerverbindungen ersetzen zu können. Indessen ist es erforderlich, diese Polymerverbindungen gegen die chemischen und mechanischen Angriffe durch einen transparenten und mechanisch und thermisch geeignet widerstandsfähigen Überzug zu schützen. Die Druckschrift WO-A-85104601 beschreibt die Erzeugung eines solchen Überzugs in zwei Stufen, d. h. eines Überzuges für das zu schützende Substrat durch Eintauchen in ein Siliconharz und anschließende Polymerisation des Überzuges in der Wärme.
  • Die Anmelderin zeigte, daß es möglich ist, nach einer einfachen, weniger kostspieligen und leicht veränderbaren Technik Ablagerungen anorganischer, homogener, transparenter Filme, die eine gute mechanische und antistatische Widerstandsfähigkeit haben und Temperaturveränderungen und der Feuchtigkeit widerstehen, auf solchen Substraten herzustellen.
  • Hierzu hat die Erfindung zum Gegenstand ein Verfahren zum Schutz eines transparenten Polymermaterialsubstrates mit einer Glasübergangstemperatur durch Ablagerung eines anorganischen transparenten Filmes, der außer Silicium wenigstens eines der Elemente Kohlenstoff, Stickstoff, Wasserstoff und Sauerstoff umfaßt, mit den Verfahrensschritten, in denen man in einem umschlossenen Raum die Substratoberfläche einer Temperatur unterhalb der Glasübergangstemperatur des Substratmaterials und einem Plasmastrahl in Gegenwart eines Silicium-Vorläufers und wenigstens eines Vorläufergases der besagten Elemente aussetzt.
  • Die Ablagerung von Verbindungen, die Silicium umfassen, auf metallischen Substraten durch Plasma ist bekannt, insbesondere auf dem Gebiet der Mikroelektronik oder zur Herstellung von Photoelementen. Solche Techniken sind in den Druckschriften US-A4,546,008, US-A4,645,684 und Journal of Applied Physics, Band 55, Nr. 10, Seiten 3785-3793, beschrieben.
  • Die Druckschrift EP-A-1 00,258 beschreibt ein Verfahren zur Aufbringung einer Unterschicht durch Plasmaablagerung auf halb starrem oder flexiblem PVC vor der Metallislerung, ausgehend von einem gasförmigen Organosilan mit einem Halogen oder einer Alkoxygruppe, wobei sich die Beispiele auf Chlorsilane beziehen.
  • Nach einem spezielleren Merkmal der Erfindung ist das Substrat ein gute Eigenschaften optischer Transparenz und mechanischer Widerstandsfähigkeit besitzendes Polymer der Gruppe, die die Verbindungen Polymethylmethacrylat, Polystyrol-Acrylnitril, kristallklares Polystyrol, Polyimid, Polyamid, Polyester und insbesondere Polycarbonat umfaßt, wobei der abgelagerte Film also typischerweise die Zusammensetzung SiCxNyHt hat, worin x zwischen 0 und 5 liegt, y zwischen 0 und 0,8 liegt, z zwischen 0 und 2,5 liegt und t zwischen 0 und 1,2 liegt.
  • Die vorliegende Erfindung befaßt sich auch mit den transparenten Polymersubstraten, die durch dieses Verfahren erhalten wurden, und mit der Anwendung des letzteren zum Schutze von Verglasungen, Bildschirmen und optischen Trägern.
  • Das gasförmige Plasma kann nach der Erfindung durch jedes bekannte Mittel erzeugt werden und insbesondere beispielhalber durch eine Quelle für Hochfrequenz- oder Mikrowellenerregung.
  • Das Gas, in welchem das Plasma erzeugt wird, ist ein übliches plasmagenes Gas, wie beispielsweise die Edelgase der Luft, z. B. Argon oder Helium oder auch Neon, oder Wasserstoff und deren Gemische.
  • Indessen ist es nach der Erfindung auch möglich, das Plasma mit einem der Vorläufergase dieser Elemente zu erzeugen, wie beispielsweise mit Stickstoff, Ammoniak oder Sauerstoff.
  • Unter Vorläufergas eines dieser Elemente versteht man nach der Erfindung ein Gas, das dieses Element umfaßt und es in dem Plasma freisetzen kann. Die durch die verschiedenen Vorläufer freigesetzten verschiedenen Elemente vereinigen sich wieder unter Bildung der anorganischen Ablagerung. Die Elemente stammen also aus angefügten Quellen.
  • Man kann das Sauerstoff- und/oder Stickstoff-Vorläufergas insbesondere unter O&sub2;, N&sub2;O, N&sub2; und NH&sub3; und als Kohlenstoff-Vorläufer Methan oder Ethan oder CO&sub2; auswählen. Der Vorläufer kann alleine als plasmagenes Gas benutzt werden, und so ist in bestimmten Anwendungsfällen übliches plasmagenes Gas nicht erforderlich.
  • Die Silicium-Vorläufer sind vorteilhafterweise "Silane", d. h. außer Silan SiH&sub4; die Polysilane, wie Si&sub2;H&sub6; und Si&sub3;H&sub8;.
  • So und wie man in den Beispielen sehen wird, benutzt man zur Ablagerung des Siliciumdioxids SiH&sub4;, O&sub2; und das plasmagene Gas, und zur Ablagerung von Siliciumnitrid benutzt man außer dem plasmagenen Gas beispielsweise N&sub2; und SiH&sub4;.
  • Schließlich kann man ins Auge fassen, Silicium-, Kohlenstoff-, Stickstoff- und Sauerstoffverbindungen nach der Erfindung aus Silanen und Sauerstoff-, Stickstoff- oder Kohlenstoff-Vorläufer(n) abzulagern.
  • Um einen Überzug nach der Erfindung herzustellen, kann die Zufuhr von gasförmigem Vorläuferelement aber auch von anderem Typ sein, wobei die Vorläuferelemente aus dem Substrat selbst stammen können. In der Tat erzeugen die Polymersubstrate selbst unter dem Einfluß des Plasmas bestimmte wesentliche Elemente des Überzugs. Es ist also nur erforderlich, in Gasform den nötigen Zusatz zur Erzielung der Überzüge nach der Erfindung durch die angefügten Quellen einzuführen.
  • Die Anmelderin hat gezeigt, daß der oder die Silicium-Vorläufer vorteilhafterweise beim Nachglühen, d. h. am Abstromende der sichtbaren Zone des Plasmastrahls mit geringer Energie eingespritzt werden.
  • Ferner kann es nützlich sein, vor der Erzeugung der Ablagerung die Oberfläche des Polymersubstrates vorzubereiten, indem man eine Vorbehandlung unter Plasma durchführt, wie in den Beispielen gezeigt wird; diese Vorbehandlung reinigt die Substratoberfläche und begünstigt die Anhaftung der Ablagerung. Insbesondere die Vorbehandlungen mit Sauerstoff und Ammoniak erweisen sich als wirksam zur Begünstigung der Überzugshaftung.
  • Desgleichen zeigte die Anmelderin, daß eine Nachbehandlung mit Plasma vorteilhaft für die Qualität und das Anhaften der Ablagerung sein kann genauso wie eine thermische Nachbehandlung.
  • Das Verfahren mit Mikrowellenplasma nach der Erfindung wird bei niedrigem Druck durchgeführt, d. h. vorzugsweise unter 10 torr und beispielsweise bei einem Druck in der Größenordnung von weniger als 0,5 torr (1 torr = 1,33 · 10² Pa). Dieser Druck wird an die verwendete Plasmaerzeugungsvorrichtung angepaßt.
  • Die Temperaturen auf der Oberfläche des Substrates während der Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung liegen im Falle von Mikrowellenplasma bei niedrigem Druck beispielsweise in der Größenordnung von weniger als 100ºC und besonders unter den Zersetzungstemperaturen der zu behandelnden Oberfläche, besonders unterhalb der Glasübergangstemperatur des Substrates, wenn dieses polymer ist. Dieses hat den Vorteil, daß man Polymermaterialien ohne Kühlmittel während der Durchführung des Verfahrens behandeln kann.
  • Dieses Verfahren bei niedriger Temperatur garantiert insbesondere die späteren Eigenschaften der geschützten Substrate.
  • Die abgelagerten Filme sind anorganische und amorphe Polymere. Sie sind transparent und makroskopisch zusammenhängend und von einer Dicke von 1/10 Mikrometer bis zu einigen Mikrometern. Für ein Substrat vom Polycarbonattyp, dessen Härte auf der Mohs- Skala 2 ist, wobei diejenige von Glas zwischen 5 und 7 liegt, verleiht der nach der Erfindung abgelagerte Film ihm eine Härte in der Größenordnung derjenigen von Glas. Ihre Härte ist somit in diesem Fall besser als diejenige des Substrates.
  • Die Überzüge haften auf dem Substrat (Klebebandtest) und sind abriebbeständig. Die nachfolgenden Beispiele beschreiben die Temperaturschwankungen sowie die thermischen Zyklen, die die beschichteten Substrate aushalten können.
  • Die Anmelderin zeigte, daß die Anwesenheit von Kohlenstoff in dem Überzug eine gute Widerstandsfähigkeit desselben gegenüber Temperaturschwankungen ergibt. Wenn die Kohlenstoffzufuhr durch eine angefügte Quelle, wie beispielsweise CH&sub4;, erfolgt, ist das aus dieser angefügten Quelle stammende Verhältnis Si/C vorzugsweise über oder gleich 1.
  • Diese Filme haben außerdem die Eigenschaften einer besseren Wasserbenetzbarkeit als das Substrat.
  • Außer diesen Eigenschaften hat die Anmelderin gezeigt, daß die Überzüge nach der Erfindung antistatische Eigenschaften besitzen.
  • Aufgrund ihrer Härte besitzen sie bestimmte Vorteile auf organischen Ablagerungen, die bisher für den Schutz von Informationsträgern, wie Laserplatten und anderen optischen oder magnetischen Trägern, benutzt wurden.
  • Da sie transparent sind, können diese Ablagerungen für den Oberflächenschutz aller transparenten Teile benutzt werden, die besonders gegen Staub und andere durch elektrostatische Ladungen auf der Oberfläche gehaltenen Elemente empfindlich sind.
  • Um solche antistatischen Eigenschaften und Eigenschaften der Anhaftung und der Härte und der Widerstandsfähigkeit gegen thermische Zyklen zu erhalten, sind die Ablagerungen, für welche x = 0,3-1; y = 0,5-0,8; z = 1,3-2 und t = 0,6-1, besonders interessant.
  • Das Verfahren nach der Erfindung gewährleistet eine gute Qualität der Verbindung von Oberfläche und Film unter normalen oder aggressiven Bedingungen: Anhaftung, Widerstandsfähigkeit gegenüber chemischen Bädern usw. Dank der optischen, mechanischen und chemischen Eigenschaften der abgelagerten Schicht (Anhaftung, Härte, Abriebbeständigkeit, chemische Beständigkeit usw.) bildet der nach der Erfindung abgelagerte Überzug einen wirksamen Schutz der Träger während mechanischer oder chemischer Angriffe, insbesondere was das Aufrechterhalten der optischen Eigenschaften (erhöhte Transmission und geringe Diffusion) betrifft Die nach der Erfindung zu schützenden Polymersubstrate werden insbesondere unter den transparenten geformten oder ausgebildeten Polymermaterialien ausgewählt, die als Scheibe in der Scheinwerferoptik von Fahrzeugen benutzt werden. Es kann sich um Materialien insbesondere vom Polycarbonattyp, um Polymethylmethacrylat, Polystyrol-Acrylnitril oder kristallklares Polystyrol handeln.
  • Die Polycarbonate sind Polymere beispielsweise vom Poly-(oxycarbonyloxy-1,4- phenylen-isopropyliden-1,4-phenylen)-Typ oder Copolymere auf der Basis von Bisphenol A oder eines Comonomers.
  • Auch andere Substrate können indessen durch einen harten antistatischen Überzug nach der Erfindung geschützt werden. Man kann insbesondere die Polyamide, PVC, die Polyester, wie Polyethylenterephthalat, und die Polyimide nennen.
  • Die transparenten Materialien können für die Verglasungen und Bildschirme, d. h. außer für die Scheinwerferscheiben oder Linsen, insbesondere für die Sehschlitze von Motorradhelmen, die Motorradverkleidungen, die seitlichen ortsfesten oder beweglichen Scheiben oder Schiebedächer von Fahrzeugen und Kabinenfenster von Flugzeugen, die städtische und häusliche Beleuchtungsoptik, die Sicherheitsverglasung, die Schirme und Schutzeinrichtungen für Apparate und Anzeigetafeln, die Gewächshäuser, Veranden und Bedachungen aus Kunststoff, die organischen Gläser für Uhren oder Brillen oder die optisch zu lesenden Platten beispielhalber aber nicht ausschließlich verwendet werden.
  • Darum betrifft die vorliegende Erfindung auch die Aufbringung von Überzügen nach der Erfindung zum Schutz von Verglasungen und Schirmen und zum Schutz gegen die elektrostatischen Ladungen von Informationsträgern.
  • Die Erfindung wird besser im Hinblick auf die einzige Figur bei der Lektüre der detaillierten Beschreibung und der nachfolgenden Ausführungsbeispiele verstanden.
  • Die Fig. 1 zeigt einen schematischen Schnitt einer Ausführungsform einer Vorrichtung zur Durchführung des obigen Verfahrens. Der dichte Raum 3 besteht aus einer Glocke 6, die auf einer kreisförmigen Basis 13 ruht. Eine erste Einspritzleitung 1 (Leitung 1) mit der gleichen Achse wie die Glocke 6 ist mit wenigstens einer nicht dargestellten Gasquelle verbunden. Diese Einspritzleitung 1 durchquert einen Wellenleiter 4, der mit einem Mikrowellengenerator 5 verbunden ist. Eine zweite Einspritzleitung 2 (Leitung 2), die mit wenigstens einer nicht dargestellten Gasquelle verbunden ist, durchquert in dichter Weise die Wand der Glocke 6 und ist an ihrem inneren Ende in der Glocke 6 mit einem Gasflußverteiler 7 mit Wulstform und mit Öffnungen mit regelmäßigem Abstand versehen.
  • Das Substrat 11 ist auf einem Träger 8 angeordnet. Der Träger 8 besitzt eine Stützplatte 12, die mit symmetrisch verteilten Öffnungen 9 versehen ist. Die kreisförmige Basis 13 der Glocke 6 besitzt eine Abzugsöffnung 10 für Ausflüsse mit der gleichen Achse wie die Glocke und in dichter Verbindung mit nicht dargestellten Mitteln zur Erzeugung eines Unterdruckes in dem Raum verbunden. Es kann sich beispielsweise um eine Vakuumpumpe handeln. Ein Thermoelement 14 mißt die Temperatur auf der Oberfläche der Probe 11 und durchquert die Glocke in dichter Verbindung.
  • Der oben beschriebene Aufbau erlaubt eine Durchführung des Verfahrens in folgender Weise:
  • Wie aus den Beispielen ersichtlich, dringt durch die Leitung 1 ein plasmagenes Gas ein, das die Mikrowellenenergie des Generators G UHF mittels des Wellenleiters 4 aufnimmt. Vorläufergase können auch durch diese Leitung 1 eingespritzt werden. Die Leitung 2 und ihr Verteiler 7 erlauben es, das Silicium-Vorläufergas und gegebenenfalls Helium oder Argon einzuspritzen.
  • Indessen kann die Leitung 2 auch ein Einspritzen von plasmagenem Gas gestatten, wenn die Leitung 1 nur von einem Vorläufergas benutzt wird. Vorzugsweise wird der Silicium- Vorläufer bei Nachglühen durch die Leitung 2 eingespritzt.
  • Die axiale Lage der Einspritzleitung 1 und der Verteiler 7 der Einspritzleitung 2 sind Mittel, um ein homogenes Einspritzen der Gase zu erzielen. Auch die ebenso axiale Öffnung 10 und die in der Platte 12 symmetrisch verteilten Öffnungen 9 tragen zur Homogenität des Gasabziehens bei. Das homogene Fließen der Gase ermöglicht die Homogenität der Ablagerung auf dem Substrat 11, das in der Mitte der so erzeugten Ströme angeordnet ist.
  • Andere nicht gezeigte Varianten, wie beispielsweise solche, bei denen die Symmetrie nicht zylindrisch ist oder bei denen auch die Einspritzleitungen mehrere sind, werden auch ins Auge gefaßt, wobei ihre Anordnung der Form, der Größe und der Anzahl der zu behandelnden Substrate in der Sorge um eine Homogenität der Gasströme Rechnung trägt, was die Homogenität der Ablagerung bestimmt.
  • Die außerhalb der Vorrichtung am Ende der Öffnung 10 nicht gezeigten Unterdruckmittel gestatten es, den Druck in Funktion der Gasdurchsätze zu regulieren.
  • Nach der Erfindung kann man anstelle eines Wellenleiters andere bekannte Mittel benutzen, um ein Mikrowellenplasma oder einen anderen Plasmatyp zu erzeugen.
  • Also benutzt man in einer anderen nicht dargestellten Variante andere Mittel zur Plasmaerzeugung, um die Gaskolonne anzuregen, wie beispielsweise einen Induktor, der die Einspritzleitung umgibt und mit Hochfrequenzstrom gespeist wird.
    • Beispiel 1: Ablagerung von Siliciumoxid
  • Die Ablagerungsbedingungen in einer Vorrichtung, wie sie in Fig. 1 beschrieben ist, sind die folgenden:
  • G = Mikrowellengenerator 2,45 GHz
  • Druck = 0,5 · 10² Pa
  • Gesamtdurchsatz = 5 l/h (die Prozente beziehen sich auf den Gesamtdurchsatz)
  • P bezeichnet die durch das Plasma übertragene Leistung, t die Behandlungszeit, e die Temperatur der Polycarbonatoberfläche.
  • Die verwendeten Gase sind in der folgenden Tabelle 1 wiedergegeben: Tabelle I Vorbehandlung Ablagerung Gase P(W) t(min) Leitung
    • Beispiel 2: Siliciumoxynitrid-Aberlagerung
  • Die Ablagerungen erfolgten unter den gleichen allgemeinen Bedingungen und unter den in der beigefügten Tabelle II angegebenen speziellen Bedingungen. Die behandelten Substratproben haben die Größe von 5 · 5 cm und bestehen aus Polycarbonat, das von der General Electric unter der Bezeichnung LEXAN und von Bayer unter der Bezeichnung MAKROLON in den Handel gebracht wird.
  • Die von N&sub2; ausgehend wie oben beschrieben erhaltenen Siliciumoxinitrid-Ablagerungen sind transparent und haftfest und wurden getestet:
  • - Anhaftung: gut (Kiebebandtest)
  • - Transparenz (Sichtkontrolle): ausgezeichnet
  • - Homogenität (durch Elektronen induzierte X-Analyse): ausgezeichnet
  • - IR-Spektren (Hauptbanden): SiN (um 900 cm&supmin;¹)
  • SiNH (3335 cm&supmin;¹; 1170 cm&supmin;¹)
  • SiO (1000-1100 cm&supmin;¹)
  • - Dauerhaftigkeit gegen destilliertes Wasser: 72 Stunden bei 60ºC. Keine Änderung des Überzuges der ersten Probe. Die Anhaftung bleibt gut
  • - Dicke: 1 bis 5 um entsprechend der Ablagerungshärte
  • - Dichte: nicht gemessen, wahrscheinlich wenig dicht
  • - Abriebbeständigkeit = die 7 Proben wurden im Hinblick auf die Lichttransmission und -diffusion vor und nach dem Abriebtest mit Sand mit der als Schleifschuhmethode bezeichneten Methode getestet. In den letzten Spalten der Tabelle erscheinen die Mittelwerte der Abweichung der Proben für die Transmission (T) und Diffusion (D).
  • Die Proben müssen vor und nach Abrieb Abweichungen von weniger als 10% für die Transmission und von weniger als 4% für die Diffusion zeigen, um dem Test zu genügen. Die hergestellten Proben entsprechen sehr gut diesen Forderungen. Tabelle II Vorbehandlung Ablagerung Nachbehandlung Abriebtest kGase P(W) t(min) Leitung
    • Beispiel 3:
  • Eine Ablagerung erfolgt nach dem Verfahren auf einer Polycarbonatprobe von 5 · 2 cm gemäß der folgenden Sequenz:
  • 1) Vorbehandlung mit Ar-Plasma, dann mit Ar-Plasma mit einem Gehalt von 10% NH&sub3;,
  • 2) Ablagerung einer Schicht mit einer Dicke von 0,9 Mm und der Zusammensetzung SiC0,5N0,8O&sub2;H mit Plasma während einer Stunde aus einer Gasphase der Zusammensetzung: SiH&sub4; = 0,6%, Ar = 69%, He = 20,4%, N&sub2; = 10%.
  • Man benutzte einen Mikrowellengenerator G mit 2,45 GHz, die durch das Plasma übertragene Leistung ist 60 bis 80 W.
  • Der Druckist 0,15 · 10² Pa.
  • Die so überzogene Probe wird also in einen thermischen Raum eingeführt, der auf +25ºC gehalten wird, um sie dort einem thermischen Zyklus zu unterziehen, wie er nachfolgend definiert ist.
  • - 16 Stunden bei +25ºC
  • - Abfall von +25ºC auf -25ºC mit 0,6ºC/Minute
  • - eine Stunde bei -25ºC
  • - Erwärmen von -25ºC auf +80&sup0;G mit 1ºC/Minute
  • - eine Stunde auf +80ºC
  • - Rückkehr auf +25ºC.
  • Die Probe wurde ohne jegliche Veränderung zehn aufeinanderfolgenden Zyklen unterzogen.
    • Beispiel 3 bis:
  • Die gleiche Probe, die 17 Stunden in einer 100% HR (relative Feuchtigkeit) enthaltenden Atmosphäre bei +25ºC gehalten wurde, unterlag keinerlei Veränderung.
    • Beispiel 4:
  • Dieses Beispiel zeigt die Rolle von Kohlenstoff für die mechanischen Eigenschaften und für die Widerstandsfähigkeit gegenüber der Umgebung von Polycarbonat-Ablagerungen.
  • Eine Polycarbonatprobe von 5 · 2 cm wird mit einer Ablagerung unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 3 bei einem Druck von 0,5 · 10² Pa nach der folgenden Sequenz bedeckt:
  • 1) Vorbehandlung mit Ar-Plasma, dann mit Ar-Plasma mit einem Gehalt von 10% NH&sub3;,
  • 2) Ablagerung einer Schicht mit einer Dicke von 1,7 um mit Plasma während einer Stunde aus einer Gasphase der Zusammensetzung:
  • SiH&sub4; = 0,6%; CH&sub4; = 0,6%; N&sub2; = 10%; He = 20,4%; Ar = 68,4%.
  • Diese gut anhaftende Probe unterlag einer Folge von acht aufeinanderfolgenden thermischen Zyklen (die gleichen wie in Beispiel 3 definiert). Es wurde überhaupt keine Änderung nach 24 Stunden bei 25ºC und 100% HR beobachtet.

Claims (12)

1. Verfahren zum Schutz eines transparenten Polymermaterialsubstrates mit einer Glasübergangstemperatur durch Ablagerung eines anorganischen transparenten Filmes, der Silicium und wenigstens eines der Elemente Kohlenstoff, Stickstoff, Wasserstoff und Sauerstoff umfaßt, auf dem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß der Schutzfilm erhalten wird, indem man die Substratoberfläche in einem umschlossenen Raum einer Temperatur unterhalb der Glasübergangstemperatur des Substratmaterials und einem Plasmastrahl in Gegenwart eines Silciumvorläufergases und wenigstens eines Vorläufergases eines der besagten Elemente aussetzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein transparentes Polymer der Gruppe ist, die die Verbindungen Polycarbonat, Polymethylmethacrylat, Polystyrol-Acrylnitril, kristallklares Polystyrol, Polyimid, Polyester und Polyamid umfaßt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciumvorläufergas ein Silan ist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciumvorläufergas in einen Bereich geringer Energie des Plasmastrahles eingeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der dem Plasmastrahl ausgesetzten Substratoberfläche unter 100ºC ist
6. Verfahren nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Vorläufergas eines der besagten Elemente unter O&sub2;, N&sub2;O, N&sub2;, NH&sub3;, CH&sub4;, CO&sub2; und C&sub2;H&sub4; ausgewählt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der abgelagerte Film die Zusammensetzung SiCxNyOzHt hat, worin x zwischen 0 und 5 liegt, y zwischen 0,3 und 0,8 liegt, z zwischen 1,3 und 2,5 liegt und t zwischen 0,5 und 1,2 liegt.
8. Verfahren nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es die Vorstufe einer Vorbehandlung der Substratoberfläche durch Plasma vor der Schutzfilmablagerung umfaßt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorbehandlung durch Plasma in Gegenwart von Sauerstoff erfolgt.
10. Verfahren nach einem der vorausgehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es die nachträgliche Stufe einer thermischen Nachbehandlung der auf der Substratoberfläche aufgebrachten Ablagerung oder eine Nachbehandlung derselben durch Plasma umfaßt.
11. Transparentes Polymersubstrat, beschichtet mit einer Schutzablagerung, die nach dem Verfahren nach einem der vorausgehenden Ansprüche erhalten wurde.
12. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zum Schutz von Gläsern, Blendschirmen oder optischen Trägern.
DE8888400974T 1987-04-22 1988-04-21 Schutzbekleidung des typs sicxnyozht erhalten durch behandlung mit plasma. Revoked DE3875786T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8705669A FR2614317B1 (fr) 1987-04-22 1987-04-22 Procede de protection de substrat polymerique par depot par plasma de composes du type oxynitrure de silicium et dispositif pour sa mise en oeuvre.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3875786D1 DE3875786D1 (de) 1992-12-17
DE3875786T2 true DE3875786T2 (de) 1993-03-25

Family

ID=9350360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8888400974T Revoked DE3875786T2 (de) 1987-04-22 1988-04-21 Schutzbekleidung des typs sicxnyozht erhalten durch behandlung mit plasma.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5093152A (de)
EP (1) EP0289402B1 (de)
JP (1) JPH05500069A (de)
KR (1) KR890700647A (de)
DE (1) DE3875786T2 (de)
ES (1) ES2052754T3 (de)
FR (1) FR2614317B1 (de)
WO (1) WO1988008439A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29814279U1 (de) 1998-08-10 1998-12-03 Bayerische Motoren Werke AG, 80809 München Scheinwerfer für Fahrzeuge

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2631346B1 (fr) * 1988-05-11 1994-05-20 Air Liquide Revetement protecteur multicouche pour substrat, procede de protection de substrat par depot par plasma d'un tel revetement, revetements obtenus et leurs applications
US5326584A (en) * 1989-04-24 1994-07-05 Drexel University Biocompatible, surface modified materials and method of making the same
US5278243A (en) * 1992-01-14 1994-01-11 Soane Technologies, Inc. High impact resistant macromolecular networks
FR2661688B1 (fr) * 1990-05-02 1992-07-17 Air Liquide Revetement multicouche pour substrat polycarbonate et procede d'elaboration d'un tel revetement.
FR2677773B1 (fr) * 1991-06-12 1994-04-29 Air Liquide Procede d'elaboration d'une structure optique et structure optique ainsi realisee.
US5350605A (en) * 1991-06-12 1994-09-27 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process for the preparation of an optical structure and optical structure obtained thereby
FR2677841B1 (fr) * 1991-06-12 1997-01-10 Air Liquide Reacteur pour depot plasma en phase gazeuse de composes inorganiques sur un substrat polymere.
DE4204082A1 (de) * 1992-02-12 1993-08-19 Leybold Ag Verfahren zur herstellung einer haftvermittelnden schicht auf werkstueckoberflaechen
CA2146369C (en) * 1992-11-13 1999-06-15 Masatsugu Izu Microwave apparatus for depositing thin films
US5399388A (en) * 1994-02-28 1995-03-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of forming thin films on substrates at low temperatures
US5508368A (en) * 1994-03-03 1996-04-16 Diamonex, Incorporated Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings
US5888593A (en) * 1994-03-03 1999-03-30 Monsanto Company Ion beam process for deposition of highly wear-resistant optical coatings
US5846649A (en) * 1994-03-03 1998-12-08 Monsanto Company Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses
FR2732363B1 (fr) * 1995-03-31 1997-04-30 France Telecom Procede et appareil de depot chimique en phase vapeur, assiste par plasma micro-ondes, de couches minces de silice a basse temperature, utilisant des chlorures
WO1996033098A2 (en) * 1995-04-13 1996-10-24 Xmx Corporation Gas-impermeable, chemically inert container structure and method of producingthe same
US5772771A (en) * 1995-12-13 1998-06-30 Applied Materials, Inc. Deposition chamber for improved deposition thickness uniformity
US6070551A (en) * 1996-05-13 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films
US6172812B1 (en) 1997-01-27 2001-01-09 Peter D. Haaland Anti-reflection coatings and coated articles
KR100495338B1 (ko) * 1997-01-27 2005-06-14 피터 디. 하랜드 광학 기판으로부터의 반사를 감소시키기 위한 코팅막, 반사 감소 방법 및 장치
DE19802333A1 (de) * 1998-01-23 1999-07-29 Leybold Systems Gmbh Barriereschicht für Verpackungsmaterial und Verfahren zur Herstellung einer Barriereschicht für Verpackungsmaterial
DE19802506A1 (de) * 1998-01-23 1999-07-29 Leybold Systems Gmbh Metallhaltige Barriereschicht für Verpackungsmaterial und Verfahren zur Herstellung einer metallhaltigen Barriereschicht für Verpackungsmaterial
US6287990B1 (en) 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6159871A (en) * 1998-05-29 2000-12-12 Dow Corning Corporation Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
US6667553B2 (en) 1998-05-29 2003-12-23 Dow Corning Corporation H:SiOC coated substrates
DE19925049C5 (de) * 1999-06-01 2005-12-22 Hella Kgaa Hueck & Co. Kunststoffscheibe von Kraftfahrzeugscheinwerfern oder Kraftfahrzeugleuchten und Verfahren zu deren Herstellung
JP2002151506A (ja) * 2000-10-30 2002-05-24 Applied Materials Inc 気相堆積方法及び装置
JP4713752B2 (ja) * 2000-12-28 2011-06-29 財団法人国際科学振興財団 半導体装置およびその製造方法
US6709721B2 (en) 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
JP3915697B2 (ja) * 2002-01-15 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US6905773B2 (en) * 2002-10-22 2005-06-14 Schlage Lock Company Corrosion-resistant coatings and methods of manufacturing the same
FR2872911B1 (fr) * 2004-07-07 2006-09-15 Commissariat Energie Atomique Procede de localisation d'une espece chimique ou biologique sur un substrat, microsysteme d'analyse et biopuce
DE102005007825B4 (de) 2005-01-10 2015-09-17 Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh Verfahren zur Herstellung einer reflexionsmindernden Beschichtung, reflexionsmindernde Schicht auf einem transparenten Substrat sowie Verwendung einer derartigen Schicht
EP1899048B1 (de) 2005-07-01 2008-12-17 Commissariat A L'energie Atomique Hydrophobe oberflächenbeschichtung mit geringer benetzungshysterese, aufbringungsverfahren dafür, mikrokomponente und verwendung
EP2014214A1 (de) * 2006-01-24 2009-01-14 Electrolux Home Products Corporation N.V. Kunststoffkomponenten für Haushaltsgeräte
US20100178017A1 (en) * 2006-10-06 2010-07-15 Boris Kharas Method for Improving Refractive Index Control in PECVD Deposited a-SiNy Films
US20080118663A1 (en) * 2006-10-12 2008-05-22 Applied Materials, Inc. Contamination reducing liner for inductively coupled chamber
WO2008121478A2 (en) * 2007-03-28 2008-10-09 Dow Corning Corporation Roll-to-roll plasma enhanced chemical vapor deposition method of barrier layers comprising silicon and carbon
JP5610265B2 (ja) * 2008-02-20 2014-10-22 ダイキョーニシカワ株式会社 樹脂成形体
WO2012092020A2 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Applied Materials, Inc. Thin film deposition using microwave plasma
CN103361611A (zh) * 2012-03-27 2013-10-23 王晓强 具有多重防护功能的摄像机防护罩生产工艺

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4328646A (en) * 1978-11-27 1982-05-11 Rca Corporation Method for preparing an abrasive coating
BG32652A1 (en) * 1980-03-13 1982-09-15 Kolev Method for surface laying of metals on synthetic, natural and artificial polymers
JPS5996137A (ja) * 1982-11-25 1984-06-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 塩化ビニル系樹脂複合製品の製造方法
JPS60119784A (ja) * 1983-12-01 1985-06-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 絶縁金属基板の製法およびそれに用いる装置
US4546008A (en) * 1983-11-07 1985-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposition film
DE3402971A1 (de) * 1984-01-28 1985-08-01 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Vorrichtung zur beschichtung eines substrates mittels plasma-chemical vapour deposition oder hochfrequenz-kathodenzerstaeubung
JPS6130671A (ja) * 1984-07-23 1986-02-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 硬質カ−ボン膜
JPS6177132A (ja) * 1984-09-25 1986-04-19 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体
JPH0685391B2 (ja) * 1984-10-09 1994-10-26 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
US4668365A (en) * 1984-10-25 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
GB2168911B (en) * 1984-12-29 1989-06-07 Tdk Corp Magnetic recording medium
JPS61174510A (ja) * 1985-01-29 1986-08-06 Seiko Instr & Electronics Ltd 液晶表示装置
US4716048A (en) * 1985-02-12 1987-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JPS61186293A (ja) * 1985-02-15 1986-08-19 Seiko Epson Corp スタ−ルビ−の製造方法
US4840873A (en) * 1986-07-11 1989-06-20 Kuraray Co., Ltd. Production of optical recording medium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29814279U1 (de) 1998-08-10 1998-12-03 Bayerische Motoren Werke AG, 80809 München Scheinwerfer für Fahrzeuge

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05500069A (ja) 1993-01-14
KR890700647A (ko) 1989-04-26
FR2614317A1 (fr) 1988-10-28
US5093152A (en) 1992-03-03
EP0289402B1 (de) 1992-11-11
EP0289402A1 (de) 1988-11-02
ES2052754T3 (es) 1994-07-16
WO1988008439A1 (fr) 1988-11-03
FR2614317B1 (fr) 1989-07-13
DE3875786D1 (de) 1992-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3875786T2 (de) Schutzbekleidung des typs sicxnyozht erhalten durch behandlung mit plasma.
DE69211425T2 (de) Dampfphasenabscheidung von hydriertem Silsesquioxanharz
DE69217233T2 (de) Vorrichtung und verfahren zum beschichten von substraten mittels plasmaentladung
DE69020221T2 (de) Verfahren zur Bildung von amorphes Siliziumcarbid enthaltenden Beschichtungen.
DE69014811T2 (de) Verfahren zur Auftragung einer amorphen anorganischen Schutzschicht auf ein polymeres organisches Substrat.
DE19731181C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von polymeren Grundwerkstoffen mit dünnen SiC-Schichten
DE3316693C2 (de)
US5116665A (en) Multilayer protective coating for a substrate, process for protecting a substrate by a plasma deposition of such a coating, coatings obtained and applications thereof
DE69013007T2 (de) Verfahren zur chemischen abscheidung aus der dampfphase von nitriden der übergangsmetalle.
Kitahama et al. Synthesis of diamond by laser‐induced chemical vapor deposition
DE69305048T2 (de) Dampfphasenabscheidung von Wasserstoff-Silsesquioxan-Harz in Gegenwart von Distickstoffmonoxid
EP0590467B1 (de) Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung
EP0177517A1 (de) Verfahren zum aufbringen einer dünnen, transparenten schicht auf der oberfläche optischer elemente.
DE10139305A1 (de) Verbundmaterial aus einem Substratmaterial und einem Barriereschichtmaterial
DE3346803C2 (de)
EP1208245A1 (de) Plasma-cvd-verfahren und vorrichtung zur herstellung einer mikrokristallinen si:h-schicht
DE3601711A1 (de) Reaktor zum erzeugen von aus daempfen erzeugten niederschlaegen auf einem substrat
DE4039352C2 (de)
DE102014105939A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Entspiegelungsschicht auf einer Silikonoberfläche und optisches Element
DE60007099T2 (de) Verfahren zur oberflächenbehandlung von polymeren
DE3821614A1 (de) Deckschicht aus amorphem kohlenstoff auf einem substrat, verfahren zur herstellung der deckschicht und verwendung der deckschicht
DE68920246T2 (de) Mit einem keramischen Film überzogener Gegenstand.
DE4013306A1 (de) Optische formkoerper aus siliziumnitrid, sowie verfahren zu deren herstellung
CA2074331A1 (en) Thin-film coatings made by means of plasma-activated chemical vapor deposition of fluorinated cycle siloxanes
Va'Vra Wire aging of hydrocarbon gases with TMAE additions

Legal Events

Date Code Title Description
8363 Opposition against the patent
8331 Complete revocation